SU1632313A1 - Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников - Google Patents

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Info

Publication number
SU1632313A1
SU1632313A1 SU4726188/25A SU4726188A SU1632313A1 SU 1632313 A1 SU1632313 A1 SU 1632313A1 SU 4726188/25 A SU4726188/25 A SU 4726188/25A SU 4726188 A SU4726188 A SU 4726188A SU 1632313 A1 SU1632313 A1 SU 1632313A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature superconductor
producing high
superconductor films
films
crystalline substrate
Prior art date
Application number
SU4726188/25A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Ю. Касумов
В.Н. Матвеев
Л.А. Матвеева
А.В. Черных
Original Assignee
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР filed Critical Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР
Priority to SU4726188/25A priority Critical patent/SU1632313A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1632313A1 publication Critical patent/SU1632313A1/ru

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %:Sb - 10- 23Bi - Остальное
SU4726188/25A 1989-08-08 1989-08-08 Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников SU1632313A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4726188/25A SU1632313A1 (ru) 1989-08-08 1989-08-08 Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4726188/25A SU1632313A1 (ru) 1989-08-08 1989-08-08 Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1632313A1 true SU1632313A1 (ru) 2000-02-20

Family

ID=60531463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4726188/25A SU1632313A1 (ru) 1989-08-08 1989-08-08 Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1632313A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS535581A (en) Schottky gate type field effect transistor
SU1632313A1 (ru) Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников
KR870003783A (ko) 소염제 조성물의 제조방법
JPS5331103A (en) Forming method of protecting layer of recording members
JPS5223275A (en) Field effect transistor and its manufacturing method
JPS5329346A (en) Process of electrodeposition
JPS51113741A (en) Production method of reflecting mirror made of stainless-steel plate a s base materials
JPS5237159A (en) Magic mirror and production method of same
JPS522165A (en) Method of thermally diffusing selectively aluminum of semiconductor su bstrate
JPS5419652A (en) Lead bonding method
JPS5216989A (en) Process of semiconductor thin film
JPS52144972A (en) Formation method of photo resist film
JPS5440073A (en) Film forming method
JPS52151141A (en) Preparation of 4-hydroxysalicylic acid anilide
JPS52118661A (en) Preparation of heat pipe
JPS5243137A (en) Solar collector
JPS5377183A (en) Production of semiconductor device
JPS52122475A (en) Production of semiconductor device
JPS5312267A (en) Growth method of semiconductor crystal
JPS51126768A (en) Semiconductor unit manufacturing process
JPS5399795A (en) Skid and its manufacture
JPS5337405A (en) Thin film magnetic head and its manufacture
JPS51142992A (en) Semiconductor laser:crystal bring-up method
JPS5354492A (en) Forming method of oxide film to compound semiconductor
JPS5366174A (en) Finding method for defective part of semiconductor unit