SU1630570A1 - Способ получения слоев оксинитрида кремния - Google Patents
Способ получения слоев оксинитрида кремнияInfo
- Publication number
- SU1630570A1 SU1630570A1 SU4473406/25A SU4473406A SU1630570A1 SU 1630570 A1 SU1630570 A1 SU 1630570A1 SU 4473406/25 A SU4473406/25 A SU 4473406/25A SU 4473406 A SU4473406 A SU 4473406A SU 1630570 A1 SU1630570 A1 SU 1630570A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layers
- silicon oxinitride
- ammonia
- mixture
- nitrous oxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см, а подложку нагревают до 90 - 250C.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4473406/25A SU1630570A1 (ru) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | Способ получения слоев оксинитрида кремния |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4473406/25A SU1630570A1 (ru) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | Способ получения слоев оксинитрида кремния |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1630570A1 true SU1630570A1 (ru) | 2000-05-20 |
Family
ID=60531435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4473406/25A SU1630570A1 (ru) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | Способ получения слоев оксинитрида кремния |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1630570A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2498445C2 (ru) * | 2011-12-19 | 2013-11-10 | Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) | Способ изготовления диэлектрического слоя |
RU2787299C1 (ru) * | 2022-04-06 | 2023-01-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования полевых транзисторов |
-
1988
- 1988-08-10 SU SU4473406/25A patent/SU1630570A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2498445C2 (ru) * | 2011-12-19 | 2013-11-10 | Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) | Способ изготовления диэлектрического слоя |
RU2787299C1 (ru) * | 2022-04-06 | 2023-01-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования полевых транзисторов |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS56122123A (en) | Semiamorphous semiconductor | |
TW366531B (en) | Plasma etching process | |
EP0194109A3 (en) | Method for producing a semiconductor device using a chemical vapour deposition step | |
SU1630570A1 (ru) | Способ получения слоев оксинитрида кремния | |
JPS5458637A (en) | Ion nitriding method | |
JPS5767009A (en) | Formation of film | |
JPS5621330A (en) | Method of dry etching | |
JPS5229511A (en) | Internal combustion engine | |
JPS56149306A (en) | Formation of silicon nitride film | |
JPS52107268A (en) | Combustion apparatus | |
JPS5567143A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JPS52151558A (en) | Manufacture of luminous screen | |
JPS57136932A (en) | Photochemical reaction device | |
JPS6262529A (ja) | 窒化シリコン膜の作成方法 | |
JPS57134553A (en) | Chemical vapor phase growing method | |
CA2345489A1 (en) | A process for concentrating fluorine compounds | |
JPS5212669A (en) | Process and apparatus for treatment of exhaust gases emitted from wet gas treatment apparatus | |
JPS5392666A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS526369A (en) | Process for decomposing nitrogen oxides | |
JPS57211239A (en) | Formation of insulating film | |
RU93045491A (ru) | Способ производства нитрида натрия | |
JPS5799732A (en) | Semi-amorphous semiconductor | |
JPS551133A (en) | Photoelectric conversion semiconductor | |
Somesan | Electron cyclotron absorption of the ordinary wave in a toroidal plasma. | |
SE8504689D0 (sv) | Sett vid borttagning av fororeningar fran gaser |