SU1630570A1 - Способ получения слоев оксинитрида кремния - Google Patents

Способ получения слоев оксинитрида кремния

Info

Publication number
SU1630570A1
SU1630570A1 SU4473406/25A SU4473406A SU1630570A1 SU 1630570 A1 SU1630570 A1 SU 1630570A1 SU 4473406/25 A SU4473406/25 A SU 4473406/25A SU 4473406 A SU4473406 A SU 4473406A SU 1630570 A1 SU1630570 A1 SU 1630570A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layers
silicon oxinitride
ammonia
mixture
nitrous oxide
Prior art date
Application number
SU4473406/25A
Other languages
English (en)
Inventor
К.Е. Волков
И.И. Мараховка
А.П. Соловьев
И.О. Парм
Л.М. Логвинский
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср filed Critical Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU4473406/25A priority Critical patent/SU1630570A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1630570A1 publication Critical patent/SU1630570A1/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см, а подложку нагревают до 90 - 250C.
SU4473406/25A 1988-08-10 1988-08-10 Способ получения слоев оксинитрида кремния SU1630570A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4473406/25A SU1630570A1 (ru) 1988-08-10 1988-08-10 Способ получения слоев оксинитрида кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4473406/25A SU1630570A1 (ru) 1988-08-10 1988-08-10 Способ получения слоев оксинитрида кремния

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1630570A1 true SU1630570A1 (ru) 2000-05-20

Family

ID=60531435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4473406/25A SU1630570A1 (ru) 1988-08-10 1988-08-10 Способ получения слоев оксинитрида кремния

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1630570A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2498445C2 (ru) * 2011-12-19 2013-11-10 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) Способ изготовления диэлектрического слоя
RU2787299C1 (ru) * 2022-04-06 2023-01-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ формирования полевых транзисторов

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2498445C2 (ru) * 2011-12-19 2013-11-10 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) Способ изготовления диэлектрического слоя
RU2787299C1 (ru) * 2022-04-06 2023-01-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ формирования полевых транзисторов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS56122123A (en) Semiamorphous semiconductor
TW366531B (en) Plasma etching process
EP0194109A3 (en) Method for producing a semiconductor device using a chemical vapour deposition step
SU1630570A1 (ru) Способ получения слоев оксинитрида кремния
JPS5458637A (en) Ion nitriding method
JPS5767009A (en) Formation of film
JPS5621330A (en) Method of dry etching
JPS5229511A (en) Internal combustion engine
JPS56149306A (en) Formation of silicon nitride film
JPS52107268A (en) Combustion apparatus
JPS5567143A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPS52151558A (en) Manufacture of luminous screen
JPS57136932A (en) Photochemical reaction device
JPS6262529A (ja) 窒化シリコン膜の作成方法
JPS57134553A (en) Chemical vapor phase growing method
CA2345489A1 (en) A process for concentrating fluorine compounds
JPS5212669A (en) Process and apparatus for treatment of exhaust gases emitted from wet gas treatment apparatus
JPS5392666A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS526369A (en) Process for decomposing nitrogen oxides
JPS57211239A (en) Formation of insulating film
RU93045491A (ru) Способ производства нитрида натрия
JPS5799732A (en) Semi-amorphous semiconductor
JPS551133A (en) Photoelectric conversion semiconductor
Somesan Electron cyclotron absorption of the ordinary wave in a toroidal plasma.
SE8504689D0 (sv) Sett vid borttagning av fororeningar fran gaser