SU1621101A1 - Способ изготовлени пленочной термобатареи - Google Patents
Способ изготовлени пленочной термобатареи Download PDFInfo
- Publication number
- SU1621101A1 SU1621101A1 SU894717569A SU4717569A SU1621101A1 SU 1621101 A1 SU1621101 A1 SU 1621101A1 SU 894717569 A SU894717569 A SU 894717569A SU 4717569 A SU4717569 A SU 4717569A SU 1621101 A1 SU1621101 A1 SU 1621101A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- mask
- branches
- substrate
- free
- thermopile
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии изготовлени устройств измерительной техники и может быть использовано изготовлении пленочных термоэлектрических устройств. Цель изобретени - увеличение выхода годных изделий при упрощении процесса совмещени ветвей термопар - достигаетс тем, что согласно способу изготовлени пленочной термобатареи путем осаждени на подложку материала вегзей через свободные маски, размещенные ка подложке, перед размещением свободной маски на подложке размещают и фиксируют вспомогательную маску с рисунком совмещенных ветвей термобатареи , поверх которой размещают и совмещают с участками под ветви свободные маски с размерами рисунка ветвей термобатареи, превышающими размеры рисунка ветви на вспомогательной маске, а материал дл формировани каждой ветзи осаждают последовательно при использовании соответствующей свобод .ой маски, причем в качестве вспомогательной каски используют контактную маску , например, из фоторезиста, а в качестве свободных масок -- прецизионные ферромаг- I л нитные маскм, фиксируемые магнитным держателем , устанавливаемым с обратной стороны подложки. 2 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
Изобретение относитс к технологии изготовлени устройств измерительной техники и может быть использовано при изготовлении пленочных термоэлектрических устройств,
Целью изобретени вл етс увеличение выхода готовых изделий при упрощении процесса совмещени ветвей термопар.
На фиг.1 показана вспомогательна маска на подложке; на фиг.2 - сечение А-А на фиг.1; на фиг.З - формирование группы ветвей с помощью свободной маски, размещенной на вспомогательной; на фиг,4 - сечение Б-Б на фиг.З; на фиг.5 - формирование группы ветвей другого типа проводимости с помощью свободной маски, размещенной на вспомогательной; нафиг.6- сечение В-В на фиг.5; на фиг.7 - подложка со
сформированной на ней пленочной термобатареей; на фиг.8 - сечение Г-Г на фиг.7; на фиг.9 - ветви термобатареи в области гор чего спа с нагревателем; на фиг.10 - гор чий спай (участок совмещени ) ветвей термсгйры.
Изготовление пленочной термобатареи по предлагаемому способу происходит следующим образом.
На подложке 1 фиксированно размеща- ют маску 2 с рисунком совмещенных ветвей термобатареи (фиг.1 и 2). В случае необходимости рисунок маски 2 необходимым образом совмещают с предыдущим элементом структуры (в данном случае с нагревателем ). Поверх маски 2 размещают свободную маску 3 с рисунком одной из ветвей термобатареи и с размерами, превы-raS
тающими размер рисунка маски 2. Через маски 2 и 3 нанос т на подложку 1 материал одной из ветвей термобатареи, например, р-проводимости (фиг.З и 4). Удал ют маску 3, оставл при этом на подложке 1 маску 2. Вновь поверх маски 2 размещают свободную маску 5 с рисунком другой ветви термобатареи и с размерами, превышающими размер рисунка маски 2. Через маски 2 и 5 нанос т на подложку 1 материал 6 другой ветви термобатареи - n-проводимости. Удал ют маски 2 и 5, при этом на подложке 1 остаетс совмещенный рисунок пленочной термобатареи.
Пример. Изготовление тонкопленочных термопреобразователей, основными элементами которых вл ютс расположенные на подложке пленочные нагреватель и термобатаре из соединенных последовательно термопар.
На подложке после нанесени нагревател формируют контактную маску из фоторезиста с рисунком совмещенных ветвей термобатареи. Свободные маски из ковара с рисунком отдельных ветвей термобатареи и с размерами, превышающими размер рисунка на нижней маске, совмещают с последней и фиксируют держател ми, располагаемыми с обратной стороны подложки . Термобатаре содержит 20 термопар шириной 50 мкм, ширина ветвей на свободных масках 90 мкм. Через каждую комбинацию совмещенных масок нанос т материалы ветвей: сурьму и висмут.
В результате получают увеличение на 30 - 40% выхода годных изделий на одной подложке (группового издели ) с высокой точностью совмещени при высокой плотности термоспаев, что важно дл повышени коэффициента преобразовани термопреобразователей.
Применение предлагаемого способа изготовлени пленочной термобатареи увели- чивает выход годных изделий при упрощении процесса совмещени ветвей термопар за счет того, что совмещение свободных масок ветвей производитс при фиксированно размещенной маске, содержащей совмещенный рисунок термобатареи . При этом совмещении исключаетс возможность повреждени свободной маской ранее нанесенного сло (элемента) и
одновременно достигаетс высока точность совмещени , поскольку маска, содержаща совмещенный рисунок термобатареи, находитс на подложке в течение всего цикла осаждени ветвей. Изготовление фиксированно размещаемой на подложке маски в виде контактной из фоторезиста позвол ет изготавливать рисунок совмещенных ветвей с высокой точностью,
использу метод фотолитографии. При этом контактна маска предотвращает от повреждени ранее осажденные элементы структуры устройства при нанесении первой ветви термобатареи и, соответственно,
первую ветвь при осаждении второй. Использование в качестве свободных масок прецизионных ферромагнитных, фиксируемых магнитным держателем, позвол ет плотно прижимать их к фиксированно размещенной маске, что исключает подпыле- ние и способствует увеличению выхода годных изделий.
25
Claims (3)
1.Способ изготовлени пленочной термобатареи путем осаждени на подложку материала ветвей через свободные маски, размещенные на подложке, отличающийс тем, что, с целью увеличени выхода годных изделий и упрощени процесса изготовлени , перед размещением свободной маски на подложке размещают и фиксируют вспомогательную маску с рисунком совмещенных
ветвей термобатареи, поверх которой размещают и совмещают с участками под ветви свободные маски с размерами рисунка ветвей термобатареи, превышающими размеры рисунка ветви на вспомогательной
маске, а материал дл формировани каждой ветви осаждают последовательно при использовании соответствующей свободной маски.
2.Способ по п.1,отличающийс тем, что в качестве вспомогательной маски
используют контактную маску.
3.Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и и с тем, что в качестве свободных масок используют прецизионные ферромагнитные маски , фиксируемые магнитным держателем, устанавливаемым с обратной стороны подложки .
JT
А
CJ
L±i
A -A
Тл
Фцг.1
5r
A1
Ays.J
л
.
Фиг.5
A
Г
шг
Фиг. 7
Фиг. 2
5-5
T
B-B
A
Tr
Фиг.6
k 6,
r-r
Тд
.
Фиг. 8
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894717569A SU1621101A1 (ru) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Способ изготовлени пленочной термобатареи |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894717569A SU1621101A1 (ru) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Способ изготовлени пленочной термобатареи |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1621101A1 true SU1621101A1 (ru) | 1991-01-15 |
Family
ID=21460210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894717569A SU1621101A1 (ru) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Способ изготовлени пленочной термобатареи |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1621101A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2557366C2 (ru) * | 2011-03-22 | 2015-07-20 | Текникал Юниверсити Оф Денмарк | Структура, используемая для производства термоэлектрогенератора, термоэлектрогенератор, содержащий такую структуру, и способ ее изготовления |
RU2611562C1 (ru) * | 2015-12-14 | 2017-02-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Термостат+" | Пространственно ориентированный термоэлектрический модуль и способ его изготовления |
-
1989
- 1989-07-11 SU SU894717569A patent/SU1621101A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Голбан И.М., Канцер В.Г., Малкова H.fvi. и др. Полуметаллы и полупроводники. Кишинев: Штиинца, 1988, с. 149 - 152. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2557366C2 (ru) * | 2011-03-22 | 2015-07-20 | Текникал Юниверсити Оф Денмарк | Структура, используемая для производства термоэлектрогенератора, термоэлектрогенератор, содержащий такую структуру, и способ ее изготовления |
RU2611562C1 (ru) * | 2015-12-14 | 2017-02-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Термостат+" | Пространственно ориентированный термоэлектрический модуль и способ его изготовления |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4111717A (en) | Small-size high-performance radiation thermopile | |
JPS54161268A (en) | Method of manufacturing semiconductor device growing silicon layer on sapphire substrate | |
SU1621101A1 (ru) | Способ изготовлени пленочной термобатареи | |
US4339514A (en) | Process for making solid-state color imaging device | |
SE401463B (sv) | Forfarande for epitaktisk paleggning i tva steg av ett kristallint skikt pa ett upphettat kristallint substrat | |
JPS5853822A (ja) | 積層半導体装置 | |
JPS5678416A (en) | Preparation of thin film | |
JPS5599722A (en) | Preparation of semiconductor device | |
DE3200853C2 (ru) | ||
US4689246A (en) | Method of fabricating a PbS-PbSe IR detector array | |
JPS5658269A (en) | Mos type semiconductor device | |
US4366229A (en) | Method of making cold shield for infrared detector array | |
JPS56150877A (en) | Photoelectric converter | |
JPS5678155A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPS577925A (en) | Manufacture of thin film integrated circuit | |
JPS57102053A (en) | Semiconductor device | |
JP2697181B2 (ja) | 赤外線検知器の製造方法 | |
JPS56144530A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5336182A (en) | Thin semiconductor single crystal film forming insulation substrate | |
JPS6213067A (ja) | レンズ領域を有する固体撮像装置 | |
US4011574A (en) | Junction arrays for superconducting and nonsuperconducting application | |
JPH0582459A (ja) | エピタキシヤル結晶の製造方法 | |
JPS61198713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5724580A (en) | Manufacture of infrared ray detecting element | |
JPS5792882A (en) | Thermo-sensor |