SU1621101A1 - Способ изготовлени пленочной термобатареи - Google Patents

Способ изготовлени пленочной термобатареи Download PDF

Info

Publication number
SU1621101A1
SU1621101A1 SU894717569A SU4717569A SU1621101A1 SU 1621101 A1 SU1621101 A1 SU 1621101A1 SU 894717569 A SU894717569 A SU 894717569A SU 4717569 A SU4717569 A SU 4717569A SU 1621101 A1 SU1621101 A1 SU 1621101A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
mask
branches
substrate
free
thermopile
Prior art date
Application number
SU894717569A
Other languages
English (en)
Inventor
Леонтий Ильич Кромонов
Original Assignee
Тартуский государственный университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тартуский государственный университет filed Critical Тартуский государственный университет
Priority to SU894717569A priority Critical patent/SU1621101A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1621101A1 publication Critical patent/SU1621101A1/ru

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технологии изготовлени  устройств измерительной техники и может быть использовано изготовлении пленочных термоэлектрических устройств. Цель изобретени  - увеличение выхода годных изделий при упрощении процесса совмещени  ветвей термопар - достигаетс  тем, что согласно способу изготовлени  пленочной термобатареи путем осаждени  на подложку материала вегзей через свободные маски, размещенные ка подложке, перед размещением свободной маски на подложке размещают и фиксируют вспомогательную маску с рисунком совмещенных ветвей термобатареи , поверх которой размещают и совмещают с участками под ветви свободные маски с размерами рисунка ветвей термобатареи, превышающими размеры рисунка ветви на вспомогательной маске, а материал дл  формировани  каждой ветзи осаждают последовательно при использовании соответствующей свобод .ой маски, причем в качестве вспомогательной каски используют контактную маску , например, из фоторезиста, а в качестве свободных масок -- прецизионные ферромаг- I л нитные маскм, фиксируемые магнитным держателем , устанавливаемым с обратной стороны подложки. 2 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

Изобретение относитс  к технологии изготовлени  устройств измерительной техники и может быть использовано при изготовлении пленочных термоэлектрических устройств,
Целью изобретени   вл етс  увеличение выхода готовых изделий при упрощении процесса совмещени  ветвей термопар.
На фиг.1 показана вспомогательна  маска на подложке; на фиг.2 - сечение А-А на фиг.1; на фиг.З - формирование группы ветвей с помощью свободной маски, размещенной на вспомогательной; на фиг,4 - сечение Б-Б на фиг.З; на фиг.5 - формирование группы ветвей другого типа проводимости с помощью свободной маски, размещенной на вспомогательной; нафиг.6- сечение В-В на фиг.5; на фиг.7 - подложка со
сформированной на ней пленочной термобатареей; на фиг.8 - сечение Г-Г на фиг.7; на фиг.9 - ветви термобатареи в области гор чего спа  с нагревателем; на фиг.10 - гор чий спай (участок совмещени ) ветвей термсгйры.
Изготовление пленочной термобатареи по предлагаемому способу происходит следующим образом.
На подложке 1 фиксированно размеща- ют маску 2 с рисунком совмещенных ветвей термобатареи (фиг.1 и 2). В случае необходимости рисунок маски 2 необходимым образом совмещают с предыдущим элементом структуры (в данном случае с нагревателем ). Поверх маски 2 размещают свободную маску 3 с рисунком одной из ветвей термобатареи и с размерами, превы-raS
тающими размер рисунка маски 2. Через маски 2 и 3 нанос т на подложку 1 материал одной из ветвей термобатареи, например, р-проводимости (фиг.З и 4). Удал ют маску 3, оставл   при этом на подложке 1 маску 2. Вновь поверх маски 2 размещают свободную маску 5 с рисунком другой ветви термобатареи и с размерами, превышающими размер рисунка маски 2. Через маски 2 и 5 нанос т на подложку 1 материал 6 другой ветви термобатареи - n-проводимости. Удал ют маски 2 и 5, при этом на подложке 1 остаетс  совмещенный рисунок пленочной термобатареи.
Пример. Изготовление тонкопленочных термопреобразователей, основными элементами которых  вл ютс  расположенные на подложке пленочные нагреватель и термобатаре  из соединенных последовательно термопар.
На подложке после нанесени  нагревател  формируют контактную маску из фоторезиста с рисунком совмещенных ветвей термобатареи. Свободные маски из ковара с рисунком отдельных ветвей термобатареи и с размерами, превышающими размер рисунка на нижней маске, совмещают с последней и фиксируют держател ми, располагаемыми с обратной стороны подложки . Термобатаре  содержит 20 термопар шириной 50 мкм, ширина ветвей на свободных масках 90 мкм. Через каждую комбинацию совмещенных масок нанос т материалы ветвей: сурьму и висмут.
В результате получают увеличение на 30 - 40% выхода годных изделий на одной подложке (группового издели ) с высокой точностью совмещени  при высокой плотности термоспаев, что важно дл  повышени  коэффициента преобразовани  термопреобразователей.
Применение предлагаемого способа изготовлени  пленочной термобатареи увели- чивает выход годных изделий при упрощении процесса совмещени  ветвей термопар за счет того, что совмещение свободных масок ветвей производитс  при фиксированно размещенной маске, содержащей совмещенный рисунок термобатареи . При этом совмещении исключаетс  возможность повреждени  свободной маской ранее нанесенного сло  (элемента) и
одновременно достигаетс  высока  точность совмещени , поскольку маска, содержаща  совмещенный рисунок термобатареи, находитс  на подложке в течение всего цикла осаждени  ветвей. Изготовление фиксированно размещаемой на подложке маски в виде контактной из фоторезиста позвол ет изготавливать рисунок совмещенных ветвей с высокой точностью,
использу  метод фотолитографии. При этом контактна  маска предотвращает от повреждени  ранее осажденные элементы структуры устройства при нанесении первой ветви термобатареи и, соответственно,
первую ветвь при осаждении второй. Использование в качестве свободных масок прецизионных ферромагнитных, фиксируемых магнитным держателем, позвол ет плотно прижимать их к фиксированно размещенной маске, что исключает подпыле- ние и способствует увеличению выхода годных изделий.
25

Claims (3)

1.Способ изготовлени  пленочной термобатареи путем осаждени  на подложку материала ветвей через свободные маски, размещенные на подложке, отличающийс   тем, что, с целью увеличени  выхода годных изделий и упрощени  процесса изготовлени , перед размещением свободной маски на подложке размещают и фиксируют вспомогательную маску с рисунком совмещенных
ветвей термобатареи, поверх которой размещают и совмещают с участками под ветви свободные маски с размерами рисунка ветвей термобатареи, превышающими размеры рисунка ветви на вспомогательной
маске, а материал дл  формировани  каждой ветви осаждают последовательно при использовании соответствующей свободной маски.
2.Способ по п.1,отличающийс  тем, что в качестве вспомогательной маски
используют контактную маску.
3.Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и и с   тем, что в качестве свободных масок используют прецизионные ферромагнитные маски , фиксируемые магнитным держателем, устанавливаемым с обратной стороны подложки .
JT
А
CJ
L±i
A -A
Тл
Фцг.1
5r
A1
Ays.J
л
.
Фиг.5
A
Г
шг
Фиг. 7
Фиг. 2
5-5
T
B-B
A
Tr
Фиг.6
k 6,
r-r
Тд
.
Фиг. 8
SU894717569A 1989-07-11 1989-07-11 Способ изготовлени пленочной термобатареи SU1621101A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894717569A SU1621101A1 (ru) 1989-07-11 1989-07-11 Способ изготовлени пленочной термобатареи

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894717569A SU1621101A1 (ru) 1989-07-11 1989-07-11 Способ изготовлени пленочной термобатареи

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1621101A1 true SU1621101A1 (ru) 1991-01-15

Family

ID=21460210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894717569A SU1621101A1 (ru) 1989-07-11 1989-07-11 Способ изготовлени пленочной термобатареи

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1621101A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2557366C2 (ru) * 2011-03-22 2015-07-20 Текникал Юниверсити Оф Денмарк Структура, используемая для производства термоэлектрогенератора, термоэлектрогенератор, содержащий такую структуру, и способ ее изготовления
RU2611562C1 (ru) * 2015-12-14 2017-02-28 Общество с ограниченной ответственностью "Термостат+" Пространственно ориентированный термоэлектрический модуль и способ его изготовления

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Голбан И.М., Канцер В.Г., Малкова H.fvi. и др. Полуметаллы и полупроводники. Кишинев: Штиинца, 1988, с. 149 - 152. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2557366C2 (ru) * 2011-03-22 2015-07-20 Текникал Юниверсити Оф Денмарк Структура, используемая для производства термоэлектрогенератора, термоэлектрогенератор, содержащий такую структуру, и способ ее изготовления
RU2611562C1 (ru) * 2015-12-14 2017-02-28 Общество с ограниченной ответственностью "Термостат+" Пространственно ориентированный термоэлектрический модуль и способ его изготовления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4111717A (en) Small-size high-performance radiation thermopile
JPS54161268A (en) Method of manufacturing semiconductor device growing silicon layer on sapphire substrate
SU1621101A1 (ru) Способ изготовлени пленочной термобатареи
US4339514A (en) Process for making solid-state color imaging device
SE401463B (sv) Forfarande for epitaktisk paleggning i tva steg av ett kristallint skikt pa ett upphettat kristallint substrat
JPS5853822A (ja) 積層半導体装置
JPS5678416A (en) Preparation of thin film
JPS5599722A (en) Preparation of semiconductor device
DE3200853C2 (ru)
US4689246A (en) Method of fabricating a PbS-PbSe IR detector array
JPS5658269A (en) Mos type semiconductor device
US4366229A (en) Method of making cold shield for infrared detector array
JPS56150877A (en) Photoelectric converter
JPS5678155A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS577925A (en) Manufacture of thin film integrated circuit
JPS57102053A (en) Semiconductor device
JP2697181B2 (ja) 赤外線検知器の製造方法
JPS56144530A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5336182A (en) Thin semiconductor single crystal film forming insulation substrate
JPS6213067A (ja) レンズ領域を有する固体撮像装置
US4011574A (en) Junction arrays for superconducting and nonsuperconducting application
JPH0582459A (ja) エピタキシヤル結晶の製造方法
JPS61198713A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5724580A (en) Manufacture of infrared ray detecting element
JPS5792882A (en) Thermo-sensor