SU1614465A1 - Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей - Google Patents

Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей

Info

Publication number
SU1614465A1
SU1614465A1 SU4660246/04A SU4660246A SU1614465A1 SU 1614465 A1 SU1614465 A1 SU 1614465A1 SU 4660246/04 A SU4660246/04 A SU 4660246/04A SU 4660246 A SU4660246 A SU 4660246A SU 1614465 A1 SU1614465 A1 SU 1614465A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
basis
chloraluminum
tetrachlor
phthalocyanines
semi
Prior art date
Application number
SU4660246/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Г.П. Шапошников
В.Е. Майзлиш
В.А. Шорин
М.И. Федоров
Р.П. Смирнов
С.В. Маслеников
Original Assignee
Ивановский Химико-Технологический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ивановский Химико-Технологический Институт filed Critical Ивановский Химико-Технологический Институт
Priority to SU4660246/04A priority Critical patent/SU1614465A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1614465A1 publication Critical patent/SU1614465A1/ru

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Abstract

Хлоралюминий-3,3,3,3-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей.
SU4660246/04A 1989-03-06 1989-03-06 Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей SU1614465A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4660246/04A SU1614465A1 (ru) 1989-03-06 1989-03-06 Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4660246/04A SU1614465A1 (ru) 1989-03-06 1989-03-06 Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1614465A1 true SU1614465A1 (ru) 1999-05-27

Family

ID=60529822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4660246/04A SU1614465A1 (ru) 1989-03-06 1989-03-06 Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1614465A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES520247A0 (es) Mejoras introducidas en un dispositivo fotovoltaico hecho de material semiconductor.
DE68908953D1 (de) Herstellungsverfahren eines Silizium-Kraftwandlers.
DE59008471D1 (de) Leistungshalbleitermodul.
DE3585309D1 (de) "chip-on-chip" halbleitergeraet.
DE3751285D1 (de) Fotoelektrische Umwandlungsvorrichtung.
DE3786363D1 (de) Halbleiteranordnungen mit hoher beweglichkeit.
DE3582374D1 (de) Halbleiter-druckwandler.
DE3751242T2 (de) Photoelektrischer Wandler.
DE69032496T2 (de) Leistungshalbleiteranordnung
DE3581990D1 (de) Halbleitersonnenzellen.
MX157839A (es) Dispositivo fotovoltaico semi-conductor amorfo mejorado
DE68922117D1 (de) Halbleiterphotodiode.
DE3280176D1 (de) Photoelektrischer halbleiterumwandler.
DE3788500T2 (de) Bipolarer Halbleitertransistor.
DE68918799T2 (de) Verbindungshalbleitersubstrat.
DE3689971D1 (de) Herstellung einer halbleiteranordnung.
DE3787848D1 (de) Halbleiterdiode.
DE3787137D1 (de) Halbleiteranordnung.
DE3785488D1 (de) Abschaltbares leistungshalbleiterbauelement.
DE3280267D1 (de) Halbleiterumwandler photoelektrischer.
DE3787763T2 (de) Zusammengesetzte Halbleiteranordnung.
FR2573573B1 (fr) Cathode semi-conductrice a stabilite augmentee
SU1614465A1 (ru) Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей
DE69109525T2 (de) Leistungshalbleiteranordnung.
DE58906299D1 (de) Leistungshalbleiterdiode.