SU1599984A1

SU1599984A1 - Ttl-rectifier

Info

Publication number: SU1599984A1
Application number: SU884470858A
Authority: SU
Inventors: Анатолий Игоревич Вихров
Original assignee: Организация П/Я А-3106
Priority date: 1988-08-05
Filing date: 1988-08-05
Publication date: 1990-10-15

Abstract

Изобретение относитс к импульсной технике, а именно к микросхемотехнике двухкаскадных ТТЛШ-вентилей. Цель изобретени - повышение надежности ТТЛШ-вентил . ТТЛШ-вентиль содержит три основных резистора, токозадающий резистор, входной транзистор, фазоинвертирующий транзистор, составной транзистор, выходной транзистор и диод. Введение токозадающего резистора и новых электрических св зей между функциональными элементами позвол ет повысить надежность ТТЛШ-вентил путем увеличени входного пробивного напр жени за счет использовани цепи обратной св зи. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.The invention relates to a pulse technique, namely to the microcircuit of two-stage TTLSH-gates. The purpose of the invention is to increase the reliability of the TTLS-valve. The TTLSN-gate contains three main resistors, a current-generating resistor, an input transistor, a phase inverting transistor, a composite transistor, an output transistor, and a diode. The introduction of a current-supplying resistor and new electrical connections between functional elements makes it possible to increase the reliability of the SLTS-valve by increasing the input breakdown voltage by using a feedback circuit. 1 hp f-ly, 1 ill.

Description

Изобретение относитс к импульсной технике, а именно к микросхемотехнике двухкаскадных ТТЛШ-вентилей.The invention relates to a pulse technique, namely to the microcircuit of two-stage TTLSH-gates.

Цель изобретени - повышение надежности путем увеличени входно го пробивного напр жени за счет использовани цепи обратной св зи, уменьшение тока потреблени в состо нии логического нул .The purpose of the invention is to increase reliability by increasing the input breakdown voltage by using a feedback circuit, reducing the current consumption in a state of logical zero.

На чертеже приведена принципиальна схема ТТЛШ-вентил .The drawing shows a schematic diagram of a TTLSH valve.

ТТЛШ-вентиль содержит входной транзистор 1, коллектор которого подключен к входу. База транзистора 1 подключена к первому выводу резистора 2. Эмиттер транзистора 1 подключен к базе фазоинвертирующего транзистора 3 и к первому выводу токозадающего резистора 4. Эмиттер транзистора 3 подключен к базе выходного транзистора 5 и через резисторно- транзисторный шунт на резисторах 6 и 7 и транзисторе 8 - к общей шине. Коллектор транзистора 3 подключен кTTLS-gate contains an input transistor 1, the collector of which is connected to the input. The base of transistor 1 is connected to the first output of resistor 2. The emitter of transistor 1 is connected to the base of the phase inverting transistor 3 and to the first output of the current setting resistor 4. The emitter of transistor 3 is connected to the base of the output transistor 5 and through a resistor-transistor shunt on resistors 6 and 7 and transistor 8 - to shared bus. The collector of the transistor 3 is connected to

первому выводу второго резистора 9 и к базе составного транзистора на транзисторах 10 и 11. Эмиттер транзистора 10 соединен с первым выводом резистора 12 и с базой ранзистора 11. Коллектор транзистора 11 соединен с коллектором транзистора 10 и первым выводом третьего резистора 13 Эмиттер транзистора 11 соединен с коллектором транзистора 5 и выходом. Анод диода 14 подключен к базе входного транзистора, а катод - к коллектору транзистора 5. Вторые выводы резисторов 2, 4, 9 и 13 подключены к щине питани , а второй вывод резистора 12 - к общей шине.the first output of the second resistor 9 and the base transistor transistor 10 and 11. The emitter of the transistor 10 is connected to the first output of the resistor 12 and the base of the ranzistor 11. The collector of the transistor 11 is connected to the collector of the transistor 10 and the first output of the third resistor 13 The emitter of the transistor 11 is connected to collector of the transistor 5 and the output. The anode of the diode 14 is connected to the base of the input transistor, and the cathode is connected to the collector of transistor 5. The second terminals of resistors 2, 4, 9 and 13 are connected to the power bus, and the second terminal of resistor 12 is connected to a common bus.

ТТЛИ-вентиль работает следующим образом.TTLI valve works as follows.

При увеличении входного напр жени происходит запирание коллекторного перехода транзистора 1, который в течении некоторого промежутка времени , необходимого дл включени транзисторов 3 и 5, работает в ак- .As the input voltage increases, the collector junction of transistor 1 locks up, which, for a certain period of time necessary to turn on transistors 3 and 5, operates in ac.

(Л(L

сwith

Э( E (

:л: l

- :о ;о эо-: o; o eo

тивном режиме. После включени транзистора 6 на выходе вентил формируетс низкий уровень, что обеспечивает включение диода 14, который вы- ключает входной транзистор 1. При этом выключени транзистора 3 не происходит, так как в его базу втекает ток резистора 4.tive mode. After switching on the transistor 6, a low level is formed at the output of the valve, which ensures the inclusion of a diode 14, which turns off the input transistor 1. At the same time, the switching off of the transistor 3 does not occur, as the resistor 4 flows into its base.

При уменьшении входного напр же- ни происходит включение входного транзистора 1, вследствие чего создаетс низкоомна разр дна цепь дл зар да, накопленного в област х транзистора 3, Следовательно, вклю- чение транзистора 1 приводит к выключению транзистора 3. При этом через коллектор транзистора 1 течет ток, задаваемый резистором 2, Выключение транзистора 3 сопрово сдаетс ростом потенциала на его коллекторе за счет уменьшени тока, протекающего через резистор 9. В тот момент, когда значение этого потенциала достигает значени 2Uag, включаетс составной транзистор, состо ш}лй из транзисторов 10 и 11 и резистора 12. Так как включение составного транзистора происходит быстрее, чем выключение транзистора 5 через шунт, состо щий из резисторов 6 и 7 и транзистора 8, имеет место протекание через транзистор 5 сквозного тока, величина которого определ етс резисторо 13. В установившемс режиме транзистор 5 находитс в выключенном состо нии и на выходе вентил устанавливаетс высокий уровень.When the input voltage decreases, the input transistor 1 turns on, as a result of which a low-impedance discharge circuit is created for the charge accumulated in the areas of transistor 3. Consequently, switching on of transistor 1 leads to switching off of transistor 3. At the same time, through the collector of transistor 1 the current set by resistor 2 flows. Turning off transistor 3 is accompanied by an increase in potential at its collector due to a decrease in the current flowing through resistor 9. At that moment when the value of this potential reaches 2Uag, on A composite transistor consists of transistors 10 and 11 and a resistor 12. Since the composite transistor is turned on faster than the transistor 5 turns off through a shunt consisting of resistors 6 and 7 and transistor 8, a through-through transistor 5 flows through current, the value of which is determined by the resistor 13. In the steady state, the transistor 5 is in the off state and a high level is established at the output of the valve.

Предлагаемый ТТЛШ-вентиль, содержащий входной элемент на основе транзистора, имеет в 1,5-2 раза большее входное пробивное напр жение по сравнению с известными конструкци ми двзгхкаскадных ТТЛШ-вентилей, на вход которых также используетс транзис- тор.The proposed TTLSV gate containing the input element based on the transistor has a 1.5–2 times greater input breakdown voltage as compared with the known designs of two stage HTPSH valves, which also use a transistor at the input.

Q 5 0 5 Q 5 0 5

Q , Q,

00

5five

Увеличение входного пробивного напр жени обеспечиваетс за счет подключени к входу вентил коллекторного вывода транзистора. Пр и этом потребл ема мощность вентил не возрастает .An increase in the input breakdown voltage is provided by connecting the collector output of the transistor to the input of the valve. Pr and this power consumption of the valve does not increase.

Claims

1. TTLSN gate containing a diode, an input transistor, the base of which is connected to the power bus through a first resistor, a phase inverting transistor whose collector is connected to the power bus through a second resistor and connected to a power bus through a third resistor and the emitter is connected to the output and the collector of the output transistor, the emitter of which is connected to the common bus, and the base is connected to the emitter of the phase-inverting transistor and connected via a resistor-transistor shunt to the common bus, about t l and - chyuchy with. so that in order to increase reliability by increasing the input breakdown voltage, a current supplying resistor is introduced, the input transistor collector is connected to the input, the emitter is connected to the phase inverter / lean transistor base and is connected to the power supply diode through the current resistor, and the input transistor base is connected to the anode of the diode whose cathode is connected to the output.

2. The TTLSN valve according to claim 1, which is different in that, in order to reduce the current consumption in a state of logical zero, the value of the current resistor is chosen so that after the completion of the transient process the first transistor is in the on state nii.

AND

0

/ J

one

0-j

0