SU1173552A1

SU1173552A1 - Interface

Info

Publication number: SU1173552A1
Application number: SU843701422A
Authority: SU
Inventors: Сергей Викторович Касаткин; Игорь Иванович Лавров; Владимир Иванович Громов; Павел Витальевич Ястребов
Original assignee: Предприятие П/Я А-1001
Priority date: 1984-02-17
Filing date: 1984-02-17
Publication date: 1985-08-15

Abstract

УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ, содержащее первый и второй транзисторы первого типа проводимости с инжекционным питанием, эмиттеры которых подключены к общей шине, база инжектора второго транзистора подключена к общей шине, коллектор первого транзистора подключен к выходу устройства и к коллектору третьего транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питани , отличающеес тем, что, с целью уменьшени потребл емой мощности, введены два диода Шоттки и резистор, база третьего транзистора через резистор подключена к коллектору второго транзистора и к катоду первого диода Шоттки, анод которого подключен к базе первого транзистора, база инжектора которого подключена к входу устройства и к катоду второго диода Шоттки, анод которого подключен базе второго транзистора . (Л оо сд ел юDEVICE CONSENT, containing the first and second transistors of the first conduction type with injection power, the emitters of which are connected to the common bus, the injector base of the second transistor is connected to the common bus, the collector of the first transistor is connected to the output of the device and the collector of the third transistor of the second conductivity type, the emitter of which is connected A power bus, characterized in that, in order to reduce power consumption, two Schottky diodes and a resistor are inserted, the base of the third transistor is connected via a resistor ene to the collector of the second transistor and to the cathode of the first Schottky diode, the anode of which is connected to the base of a first transistor whose base is connected to the injector device and the entry to the cathode of the second Schottky diode, the anode of which is connected the base of the second transistor. (L oo sd yu

Description

Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах.The invention relates to a pulse technique and can be used in digital integrated circuits.

Цель изобретени - уменьшение потребл емой мощности.The purpose of the invention is to reduce power consumption.

На чертеже приведена электрическа принципиальна схема устройства.The drawing shows an electrical schematic diagram of the device.

Устройство содержит первый 1 и второй 2 транзисторы первого типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине 3, коллектор транзистора 1 подключен к выходу 4 устройства и к коллектору третьего транзистора 5 второго типа проводимости эмиттер которого подключен к шине 6 питани , а база через резистор 7 подключена к коллектору транзистора 2 и катоду первого диода Шоттки 8, анод которого подключен к базе транзистора 1 и коллектору транзистора 9 второго типа проводимости, который вл етс инжектором транзистора 1, эмиттер которого через резистор 10 подключен к шине 11 питани , а база подключена к входу 12 устройства и катоду второго диода Шоттки 13, анод которого подключен к базе транзистора 2 и коллектору транзистора 14 второго типа проводимости, который вл етс инжектором транзистора 2, база которого подключена к обшей шине 3, а эмиттер через резистор 15 подключен к шине 11 питани .The device contains the first 1 and second 2 transistors of the first conductivity type, the emitters of which are connected to the common bus 3, the collector of the transistor 1 is connected to the output 4 of the device and to the collector of the third transistor 5 of the second conductivity type the emitter of which is connected to the power bus 6, and the base through the resistor 7 connected to the collector of transistor 2 and the cathode of the first Schottky diode 8, the anode of which is connected to the base of transistor 1 and the collector of transistor 9 of the second conductivity type, which is an injector of transistor 1, whose emitter the resistor 10 is connected to the power supply bus 11, and the base is connected to the device input 12 and the cathode of the second Schottky diode 13, the anode of which is connected to the base of transistor 2 and the collector of transistor 14 of the second conductivity type, which is an injector of the transistor 2 3, and the emitter through a resistor 15 is connected to the power supply bus 11.

Устройство согласовани работает следующим образом.The matching device operates as follows.

Если на входе 12 устройства присутствует сигнал логического «О (управл ющий этим входом транзистор насыщен), коллекторный ток транзистора 14, величина которого определ етс в основном сопротивлением резистора 15, через пр мо включенный диод Шоттки 13 ответвл етс из базы транзистора 2 в коллектор управл ющего входом 12 транзистор. Транзистор 2 заперт. Поскольку база транзистора 9 закорочена на общую шину 3 через управл ющий входом 12 транзистор предыдущего каскада, то транзистор 9 открыт и его коллекторный ток, который определ етс в основном значением сопротивлени резистора 10, поступает в базу транзистора 1, вызыва его отпирание. Транзистор 1 находитс в режиме насыщени , и на выходе устройства 4 присутствует сигнал логического «О ( 0,2В).If a logical "O" signal is present at the device input 12 (the transistor controlling this input is saturated), the collector current of transistor 14, the value of which is determined mainly by the resistance of resistor 15, directly connects the Schottky diode 13 to the control collector 12 input transistor. Transistor 2 is locked. Since the base of transistor 9 is shorted to common bus 3 via the control input 12 of the transistor of the previous stage, transistor 9 is open and its collector current, which is determined mainly by the resistance value of resistor 10, enters the base of transistor 1, causing it to open. Transistor 1 is in saturation mode, and at the output of device 4 there is a logical signal "O (0.2V).

При этом так как транзистор 2 закрыт, то ток базы транзистора 5 определ етс коллекторным током утечки транзистора 2 и обратным током диода Шоттки 8, который имеют малую величину, что соответствует закрытому состо нию транзистора 5. В этом состо нии устройство потребл ет ток, равньгй сумме эмиттерных токов транзисторов 14 и 9,In this case, since transistor 2 is closed, the base current of transistor 5 is determined by the collector leakage current of transistor 2 and the reverse current of Schottky diode 8, which is small, which corresponds to the closed state of transistor 5. In this state, the device consumes a current the sum of the emitter currents of transistors 14 and 9,

При поступлении на вход 12 устройства сигнала логической «1 (управл ющий этим входом транзистор предыдущего каскада закрыт) коллекторный ток транзистора 14 ответвл етс в базу транзистора 2, который открываетс и входит в режим насыщени . Одновременно с этим происходит запирание транзистора 9 и транзистора 1. При этом запирание транзистора 1 осуществл етс перехватом коллекторного тока транзистора 9 и активным рассасыванием базового зар да за счет протекани коллекторного тока транзистора 2. Так как транзистор 2 входит в режим насыщени , то база транзистора 5 через резистор 7 и транзистор 2 оказываетс закороченной на общую шину 3. Транзистор 5 открываетс и его коллекторный ток осуществл ет форсированный перезар д суммарной нагрузочной емкости на выходе 4 устройства до напр жени , равного U«.n.6-USE 5, где Ue.n.6 - напр жение шины 6 питани , а Оэв s - напр жение коллектор- эмиттер транзистора 5 в режиме насыщени .When a logical signal "1" arrives at the device input 12 (the previous stage transistor controlling this input is closed), the collector current of transistor 14 branches into the base of transistor 2, which opens and enters saturation mode. At the same time, the transistor 9 and the transistor 1 are locked in. In this case, the transistor 1 is locked by intercepting the collector current of the transistor 9 and active resorption of the base charge due to the flow of the collector current of the transistor 2. As the base of the transistor 5 through the resistor 7 and the transistor 2 is shorted to the common bus 3. The transistor 5 opens and its collector current is forced to recharge the total load capacitance at the output 4 of the device to direct voltage equal to U «.n.6-USE 5 wherein Ue.n.6 - voltage supply voltage bus 6 and EIA s - voltage collector-emitter of the transistor 5 in the saturation mode.

На выходе 4 устройства устанавливаетс сигнал логической cl.The output 4 of the device is set to a logical cl signal.

В этом состо нии устройство потребл ет ток, равный сумме эмиттерного тока транзистора 14 и базового тока транзистора 5. Транзистор 9 закрыт, так как его базовый ток определ етс коллекторным током утечки управл ющего входом 12 транзистора и обратным током диода Шоттки 13, величины которых малы.In this state, the device consumes a current equal to the sum of the emitter current of transistor 14 and the base current of transistor 5. Transistor 9 is closed because its base current is determined by the collector leakage current of control transistor 12 and the reverse current of Schottky diode 13, whose values are small .

Таким образом, снижение потребл емой мощности устройства достигаетс за счет отключени наибольщего в устройстве тока транзистора 9 и стабилизации базового тока транзистора 5 в состо нии логической «1 на выходе устройства 4. Кроме того, в предлагаемом устройстве одноколлекторные транзисторы 1 и 2 могут быть выполнены в нормальном включении, что также приводит к снижению потребл емой мощности устройства .Thus, the reduction in power consumption of the device is achieved by turning off the device’s current transistor 9 and stabilizing the base current of transistor 5 in the logical state 1 at the output of device 4. In addition, in the proposed device, single-collector transistors 1 and 2 can be made normal switching, which also leads to a reduction in power consumption of the device.

Claims

MATCHING DEVICE, containing the first and second injection-type conductivity transistors of the first type, emitters of which are connected to a common bus, the injector base of the second transistor is connected to a common bus, the collector of the first transistor is connected to the output of the device and to the collector of the third transistor of the second type of conductivity, emitter which is connected to the power bus, characterized in that, in order to reduce power consumption, two Schottky diodes and a resistor are introduced, the base of the third transistor is connected through a resistor to to the collector of the second transistor and to the cathode of the first Schottky diode, the anode of which is connected to the base of the first transistor, the injector base of which is connected to the input of the device and to the cathode of the second Schottky diode, the anode of which is connected <to the base of the second transistor.

<1 QO SP SI U

I