SU1565867A1 - Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек - Google Patents

Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек Download PDF

Info

Publication number
SU1565867A1
SU1565867A1 SU874293740A SU4293740A SU1565867A1 SU 1565867 A1 SU1565867 A1 SU 1565867A1 SU 874293740 A SU874293740 A SU 874293740A SU 4293740 A SU4293740 A SU 4293740A SU 1565867 A1 SU1565867 A1 SU 1565867A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
suspension
chemical
polishing
mechanical polishing
deionized water
Prior art date
Application number
SU874293740A
Other languages
English (en)
Inventor
Игорь Михайлович Яцик
Виктор Федорович Марченко
Тамара Васильевна Дмитриева
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6668
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6668 filed Critical Предприятие П/Я Р-6668
Priority to SU874293740A priority Critical patent/SU1565867A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1565867A1 publication Critical patent/SU1565867A1/ru

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к композиционным полировальным составам, примен емым дл  химико-механического полировани  полупроводниковых подложек, в частности из монокристаллического кремни . Изобретение позвол ет увеличить скорость полировани  полупроводниковых подложек за счет использовани  состава, содержащего, мас.%: цеолит (алюмосиликат натри ) 9,0 - 11,0, моноэтаноламин 2,3 - 2,9, глицерин 5,0 - 10,0 и деионизованную воду - остальное. 1 табл.

Description

I
(21)4293740/23-05
(22)03.08.87
(46) 23.05.90. Бюл. N1 19
(72) И.М. Яцик, В.. Марченко
и Т.В. Дмитриева
(53)621.921(088.8)
(56)Авторское свидетельство СССР № 636243, кл. С 09 G 1/02, 1978.
(54)СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК
(57)Изобретение относитс  к композиционным полировальным составам, примен емым дл  химико-механического полировани  полупроводниковых подложек , в частности, из монокристаллического кремни . Изобретение позвол ет увеличить скорость полировани  полупроводниковых подложек за счет использовани  состава, содержащего, масД: цеолит (алюмосиликат натри ) 9,0-11,0; моноэтаноламин 2,3-2,9; глицерин 5,0-10,0, и деионизованна  вода остальное. 1 табл.
. Изобретение относитс  к композиционным полировальным составам, примен емым дл  химико-механического полировани  полупроводниковых подложек, в частности, из монокристаллического кремни .
Цель изобретени  - увеличение скорости полировани  полупроводниковых подложек.
Пример 1 . В емкость с 761 г .деионизованной воды добавл ют 110 г цеолита (алюмосиликата натри ) и 100 г глицерина, перемешивают. В полученную композицию порци ми внос т 29 г моноэтаноламина и после тщательного перемешивани  примен ют дл  эффективного полировани  кремниевых пластин после полировани  алмазными пастами АСМ 3/2, АСМ 2/1.
Пример 2. В, емкость с 799 г деионизованной воды внос т 100 г цеолита и 75 г глицерина, перемешивают . К полученной композиции порци- 1 ми добавл ют 26 г моноэтаноламина.
Перемешивают и используют дл  окончательного полировани  кремниевых пластин после полировани  пастами АСМ 2/1, АСМ 1/0.
Аналогично приготавливаетс  суспензи  по примеру 3 (таблица).
а Э
(Л
с
формула изобретени 
Суспензи  дл  химико-механического полировани  полупроводниковых подложек , содержаща  абразив и дейонизо- ванную воду, отличающа с , тем, что с целью увеличени  скорости полировани , она в качестве абразива содержит цеолит и дополнительно моноэтаноламин и глицерин при следующем соотношении компонентов, мас.%: Цеолит9,0-11,0
Моноэтаноламин2,3-2,9
Глицерин5,0-10,0
Деионизованна  водаОстальное
ел
о ел
00
оъ

Claims (1)

  1. формула изобретения
    Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, содержащая абразив и деионизованную воду, отличающаяся, тем, что с целью увеличения скорости полирования, она в качестве абразива содержит цеолит и дополнительно моноэтаноламин и глицерин при следующем соотношении компонентов, мае.?!:
    Цеолит 9,0-11,0 Моноэта нола ми н 2,3-2,9 Глицерин 5,0-10,0 Деионизованная вода Остальное
    SU 1565867 А1
    Пример Состав суспензии, мас,% pH суспензии Скорость рова ния, полимкм/мин Параметр шероховатости R7, мкм ·*·— *·»»· Цеолит Моноэтанола мин Глицерин Вода деионизованная 1 ЭЛ 2,3 5,0 83,7 10,8 0,81 0,032-0,025 2 10,0 2,6 7,5 79,9 11,2 0,83 0,032-0,025 3 11,0 2,9 10,0 76,1 11,5 0,90 0,032-0,025 Изаест- ный - - - 0,08- 0,66 -
SU874293740A 1987-08-03 1987-08-03 Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек SU1565867A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874293740A SU1565867A1 (ru) 1987-08-03 1987-08-03 Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874293740A SU1565867A1 (ru) 1987-08-03 1987-08-03 Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1565867A1 true SU1565867A1 (ru) 1990-05-23

Family

ID=21323052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874293740A SU1565867A1 (ru) 1987-08-03 1987-08-03 Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1565867A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103194148A (zh) * 2013-04-23 2013-07-10 清华大学 化学机械抛光水性组合物及其用途

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103194148A (zh) * 2013-04-23 2013-07-10 清华大学 化学机械抛光水性组合物及其用途
CN103194148B (zh) * 2013-04-23 2014-10-22 清华大学 化学机械抛光水性组合物及其用途

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PT99296A (pt) Processo para a preparacao de composicoes liquidas detergentes que contem um composto de branqueamento de peroxigenio em suspensao
EP0482275B1 (en) Stable liquid detergent compositions containing bleach
CA1071511A (en) Silicon wafer polishing
JP2905097B2 (ja) アルキルアルコキシシランの陽イオン性乳化液
CN1026013C (zh) 含有过硼酸盐漂白剂的液体洗涤剂
FR2414387A1 (fr) Compositions pour le polissage du silicium et du germanium et leur procede d'utilisation
US20020011031A1 (en) Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
ATE77401T1 (de) Thixotrope zubereitungen, verwendung von polycarbonsaeureamiden zu ihrer herstellung und mit polycarbonsaeureamiden beschichtetes siliciumdioxid.
JP2016084371A (ja) 研磨用組成物
JPWO2012115020A1 (ja) 研磨用組成物
JP3883409B2 (ja) ウェーハ研磨用スラリー及びこれを用いた化学的機械的研磨方法
SU1565867A1 (ru) Суспензи дл химико-механического полировани полупроводниковых подложек
HK44591A (en) Amphiphilic 4-alkoxypolyethoxy-benzoic acid esters,their preparation and application
SU1300009A1 (ru) Бетонна смесь
DK390688A (da) Blanding i form af en flydende dispersion til polering af ferrokomponenter og fremgangsmaade til polering af ferrokomponenter
TW201819586A (zh) 一種氮化矽化學機械研磨液
CN106700944B (zh) 一种合成碱、a向蓝宝石抛光液及其制备方法
SU1161529A1 (ru) Состав дл полировани полупроводниковых материалов
SU636243A1 (ru) Полировальный состав
RU2782566C1 (ru) Композиция для химико-механического полирования поверхности полупроводниковых материалов
SU1661274A1 (ru) Состав преимущественно дл закреплени песка
JPS6210199A (ja) 液状クレンザ−組成物
SU1222650A1 (ru) В жущее
SU1294891A1 (ru) Замасливатель дл шерст ного волокна и его смеси с синтетическим волокном
SU1677049A1 (ru) Способ получени полирующего состава дл обработки полупроводниковых пластин