SU1562848A1 - Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений - Google Patents

Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений Download PDF

Info

Publication number
SU1562848A1
SU1562848A1 SU884387695A SU4387695A SU1562848A1 SU 1562848 A1 SU1562848 A1 SU 1562848A1 SU 884387695 A SU884387695 A SU 884387695A SU 4387695 A SU4387695 A SU 4387695A SU 1562848 A1 SU1562848 A1 SU 1562848A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reactor
coatings
stresses
determination
accuracy
Prior art date
Application number
SU884387695A
Other languages
English (en)
Inventor
Герман Леонидович Платонов
Вячеслав Николаевич Аникин
Александр Иванович Аникеев
Анатолий Данилович Шабунин
Наталья Николаевна Золотарева
Original Assignee
Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт тугоплавких металлов и твердых сплавов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт тугоплавких металлов и твердых сплавов filed Critical Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт тугоплавких металлов и твердых сплавов
Priority to SU884387695A priority Critical patent/SU1562848A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1562848A1 publication Critical patent/SU1562848A1/ru

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к средствам контрол  материалов с помощью рентгеновских лучей и может быть использовано при определении напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений. Цель изобретени  - повышение точности определени  напр жений. Сущность способа состоит в том, что эталон дл  рентгенографического определени  напр жений в покрыти х на издели х изготавливают из порошка, полученного из покрыти  или сн того со стенок реактора в зоне осаждени  на рассто нии от ее границы не менее определ емого по формуле L = L/D.K*98M, где L - длина зоны осаждени , мм
D - диаметр реактора, мм
K - коэффициент, завис щий от типа реактора, мм
μ - точность определени  температуры °С. Коэффициент K зависит от типа реактора: так, дл  реактора в виде стакана, K = 5,5
дл  проточного реактора K = 8. Эталон, изготовленный из порошка, подвергают отжигу в нейтральной атмосфере. 1 табл.

Description

Изобретение относитс  к области средств контрол  материалов с помощью рентгеновских лучей и может быть использовано при определении напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений .
Цель изобретени  - повышение точности определени  напр жений.
Сущность способа заключаетс  в следующем„
При нанесении покрытий существенными факторами, вли ющими на процесс
формировани  напр жений в них,  вл ютс  различи  в теплофизических, механических и кристаллохимических характеристиках фазовых составл ющих сплава-основы и материала покрыти , услови  охлаждени  и относительно высока  скорость роста наносимых покрытий . Частично первый фактор способствует по влению ориентированных микронапр жений, а последний - напр жений роста действующих перпендикул рно поверхности образца При этом
00
указанные факторы привод т к возникновению неоднородных напр жений и деформаций кристаллической решетки покрыти  не только в направлении, параллельном поверхности образца, но и в перпендикул рном к нейо Дл  раздельного определени  напр жений в этих двух направлени х необходимо знание параметров кристаллической решетки материала покрыти  в свободном от Напр жений состо нии.
Наносимые покрыти  на основе тугоплавких соединений, например, карбиды , нитриды, бориды, оксиды и т.д., Представл ют собой часто нестехиомет- ричные соединени , степень нестехио- метричности которых заранее не известна и зависит от способа и условий получени , кроме того, покрыти  со- держат примеси, количество которых также зависит от указанных факторов. Таким образом, состав и соответственно параметры кристаллических решеток материала покрыти  и порошка-эталона, полученных разными способами, различаютс , что значительно снижает точность при использовании порошка в качестве эталона дл  раздельного определени  главных нормальных напр же- ний в покрыти х.
В св зи с этим возникает необходимость изготовлени  эталона дл  рентгенографического определени  напр жений и покрыти х на основе туго- плавких соединений в виде порошка, сн того с готовых изделий или со стенок реактора в зоне осаждени  покрыти  после проведени  процесса осаждени . Указанна  зона в реакторе отли- чаетс  от остальных участков реактора . В этой зоне создаютс  и поддерживаютс  во врем  всего процесса осаждени  покрытий изотермические услови  с посто нной скоростью потока подава- емой газовой смеси, что обеспечивает получение на издели х и стенках реактора в этой зоне покрытий одинаково го состава.
Учитыва , что положение границы зоны осаждени  св зано к тому же с точностью регулировани  температуры , рассто ние, на котором следует снимать порошок дл  эталона от границы зоны осаждени  должно быть более рассто ни , рассчитываемого по формуле
1 5К
5 0 5
д
5
где L - длина зоны осаждени , мм; D - диаметр реактора, мм; К - коэффициент, завис щий о т
типа реактора, мм; р - точность определени  температуры , 4°С.
Эмпирический коэффициент К зависит от типа реактора: дл  реактора в виде проточного цилиндра К 8, дл  реактора в виде стакана К 5,5.
Сн тый порошок отжигают в нейтральной среде в течение времени, подбираемого экспериментально.
Пример. Изготовили образец дл  определени  напр жений в покрыти х из карбида титана на сменных многогранных пластинах (СМП) из твердого сплава ТТ10К8Б (состав сплава: 82% WC + 10% (TiC + ТаС) + 8% Со). Нанесение покрытий проводили из газовой смеси СН4 + TiCl4 в токе водорода (отношение TiCl4/CH4 7, температура осаждени  - 1050°С, врем  осаждени  60 мин) на лабораторной установке с кварцевым реактором в виде стакана диаметром 80 мм, с длиной зоны осаждени  160 мм. Порошок дл  эталона сн ли со стенки реактора на рассто нии 22 мм от границы, определенном по формуле
1 - К |и 2 2 мм
Порошок отожгли при Т 1200°С в атмосфере азота в течение 1 ч.
С помощью полученного эталона-порошка определ ли главные суммарные нормальные напр жени  на трех сменных многограных пластинах (СМП) с покрыти ми из TiC.
В таблице приведены значени  угла Q (Вульф-Брегга) и межплоскостных рассто ний дл  порошка карбида титана , изготовленного предлагаемым и известным способами. Покрыти  наносили в установке с кварцевым реактором в виде стакана с D 80 мм, L 160 мм, (К 5,5 мм, 2°С, 1 22 мм) по режимам, указанным в примере .

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ изготовлени  эталона дл  рентгенографического определени  напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений, ичготовпенных в реакторе , включающий получени  тугоплав515
    кого соединени  в виде порошка и
    его отжиг в нейтральной атмосфере,
    отличающийс  тем, что,
    с целью повышени  точности определе-j
    ни  напр жений, порошок изгота вливают , снима  покрытие с издели  и/или
    со стенок реактора в зоне осаждени 
    на рассто нии от границы не менее
    значени  1, определ емого из -соотно- тени 
    KJTF,
    - длина зоны осаждени ;
    - диаметр реактора;
    - точность определени  температуры
    - коэффициент, завис щий от типа реактора
SU884387695A 1988-03-02 1988-03-02 Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений SU1562848A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884387695A SU1562848A1 (ru) 1988-03-02 1988-03-02 Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884387695A SU1562848A1 (ru) 1988-03-02 1988-03-02 Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1562848A1 true SU1562848A1 (ru) 1990-05-07

Family

ID=21359392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884387695A SU1562848A1 (ru) 1988-03-02 1988-03-02 Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1562848A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Васильев Д.М. К методике рентгеновского измерени макро- и микронапр жений методом угловых снимков.- Заводска лаборатори , 1959, т. 25, № 1, с. 70-75. Рентгенографи в физическом металловедении: Сборник./Под ред. Ю.А. Багар цкого, М.: Металлурги , 1961, с. 368. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mirwald et al. The low‐high quartz and quartz‐coesite transition to 40 kbar between 600° and 1600° C and some reconnaissance data on the effect of NaAlO2 component on the low quartz‐coesite transition
Stubican et al. Eutectic solidification in ceramic systems
US3836392A (en) Process for increasing the resistance to wear of the surface of hard metal cemented carbide parts subject to wear
KR100348542B1 (ko) 산화물이피복된절삭공구
Addamiano Preparation and properties of 2H SiC crystals
Otani et al. Preparation of TiCx single crystals with maximum carbon content by a floating zone technique
US3492153A (en) Silicon carbide-aluminum nitride refractory composite
US4220677A (en) Polycrystalline superhard material and method of producing thereof
CA1309903C (en) Deposition of titanium aluminides
US4148964A (en) Polycrystalline superhard material and method of producing thereof
SU1562848A1 (ru) Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений
JPS61236604A (ja) β−Si↓3N↓4の合成方法
Venugopalan et al. Kinetics of directed oxidation of Al-Mg alloys in the initial and final stages of synthesis of Al2O3/Al composites
RU1834839C (ru) Способ насыщени изделий из пористого углеродного материала карбидом кремни
EP0385772A2 (en) Pyrolytic boron nitride
Verspui et al. Lanthanum-stimulated high-temperature whisker growth of α-SiC
US3457033A (en) Process for producing magnesiaalumina spinel whiskers
Al-Shahery et al. The reaction of carbon with rare earth silicides I: the system Er5Si3-C
JPS56100125A (en) Manufacture of silicon carbide whisker
JPS63166789A (ja) シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとその製造方法
Shiota et al. Synthesis of LaB 6 from BN and lanthanum-citrate-hydrate
US3658469A (en) Continuous production of alumina whiskers
JP2638227B2 (ja) マグネシアウィスカーの製造装置
JP3121888B2 (ja) マグネシアウィスカーの製造方法
JP2633620B2 (ja) 炭化ケイ素ウィスカの生成方法