SU1562848A1 - Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений - Google Patents
Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений Download PDFInfo
- Publication number
- SU1562848A1 SU1562848A1 SU884387695A SU4387695A SU1562848A1 SU 1562848 A1 SU1562848 A1 SU 1562848A1 SU 884387695 A SU884387695 A SU 884387695A SU 4387695 A SU4387695 A SU 4387695A SU 1562848 A1 SU1562848 A1 SU 1562848A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- reactor
- coatings
- stresses
- determination
- accuracy
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к средствам контрол материалов с помощью рентгеновских лучей и может быть использовано при определении напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений. Цель изобретени - повышение точности определени напр жений. Сущность способа состоит в том, что эталон дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х на издели х изготавливают из порошка, полученного из покрыти или сн того со стенок реактора в зоне осаждени на рассто нии от ее границы не менее определ емого по формуле L = L/D.K*98M, где L - длина зоны осаждени , мм
D - диаметр реактора, мм
K - коэффициент, завис щий от типа реактора, мм
μ - точность определени температуры °С. Коэффициент K зависит от типа реактора: так, дл реактора в виде стакана, K = 5,5
дл проточного реактора K = 8. Эталон, изготовленный из порошка, подвергают отжигу в нейтральной атмосфере. 1 табл.
Description
Изобретение относитс к области средств контрол материалов с помощью рентгеновских лучей и может быть использовано при определении напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений .
Цель изобретени - повышение точности определени напр жений.
Сущность способа заключаетс в следующем„
При нанесении покрытий существенными факторами, вли ющими на процесс
формировани напр жений в них, вл ютс различи в теплофизических, механических и кристаллохимических характеристиках фазовых составл ющих сплава-основы и материала покрыти , услови охлаждени и относительно высока скорость роста наносимых покрытий . Частично первый фактор способствует по влению ориентированных микронапр жений, а последний - напр жений роста действующих перпендикул рно поверхности образца При этом
00
указанные факторы привод т к возникновению неоднородных напр жений и деформаций кристаллической решетки покрыти не только в направлении, параллельном поверхности образца, но и в перпендикул рном к нейо Дл раздельного определени напр жений в этих двух направлени х необходимо знание параметров кристаллической решетки материала покрыти в свободном от Напр жений состо нии.
Наносимые покрыти на основе тугоплавких соединений, например, карбиды , нитриды, бориды, оксиды и т.д., Представл ют собой часто нестехиомет- ричные соединени , степень нестехио- метричности которых заранее не известна и зависит от способа и условий получени , кроме того, покрыти со- держат примеси, количество которых также зависит от указанных факторов. Таким образом, состав и соответственно параметры кристаллических решеток материала покрыти и порошка-эталона, полученных разными способами, различаютс , что значительно снижает точность при использовании порошка в качестве эталона дл раздельного определени главных нормальных напр же- ний в покрыти х.
В св зи с этим возникает необходимость изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений и покрыти х на основе туго- плавких соединений в виде порошка, сн того с готовых изделий или со стенок реактора в зоне осаждени покрыти после проведени процесса осаждени . Указанна зона в реакторе отли- чаетс от остальных участков реактора . В этой зоне создаютс и поддерживаютс во врем всего процесса осаждени покрытий изотермические услови с посто нной скоростью потока подава- емой газовой смеси, что обеспечивает получение на издели х и стенках реактора в этой зоне покрытий одинаково го состава.
Учитыва , что положение границы зоны осаждени св зано к тому же с точностью регулировани температуры , рассто ние, на котором следует снимать порошок дл эталона от границы зоны осаждени должно быть более рассто ни , рассчитываемого по формуле
1 5К
5 0 5
д
5
где L - длина зоны осаждени , мм; D - диаметр реактора, мм; К - коэффициент, завис щий о т
типа реактора, мм; р - точность определени температуры , 4°С.
Эмпирический коэффициент К зависит от типа реактора: дл реактора в виде проточного цилиндра К 8, дл реактора в виде стакана К 5,5.
Сн тый порошок отжигают в нейтральной среде в течение времени, подбираемого экспериментально.
Пример. Изготовили образец дл определени напр жений в покрыти х из карбида титана на сменных многогранных пластинах (СМП) из твердого сплава ТТ10К8Б (состав сплава: 82% WC + 10% (TiC + ТаС) + 8% Со). Нанесение покрытий проводили из газовой смеси СН4 + TiCl4 в токе водорода (отношение TiCl4/CH4 7, температура осаждени - 1050°С, врем осаждени 60 мин) на лабораторной установке с кварцевым реактором в виде стакана диаметром 80 мм, с длиной зоны осаждени 160 мм. Порошок дл эталона сн ли со стенки реактора на рассто нии 22 мм от границы, определенном по формуле
1 - К |и 2 2 мм
Порошок отожгли при Т 1200°С в атмосфере азота в течение 1 ч.
С помощью полученного эталона-порошка определ ли главные суммарные нормальные напр жени на трех сменных многограных пластинах (СМП) с покрыти ми из TiC.
В таблице приведены значени угла Q (Вульф-Брегга) и межплоскостных рассто ний дл порошка карбида титана , изготовленного предлагаемым и известным способами. Покрыти наносили в установке с кварцевым реактором в виде стакана с D 80 мм, L 160 мм, (К 5,5 мм, 2°С, 1 22 мм) по режимам, указанным в примере .
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений, ичготовпенных в реакторе , включающий получени тугоплав515кого соединени в виде порошка иего отжиг в нейтральной атмосфере,отличающийс тем, что,с целью повышени точности определе-jни напр жений, порошок изгота вливают , снима покрытие с издели и/илисо стенок реактора в зоне осажденина рассто нии от границы не менеезначени 1, определ емого из -соотно- тениKJTF,- длина зоны осаждени ;- диаметр реактора;- точность определени температуры- коэффициент, завис щий от типа реактора
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884387695A SU1562848A1 (ru) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884387695A SU1562848A1 (ru) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1562848A1 true SU1562848A1 (ru) | 1990-05-07 |
Family
ID=21359392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884387695A SU1562848A1 (ru) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1562848A1 (ru) |
-
1988
- 1988-03-02 SU SU884387695A patent/SU1562848A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Васильев Д.М. К методике рентгеновского измерени макро- и микронапр жений методом угловых снимков.- Заводска лаборатори , 1959, т. 25, № 1, с. 70-75. Рентгенографи в физическом металловедении: Сборник./Под ред. Ю.А. Багар цкого, М.: Металлурги , 1961, с. 368. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mirwald et al. | The low‐high quartz and quartz‐coesite transition to 40 kbar between 600° and 1600° C and some reconnaissance data on the effect of NaAlO2 component on the low quartz‐coesite transition | |
Stubican et al. | Eutectic solidification in ceramic systems | |
US3836392A (en) | Process for increasing the resistance to wear of the surface of hard metal cemented carbide parts subject to wear | |
KR100348542B1 (ko) | 산화물이피복된절삭공구 | |
Addamiano | Preparation and properties of 2H SiC crystals | |
Otani et al. | Preparation of TiCx single crystals with maximum carbon content by a floating zone technique | |
US3492153A (en) | Silicon carbide-aluminum nitride refractory composite | |
US4220677A (en) | Polycrystalline superhard material and method of producing thereof | |
CA1309903C (en) | Deposition of titanium aluminides | |
US4148964A (en) | Polycrystalline superhard material and method of producing thereof | |
SU1562848A1 (ru) | Способ изготовлени эталона дл рентгенографического определени напр жений в покрыти х из тугоплавких соединений | |
JPS61236604A (ja) | β−Si↓3N↓4の合成方法 | |
Venugopalan et al. | Kinetics of directed oxidation of Al-Mg alloys in the initial and final stages of synthesis of Al2O3/Al composites | |
RU1834839C (ru) | Способ насыщени изделий из пористого углеродного материала карбидом кремни | |
EP0385772A2 (en) | Pyrolytic boron nitride | |
Verspui et al. | Lanthanum-stimulated high-temperature whisker growth of α-SiC | |
US3457033A (en) | Process for producing magnesiaalumina spinel whiskers | |
Al-Shahery et al. | The reaction of carbon with rare earth silicides I: the system Er5Si3-C | |
JPS56100125A (en) | Manufacture of silicon carbide whisker | |
JPS63166789A (ja) | シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとその製造方法 | |
Shiota et al. | Synthesis of LaB 6 from BN and lanthanum-citrate-hydrate | |
US3658469A (en) | Continuous production of alumina whiskers | |
JP2638227B2 (ja) | マグネシアウィスカーの製造装置 | |
JP3121888B2 (ja) | マグネシアウィスカーの製造方法 | |
JP2633620B2 (ja) | 炭化ケイ素ウィスカの生成方法 |