JP3121888B2 - マグネシアウィスカーの製造方法 - Google Patents
マグネシアウィスカーの製造方法Info
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- JP3121888B2 JP3121888B2 JP03321498A JP32149891A JP3121888B2 JP 3121888 B2 JP3121888 B2 JP 3121888B2 JP 03321498 A JP03321498 A JP 03321498A JP 32149891 A JP32149891 A JP 32149891A JP 3121888 B2 JP3121888 B2 JP 3121888B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネシアウィスカー
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近時、アルミナ、マグネシアの如き酸化
物系あるいは炭化珪素、窒化珪素の如き非酸化物系の各
種ウィスカーの開発が盛んに行われ、これらウィスカー
は金属、セラミックスまたはプラスチック等の補強材料
として使用されるようになってきた。
物系あるいは炭化珪素、窒化珪素の如き非酸化物系の各
種ウィスカーの開発が盛んに行われ、これらウィスカー
は金属、セラミックスまたはプラスチック等の補強材料
として使用されるようになってきた。
【0003】従来より知られているマグネシアウィスカ
ーの製造方法には、例えば次のようなものがある: マグネシアをタングステン、水素、カーボンなどで還
元焼成させてマグネシウム蒸気を発生させ、次いで低温
あるいは水蒸気の下で再酸化して成長させる方法[J.A
m.Ceramic Soc., 48(6)279-285(1965)、J.Crystal Grow
th 24/25 345-349(1974)、Kristall und Technik 2(4)
549-553(1967)]; マグネシウム塩とハロゲン化合物との混合物を焼成
後、水蒸気の下で焼成して成長させる方法(特開平1−3
08899号公報、特開平2−83299号公報、特開平2−1494
99号公報)。
ーの製造方法には、例えば次のようなものがある: マグネシアをタングステン、水素、カーボンなどで還
元焼成させてマグネシウム蒸気を発生させ、次いで低温
あるいは水蒸気の下で再酸化して成長させる方法[J.A
m.Ceramic Soc., 48(6)279-285(1965)、J.Crystal Grow
th 24/25 345-349(1974)、Kristall und Technik 2(4)
549-553(1967)]; マグネシウム塩とハロゲン化合物との混合物を焼成
後、水蒸気の下で焼成して成長させる方法(特開平1−3
08899号公報、特開平2−83299号公報、特開平2−1494
99号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の方法は、良く発達した結晶ウィスカーを多量に生産す
るには工業的に難点があり、また、の方法は、比較的
低温で得られる利点はあるけれども、ハロゲンに基づく
作業環境上の問題に加えて装置材料の腐食に留意せねば
ならない問題がある。
の方法は、良く発達した結晶ウィスカーを多量に生産す
るには工業的に難点があり、また、の方法は、比較的
低温で得られる利点はあるけれども、ハロゲンに基づく
作業環境上の問題に加えて装置材料の腐食に留意せねば
ならない問題がある。
【0005】本発明者らは、叙上の点に鑑み、工業的に
有利なマグネシアウィスカーの製造方法につき鋭意検討
を重ねてきたところ、MgとAl金属及び/またはMg
−Al合金、アルミナ、マグネシア、カーボンなどの原
料混合物より、上記と全く異なる方法でマグネシアウィ
スカーが成長し得ることを知見し、本発明を完成するに
至った。
有利なマグネシアウィスカーの製造方法につき鋭意検討
を重ねてきたところ、MgとAl金属及び/またはMg
−Al合金、アルミナ、マグネシア、カーボンなどの原
料混合物より、上記と全く異なる方法でマグネシアウィ
スカーが成長し得ることを知見し、本発明を完成するに
至った。
【0006】すなわち、本発明は、従来法とは全く異な
る工業的に有利な方法で、結晶発達の優れた良質のマグ
ネシアウィスカーを提供することを目的とするものであ
る。
る工業的に有利な方法で、結晶発達の優れた良質のマグ
ネシアウィスカーを提供することを目的とするものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明が提供しようとす
るマグネシアウィスカーの製造方法は、MgとAl金属
及び/またはMg−Al合金、マグネシア及び炭素の粉
末混合成形体を、COガス及びCO 2 ガスをCOガス:
CO 2 ガス流量比=1:0.004〜0.015で同時
に導入した還元雰囲気において加熱焼成することを構成
上の特徴とするものである。
るマグネシアウィスカーの製造方法は、MgとAl金属
及び/またはMg−Al合金、マグネシア及び炭素の粉
末混合成形体を、COガス及びCO 2 ガスをCOガス:
CO 2 ガス流量比=1:0.004〜0.015で同時
に導入した還元雰囲気において加熱焼成することを構成
上の特徴とするものである。
【0008】本発明は前記3つの粉末原料をもってマグ
ネシアウィスカーを製造するものであるが、必要に応じ
てアルミナを存在させることもできる。
ネシアウィスカーを製造するものであるが、必要に応じ
てアルミナを存在させることもできる。
【0009】本発明において、Al金属などアルミニウ
ム成分はMg金属が蒸発し、消失した後、機能し始め
る。すなわち、マグネシアと炭素との混合物にAl金属
を共存させることによってCO分圧(PCO)は下がり、そ
の結果としてマグネシアと炭素との反応は促進され、マ
グネシウム蒸気圧(PMg)を高めて成形体外部へ拡散する
Mg(g)を増加させる機能をもつものであって、アルミ
ニウム成分の共存は、本発明の特徴の1つとなってい
る。
ム成分はMg金属が蒸発し、消失した後、機能し始め
る。すなわち、マグネシアと炭素との混合物にAl金属
を共存させることによってCO分圧(PCO)は下がり、そ
の結果としてマグネシアと炭素との反応は促進され、マ
グネシウム蒸気圧(PMg)を高めて成形体外部へ拡散する
Mg(g)を増加させる機能をもつものであって、アルミ
ニウム成分の共存は、本発明の特徴の1つとなってい
る。
【0010】また、アルミナは前記機能の他に比較的比
重の異なる混合物の成形体中の高温におけるマイグレー
ションを抑制してその形状を維持し、Mg(g)が成形体
外部へ拡散し易い機能ももっている。
重の異なる混合物の成形体中の高温におけるマイグレー
ションを抑制してその形状を維持し、Mg(g)が成形体
外部へ拡散し易い機能ももっている。
【0011】本発明において、高温還元雰囲気下でMg
(g)が発生する限り、マグネシアウィスカーの生成が可
能であるから特に原料配合は臨界的である必要はない。
(g)が発生する限り、マグネシアウィスカーの生成が可
能であるから特に原料配合は臨界的である必要はない。
【0012】上記諸原料の単なる混合粉末の還元焼成で
は良質のマグネシアウィスカーが得られ難く、また、生
成するマグネシアウィスカーとの分離回収を考慮する
と、混合粉末は立方体または直方体の如き所望の形状
に、または造粒成形しておくのが良い。
は良質のマグネシアウィスカーが得られ難く、また、生
成するマグネシアウィスカーとの分離回収を考慮する
と、混合粉末は立方体または直方体の如き所望の形状
に、または造粒成形しておくのが良い。
【0013】成形体は、バインダーレスでもよいが、必
要に応じてCMC、MC、PVAなどの薄い水溶性高分
子水溶液のバインダーにて成形してもよい。
要に応じてCMC、MC、PVAなどの薄い水溶性高分
子水溶液のバインダーにて成形してもよい。
【0014】係る成形体の還元焼成条件は成形体の組織
や炉の種類等によって異なるけれども、約500℃付近
から一定の昇温速度で加熱し、1500℃前後の最高温
度で1〜4時間、好ましくは1.5〜3時間程度維持す
るのが良い。このような加熱条件において、本発明では
還元雰囲気中のPCO及びPCO2の制御が重要であり、こ
のために一定のPCO2を維持するため、CO及びCO2ガ
スの導入を図ることが特に好ましい。
や炉の種類等によって異なるけれども、約500℃付近
から一定の昇温速度で加熱し、1500℃前後の最高温
度で1〜4時間、好ましくは1.5〜3時間程度維持す
るのが良い。このような加熱条件において、本発明では
還元雰囲気中のPCO及びPCO2の制御が重要であり、こ
のために一定のPCO2を維持するため、CO及びCO2ガ
スの導入を図ることが特に好ましい。
【0015】かくして、本発明の方法によれば、マグネ
シアの(200)面に沿ってよく結晶発達したマグネシア
ウィスカーが容易かつ多量に製造できる。例えば直径が
数μmから40μm、長さが数mmから中には20mm
を超える非常に大きなマグネシアウィスカーを得ること
ができる。
シアの(200)面に沿ってよく結晶発達したマグネシア
ウィスカーが容易かつ多量に製造できる。例えば直径が
数μmから40μm、長さが数mmから中には20mm
を超える非常に大きなマグネシアウィスカーを得ること
ができる。
【0016】
【作用】本発明は、MgとAl金属及び/またはMg−
Al合金、マグネシア、炭素及び必要に応じて用いるア
ルミナの粉末混合成形体を加熱し、Mg(g)の蒸気圧が
できる限り高くなる条件下でMgを蒸発させ、それが拡
散してくる成形体表面付近で効果的に凝縮すべく、CO
及びCO2のガスを導入し、酸素分圧(PO2)を上げるこ
とによってマグネシアウィスカーを成長させることが基
本となっている。
Al合金、マグネシア、炭素及び必要に応じて用いるア
ルミナの粉末混合成形体を加熱し、Mg(g)の蒸気圧が
できる限り高くなる条件下でMgを蒸発させ、それが拡
散してくる成形体表面付近で効果的に凝縮すべく、CO
及びCO2のガスを導入し、酸素分圧(PO2)を上げるこ
とによってマグネシアウィスカーを成長させることが基
本となっている。
【0017】すなわち、本発明において、炭素共存下で
の1000℃以上の焼成では、CO(g)からなる還元雰
囲気を構成し、なおかつCO(g)を大気圧下で導入し続
けることにより炉内雰囲気は近似的にPCO=1気圧と見
なされる。このとき、MgO(s)が安定凝縮相であるの
で、成形体中のMg(l)はいずれMgO(s)に変化する
ことになるけれども、Mg(l)が存在する限り、次式
の1000℃以上の焼成では、CO(g)からなる還元雰
囲気を構成し、なおかつCO(g)を大気圧下で導入し続
けることにより炉内雰囲気は近似的にPCO=1気圧と見
なされる。このとき、MgO(s)が安定凝縮相であるの
で、成形体中のMg(l)はいずれMgO(s)に変化する
ことになるけれども、Mg(l)が存在する限り、次式
【化1】 Mg(l)+CO(g)=MgO(s)+C(s) ・・・(1) の反応によって、CO(g)は相当に減少して成形体内部
のPCOは前記(1)式の平衡分圧まで下がってくる。
のPCOは前記(1)式の平衡分圧まで下がってくる。
【0018】しかしながら、炉内雰囲気はPCO=1気圧
であるから、成形体外部の平衡PMgは内部のそれよりか
なり低いこととなる。
であるから、成形体外部の平衡PMgは内部のそれよりか
なり低いこととなる。
【0019】その結果、内部から拡散してきたMg(g)
が次式
が次式
【化2】 Mg(g)+CO(g)=MgO(s)+C(s) ・・・(2) の反応によってMgO(s)として凝縮する。
【0020】しかしながら、CO(g)のみでは、マグネ
シアウィスカーは形成されず、成形体表面は黒くなるに
すぎないけれども、本発明ではCO(g)と同時にCO
2(g)の導入を図っていることから、上記で生成するC
(s)は次式の反応
シアウィスカーは形成されず、成形体表面は黒くなるに
すぎないけれども、本発明ではCO(g)と同時にCO
2(g)の導入を図っていることから、上記で生成するC
(s)は次式の反応
【化3】 C(s)+CO2=2CO(g) ・・・(3) により、結局(2)及び(3)式より
【化4】 Mg(g)+CO2(g)=MgO(s)+CO(g) ・・・(4) が優先的に進行し、マグネシアウィスカーが成長するも
のと考えられる。
のと考えられる。
【0021】ただし、CO2(g)の導入量が多すぎる
と、成形体内部から表面付近にMg(g)が充分拡散して
こないうちに凝縮されることになり、マグネシアウィス
カーの成長を逆に阻害するので注意を要する。
と、成形体内部から表面付近にMg(g)が充分拡散して
こないうちに凝縮されることになり、マグネシアウィス
カーの成長を逆に阻害するので注意を要する。
【0022】マグネシアウィスカーの生成機構は前記の
推論によるが、本発明では、Mg源のほかにAl金属ま
たはMg−Al合金などAl源を共存させることを特徴
の1つとしている。
推論によるが、本発明では、Mg源のほかにAl金属ま
たはMg−Al合金などAl源を共存させることを特徴
の1つとしている。
【0023】係るAl金属は、本発明における高温還元
雰囲気では、アルミニウムカーバイド(Al4C3)に転換
し、PCO=1気圧の下では次第にAl2O3(s)への安定
相へ変化する。
雰囲気では、アルミニウムカーバイド(Al4C3)に転換
し、PCO=1気圧の下では次第にAl2O3(s)への安定
相へ変化する。
【0024】しかし、Al4C3が存在する限り、成形体
内部のPCOは
内部のPCOは
【化5】 Al4C3(s)+6CO(g)=2Al2O3(s)+9C(s) ・・・(5) の平衡分圧で維持され、Al4C3が存在しない場合と比
較して相当に低い値となる。
較して相当に低い値となる。
【0025】このことは、すなわち
【化6】 MgO(s)+C(s)=Mg(g)+CO(g) ・・・(6) の反応によって、成形体内部のPMgがAl(l)、Al4
C3(s)の共存によって相当に高められ、成形体外部へ
拡散するMg(g)が増加し、これが外部表面で前記のよ
うに凝縮して多量のマグネシアウィスカーを生成せしめ
る。
C3(s)の共存によって相当に高められ、成形体外部へ
拡散するMg(g)が増加し、これが外部表面で前記のよ
うに凝縮して多量のマグネシアウィスカーを生成せしめ
る。
【0026】このように、本発明方法によれば、成形体
内部から高い蒸気圧で拡散してきたMg(g)がその表面
付近でPCOまたはPCO2の高い雰囲気にさらされ、Mg
(g)の平衡分圧が下がって(6)式の反応に従ってMgO
(s)として凝縮した結果、マグネシアウィスカーとして
成長し、生成するものと考えられる。
内部から高い蒸気圧で拡散してきたMg(g)がその表面
付近でPCOまたはPCO2の高い雰囲気にさらされ、Mg
(g)の平衡分圧が下がって(6)式の反応に従ってMgO
(s)として凝縮した結果、マグネシアウィスカーとして
成長し、生成するものと考えられる。
【0027】
実施例1 Al−Mg合金(Al:Mg=1:1)の350メッシュ
粉末、MgO及びAl2O3は特級試薬粉末及びカーボン
粉末の原料粉末を表1に示す種々の割合で均一に混合し
た。次いで、各混合粉末を約78.5MPaの圧力で一
軸プレスして20×20×10mmの成形体をそれぞれ
作製した。次いで、この成形体試料をアルミナボードに
乗せ、電気炉中にセットしたアルミナ焼成管中に入れて
管中にアルゴンガスを流入させた。次いで、600℃/
時の昇温速度で加熱し、500℃に至ってアルゴンガス
の代わりにCOガスを200ml/分及びCO2ガスを
表1に示す所定量で同時に流入した。1500℃に至っ
た後、2時間保持して還元焼成を続けた後、600℃/
時で冷却した。なお、冷却時には、加熱時と同様、両ガ
スの導入を続けた。
粉末、MgO及びAl2O3は特級試薬粉末及びカーボン
粉末の原料粉末を表1に示す種々の割合で均一に混合し
た。次いで、各混合粉末を約78.5MPaの圧力で一
軸プレスして20×20×10mmの成形体をそれぞれ
作製した。次いで、この成形体試料をアルミナボードに
乗せ、電気炉中にセットしたアルミナ焼成管中に入れて
管中にアルゴンガスを流入させた。次いで、600℃/
時の昇温速度で加熱し、500℃に至ってアルゴンガス
の代わりにCOガスを200ml/分及びCO2ガスを
表1に示す所定量で同時に流入した。1500℃に至っ
た後、2時間保持して還元焼成を続けた後、600℃/
時で冷却した。なお、冷却時には、加熱時と同様、両ガ
スの導入を続けた。
【0028】得られた生成物につき、次の評価法で測定
及び観察したところ表1に示す結果が得られた。マグネ
シアウィスカー生成状態の評価法還元焼成物をSEM観
察、X線回折及びEPMA等の分析手段によって調べ、
マグネシアウィスカーの生成状態を次の3段階法によっ
て評価した。その結果を表1に示す。 ◎・・・多量のマグネシアウィスカーの生成が認められ
るもの ○・・・マグネシアウィスカーの生成が認められるもの ×・・・マグネシアウィスカーの生成が実質的に認めら
れないもの 注1:成形体の表面は黒色で、マグネシアウィスカーの
生成が認められない 注2:成形体の表面は白色であるが、マグネシアウィス
カーの生成が認められない なお、実験No.1〜4において、成形体表面付近に成
長したマグネシアウィスカーの析出状態を図1に、ま
た、析出したマグネシアウィスカーのSEM写真を図2
に示す。
及び観察したところ表1に示す結果が得られた。マグネ
シアウィスカー生成状態の評価法還元焼成物をSEM観
察、X線回折及びEPMA等の分析手段によって調べ、
マグネシアウィスカーの生成状態を次の3段階法によっ
て評価した。その結果を表1に示す。 ◎・・・多量のマグネシアウィスカーの生成が認められ
るもの ○・・・マグネシアウィスカーの生成が認められるもの ×・・・マグネシアウィスカーの生成が実質的に認めら
れないもの 注1:成形体の表面は黒色で、マグネシアウィスカーの
生成が認められない 注2:成形体の表面は白色であるが、マグネシアウィス
カーの生成が認められない なお、実験No.1〜4において、成形体表面付近に成
長したマグネシアウィスカーの析出状態を図1に、ま
た、析出したマグネシアウィスカーのSEM写真を図2
に示す。
【0029】
【表1】
【0030】実施例2 Al金属及びMg金属の金属粉末(250メッシュ粉
末)、MgO及びAl2O3は特級試薬粉末、及びカーボ
ン粉末の諸原料粉末を表2に示す種々の割合で均一に混
合して実施例1と同様に成形体を造った後、還元焼成し
た。その結果につき表2に示す。
末)、MgO及びAl2O3は特級試薬粉末、及びカーボ
ン粉末の諸原料粉末を表2に示す種々の割合で均一に混
合して実施例1と同様に成形体を造った後、還元焼成し
た。その結果につき表2に示す。
【0031】
【表2】
【0032】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば安価な原
料を用い、比較的容易な操作にて、大きく成長したマグ
ネシアウィスカーを多量に工業的に有利に製造すること
ができる。かくして得られるマグネシアウィスカーはセ
ラミックス、プラスチックスあるいは金属の補強用工業
材料として好適に利用できるものである。
料を用い、比較的容易な操作にて、大きく成長したマグ
ネシアウィスカーを多量に工業的に有利に製造すること
ができる。かくして得られるマグネシアウィスカーはセ
ラミックス、プラスチックスあるいは金属の補強用工業
材料として好適に利用できるものである。
【図1】実施例において、成形体表面付近に成長したマ
グネシアウィスカーの析出状態を示す写真である。
グネシアウィスカーの析出状態を示す写真である。
【図2】実施例において析出したマグネシアウィスカー
の粒子状態を示すSEM写真である。
の粒子状態を示すSEM写真である。
Claims (2)
- 【請求項1】 MgとAl金属及び/またはMg−Al
合金、マグネシア及び炭素の粉末混合成形体を、COガ
ス及びCO 2 ガスをCOガス:CO 2 ガス流量比=1:
0.004〜0.015で同時に導入した還元雰囲気に
おいて加熱焼成することを特徴とするマグネシアウィス
カーの製造方法。 - 【請求項2】 粉末混合成形体がアルミナを含む、請求
項1記載のマグネシアウィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03321498A JP3121888B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | マグネシアウィスカーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03321498A JP3121888B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | マグネシアウィスカーの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05132400A JPH05132400A (ja) | 1993-05-28 |
JP3121888B2 true JP3121888B2 (ja) | 2001-01-09 |
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ID=18133234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03321498A Expired - Fee Related JP3121888B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | マグネシアウィスカーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3121888B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
CN108866634B (zh) * | 2018-07-27 | 2019-11-05 | 辽宁科技大学 | 一种以废镁碳砖基质料为原料制备氧化镁晶须的方法 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP03321498A patent/JP3121888B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH05132400A (ja) | 1993-05-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |