SU1549386A1 - Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем - Google Patents

Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем

Info

Publication number
SU1549386A1
SU1549386A1 SU4324385/21A SU4324385A SU1549386A1 SU 1549386 A1 SU1549386 A1 SU 1549386A1 SU 4324385/21 A SU4324385/21 A SU 4324385/21A SU 4324385 A SU4324385 A SU 4324385A SU 1549386 A1 SU1549386 A1 SU 1549386A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
conductivity
surface resistivity
channel
ris
Prior art date
Application number
SU4324385/21A
Other languages
English (en)
Inventor
Г.Ф. Жуков
В.К. Смолин
Original Assignee
Г.Ф. Жуков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Г.Ф. Жуков filed Critical Г.Ф. Жуков
Priority to SU4324385/21A priority Critical patent/SU1549386A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1549386A1 publication Critical patent/SU1549386A1/ru

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве резисторов. Цель изобретения - повышение мощности рассеивания резистора - достигается тем, что в резисторе, состоящем из резистивного элемента 1 и контактных площадок 2, нанесенных на диэлектрическую подложку 3, подгонка осуществляется путем образования вдоль кромок резистивного элемента 1 каналов 4 повышенной проводимости. Каналы повышенной проводимости в резистивном элементе могут быть получены термической обработкой участков пленки резистивного элемента 1 с помощью луча лазера при непрерывном контроле номинала пленочного резистора. Максимальная ширина канала 4 повышенной проводимости не превышает 0,25 ширины резистивного элемента 1, а величину удельного поверхностного сопротивления канала повышенной проводимости определяют следующим выражениемгде R - удельное поверхностное сопротивление канала повышенной проводимости резистивного элемента; R- удельное поверхностное сопротивление оставшейся части резистивного элемента. Изобретение обеспечивает повышение мощности рассеяния резистора в 1,5 раза при уменьшении сопротивления резистора в процессе подгонки на одну треть. 2 табл., 2 ил.
SU4324385/21A 1987-10-05 1987-10-05 Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем SU1549386A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4324385/21A SU1549386A1 (ru) 1987-10-05 1987-10-05 Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4324385/21A SU1549386A1 (ru) 1987-10-05 1987-10-05 Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1549386A1 true SU1549386A1 (ru) 1996-01-10

Family

ID=60527389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4324385/21A SU1549386A1 (ru) 1987-10-05 1987-10-05 Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1549386A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE59503325D1 (de) Kaltleiter und Vorrichtung zur Strombegrenzung mit mindestens einem Kaltleiter
DE3587481D1 (de) Schaltungssubstrat mit hoher waermeleitfaehigkeit.
DK96688A (da) Elektriske tykfilms-modstandsspor
FI822371A0 (fi) Kokplatta
ATE414321T1 (de) Verfahren zum herstellen einer elektrisch leitenden widerstandsschicht sowie heiz- und/oder kuehlvorrichtung
IT1291488B1 (it) Preapplicazione di grasso a dissipatori di calore con un rivestimento protettivo.
ATE154990T1 (de) Schichtwiderstand
BR8402218A (pt) Aquecedor laminar e processo para proporcionar uma cobertura protetora sobre um substrato
SU1549386A1 (ru) Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов гибридных интегральных микросхем
JPS55103746A (en) Semiconductor power supply assembly and method of manufacturing same
GB2016208A (en) Integrated circuit including a resistive element
DE69414846T2 (de) Methode zur elektrische Isolation von Kühlkörpern in elektronischen Leistungsschaltungen
JPS5752144A (en) Semiconductor device
JPS5545159A (en) Magnetic bubble memory element
KR880001031A (ko) 테이프 본딩용 장치 및 그 방법
ES2181140T3 (es) Elemento calefactor y aparato electrodomestico, especialmente plancha de vapor, que comprende dicho elemento y procedimiento de obtencion de la plancha.
SE8203931L (sv) Vermekabel och sett att framstella densamma
JPS55144178A (en) Thermal head
JPS533066A (en) Electrode formation method
JPS56116658A (en) Semiconductor resistance element and manufacture thereof
JPS55165650A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS5311768A (en) Electric mosquito avoiding device
JPS6468961A (en) Resistance element for semiconductor integrated circuit device
岸本泰明 et al. 1p-Y-1 Reduction of the heat Flux in steep temperature gradients in laser-produced plasmas
JPS6484743A (en) Semiconductor device