KR880001031A - 테이프 본딩용 장치 및 그 방법 - Google Patents

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KR880001031A
KR880001031A KR870005695A KR870005695A KR880001031A KR 880001031 A KR880001031 A KR 880001031A KR 870005695 A KR870005695 A KR 870005695A KR 870005695 A KR870005695 A KR 870005695A KR 880001031 A KR880001031 A KR 880001031A
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KR
South Korea
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bonding
heating components
current
heating
buses
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KR870005695A
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English (en)
Inventor
드럼몬드 프레드
더블유·클라크 제임즈
Original Assignee
원본미기재
페어차일드 세미콘덕터 코퍼레이션
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Publication date
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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Abstract

내용 없음

Description

테이프 본딩용 장치 및 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 본딩장치의 측면도. 제2도는 본 발명의 본딩장치의 평면도. 제3도는 본 발명의 본딩장치의 정면도.

Claims (20)

  1. 전기적 및 열적으로 절연된 프레임 ; 상기 프레임상에 설치된 최소한 두개의 선형 저항 가열 성분들 ; 및 상기 가열 성분들에 전류를 공급하는 장치를 포함하는 본딩장치에 있어서, 상기 선형 가열 성분들의 각각이 전류가 인가될때 전체 길이를 따라서 실질적으로 균일한 가열을 제공하도록 선택된 분배 질량을 특징으로 하는 본딩장치.
  2. 제1항에 있어서, 전류를 공급하는 장치가 최소한 하나의 정전력 버스와 부전력버스를 포함하여 두개의 가열 성분들이 각각의 버스에 연결된 본딩장치.
  3. 제2항에 있어서, 전류를 공급하는 장치가 가열 성분들의 온도를 근거로하여 버스들에 전류를 공급하는 온도 조정 전원을 포함하는 본딩장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 프레임이 가열 저항 중합체로부터 형성된 연장 고체 코아(core)이고 전력버스들이 상기 코아상에 축 방향으로 설치되는 본딩장치.
  5. 전기적 및 열적으로 절연된 재료로 이루어진 연장 코아 ; 상기 코아상에 축 방향으로 설치된 4개의 전력버스들 ; 대각선으로 마주보는 첫번째 쌍의 상기 버스들에 정전류를 제공하며 대각선으로 마주보는 두번째 쌍의 상기 버스들에 부전류를 제공하는 방치 : 및 4개의 선형 저항 가열 성분들을 포함하는 본딩장치에 있어서, 상기 성분들의 각각이 정전력버스와 부전력버스에 연결되어 상기 버스들의 각각이 두개의 가열 성분들에 연결된 본딩장치.
  6. 제5항에 있어서, 4개의 전력 버스들이 사각형 배열로 배치되어 인접한 쌍들의 버스들 각각이 전기적으로 절연된 정 영역과 부 영역을 지닌 실질적으로 평탄한 연속 면을 형성하는 본딩장치.
  7. 제6항에 있어서, 하나의 저항 가열 성분이 각각의 평탄면에 대하여 고정되는 본딩장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 가열 성분들 각각이 한쌍의 전기적으로 전도성인 다리들과 상기 다리들 사이에서 확장한 가열 레일들을 포함하여, 상기 다리들중의 하나는 정 역역에 부착되고, 다른 다리는 부 영역에 부착되는 본딩장치
  9. 제6항에 있어서, 정전류와 부전류를 공급하는 장치들 각각이 원하는 극성의 버스들에 전기적으로 연결되어 있지만 반대 극성의 버스들로부터는 전기적으로 절연되어 있는 L형태의 도체를 포함하는 본딩장치.
  10. 제5항에 있어서, 선형 저항 가열 성분들 각각이 한쌍의 전기적으로 전도성인 다리들과 상기 다리들 사이에서 확장한 가열 레일들을 포함하며, 상기 레일의 질량이 레일 길이를 따라서 선택적으로 분배되어 전류가 다리들에 공급될 때 그 길이를 따라서 온도가 실질적으로 균일하게 되는 본딩장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 가열 레일이 각각의 끝부붙에 대하여 중앙에서 증가된 단면적을 갖는 본딩장치.
  12. 경로를 따라서 반도체 다이들을 운반하는 장치;
    상기 반도체 다이들 부근에서 금속 본딩 테이프를 공급하는 장치 ; 반도체 다이들과 금속 본딩 테이프 근처에 위치하여 최소한 두개의 선형 저항 가열 성분들을 포함하는 본딩장치 ; 상기 선형 저항 가열 성분들에 조정된 전류를 공급하는 전원 ; 상기 가열 성분들의 온도를 감지하고 상기 가열 성분들의 전류를 조정하는 온도조절기 ; 및 상기 가열 성분들이 반도체 다이들에 대하여 상기 본딩 테이프를 누르도록 본딩장치를 왕복 운동시키는 위치 결정키로 구성된 반도체 다이 테이프 본딩용 시스템에 있어서, 상기 본딩장치의 상기 선형 저항 가열 성분들 각각이 전류가 인가될때 전체 길이를 따라서 실질적으로 균일한 가열을 제공하도록 선택된 분배 질량을 특징으로 하는 반도체 다이 테이프 본딩용 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 본딩장치가 4개의 가열 성분들을 포함하는 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 가열 성분들이 중앙 부근에서 증가된 면적을 지닌 가변 단면적과 각각의 끝부분에 감소된 면적을 갖는 시스템.
  15. 제12항에 있어서, 상기 가열 성분들이 그 니켈강으로 이루어진 시스템.
  16. 경로를 따라서 반도체 다이들을 운반하는 단계 ; 상기 반도체 다이들 부근에서 금속 본딩 테이프를 공급하는 단계 ; 최소한 두개의 선형 저항 가열 성분들을 포함하는 본딩장치로서 상기 테이프를 상기 다이들상으로 누르는 단계 ; 및 본딩을 실행하기 위해 선택된 첫번째 온도로 상기 가열 성분들을 가열하도록 선택된 상기 본딩장치에 전류를 제공하는 단계로 이루어진 반도체 다이 테이프 본딩방법에 있어서, 상기 본딩장치의 상기 선형 가열 성분들 각각이 전류가 인가될때 전체 길이를 따라서 실질적으로 균일한 가열을 제공하도록 선택된 분배 질량을 특징으로 하는 반도체 다이 테이프 본딩방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 가열 성분들이 상기 본딩장치로서 테이프를 누르기 전에 상기 첫번째 온도로 가열되는 테이프 본딩방법.
  18. 제17항에 있어서, 전류가 중단되어 상기 가열 성분들이 테이프로부터 상기 본딩장치를 제거시키기 전에 두번째 온도로 냉각되도록 하는 테이프 본딩방법.
  19. 제16항에 있어서, 첫번째 온도가 반도체 다이들 상의 금속 본딩패드들에 대하여 금속 본딩 테이프의 공정(共晶)본딩을 실행하기 위하여 충분한 온도가 되는 테이프 본딩방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 금속 테이프가 주석이 도금된 구리이며, 상기 본딩패드들은 금이고, 첫번째 온도가 약 300℃ - 305℃ 범위에 있는 테이프 본딩방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870005695A 1986-06-19 1987-06-05 테이프 본딩용 장치 및 그 방법 KR880001031A (ko)

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US87631786A 1986-06-19 1986-06-19
US876317 1986-06-19

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940003241B1 (ko) * 1991-05-23 1994-04-16 금성일렉트론 주식회사 To-220 반도체 제조기의 리드프레임 자동 공급장치
KR102115935B1 (ko) * 2017-09-01 2020-05-28 주식회사 에이치앤이루자 히터 어셈블리
CN111212489A (zh) * 2018-11-21 2020-05-29 南韩商H&世温股份有限公司 加热器组件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2439322A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Procede et dispositif de liaison de deux elements et outil pour l'execution du procede
US4342151A (en) * 1979-06-18 1982-08-03 Eastman Kodak Company Blank and process for the formation of beam leads for IC chip bonding
CH639306A5 (fr) * 1980-12-19 1983-11-15 Far Fab Assortiments Reunies Outil de soudage.
DE3144048A1 (de) * 1981-09-18 1983-04-21 Zschimmer, Gero, 8000 München Stromdurchfliessbarer loetstempel

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EP0250296A3 (en) 1990-07-11
DE3789034D1 (de) 1994-03-24
JPS6367740A (ja) 1988-03-26
JPH0770563B2 (ja) 1995-07-31

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