SU1457149A1 - Output stage of pulse shaper - Google Patents
Output stage of pulse shaper Download PDFInfo
- Publication number
- SU1457149A1 SU1457149A1 SU864098422A SU4098422A SU1457149A1 SU 1457149 A1 SU1457149 A1 SU 1457149A1 SU 864098422 A SU864098422 A SU 864098422A SU 4098422 A SU4098422 A SU 4098422A SU 1457149 A1 SU1457149 A1 SU 1457149A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- key
- transistors
- transistor
- channel
- channels
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формировани импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов. Целью изобретени вл етс расиирение диапазонов формировани верхнего и нижнего уровней напр жени , повмпение точности и стабильности установкиThe invention relates to a pulse technique and can be used in devices for generating pulse signals of the nanosecond and subnanosecond ranges. The aim of the invention is to expand the ranges of formation of the upper and lower levels of voltage, the accuracy and stability of the installation.
Description
1one
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формировани импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов.The invention relates to a pulse technique and can be used in devices for generating pulse signals of the nanosecond and subnanosecond ranges.
Целью изобретени вл етс расширение диапазонов формировани верхнего и нижнего уровней напр жени и повышение точности и стабильности установки выходного напр жени , увеличение быстродействи .The aim of the invention is to expand the ranges of formation of the upper and lower levels of voltage and increase the accuracy and stability of the output voltage setting, increasing the speed.
На чертеже представлена схема выходного каскада формировател импульсов .The drawing shows a diagram of the output stage of the pulse shaper.
Выходной каскад включает первый и второй каналы формировани соответственно верхнего и нижнего уровней , которые содержат первые 1 и 2 и вторые 3 и 4 ключи, вьшолненные на транзисторах 5 и 6, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 7 и 8 первого ключа 1 первого канала через первый резистор 9 сое- динены с первой шиной 10 питани , объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 11 и 12 первого ключа 2 второго канала через второй резистор 13 соединены с второй шиной 14 питани , коллектор транзистора 7 соединен с точкой соединени первого и второго диодов 15 и 16, коллектор транзистора 11 соединен с точкой соединени третьего и четвертого диодов 17 и 18, базы транзисторов 5 и 6 вторых ключей первого и второго каналов соединены соответственно третий резистор 19 с первой шиной 20 опорного напр жени и через четвертый резистор 21 - с второй шиной 22 опорного напр жени , третий ключ 23 первого канала и третий ключ 24 второго канала.The output stage includes the first and second channels of the formation of the upper and lower levels, respectively, which contain the first 1 and 2 and second 3 and 4 keys, implemented on transistors 5 and 6, the combined emitters of the first and second transistors 7 and 8 of the first key 1 of the first channel through the first a resistor 9 is connected to the first power bus 10, the combined emitters of the first and second transistors 11 and 12 of the first switch 2 of the second channel are connected via the second resistor 13 to the second power bus 14, and the collector of the transistor 7 is connected to the first connection point first and second diodes 15 and 16, the collector of transistor 11 is connected to the connection point of the third and fourth diodes 17 and 18, the bases of transistors 5 and 6 of the second keys of the first and second channels are connected, respectively, to the third resistor 19 to the first bus 20 of the reference voltage and through the fourth resistor 21 — with the second bus 22 of the reference voltage, the third key 23 of the first channel and the third key 24 of the second channel.
Третий ключ 23 первого каналаThe third key 23 of the first channel
содержит два диода 25 и 26, резистор 27 и транзистор 28 с проводимостью, противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала . Третий ключ 24 второго канала содержит два диода 29 и 30, резистор 31 и транзистор 32. Коллекторы первого и второго транзисторов 7 и 8 соединены через резисторы 33 и 34 сcontains two diodes 25 and 26, a resistor 27 and a transistor 28 with a conductivity opposite to that of the second switch of the given channel. The third key 24 of the second channel contains two diodes 29 and 30, a resistor 31 and a transistor 32. The collectors of the first and second transistors 7 and 8 are connected via resistors 33 and 34 with
ИННОЙ 14. Коллекторы первого и второго транзисторов 11 и 12 через резисторы 35 и 36 соединены с шиной 10. Базы первого и второго транзисторов обоих каналов соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами 37 - 40 устройства. Устройство включает выходную шину 41.INNOVATIVE 14. The collectors of the first and second transistors 11 and 12 through resistors 35 and 36 are connected to bus 10. The bases of the first and second transistors of both channels are connected to the first, second, third and fourth inputs 37-40 of the device, respectively. The device includes an output bus 41.
2525
Выходной каскад работает следующим образом.The output stage operates as follows.
Если на входе 37 напр жение логической 1 отрицательной пол рности, на входе 40 напр жение логической 1 положительной пол рности, наIf the input 37 voltage logical 1 negative polarity, the input 40 voltage logical 1 positive polarity,
входах 38 и 39 напр жение логического О, напр жение на второй шине 22 опорного напр жени (напр жение нижнего уровн и) отрицательной пол рности , а напр жение на шине 20 по35 ложительной пол рности (напр жение верхнего уровн b g), то транзисторы 8 и 11 открыты, а транзисторы 7 и 12 закрыты. Так как транзистор 8 The inputs 38 and 39 are the logic voltage O, the voltage on the second bus 22 of the reference voltage (voltage of the lower level) and negative polarity, and the voltage on the bus 20 of positive polarity (voltage of the upper level bg), then transistors 8 and 11 are open, and transistors 7 and 12 are closed. Since transistor 8
открыт, а напр жение на шине 20 положительное , то транзистор 28 открытis open, and the voltage on the bus 20 is positive, then the transistor 28 is open
Режим транзистора 8 устанавливают таким образом чтобы транзистор 28 закрывалс при напр жении на шине 20, близком к нулю. Режим транзистора 11 устанавливают таким образом, чтобы транзистор 5 открывалс только при напр жении на шине 20, близком к нулю, следовательно, при положительном напр жении на тине 20 транзистор 5 закрыт. Так как закрыт транзистор 12, то закрыт и транзистор 32. Отрицательным напр жением на ши не 22 транзистор 6 закрыт. Напр жение верхнего уровн положительной пол рности на выходной шине 41 определ етс разностью напр жени на шине 20 и напр жени коллектор - эмит- тер открытого транзистора 28. Если изменить пол рность напр жени на шине 20 на отрицательную, транзистор 28 закрываетс , открываетс транзистор 5 и на шине 41 будет формировать с отрицательное напр жение верхнего уровн .The mode of the transistor 8 is set so that the transistor 28 closes when the voltage on the bus 20 is close to zero. The mode of the transistor 11 is set in such a way that the transistor 5 is opened only when the voltage on the bus 20 is close to zero, therefore, when the voltage on the line 20 is positive, the transistor 5 is closed. Since the transistor 12 is closed, the transistor 32 is also closed. By the negative voltage across the bus, 22, the transistor 6 is closed. The voltage of the upper level of positive polarity on the output bus 41 is determined by the voltage difference across the bus 20 and the collector-emitter voltage of the open transistor 28. If you change the polarity of the voltage on the bus 20 to negative, the transistor 28 closes, opens the transistor 5 and on bus 41 will form a negative voltage at the upper level.
Так как транзистор 28 находитс в насыщении во всей области положительных напр жений и закрываетс только при напр жении U g на шине 20, близком к нулю, а во всем диапазоне изменение Ug положительной пол рности , быстродействие формировани выходного напр жени определ етс толь- ко транзистором 28. Since transistor 28 is saturated in the entire positive voltage region and closes only when the voltage U g on the bus 20 is close to zero, and in the whole range the change in the positive polarity Ug is determined only by the output transistor 28
В отрицательной области изменени напр жени Ug на шине 20 быстродействие определ етс только транзис:то- ром 5, который входит в насьщениеIn the negative range of voltage Ug on bus 20, speed is determined only by transis: by tor 5, which is part of
при напр жении Ug, близком к нулю, и находитс в этом режиме во всей области отрицательных напр жений Ugwhen the voltage Ug is close to zero, and is in this mode in the entire region of negative voltages Ug
Если на входах 37 и 40 напр жение логического О, на входе 38 напр - жение логической 1 отрицательной пол рности, на входе 39 напр жение логической 1 положительной пол рности , напр жение нижнего уровн Uц на шине 22 отрицат.ельной пол рности, а напр жение верхнего уровн Ug на шине 20 положительной пол рности,что транзисторы 7, 12 и 32 открыты,транзисторы 8,11,28, 5 и 6 закрыты. Формирование нижнего уровн на выходной шине 41 происходит аналогично формированию верхнего уровн . Напр жение нижнего уровн на выходной шине определ етс разностью напр жени If the inputs 37 and 40 are the voltage of the logical O, the input 38 is the voltage of the logical 1 negative polarity, the input 39 is the voltage of the logical 1 positive polarity, the voltage of the lower level Uc on the bus 22 of the negative polarity, and The upper level Ug on the bus 20 has a positive polarity, so that transistors 7, 12, and 32 are open, and transistors 8, 11, 28, 5, and 6 are closed. The formation of the lower level on the output bus 41 occurs similarly to the formation of the upper level. The voltage of the lower level on the output bus is determined by the difference in voltage
4949
на шине 22 и напр жени коллектор - эмиттер открытого транзистора 32.Если изменить пол рность напр жени на шине 22 на положительную, транзистор 32 закроетс при напр жении и, близком к нулю, откроетс транзистор 6 и на выходной шине 41 будет формироватьс полоткительное напр жение нижнего уровн .bus 22 and the collector-emitter of the open transistor 32. If the polarity of the bus voltage 22 is changed to positive, the transistor 32 will close at voltage and close to zero, a transistor 6 will open on the output bus 41 lower level
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864098422A SU1457149A1 (en) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | Output stage of pulse shaper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864098422A SU1457149A1 (en) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | Output stage of pulse shaper |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1457149A1 true SU1457149A1 (en) | 1989-02-07 |
Family
ID=21249332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864098422A SU1457149A1 (en) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | Output stage of pulse shaper |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1457149A1 (en) |
-
1986
- 1986-07-30 SU SU864098422A patent/SU1457149A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Эйдукас Д.Ю. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем. - М.: Радио и св зь, 1982, с. 267, рис. 6.21. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900010529A (en) | Voltage generator | |
SU1457149A1 (en) | Output stage of pulse shaper | |
RU1798898C (en) | Output pulse generator | |
SU1160543A2 (en) | Schmitt flip-flop | |
SU1767695A2 (en) | Bipolar pulse former | |
SU1277381A1 (en) | Polyfunctional element of digital structure | |
SU758502A1 (en) | Gated shaper with paraphase ttl-outputs | |
SU634374A1 (en) | Analogue storage | |
SU1319251A1 (en) | Self-excited mulltivibrator | |
SU847502A1 (en) | Two-threshold device | |
SU558377A1 (en) | Stable Pulse Generator | |
SU1531157A1 (en) | Logic swing shaper | |
SU403060A1 (en) | TRANSISTOR SWITCHING DEVICE | |
SU834833A1 (en) | Flip-flop | |
SU766012A1 (en) | Transistorized switch | |
SU1152086A1 (en) | Emitter-coupled logic circuit | |
SU1357860A1 (en) | Two-threshold comparator | |
SU520707A1 (en) | Analog Multichannel Switch | |
SU702521A1 (en) | Electronic sign-responsive switch | |
SU1338053A1 (en) | Adder | |
SU900412A1 (en) | Current element with arresting trigger | |
SU370724A1 (en) | SWITCH.THE SIGNALS | |
SU1448402A1 (en) | Comparator | |
SU1539991A1 (en) | Level converter | |
SU841105A1 (en) | Unipolar-to-pulse converter |