SU1457149A1 - Output stage of pulse shaper - Google Patents

Output stage of pulse shaper Download PDF

Info

Publication number
SU1457149A1
SU1457149A1 SU864098422A SU4098422A SU1457149A1 SU 1457149 A1 SU1457149 A1 SU 1457149A1 SU 864098422 A SU864098422 A SU 864098422A SU 4098422 A SU4098422 A SU 4098422A SU 1457149 A1 SU1457149 A1 SU 1457149A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
key
transistors
transistor
channel
channels
Prior art date
Application number
SU864098422A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Борис Павлович Кутовой
Original Assignee
Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" filed Critical Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор"
Priority to SU864098422A priority Critical patent/SU1457149A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1457149A1 publication Critical patent/SU1457149A1/en

Links

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формировани  импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов. Целью изобретени   вл етс  расиирение диапазонов формировани  верхнего и нижнего уровней напр жени , повмпение точности и стабильности установкиThe invention relates to a pulse technique and can be used in devices for generating pulse signals of the nanosecond and subnanosecond ranges. The aim of the invention is to expand the ranges of formation of the upper and lower levels of voltage, the accuracy and stability of the installation.

Description

1one

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формировани  импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов.The invention relates to a pulse technique and can be used in devices for generating pulse signals of the nanosecond and subnanosecond ranges.

Целью изобретени   вл етс  расширение диапазонов формировани  верхнего и нижнего уровней напр жени  и повышение точности и стабильности установки выходного напр жени , увеличение быстродействи .The aim of the invention is to expand the ranges of formation of the upper and lower levels of voltage and increase the accuracy and stability of the output voltage setting, increasing the speed.

На чертеже представлена схема выходного каскада формировател  импульсов .The drawing shows a diagram of the output stage of the pulse shaper.

Выходной каскад включает первый и второй каналы формировани  соответственно верхнего и нижнего уровней , которые содержат первые 1 и 2 и вторые 3 и 4 ключи, вьшолненные на транзисторах 5 и 6, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 7 и 8 первого ключа 1 первого канала через первый резистор 9 сое- динены с первой шиной 10 питани , объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 11 и 12 первого ключа 2 второго канала через второй резистор 13 соединены с второй шиной 14 питани , коллектор транзистора 7 соединен с точкой соединени  первого и второго диодов 15 и 16, коллектор транзистора 11 соединен с точкой соединени  третьего и четвертого диодов 17 и 18, базы транзисторов 5 и 6 вторых ключей первого и второго каналов соединены соответственно третий резистор 19 с первой шиной 20 опорного напр жени  и через четвертый резистор 21 - с второй шиной 22 опорного напр жени , третий ключ 23 первого канала и третий ключ 24 второго канала.The output stage includes the first and second channels of the formation of the upper and lower levels, respectively, which contain the first 1 and 2 and second 3 and 4 keys, implemented on transistors 5 and 6, the combined emitters of the first and second transistors 7 and 8 of the first key 1 of the first channel through the first a resistor 9 is connected to the first power bus 10, the combined emitters of the first and second transistors 11 and 12 of the first switch 2 of the second channel are connected via the second resistor 13 to the second power bus 14, and the collector of the transistor 7 is connected to the first connection point first and second diodes 15 and 16, the collector of transistor 11 is connected to the connection point of the third and fourth diodes 17 and 18, the bases of transistors 5 and 6 of the second keys of the first and second channels are connected, respectively, to the third resistor 19 to the first bus 20 of the reference voltage and through the fourth resistor 21 — with the second bus 22 of the reference voltage, the third key 23 of the first channel and the third key 24 of the second channel.

Третий ключ 23 первого каналаThe third key 23 of the first channel

содержит два диода 25 и 26, резистор 27 и транзистор 28 с проводимостью, противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала . Третий ключ 24 второго канала содержит два диода 29 и 30, резистор 31 и транзистор 32. Коллекторы первого и второго транзисторов 7 и 8 соединены через резисторы 33 и 34 сcontains two diodes 25 and 26, a resistor 27 and a transistor 28 with a conductivity opposite to that of the second switch of the given channel. The third key 24 of the second channel contains two diodes 29 and 30, a resistor 31 and a transistor 32. The collectors of the first and second transistors 7 and 8 are connected via resistors 33 and 34 with

ИННОЙ 14. Коллекторы первого и второго транзисторов 11 и 12 через резисторы 35 и 36 соединены с шиной 10. Базы первого и второго транзисторов обоих каналов соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами 37 - 40 устройства. Устройство включает выходную шину 41.INNOVATIVE 14. The collectors of the first and second transistors 11 and 12 through resistors 35 and 36 are connected to bus 10. The bases of the first and second transistors of both channels are connected to the first, second, third and fourth inputs 37-40 of the device, respectively. The device includes an output bus 41.

2525

Выходной каскад работает следующим образом.The output stage operates as follows.

Если на входе 37 напр жение логической 1 отрицательной пол рности, на входе 40 напр жение логической 1 положительной пол рности, наIf the input 37 voltage logical 1 negative polarity, the input 40 voltage logical 1 positive polarity,

входах 38 и 39 напр жение логического О, напр жение на второй шине 22 опорного напр жени  (напр жение нижнего уровн  и) отрицательной пол рности , а напр жение на шине 20 по35 ложительной пол рности (напр жение верхнего уровн  b g), то транзисторы 8 и 11 открыты, а транзисторы 7 и 12 закрыты. Так как транзистор 8 The inputs 38 and 39 are the logic voltage O, the voltage on the second bus 22 of the reference voltage (voltage of the lower level) and negative polarity, and the voltage on the bus 20 of positive polarity (voltage of the upper level bg), then transistors 8 and 11 are open, and transistors 7 and 12 are closed. Since transistor 8

открыт, а напр жение на шине 20 положительное , то транзистор 28 открытis open, and the voltage on the bus 20 is positive, then the transistor 28 is open

Режим транзистора 8 устанавливают таким образом чтобы транзистор 28 закрывалс  при напр жении на шине 20, близком к нулю. Режим транзистора 11 устанавливают таким образом, чтобы транзистор 5 открывалс  только при напр жении на шине 20, близком к нулю, следовательно, при положительном напр жении на тине 20 транзистор 5 закрыт. Так как закрыт транзистор 12, то закрыт и транзистор 32. Отрицательным напр жением на ши не 22 транзистор 6 закрыт. Напр жение верхнего уровн  положительной пол рности на выходной шине 41 определ етс  разностью напр жени  на шине 20 и напр жени  коллектор - эмит- тер открытого транзистора 28. Если изменить пол рность напр жени  на шине 20 на отрицательную, транзистор 28 закрываетс , открываетс  транзистор 5 и на шине 41 будет формировать с  отрицательное напр жение верхнего уровн .The mode of the transistor 8 is set so that the transistor 28 closes when the voltage on the bus 20 is close to zero. The mode of the transistor 11 is set in such a way that the transistor 5 is opened only when the voltage on the bus 20 is close to zero, therefore, when the voltage on the line 20 is positive, the transistor 5 is closed. Since the transistor 12 is closed, the transistor 32 is also closed. By the negative voltage across the bus, 22, the transistor 6 is closed. The voltage of the upper level of positive polarity on the output bus 41 is determined by the voltage difference across the bus 20 and the collector-emitter voltage of the open transistor 28. If you change the polarity of the voltage on the bus 20 to negative, the transistor 28 closes, opens the transistor 5 and on bus 41 will form a negative voltage at the upper level.

Так как транзистор 28 находитс  в насыщении во всей области положительных напр жений и закрываетс  только при напр жении U g на шине 20, близком к нулю, а во всем диапазоне изменение Ug положительной пол рности , быстродействие формировани  выходного напр жени  определ етс  толь- ко транзистором 28. Since transistor 28 is saturated in the entire positive voltage region and closes only when the voltage U g on the bus 20 is close to zero, and in the whole range the change in the positive polarity Ug is determined only by the output transistor 28

В отрицательной области изменени  напр жени  Ug на шине 20 быстродействие определ етс  только транзис:то- ром 5, который входит в насьщениеIn the negative range of voltage Ug on bus 20, speed is determined only by transis: by tor 5, which is part of

при напр жении Ug, близком к нулю, и находитс  в этом режиме во всей области отрицательных напр жений Ugwhen the voltage Ug is close to zero, and is in this mode in the entire region of negative voltages Ug

Если на входах 37 и 40 напр жение логического О, на входе 38 напр - жение логической 1 отрицательной пол рности, на входе 39 напр жение логической 1 положительной пол рности , напр жение нижнего уровн  Uц на шине 22 отрицат.ельной пол рности, а напр жение верхнего уровн  Ug на шине 20 положительной пол рности,что транзисторы 7, 12 и 32 открыты,транзисторы 8,11,28, 5 и 6 закрыты. Формирование нижнего уровн  на выходной шине 41 происходит аналогично формированию верхнего уровн . Напр жение нижнего уровн  на выходной шине определ етс  разностью напр жени  If the inputs 37 and 40 are the voltage of the logical O, the input 38 is the voltage of the logical 1 negative polarity, the input 39 is the voltage of the logical 1 positive polarity, the voltage of the lower level Uc on the bus 22 of the negative polarity, and The upper level Ug on the bus 20 has a positive polarity, so that transistors 7, 12, and 32 are open, and transistors 8, 11, 28, 5, and 6 are closed. The formation of the lower level on the output bus 41 occurs similarly to the formation of the upper level. The voltage of the lower level on the output bus is determined by the difference in voltage

4949

на шине 22 и напр жени  коллектор - эмиттер открытого транзистора 32.Если изменить пол рность напр жени  на шине 22 на положительную, транзистор 32 закроетс  при напр жении и, близком к нулю, откроетс  транзистор 6 и на выходной шине 41 будет формироватьс  полоткительное напр жение нижнего уровн .bus 22 and the collector-emitter of the open transistor 32. If the polarity of the bus voltage 22 is changed to positive, the transistor 32 will close at voltage and close to zero, a transistor 6 will open on the output bus 41 lower level

Claims (1)

Формула изобретениInvention Formula Выходной каскад формировател  импульсов , содержащий подсоединенные к выходной шине первый и второй каналы формировани  соответственно верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах по схеме токового переключател , и второй ключ, выполненный на одном транзисторе , объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов первого ключа первого и второго каналов через соответственно первый и второй резисторы соединены с первой и второй шинами питани  соответственно, коллекторы первых транзисторов первого ключа соответственно первого и второго каналов подсоединены к точкам соединени  соответственно первого , второго, третьего и четвертого диодов, вторые электроды которых сое динень соответственно с базой и коллектором транзистора второго ключа второго канала и с базой и коллектором транзистора второго ключа первого канала, базы транзисторов вторых ключей первого и второго каналов соединены соответственно через третий резистор с первой шиной опорного напр жени , а четвертый резистор - с второй шиной опорного напр жени , проводимость транзисторов первого ключа совпадает с проводимостью транзистора второго ключа данного канала и противоположна проводимости транзисторов первого ключа второго канала, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазонов формировани  верхнего и нижнего уровней напр жени  и повышени  точности и стабильности установки выходного напр жени , увеличени  быстродействи , в каждый из каналов введен третий ключ, вьшолненный симметрично второму ключу и состо щий из  зуг. диодов, резистора и транзистора сThe output stage of the pulse generator containing the first and second channels of the upper and lower levels, respectively, connected to the output bus, each of which includes the first key made on two transistors according to the current switch circuit and the second key made on one transistor, the combined emitters of the first and the second transistors of the first key of the first and second channels, respectively, through the first and second resistors are connected to the first and second power buses, respectively, the collectors of the first transistors of the first key, respectively, of the first and second channels are connected to the connection points of the first, second, third and fourth diodes, respectively, the second electrodes of which are connected to the base and collector of the second switch of the second channel and the base and collector of the transistor of the second key of the first channel, base of transistors the second keys of the first and second channels are connected, respectively, via the third resistor to the first reference voltage bus, and the fourth resistor is connected to the second reference bus on splicing, the conductivity of the transistors of the first key coincides with the conductivity of the transistor of the second key of the given channel and opposite to the conductivity of the transistors of the first key of the second channel, characterized in that in order to expand the formation ranges of the upper and lower voltage levels and improve the accuracy and stability of the output voltage, speed increase, a third key is inserted into each channel, which is executed symmetrically to the second key and consists of a zug. diodes, resistor and transistor with 5U571A965U571A96 проводимостью, противоположной про-ключей своих каналов, коллекторыconductive, opposite pro-keys of their channels, collectors водимости транзист,ора второго ключатранзисторов первых ключей соединеныpower transist, ora of the second key transistors of the first keys are connected данного канала, -эмиттер и коллекторчерез соответствующие резисторы,втотранзистора третьего ключа соедине-рые выводы которых объединены и подны соответственно с эмиттером и кол-ключены соответственно к второй иof this channel, the emitter and collector through the corresponding resistors, the third key's transistor of the third pins whose connectors are combined and sub-respectively with the emitter and the number of keys to the second and лектором транзистора второго ключапервой шинам питани , базы первогоthe transistor lecturer of the second key, the first power supply buses, the base of the first своего канала, общие точки диодови второго транзисторов обоих каналовof the channel, common points of the diode and the second transistors of both channels третьих ключей первого и второго ка-соединены соответственно с первым,the third keys of the first and second ka are connected respectively with the first, налов соединены соответств енно с КОЛ- Qвторым, третьим и четвертым входамиThe lines are connected to the QOL-Q second, third and fourth entrances лекторами вторых транзисторов первыхустройства.lecturers second transistors of the first device.
SU864098422A 1986-07-30 1986-07-30 Output stage of pulse shaper SU1457149A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864098422A SU1457149A1 (en) 1986-07-30 1986-07-30 Output stage of pulse shaper

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864098422A SU1457149A1 (en) 1986-07-30 1986-07-30 Output stage of pulse shaper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1457149A1 true SU1457149A1 (en) 1989-02-07

Family

ID=21249332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864098422A SU1457149A1 (en) 1986-07-30 1986-07-30 Output stage of pulse shaper

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1457149A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Эйдукас Д.Ю. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем. - М.: Радио и св зь, 1982, с. 267, рис. 6.21. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900010529A (en) Voltage generator
SU1457149A1 (en) Output stage of pulse shaper
RU1798898C (en) Output pulse generator
SU1160543A2 (en) Schmitt flip-flop
SU1767695A2 (en) Bipolar pulse former
SU1277381A1 (en) Polyfunctional element of digital structure
SU758502A1 (en) Gated shaper with paraphase ttl-outputs
SU634374A1 (en) Analogue storage
SU1319251A1 (en) Self-excited mulltivibrator
SU847502A1 (en) Two-threshold device
SU558377A1 (en) Stable Pulse Generator
SU1531157A1 (en) Logic swing shaper
SU403060A1 (en) TRANSISTOR SWITCHING DEVICE
SU834833A1 (en) Flip-flop
SU766012A1 (en) Transistorized switch
SU1152086A1 (en) Emitter-coupled logic circuit
SU1357860A1 (en) Two-threshold comparator
SU520707A1 (en) Analog Multichannel Switch
SU702521A1 (en) Electronic sign-responsive switch
SU1338053A1 (en) Adder
SU900412A1 (en) Current element with arresting trigger
SU370724A1 (en) SWITCH.THE SIGNALS
SU1448402A1 (en) Comparator
SU1539991A1 (en) Level converter
SU841105A1 (en) Unipolar-to-pulse converter