SU1357860A1 - Two-threshold comparator - Google Patents
Two-threshold comparator Download PDFInfo
- Publication number
- SU1357860A1 SU1357860A1 SU864008027A SU4008027A SU1357860A1 SU 1357860 A1 SU1357860 A1 SU 1357860A1 SU 864008027 A SU864008027 A SU 864008027A SU 4008027 A SU4008027 A SU 4008027A SU 1357860 A1 SU1357860 A1 SU 1357860A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- resistor
- transistor
- pnp
- resistors
- comparator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике и может быть использовано дл определени выхода напр жени из установленных пределов, а также в качестве дифференциального дискриминатора. Целью изобретени вл етс расширение диапазона регулировани уровней и повышение точности. Дл достижени цели в устройство, содержащее сдвоенный компаратор 1, резисторы 2 и 3, источники 6 и 7 питани , полевой транзистор 13 и резистор 14, дополнительно введены р-п-р-тран- зистор 4, п-р-п-транзистор 5, два делител 8 и 9 напр жени , резисторы 10 и 11, переменный резистор 12. При этом изменением сопротивлени резистора 12 достигаетс установка пороговых уровней в положительной и отрицательной област х диапазона пороговых уровней. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. (Л 00 ел vj СХ) фThe invention relates to a measurement technique and can be used to determine the voltage output from a set range, as well as a differential discriminator. The aim of the invention is to expand the range of level control and improve accuracy. To achieve the goal, a device containing a dual comparator 1, resistors 2 and 3, power sources 6 and 7, a field-effect transistor 13 and a resistor 14, additionally introduced a pnp-transistor 4, pnp-transistor 5 , two voltage dividers 8 and 9, resistors 10 and 11, variable resistor 12. By varying the resistance of resistor 12, setting threshold levels in the positive and negative regions of the range of threshold levels is achieved. 1 hp f-ly, 1 ill. (L 00 ate vj SH) f
Description
1one
Изобретение относитс к измерительной технике и может бьп ь использовано дл определени выхода напр жени из установленного допуска, а также в качестве дифференциального дискриминатора.The invention relates to a measurement technique and can be used to determine the voltage output from a set tolerance, as well as a differential discriminator.
Целью изобретени вл етс расширение диапазона регулировани уровней и повышение точности.The aim of the invention is to expand the range of level control and improve accuracy.
На чертеже изображена схема двух- порогового компаратора.The drawing shows a two-threshold comparator circuit.
. Двухпороговый компаратор содержит сдвоенный компаратор 1, первый 2 и второй 3 резисторы, р-п-р-транзистор 4, п-р-п-транзистор 5, первый 6 и второй 7 источники питани , первый 8 и второй 9 делители напр жени , пер- Bbrf i 10 и второй 11 дополнительные резисторы, переменный резистор 12, поленой транзистор 13 и третий допол- нительньй резистор 14. Первый 2 и -второй 3 резисторы соединены последо- ветельно. Их общий вывод соединен с. The two-threshold comparator contains a dual comparator 1, the first 2 and second 3 resistors, a pnp transistor 4, a pnp transistor 5, the first 6 and second 7 power sources, the first 8 and second 9 voltage dividers, trans - Bbrf i 10 and the second 11 additional resistors, a variable resistor 12, a gated transistor 13 and a third additional resistor 14. The first 2 and -second 3 resistors are connected in series. Their common conclusion is connected to
1357860213578602
резистор 10, а также транзистор 5, источник 7 питани , делитель 9, дополнительный 11 и переменный 12 ре- образуют два генератора токаresistor 10, as well as transistor 5, power supply 7, divider 9, additional 11 and alternating 12, reconstruct two current generators
10ten
1515
2020
соответственно на транзисторах 4 и 5.respectively on transistors 4 and 5.
Двухпороговый компаратор работает следующим образом.Two-threshold comparator works as follows.
Падение напр жени на первом резисторе 2 определ ет нижний пороговый уровень, а верхний пороговый уровень превышает нижний на окно дискриминации , величина которого равна падению напр жени на втором резисторе 3 от протекани через него тока генератора тока на транзисторе 4.The voltage drop on the first resistor 2 determines the lower threshold level, and the upper threshold level exceeds the lower one on the discrimination window, the value of which is equal to the voltage drop on the second resistor 3 from the current of the current generator through transistor 4 flowing through it.
Не учитыва первоначально дл простоты полевой транзистор 13, получаем , что при равенс:тве токов через коллекторы транзисторов 4 и 5 нижний пороговый уровень равен нулю. При увеличении сопротив11ени переменного резистора 12 в эмиттере п-р-п-тран- зистора уменьшаетс ток генератораDisregarding, initially, for simplicity, the field effect transistor 13, we find that, when the current flows through the collectors of transistors 4 and 5, the lower threshold level is zero. An increase in the resistance of the variable resistor 12 in the emitter of the pnp transistor decreases the generator current.
первым инвертирующим входом сдвоенно- 25 тока на транзисторе 5 и через первьйthe first inverting input is dual 25 current on the transistor 5 and through the first
;го компаратора 1. Первьш вывод первого резистора 2 соединен с общей ши- НОЙ1., Второй вьгаод второго резистора 3 соединен с первым неинвертирующим входом сдвоенного компаратора 1, с затвороу полевого транзистора 13 и коллектором р-п-р-транзистора 4. База транзистора 4 соединена со средним вьшодом первого делител 8 напр жени , крайние выводы которого соедине- ны с соответствующими выводами первого источника 6 питани . Эмиттер транзистора 4 через первый дополнительный резистор 10 соединен с положительным полюсом первого источника 6 питани . База п-р-п-транзистора 5 соединена со средним выводом второго делител 9 напр жени , крайние выводы которого соединены с соответствующими выводами второго источника 7 питани . Эмит- тер транзистора 5 через второй дополнительный резистор 11 и переменньм резистор 12 соединен с отрицательным полюсом источника 7 питани . Отрицательный полюс источника 6 питани и положительный полюс источника 7 питани соединены с общей шиной. Исток полевого транзистора 13 через третий дополнительньм резистор 14 соединен с общим выводом первого 2 и второго 3 резисторов. Сток полевого транзистора 13 соединен с эмиттером транзистора 4. Транзистор 4, источник 6 питани , делитель 8, дополнительньшthe first comparator 1. The output of the first resistor 2 is connected to the common bus NOI1. The second terminal of the second resistor 3 is connected to the first non-inverting input of the dual comparator 1, with the gate of the field-effect transistor 13 and the collector of the pn-transistor 4. The base of the transistor 4 is connected to the middle section of the first voltage divider 8, the extreme terminals of which are connected to the corresponding terminals of the first power source 6. The emitter of transistor 4 is connected via the first additional resistor 10 to the positive pole of the first power supply 6. The base of the pnp transistor 5 is connected to the middle terminal of the second voltage divider 9, the extreme terminals of which are connected to the corresponding terminals of the second power source 7. The emitter of transistor 5 is through the second additional resistor 11 and the variable resistor 12 is connected to the negative pole of the power supply 7. The negative pole of the power source 6 and the positive pole of the power source 7 are connected to a common bus. The source of the field effect transistor 13 through the third additional resistor 14 is connected to the common terminal of the first 2 and second 3 resistors. The drain of the field-effect transistor 13 is connected to the emitter of the transistor 4. Transistor 4, power supply 6, divider 8, additional
резистор 10, а также транзистор 5, источник 7 питани , делитель 9, дополнительный 11 и переменный 12 ре- образуют два генератора токаresistor 10, as well as transistor 5, power supply 7, divider 9, additional 11 and alternating 12, reconstruct two current generators
5five
00
соответственно на транзисторах 4 и 5.respectively on transistors 4 and 5.
Двухпороговый компаратор работает следующим образом.Two-threshold comparator works as follows.
Падение напр жени на первом резисторе 2 определ ет нижний пороговый уровень, а верхний пороговый уровень превышает нижний на окно дискриминации , величина которого равна падению напр жени на втором резисторе 3 от протекани через него тока генератора тока на транзисторе 4.The voltage drop on the first resistor 2 determines the lower threshold level, and the upper threshold level exceeds the lower one on the discrimination window, the value of which is equal to the voltage drop on the second resistor 3 from the current of the current generator through transistor 4 flowing through it.
Не учитыва первоначально дл простоты полевой транзистор 13, получаем , что при равенс:тве токов через коллекторы транзисторов 4 и 5 нижний пороговый уровень равен нулю. При увеличении сопротив11ени переменного резистора 12 в эмиттере п-р-п-тран- зистора уменьшаетс ток генератораDisregarding, initially, for simplicity, the field effect transistor 13, we find that, when the current flows through the collectors of transistors 4 and 5, the lower threshold level is zero. An increase in the resistance of the variable resistor 12 in the emitter of the pnp transistor decreases the generator current.
резистор 2 протекает часть тока генератора тока на транзисторе 4 и нижний пороговый уровень становитс положительным . Чем меньше ток генератора тока на транзисторе 5 относительно посто нного по величине тока генератора тока на транзисторе 4, тем больше сдвиг нижнего порогового уровн в область положительных напр жений . Верхний порог овьм уровень отличаетс о.т нижнего на падение напр жени на втором резисторе 3.resistor 2 flows part of the current generator current on transistor 4 and the lower threshold level becomes positive. The smaller the current generator current on the transistor 5 relative to the constant current generator current on transistor 4, the greater the shift of the lower threshold level into the positive voltage range. The upper threshold of the eight level differs from that of the lower by a voltage drop across the second resistor 3.
Наоборот, если ток генератора тока на транзисторе 5 больше тока генератора тока на транзисторе 4, через первьы резистор 2 протекает избыточна часть тока генератора тока на транзисторе 5, котора создает на первом резисторе 2 отрицательное нап11 жение. Чем больше ток генератора тока на транзисторе 5 (меньше сопротивление переменного резистора 12 в эмиттере п-р-п-транзистора 5) , тем больше: сдвиг пороговых уровней в область отрицательных напр жений . Максимальный сдвиг в отрицательную область диапазона пороговых уровней определ етс : аналогично отрицательным потенциалом на базе п-р-п- транзистора 5. Conversely, if the current generator current on the transistor 5 is greater than the current generator current on transistor 4, an excess part of the current generator current on transistor 5 flows through the first resistor 2, which creates a negative voltage on the first resistor 2. The greater the current generator current on the transistor 5 (the lower the resistance of the variable resistor 12 in the pnp transistor 5 emitter), the greater: the shift of the threshold levels in the region of negative voltages. The maximum shift to the negative region of the threshold level range is determined: in the same way as a negative potential based on a np-p-transistor 5.
Таким образом, посредством изменени сопротивлени одного переменного резистора 12 достигаетс установка пороговых уровней в положительной иThus, by varying the resistance of one variable resistor 12, threshold levels are set to positive and
отрицательной област х диапазона пороговых уровней.negative regions of the range of threshold levels.
Дополнительную стабилизацию ширины окна дискриминации (повышение точности ) обеспечивает полевой транзистор 13. Ток через полевой транзистор 13 составл ет небольшую, например одну дес тую, часть тока генератора тока на транзисторе 4. Так как ток затвора полевого транзистора 13 практичес ки равен нулю, то ширина окна дискриминации определ етс по-прежнему падением напр жени на втором резисторе 3 от протекани через него тока генератора тока на транзисторе 4. Ниж- НИИ пороговый уровень при учете полевого транзистора 13 равен нулю не при равенстве токов двух генераторов тока, а при превышении тока генератора на транзисторе 5 над током генератора на транзисторе 4 на величину тока истока полевого транзистора 13.An additional stabilization of the discrimination window width (increased accuracy) is provided by the field-effect transistor 13. The current through the field-effect transistor 13 is a small, for example, one-tenth, part of the current generator current on the transistor 4. Since the gate current of the field-effect transistor 13 is practically zero, the width the discrimination window is still determined by the voltage drop across the second resistor 3 from the current flowing through it of the current generator on the transistor 4. The lower threshold level when the field-effect transistor 13 is taken into account is zero not equal to the current of the two current generators, and when the generator current on the transistor 5 exceeds the generator current on transistor 4 by the value of the source current of the field-effect transistor 13.
Дополнительна стабилизаци ширины окна дискриминации происходит следующим образом.The additional stabilization of the width of the discrimination window is as follows.
При регулировании пороговых уровней измен етс потенциал коллектора р-п-р-транзистора 4. Эффект изменени ширины базы незначительно измен ет ток коллектора, например, при сдвиге пороговых уровней в отрицательную область ток коллектора р-п-р-транзис- тора увеличиваетс , что увеличиваетWhen adjusting the threshold levels, the potential of a pnp transistor 4 changes. The effect of varying the base width slightly changes the collector current, for example, when the threshold levels shift to the negative region, the collector current of the pnpn transistor increases, which increases
падение напр жени на втором резисто- транзисторов соединены со средними ре 3. При этом возрастает ток стока полевого транзистора 13, понижаетс потенциал эмиттера р-п-р-транзистора 4 и ток коллектора р-п-р-транзистора 4 восстанавливает исходное значение. При сдвиге пороговых уровней в положительную область ток стока полевого транзистора 13 уменьшаетс , если уменьшаетс ширина окна дискриминавыводами соответствующих резисторны делителей напр жени , крайние вьгоод которых соединены с соответствующим выводами соответствующих источников питани , эмиттер р-п-р-транзистора через первый дополнительный резисто соединен с положительным полюсом пе вого исфочника питани , эмиттер п-р -п-транзистора через последовательн соединенные второй дополнительный резистор и перемеиньй резистор соед нен с отрицательным полюсом второго источника питани , коллектор р-п-р- транзистора соединен с вторым вьтод второго резистора, а коллектор п-р-п транзистора соединен с общим выводо первого и второго резисторов.the voltage drop across the second resistor is connected to the average pe 3. This increases the drain current of the FET 13, the potential of the emitter of the pnp transistor 4 decreases, and the collector current of the pnp transistor 4 restores the original value. When the threshold levels are shifted to the positive region, the drain current of the field-effect transistor 13 decreases if the width of the window is reduced by discriminating the respective resistor voltage dividers, the extreme ends of which are connected to the corresponding terminals of the respective power sources, the emitter of the pnp-rn transistor is connected through the positive pole of the first power source, the emitter of the pnp transistor through a series connected second additional resistor and a cross-connect resistor n to the negative pole of the second power source, the collector p-n-p transistor is connected to a second vtod second resistor, and whose collector is n-p-n transistor is connected to the common terminal of the first and second resistors.
ции, в итоге увеличиваетс ток кол- лектора р-п-р-транзистора 4 и происходит стабилизаци ширины окна.. При использовании полевого транзистора 13 с начальным током стока, составл ющим небольшую часть номинального тока генератора тока на транзисторе 4, резистор в цепи истока может отсутствовать .As a result, the current of the pnpp transistor 4 collector increases and the window width is stabilized. When using a field-effect transistor 13 with an initial drain current constituting a small part of the rated current of the current generator on transistor 4, the source resistor may be missing.
При действии входного сигнала с :источника 15 на выходе сдвоенного компаратора 1 устанавливаетс уровень 1, если сигнал лежит внутри окна, и уровень О, если сигнал нижеWhen the input signal from: source 15 at the output of dual comparator 1 is set to level 1, if the signal lies inside the window, and the level O, if the signal is lower
нижнего и уровней.lower and levels.
вьш1е верхнего пороговыхhigher upper threshold
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864008027A SU1357860A1 (en) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Two-threshold comparator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864008027A SU1357860A1 (en) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Two-threshold comparator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1357860A1 true SU1357860A1 (en) | 1987-12-07 |
Family
ID=21216527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864008027A SU1357860A1 (en) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | Two-threshold comparator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1357860A1 (en) |
-
1986
- 1986-01-10 SU SU864008027A patent/SU1357860A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Алексенко А.Г. Применение прецизионных аналоговых ИС. - М.: Советское радио, 1980, с.174-175, табл.7.46. Коннели Дж. Аналоговые интегральные схемы. - М.: Мир, 1977, с.152, фиг.4.12. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR860007748A (en) | Semiconductor integrated circuit with improved load driving characteristics | |
EP0239762A2 (en) | Buffer circuit | |
SE7907853L (en) | switching circuit | |
SE451781B (en) | INTEGRATED CONTROL CIRCUIT FOR REPLACING INDUCTIVE LOADS, WHICH CIRCUIT INCLUDES A RECEIVING STEP | |
EP0092145B1 (en) | Transistor circuit | |
SU1357860A1 (en) | Two-threshold comparator | |
US3922569A (en) | Potential detector | |
KR900008046B1 (en) | Comparator | |
KR840004331A (en) | Current Discrimination Device | |
US4404477A (en) | Detection circuit and structure therefor | |
SU403060A1 (en) | TRANSISTOR SWITCHING DEVICE | |
SU847502A1 (en) | Two-threshold device | |
SU1742808A1 (en) | Voltage limiter | |
SU438109A1 (en) | Key | |
SU1027808A1 (en) | Triangle-shape voltage generator | |
SU694853A2 (en) | Stabilized d -c current source | |
SU1285589A1 (en) | Logic element | |
SU1091318A1 (en) | Current comparator | |
SU1457149A1 (en) | Output stage of pulse shaper | |
SU370724A1 (en) | SWITCH.THE SIGNALS | |
SU1713095A1 (en) | Device for address change detection | |
SU561294A1 (en) | Time relay | |
SU546015A1 (en) | Potential shaper for memory storage device on tmp transistors | |
SU644034A1 (en) | Comparator | |
SU1488771A1 (en) | Dc voltage stabilizer |