SU438109A1 - Key - Google Patents

Key

Info

Publication number
SU438109A1
SU438109A1 SU1914985A SU1914985A SU438109A1 SU 438109 A1 SU438109 A1 SU 438109A1 SU 1914985 A SU1914985 A SU 1914985A SU 1914985 A SU1914985 A SU 1914985A SU 438109 A1 SU438109 A1 SU 438109A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
key
terminal
voltage
zener diode
transistor
Prior art date
Application number
SU1914985A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Иванович Тараторин
Original Assignee
Ордена Ленина Институт Проблем Управления
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Ленина Институт Проблем Управления filed Critical Ордена Ленина Институт Проблем Управления
Priority to SU1914985A priority Critical patent/SU438109A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU438109A1 publication Critical patent/SU438109A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к автоматике и вычислительной технике.This invention relates to automation and computing.

Известен ключ, содержащий МОП-транзистор , источник которого через резистор подключен к входной клемме ключа, сток - к выходной клемме, затвор - через включенные параллельно диод и конденсатор к коллектору бипол рного транзистора и через резистор к источнику напр жени  смещени , эмиттер бипол рного транзистора соединен с щиной источника питани , а база - с клеммой управлени .A key is known that contains a MOS transistor, the source of which is connected via a resistor to the input terminal of the key, the drain to the output terminal, the gate through a parallel diode and a capacitor to the collector of the bipolar transistor and through a resistor to the bias voltage source, the emitter of the bipolar transistor connected to the power supply, and the base to the control terminal.

Недостаток описанного устройства состоит в том, что сопротивление открытого ключа существенно зависит от величины коммутируемого напр жени .The disadvantage of the described device is that the resistance of the public key substantially depends on the size of the switched voltage.

Цель изобретени  - уменьшение диапазона изменени  сопротивлени  открытого ключа и расщирение допустимого диапазона изменени  коммутируемого напр жени .The purpose of the invention is to reduce the range of variation of the resistance of the public key and to expand the allowable range of variation of the switched voltage.

Эта цель достигаетс  тем, что в устройство введена цепочка смещени , состо ща  из бипол рного транзистора и стабилитрона, подключепного одпим электродом к затвору МОП-транзистора, - а другим - к эмиттеру бипол рного транзистора, база которого подключена к входной клемме ключа, а. коллектор - к шине источниканапр жени  питани .This goal is achieved by introducing into the device a bias circuit consisting of a bipolar transistor and a zener diode connected with a dipole electrode to the gate of the MOS transistor, and another to the emitter of the bipolar transistor, the base of which is connected to the input terminal of the key, as well. the collector is connected to the power supply busbar.

На чертеже изображена схема предлагаемого ключа.Ключ содержит клемму 1 управлени , клемму 2 источника смещени , стабилитрон 3, бипол рный транзистор 4, МОП-транзистор 5, входную клемму 6, резистор 7, выходную 5 клемму 8, щину 9 источника напр жени  питани .The drawing shows the circuit of the proposed key. The key includes a control terminal 1, a bias source terminal 2, a zener diode 3, a bipolar transistor 4, a MOS transistor 5, an input terminal 6, a resistor 7, an output 5 terminal 8, a power supply terminal 9.

Ключ работает следующим образом. При отсутствии запирающего тока на клемме 1 управлени  ключ открыт, это обеспечиваетс  выбором достаточного напр жени  смещени  на клемме 2, правильным выбором сгабилитрона 3 и режима цепочки смещени , состо щей из стабилитрона 3 и транзистора 4. Напр жение затвор-исток МОП-транзистораThe key works as follows. In the absence of a blocking current at the control terminal 1, the key is open, this is ensured by the choice of a sufficient bias voltage at terminal 2, the correct choice of the booster 3 and the bias chain mode consisting of the zener diode 3 and the transistor 4. The gate-source voltage of the MOSFET

5 5, складывающеес  из напр жений на стабилитроне 3 и переходе база-эмиттер транзистора 4 и определ ющее сопротивление открытого ключа, почти не зависит от коммутируемого напр жени  ключа, подаваемого на5 5, folding from the voltages on the zener diode 3 and the base-emitter junction of the transistor 4 and determining the resistance of the public key, is almost independent of the switching voltage of the key supplied to

0 клемму 6, стабилитрон 3 и резистор 7 образуют схему эмиттерного повторител  со сдвигом выходного сигнала на величину напр жени  стабилизации стабилитрона 3.0 terminal 6, zener diode 3 and resistor 7 form an emitter follower circuit with a shift of the output signal by the amount of stabilization voltage of zener diode 3.

2525

Предмет изобретени Subject invention

Ключ, содержащий МОП-транзистор с индуцированным каналом, исток и сток которого подключены соответственно к входной и вы30 ходной клеммам устройства,- а затвор соединен с клеммой управлени  и через резистор - с клеммой источника смещени , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  диапазона изменени  сопротивлени  открытого ключа и расширени  допустимого диапазона изменени  коммутируемого напр жени , в устройство введена цепочка смещени , состо ща  из бипол рного транзистора и стабилитрона , подключенного одним электродом к затвору МОП-транзистора, а другим - к эмиттеру бипол рного транзистора, база которого подключена к входной клемме ключа, а коллектор - к шине источника напр жени  питани .A key containing an MOS transistor with an induced channel, the source and drain of which are connected to the input and output terminals of the device, respectively, and the gate connected to the control terminal and through a resistor to the bias source terminal, in order to reduce the range of resistance of the open key and expansion of the allowable range of the switching voltage, a bias chain consisting of a bipolar transistor and a zener diode connected by a single electrode to the gate is inserted into the device OP-transistor, and the other - to the emitter of the bipolar transistor, the base of which is connected to the key input terminal and the collector - to the bus power supply voltage.

SU1914985A 1973-04-24 1973-04-24 Key SU438109A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1914985A SU438109A1 (en) 1973-04-24 1973-04-24 Key

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1914985A SU438109A1 (en) 1973-04-24 1973-04-24 Key

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU438109A1 true SU438109A1 (en) 1974-07-30

Family

ID=20551660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1914985A SU438109A1 (en) 1973-04-24 1973-04-24 Key

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU438109A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2263357A1 (en) * 2004-11-16 2006-12-01 Diseño De Sistemas En Silicio, S.A. Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2263357A1 (en) * 2004-11-16 2006-12-01 Diseño De Sistemas En Silicio, S.A. Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range
WO2006053916A3 (en) * 2004-11-16 2008-06-12 Diseno Sistemas Silicio Sa Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range
EA010175B1 (en) * 2004-11-16 2008-06-30 Дисеньо Де Системас Эн Силисио, С.А. Switching circuit which is used to obtain a double dynamic range
US7619461B2 (en) 2004-11-16 2009-11-17 Diseño de Sistemasen Silicio, S.A. Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850006783A (en) Switching circuit
KR910006732A (en) Current detection circuit
KR930007794B1 (en) Circuit arrangement operable for mos fet connected to source
KR900000968A (en) Semiconductor time delay element
KR880010576A (en) Logic circuit
KR840002176A (en) Semiconductor integrated circuit device
SE8204247D0 (en) REFERENCE VOLTAGE GENERATOR
KR860007753A (en) Semiconductor current collector circuit
KR890013890A (en) Gate control circuit for switching power MOS transistors
KR930015369A (en) Current element for digital / analog converter
CH640693B (en) C-MOS OSCILLATOR CIRCUIT.
GB1450119A (en) Logic circuits
KR910008863A (en) Semiconductor integrated circuit
KR890005995A (en) Bipolar-Complementary Metal Oxide Semiconductor Inverter
KR850005632A (en) Programming voltage generator
KR890011216A (en) Power resupply circuit of MOS integrated circuit
SU438109A1 (en) Key
FR2296307A1 (en) Negative resistance integrated circuit - has two MOS FET's with specified gate connections for switching nide change-over
KR960027331A (en) Buffer circuit and bias circuit
KR890012445A (en) Push-pull output circuit
KR890004498A (en) Logic circuit
ES378081A1 (en) Ionization smoke detector
SU425304A1 (en) DEVICE FOR OBTAINING NEGATIVE RESISTANCES
SU662923A1 (en) Reference voltage generator
SU403060A1 (en) TRANSISTOR SWITCHING DEVICE