SU438109A1 - Key - Google Patents
KeyInfo
- Publication number
- SU438109A1 SU438109A1 SU1914985A SU1914985A SU438109A1 SU 438109 A1 SU438109 A1 SU 438109A1 SU 1914985 A SU1914985 A SU 1914985A SU 1914985 A SU1914985 A SU 1914985A SU 438109 A1 SU438109 A1 SU 438109A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- key
- terminal
- voltage
- zener diode
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике.This invention relates to automation and computing.
Известен ключ, содержащий МОП-транзистор , источник которого через резистор подключен к входной клемме ключа, сток - к выходной клемме, затвор - через включенные параллельно диод и конденсатор к коллектору бипол рного транзистора и через резистор к источнику напр жени смещени , эмиттер бипол рного транзистора соединен с щиной источника питани , а база - с клеммой управлени .A key is known that contains a MOS transistor, the source of which is connected via a resistor to the input terminal of the key, the drain to the output terminal, the gate through a parallel diode and a capacitor to the collector of the bipolar transistor and through a resistor to the bias voltage source, the emitter of the bipolar transistor connected to the power supply, and the base to the control terminal.
Недостаток описанного устройства состоит в том, что сопротивление открытого ключа существенно зависит от величины коммутируемого напр жени .The disadvantage of the described device is that the resistance of the public key substantially depends on the size of the switched voltage.
Цель изобретени - уменьшение диапазона изменени сопротивлени открытого ключа и расщирение допустимого диапазона изменени коммутируемого напр жени .The purpose of the invention is to reduce the range of variation of the resistance of the public key and to expand the allowable range of variation of the switched voltage.
Эта цель достигаетс тем, что в устройство введена цепочка смещени , состо ща из бипол рного транзистора и стабилитрона, подключепного одпим электродом к затвору МОП-транзистора, - а другим - к эмиттеру бипол рного транзистора, база которого подключена к входной клемме ключа, а. коллектор - к шине источниканапр жени питани .This goal is achieved by introducing into the device a bias circuit consisting of a bipolar transistor and a zener diode connected with a dipole electrode to the gate of the MOS transistor, and another to the emitter of the bipolar transistor, the base of which is connected to the input terminal of the key, as well. the collector is connected to the power supply busbar.
На чертеже изображена схема предлагаемого ключа.Ключ содержит клемму 1 управлени , клемму 2 источника смещени , стабилитрон 3, бипол рный транзистор 4, МОП-транзистор 5, входную клемму 6, резистор 7, выходную 5 клемму 8, щину 9 источника напр жени питани .The drawing shows the circuit of the proposed key. The key includes a control terminal 1, a bias source terminal 2, a zener diode 3, a bipolar transistor 4, a MOS transistor 5, an input terminal 6, a resistor 7, an output 5 terminal 8, a power supply terminal 9.
Ключ работает следующим образом. При отсутствии запирающего тока на клемме 1 управлени ключ открыт, это обеспечиваетс выбором достаточного напр жени смещени на клемме 2, правильным выбором сгабилитрона 3 и режима цепочки смещени , состо щей из стабилитрона 3 и транзистора 4. Напр жение затвор-исток МОП-транзистораThe key works as follows. In the absence of a blocking current at the control terminal 1, the key is open, this is ensured by the choice of a sufficient bias voltage at terminal 2, the correct choice of the booster 3 and the bias chain mode consisting of the zener diode 3 and the transistor 4. The gate-source voltage of the MOSFET
5 5, складывающеес из напр жений на стабилитроне 3 и переходе база-эмиттер транзистора 4 и определ ющее сопротивление открытого ключа, почти не зависит от коммутируемого напр жени ключа, подаваемого на5 5, folding from the voltages on the zener diode 3 and the base-emitter junction of the transistor 4 and determining the resistance of the public key, is almost independent of the switching voltage of the key supplied to
0 клемму 6, стабилитрон 3 и резистор 7 образуют схему эмиттерного повторител со сдвигом выходного сигнала на величину напр жени стабилизации стабилитрона 3.0 terminal 6, zener diode 3 and resistor 7 form an emitter follower circuit with a shift of the output signal by the amount of stabilization voltage of zener diode 3.
2525
Предмет изобретени Subject invention
Ключ, содержащий МОП-транзистор с индуцированным каналом, исток и сток которого подключены соответственно к входной и вы30 ходной клеммам устройства,- а затвор соединен с клеммой управлени и через резистор - с клеммой источника смещени , отличающийс тем, что, с целью уменьшени диапазона изменени сопротивлени открытого ключа и расширени допустимого диапазона изменени коммутируемого напр жени , в устройство введена цепочка смещени , состо ща из бипол рного транзистора и стабилитрона , подключенного одним электродом к затвору МОП-транзистора, а другим - к эмиттеру бипол рного транзистора, база которого подключена к входной клемме ключа, а коллектор - к шине источника напр жени питани .A key containing an MOS transistor with an induced channel, the source and drain of which are connected to the input and output terminals of the device, respectively, and the gate connected to the control terminal and through a resistor to the bias source terminal, in order to reduce the range of resistance of the open key and expansion of the allowable range of the switching voltage, a bias chain consisting of a bipolar transistor and a zener diode connected by a single electrode to the gate is inserted into the device OP-transistor, and the other - to the emitter of the bipolar transistor, the base of which is connected to the key input terminal and the collector - to the bus power supply voltage.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1914985A SU438109A1 (en) | 1973-04-24 | 1973-04-24 | Key |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1914985A SU438109A1 (en) | 1973-04-24 | 1973-04-24 | Key |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU438109A1 true SU438109A1 (en) | 1974-07-30 |
Family
ID=20551660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1914985A SU438109A1 (en) | 1973-04-24 | 1973-04-24 | Key |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU438109A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2263357A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-12-01 | Diseño De Sistemas En Silicio, S.A. | Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range |
-
1973
- 1973-04-24 SU SU1914985A patent/SU438109A1/en active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2263357A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-12-01 | Diseño De Sistemas En Silicio, S.A. | Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range |
WO2006053916A3 (en) * | 2004-11-16 | 2008-06-12 | Diseno Sistemas Silicio Sa | Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range |
EA010175B1 (en) * | 2004-11-16 | 2008-06-30 | Дисеньо Де Системас Эн Силисио, С.А. | Switching circuit which is used to obtain a double dynamic range |
US7619461B2 (en) | 2004-11-16 | 2009-11-17 | Diseño de Sistemasen Silicio, S.A. | Switching circuit which is used to obtain a doubled dynamic range |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR850006783A (en) | Switching circuit | |
KR910006732A (en) | Current detection circuit | |
KR930007794B1 (en) | Circuit arrangement operable for mos fet connected to source | |
KR900000968A (en) | Semiconductor time delay element | |
KR880010576A (en) | Logic circuit | |
KR840002176A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
SE8204247D0 (en) | REFERENCE VOLTAGE GENERATOR | |
KR860007753A (en) | Semiconductor current collector circuit | |
KR890013890A (en) | Gate control circuit for switching power MOS transistors | |
KR930015369A (en) | Current element for digital / analog converter | |
CH640693B (en) | C-MOS OSCILLATOR CIRCUIT. | |
GB1450119A (en) | Logic circuits | |
KR910008863A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR890005995A (en) | Bipolar-Complementary Metal Oxide Semiconductor Inverter | |
KR850005632A (en) | Programming voltage generator | |
KR890011216A (en) | Power resupply circuit of MOS integrated circuit | |
SU438109A1 (en) | Key | |
FR2296307A1 (en) | Negative resistance integrated circuit - has two MOS FET's with specified gate connections for switching nide change-over | |
KR960027331A (en) | Buffer circuit and bias circuit | |
KR890012445A (en) | Push-pull output circuit | |
KR890004498A (en) | Logic circuit | |
ES378081A1 (en) | Ionization smoke detector | |
SU425304A1 (en) | DEVICE FOR OBTAINING NEGATIVE RESISTANCES | |
SU662923A1 (en) | Reference voltage generator | |
SU403060A1 (en) | TRANSISTOR SWITCHING DEVICE |