Анод последнего через шестой резистор подключен к источнику положительного напр жени , а через седьмой резистор к коллектору четвертого транзистора. На чертеже представлен формирователь потенциалов дл накопител на МДП-траизисторах . Формирователь содержит первый транзистор 1, эмиттер которого через резистор 2 подключен к источнику отрицательного напр жени -Е, а коллектор - к эмиттеру второго транзистора 3, база которого подключена к первой входной шине 4, а коллектор через второй резистор 5 - к источнику положительного напр жени +. База транзистора 1 соединена с коллектором третьего транзистора 6 и с анодом первого диода 7, катод которого через третий резистор 8 подключен к источнику отрицательного напр жени -Е. База третьего транзистора 6 подключена к шине нулевого потенциала, а эмиттер - к катоду второго диода 9, анод которого подсоединен ,к коллектору четвертого транзистора 10, база которого соединена со второй входной шиной 11, а эмиттер подключен к шине нулевого потенциала. Формирователь содержит также п тый транзистор 12, третий диод 13, стабилитрон 14, четвертый 15, п тый 16, шестой 17 и седьмой 18 резисторы. Коллектор п того транзистора 12 соединен с шиной нулевого потенциала, база через п тый резистор 16 - к источнику положительного напр жени и через четвертый резистор 15 - к катоду стабилитрона 14, анод которого подключен к шине нулевого потенциала, эмиттер соединен с катодом третьего диода 13, анод которого через шестой резистор 17 подключен к источнику положительного напр жени , а через седьмой резистор 18 - к коллектору четвертого транзистора 10. Формирователь работает следуюшим образом . На базу транзистора 12 подаетс потенциал с делител напр жени , собранного на резисторах 16 и 15 и стабилитроне 14. Транзистор 12 вл етс эмнттерным повторителем напр жени , поэтому напр жение в точке соединени резистора 17 и диода 13 определ етс напр жением на базе транзистора 12. В исходном состо нии, когда нет сигнала «Выборка X по первой входной шине 4, транзистор 10 открыт и насыщен, поэтому транзисторы 6 и 1 закрыты, ток в коллекторе транзистора 1 не протекает и вне зависимости от наличи сигнала е первой входной шине 4 на резисторе 15 отсутствует падение напр жени , т. е. на выходе формировател напр жение равно -{-Е. Во врем прихода сигнала «Выборка X по входной шине 4 транзистор 10 закрываетс , и через резистор 18 и диод 9 в эмиттер транзистора 6 задаетс ток, определ емый напр жением в точке соединени резистора 17 и диода 13 и величиной сопротивлений резистора 18. Так как транзистор 6 вл етс повторителем тока, то в его коллекторе протекает практически такой же тоК, как и в эмиттере. Этот ток вызывает падение напр жени на цепочке: диод 7 - резистор 8. В соответствии с величиной этого падени напр жени и сопротивлением резистора 2 транзистор 1 пропускает определенный ток. В случае прихода сигнала «Выборка X по входной шине 4 этот ток создает падение напр жени на резисторе 5. Выходное напр жение формировател определ етс разностью питаюи1;его напр жени + и падением напр жени па резисторе 5. Устранение зависимости формируемых потенциалов от изменени питающих наир жел НИИ и окружаюпдей температуры осуществл етс следующим образом. Допустим, что питающее напр жение увеличилось. При этом напр жение, снимаемое с делител (резисторы 16, 15 - стабилитрон 14) на базу транзистора 12 также увеличиваетс . В результате увеличиваетс напр жение на выходе транзистора 12 s точке соединени резистора 17 и диода 13. Таким образом, на резистор 18 подаетс большее напр жение , и через него течет больший ток, т. е. увеличиваетс ток, задаваемый в эмиттер транзистора 6. Соответственно увеличитс и ток в коллекторе транзистора 6, а следовательно , и падение напр жени в цепи диода 7 и резистора 8. Так как падение напр жени определ ет величину тока, вырабатываемого транзистором 1, то и коллекторный ток транзистора 1 возрастает и создает большее падение напр жени на резисторе 5. Так как выходное напр л ение формировател определ етс как разность между питающим напр жением и падением напр жени на резисторе 5, а первоначально предположили , что питающее напр жепие +Е увеличилось, то видно, что предлагаемый формирователь может обеспечить неизменность выходного напр жени при изменении питающего напр жени . Аналогичны рассуждени и дл случа , когда питающее напр жение уменьшаетс . Таким образом, предложенный формирователь позвол ет решать поставленную задачу. Кроме того, применение этого формировател позвол ет значительно сократить количество оборудовани , уменьшить объем и потребл емую мощность ЗУ в целом, т. е. с учетом блоков питани ЗУ. В ЗУ дл всех формирователей сигналов считывани требуетс один блок компенсации (на транзисторе 12), с выхода которого (точка соединени резистора 17 и диода 13) напр жение подаетс на резистОры 18 всех формирователей сигналов считывани . Дл всех формирователей сигналов запии также требуетс один блок компенсации. аким образом, дл ЗУ требуетс два блока компенсации. Блок компенсации на п том транзисторе 12The anode of the latter through the sixth resistor is connected to the source of positive voltage, and through the seventh resistor to the collector of the fourth transistor. The drawing shows a potential driver for a storage device on MIS traisistors. The shaper contains the first transistor 1, the emitter of which through a resistor 2 is connected to the negative voltage source -E, and the collector to the emitter of the second transistor 3, the base of which is connected to the first input bus 4, and the collector through the second resistor 5 to the positive voltage source +. The base of the transistor 1 is connected to the collector of the third transistor 6 and to the anode of the first diode 7, the cathode of which through the third resistor 8 is connected to the negative voltage source -E. The base of the third transistor 6 is connected to the zero potential bus, and the emitter is connected to the cathode of the second diode 9, the anode of which is connected, to the collector of the fourth transistor 10, the base of which is connected to the second input bus 11, and the emitter is connected to the zero potential bus. The driver also contains the fifth transistor 12, the third diode 13, the zener diode 14, the fourth 15, the fifth 16, the sixth 17 and the seventh 18 resistors. The collector of the fifth transistor 12 is connected to the zero potential bus, the base through the fifth resistor 16 to the positive voltage source and through the fourth resistor 15 to the cathode of the zener diode 14, the anode of which is connected to the zero potential bus, the emitter is connected to the cathode of the third diode 13, the anode of which through the sixth resistor 17 is connected to the source of positive voltage, and through the seventh resistor 18 to the collector of the fourth transistor 10. The shaper works as follows. A potential is applied to the base of transistor 12 from a voltage divider assembled at resistors 16 and 15 and zener diode 14. Transistor 12 is an voltage follower, so the voltage at the junction of resistor 17 and diode 13 is determined by the voltage at the base of transistor 12. In the initial state, when there is no “Sampling X on the first input bus 4” signal, the transistor 10 is open and saturated, therefore, transistors 6 and 1 are closed, the collector current of transistor 1 does not leak and regardless of the presence of a signal from the first input bus 4 on the resistor 15 out exists a voltage drop, ie at the output of the voltage equal to -.. {- E. During the arrival of the signal "Sample X on the input bus 4", the transistor 10 closes, and through the resistor 18 and diode 9 to the emitter of transistor 6, the current determined by the voltage at the junction of resistor 17 and diode 13 and the resistance value of resistor 18 is set. 6 is a current follower, in its collector almost the same current flows as in the emitter. This current causes a voltage drop across the circuit: diode 7 is a resistor 8. In accordance with the magnitude of this voltage drop and the resistance of resistor 2, transistor 1 passes a certain current. In the case of the signal "Sample X on the input bus 4", this current creates a voltage drop across resistor 5. The output voltage of the driver is determined by the supply voltage1; its voltage + and voltage drop across the resistor 5. Elimination of the dependence of the formed potentials on the change in supply voltage The desire of the scientific research institute and the temperature environment is carried out as follows. Suppose that the supply voltage has increased. In this case, the voltage removed from the divider (resistors 16, 15 to Zener diode 14) to the base of transistor 12 also increases. As a result, the voltage at the output of transistor 12 s increases at the junction point of resistor 17 and diode 13. Thus, a greater voltage is applied to resistor 18, and more current flows through it, i.e. the current specified in the emitter of transistor 6 increases. Accordingly the current in the collector of transistor 6 will increase, and consequently, the voltage drop in the diode 7 and resistor 8 circuits. Since the voltage drop determines the amount of current produced by transistor 1, the collector current of transistor 1 also increases and creates a greater voltage drop nor on the resistor 5. Since the output voltage of the driver is defined as the difference between the supply voltage and the voltage drop on the resistor 5, and initially assumed that the supply voltage + E increased, it can be seen that the proposed driver can ensure the output voltage when changing the supply voltage. The reasoning is similar for the case when the supply voltage decreases. Thus, the proposed shaper allows one to solve the problem posed. In addition, the use of this former allows us to significantly reduce the amount of equipment, reduce the volume and power consumption of the memory in general, i.e., taking into account the power supply units of the memory. In the memory, for all read signal generators, one compensation block is required (at transistor 12), from the output of which (connection point of resistor 17 and diode 13) voltage is applied to resistors 18 of all read signal conditioners. A single compensation block is also required for all bouncers. Thus, for the memory, two compensation blocks are required. The compensation block on the transistor 12