SU834833A1 - Flip-flop - Google Patents

Flip-flop Download PDF

Info

Publication number
SU834833A1
SU834833A1 SU792782922A SU2782922A SU834833A1 SU 834833 A1 SU834833 A1 SU 834833A1 SU 792782922 A SU792782922 A SU 792782922A SU 2782922 A SU2782922 A SU 2782922A SU 834833 A1 SU834833 A1 SU 834833A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
trigger
bus
semiconductor device
collector
Prior art date
Application number
SU792782922A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Иван Иванович Обод
Original Assignee
Obod Ivan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Obod Ivan filed Critical Obod Ivan
Priority to SU792782922A priority Critical patent/SU834833A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU834833A1 publication Critical patent/SU834833A1/en

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Description

(54) ТРИГГЕР(54) TRIGGER

1one

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в вычислительных устройствах.The invention relates to a pulse technique and can be used in computing devices.

Известен триггер, выполненный на приборе с S-образной вольт-амперной характеристикой 1.Known trigger, made on the device with the S-shaped current-voltage characteristic 1.

Недостатком известного устройства  вл етс  сложность управлени , котора  заключаетс  в необходимости радиопол рных импульсов.A disadvantage of the known device is the control complexity, which consists in the necessity of radiopolar pulses.

Известен триггер, содержащий полупроводниковый прибор S-образной вольтамперной характеристикой, первый вывод которого подключен через резистор к шине питани , второй - к общей щине, а управл ющий вывод через конденсатор - ко входной щине 2.A trigger is known that contains a semiconductor device with an S-shaped volt-ampere characteristic, the first pin of which is connected via a resistor to the power bus, the second to the common bus and the control lead through the capacitor to the input bus 2.

Дл  управлени  работой триггера требуютс  импульсы одной пол рности, но при этом используетс  наличие индуктивной и емкостной составл ющих комплексного сопротивлени  прибора с S-образной характеристикой.To control the operation of the trigger, pulses of one polarity are required, but the presence of the inductive and capacitive components of the impedance of the device with an S-shaped characteristic is used.

Недостатками известного способа  вл ютс  сложность управлени  и низкое быстродействие из-за использовани  составл юишхThe disadvantages of this method are the difficulty of control and low speed due to the use of components

комплексного сопротивлени  прибора с S-образной характеристикой.impedance device with an S-shaped characteristic.

Цель изобретени  - повышение быстродействи , а также упрощени  управлени .The purpose of the invention is to increase speed and simplify management.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в триггере, содержащем полупроводниковый прибор с S-образной вольт-амперной характеристикой , первый вывод которого подключен через резистор к первой шине питани , второй - к общей щине, а управл ющий вывод через конденсатор-ко входной The goal is achieved by the fact that in a trigger containing a semiconductor device with an S-shaped volt-ampere characteristic, the first output of which is connected via a resistor to the first power bus, the second to a common bus, and the control output through a capacitor

o щине, в качестве полупроводникового прибора с S-образной вольт-амперной характеристикой используетс  бипол рный транзистор п-р-п типа, коллектор, эмиттер и база которого  вл ютс  соответственно первым , вторым и управл ющим выводами o a busbar as a semiconductor device with an S-shaped current-voltage characteristic uses a bipolar pnp type transistor, the collector, the emitter and base of which are respectively the first, second and control pins

5 полупроводникового прибора и р-канальный МОП-транзистор, исток которого  вл етс  третьим выводом полупроводникового прибора и через второй резистор подключен ко Второй шине питани , а затвор и сток подключены соответственно к коллектору и базе транзистора п-р-п типа.5 semiconductor device and p-channel MOS transistor, the source of which is the third output of the semiconductor device and through the second resistor is connected to the second power bus, and the gate and drain are connected respectively to the collector and base of the pn-type transistor.

На чертеже представлена электрическа  принципиальна  схема триггера.The drawing shows an electrical schematic diagram of a trigger.

Триггер содержит коллектор, эмиттер и базу бипол рного транзистора 1 п-р-п типа , , подключенные соответственно через резистор 2 к первой ,шине 3 питани ,к общей шине 4 и через конденсатор .5 ко входной шине 6. Исто;: р-канального МОП-транзистора 7 через резистор 8 подключен ко второй шине 9 питани , а его затвор и сток подключены соответственно, к коллектору и базе транзистора 1.The trigger contains a collector, an emitter and a base of a bipolar transistor 1 of the pn type, connected respectively through a resistor 2 to the first, power supply bus 3, to a common bus 4 and through a capacitor .5 to the input bus 6. Source:; p channel MOS transistor 7 through a resistor 8 is connected to the second power supply bus 9, and its gate and drain are connected respectively to the collector and the base of transistor 1.

Транзисторы I и 7 образуют четырехвыводной полупроводниковый прибор 10.The transistors I and 7 form a four-pin semiconductor device 10.

Устройство работает следуюш.им образом.The device works in the following way.

Если транзистор 1 закрыт, то при поступлении импульса положительной пол рности от открываетс . Величина напр жени  на коллекторном переходе, а следовательно, и на затворе транзистора 7 при этом уменьшаетс , что приводит к протеканию тока через транзистор 7 в базу транзистора 1. Развиваетс  лавинообразный процесс перехода транзисторов 1 и 7 в открытое состо ние . При поступлении следующего импульса положительной пол рности транзистор 1 закрываетс , так как увеличение потенциала на стоке транзистора 7 вызывает уменьшение протекающего через него тока . Это приводит к увеличению напр жени  на коллекторном переходе транзистора 1, что вызывает уменьшение тока, протекающего через транзистор 7. Развиваетс  лавинообразный процесс выключени  транзисторов 1 и 7.If transistor 1 is closed, then when a positive polarity pulse arrives, it opens. The magnitude of the voltage at the collector junction, and consequently at the gate of transistor 7, also decreases, which causes current to flow through the transistor 7 into the base of transistor 1. An avalanche-like process of the transition of transistors 1 and 7 to the open state develops. When the next positive polarity pulse arrives, transistor 1 closes, since an increase in potential at the drain of transistor 7 causes a decrease in the current flowing through it. This leads to an increase in voltage at the collector junction of transistor 1, which causes a decrease in the current flowing through transistor 7. An avalanche-like process of turning off transistors 1 and 7 develops.

Благодар  лавинообразному процессу перехода триггера из одного устойчивого состо ни  в другое достигаетс  высокое быстродействие.Due to the avalanche-like process of trigger transition from one steady state to another, high speed is achieved.

Емкость конденсатора 5 не вли ет на триггерный режим работы устройства, следовательно , и управление предлагаемым триггером упрощаетс .The capacitance of the capacitor 5 does not affect the trigger mode of the device, therefore, the management of the proposed trigger is simplified.

Claims (2)

1.Ольсевич А. Е.- и др. Двухбазовые дилды в автоматике. М., «Энерги  ; 1972,1.Olsevich A.E.- and others. Two-base dilda in automation. M., “Energy; 1972, с. 46, рис. 32.with. 46, fig. 32. 2.Авторское свидетельство СССР № 341144, кл. Н 03 К 3/12, 1972.2. USSR author's certificate number 341144, cl. H 03 K 3/12, 1972.
SU792782922A 1979-06-18 1979-06-18 Flip-flop SU834833A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792782922A SU834833A1 (en) 1979-06-18 1979-06-18 Flip-flop

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792782922A SU834833A1 (en) 1979-06-18 1979-06-18 Flip-flop

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU834833A1 true SU834833A1 (en) 1981-05-30

Family

ID=20834944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792782922A SU834833A1 (en) 1979-06-18 1979-06-18 Flip-flop

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU834833A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6435799A (en) Semiconductor integrated circuit
KR870009542A (en) Circuit arrangement for operating a MOSFET whose source is connected to the load
KR860007753A (en) Semiconductor current collector circuit
GB1491059A (en) Voltage level conversion circuit
DE3772994D1 (en) POWER STAGE IN BRIDGE CONTROL.
KR890005995A (en) Bipolar-Complementary Metal Oxide Semiconductor Inverter
JPS5711536A (en) High-voltage mos inverter and its driving method
SU834833A1 (en) Flip-flop
KR880008538A (en) Schottky Current-Mode Logic Circuits
SU425304A1 (en) DEVICE FOR OBTAINING NEGATIVE RESISTANCES
SU1767695A2 (en) Bipolar pulse former
SU1319251A1 (en) Self-excited mulltivibrator
SU370724A1 (en) SWITCH.THE SIGNALS
SU646441A1 (en) Mds-transistor-based inverter
SU598239A1 (en) Semiconductor relay
JPS55166953A (en) Semiconductor integrated circuit device
SU1649652A1 (en) Transistorized relay
SU907779A1 (en) Self-oscillating relaxation circuit
SU1192119A1 (en) One-shot multivibrator
SU644034A1 (en) Comparator
JPS5752175A (en) Semiconductor device
SU1457149A1 (en) Output stage of pulse shaper
SU613480A1 (en) Power amplifier
SU558377A1 (en) Stable Pulse Generator
SU546015A1 (en) Potential shaper for memory storage device on tmp transistors