SU1429855A1 - Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью - Google Patents

Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью

Info

Publication number
SU1429855A1
SU1429855A1 SU4179086/25A SU4179086A SU1429855A1 SU 1429855 A1 SU1429855 A1 SU 1429855A1 SU 4179086/25 A SU4179086/25 A SU 4179086/25A SU 4179086 A SU4179086 A SU 4179086A SU 1429855 A1 SU1429855 A1 SU 1429855A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
gate
additional
input
gates
charge coupling
Prior art date
Application number
SU4179086/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Х.И. Кляус
А.И. Крымский
И.И. Ли
В.В. Ольшанецкая
В.К. Пленидкин
Н.И. Халиуллин
Е.И. Черепов
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср filed Critical Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU4179086/25A priority Critical patent/SU1429855A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1429855A1 publication Critical patent/SU1429855A1/ru

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области интегральной мирокэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Цель изобретения увеличение точности подавления неинформационных компанент сигнала. В устройство введены общая шина записи и блок предпроцессорной обработки с сигнальным входом и компенсирующим выходом, а в каждый канал введены три затвора, диффузионная область противоположного подложке типа проводимости, МДП-транзистор. Причем дополнительная диффузионная область через первый дополнительный затвор зарядно связана с вторым входным затвором, второй и третий дополнительные затворы расположены между вторым входным затвором и затвором переноса и зарядно связаны с ним, сток дополнительного транзистора соединен с вторым дополнительным затвором, затвор с соответствующим выходом коммутатора, исток с общей шиной записи, сигнальный вход блока предпроцессорной обработки подключен к общей шине считывания, а компенсирующий выход к общей шине записи. 1 ил.
SU4179086/25A 1987-01-13 1987-01-13 Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью SU1429855A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4179086/25A SU1429855A1 (ru) 1987-01-13 1987-01-13 Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4179086/25A SU1429855A1 (ru) 1987-01-13 1987-01-13 Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1429855A1 true SU1429855A1 (ru) 1995-08-20

Family

ID=60534163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4179086/25A SU1429855A1 (ru) 1987-01-13 1987-01-13 Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1429855A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0739041A3 (en) Floating gate transistor with a plurality of control gates
EP0215546A3 (en) Chemical-sensitive semiconductor device
KR910014712A (ko) 전력 mos 트랜지스터내의 전류측정용 회로
DE3866016D1 (de) Mos-transistor-brueckenschaltung.
KR910017636A (ko) 반도체 기억장치
TW329022B (en) Semiconductor device
ATE84166T1 (de) Cmos-datenregister.
KR870007510A (ko) 반도체 메모리 소자의 데이타 판독회로
TW334627B (en) Semiconductor integrated circuit
IT8421968A0 (it) Processo per la fabbricazione di transistori ad effetto di campo agate isolato (igfet) ad elevata velocita' di risposta in circuiti integrati ad alta densita'.
DE3889584D1 (de) Ausgangspuffer für MOS-integrierte Halbleiterschaltung.
SU1429855A1 (ru) Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью
DE59206670D1 (de) CMOS-Pufferschaltung
DE3673509D1 (de) Feldeffekttransistorverstaerkerschaltungen.
JPS6467795A (en) Reading amplifier
SU1702829A1 (ru) Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью
KR870011703A (ko) 집적 회로
ATE76218T1 (de) Leseverstaerker.
SE8009001L (sv) Halvledaranordning for uppfriskning av minnescell
EP0160183A3 (en) High voltage mos field effect transistor
KR880004484A (ko) 메모리 셀회로
EP0269235A3 (en) High density high speed read only semiconductor memory device
EP0753858A3 (en) Current amplifier and data bus circuit
TW348310B (en) Semiconductor integrated circuit
EP0102670A3 (en) Tri-state circuit element