SU138791A1 - Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering - Google Patents

Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering

Info

Publication number
SU138791A1
SU138791A1 SU682125A SU682125A SU138791A1 SU 138791 A1 SU138791 A1 SU 138791A1 SU 682125 A SU682125 A SU 682125A SU 682125 A SU682125 A SU 682125A SU 138791 A1 SU138791 A1 SU 138791A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cathode sputtering
ferromagnetic films
producing multicomponent
films
cathode
Prior art date
Application number
SU682125A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Р.Д. Иванов
И.Г. Сиротенко
Г.В. Спивак
Original Assignee
Р.Д. Иванов
И.Г. Сиротенко
Г.В. Спивак
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Р.Д. Иванов, И.Г. Сиротенко, Г.В. Спивак filed Critical Р.Д. Иванов
Priority to SU682125A priority Critical patent/SU138791A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU138791A1 publication Critical patent/SU138791A1/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

Известны способы получени  многокомпонентных пленок катодным распылением. Однако эти способы не позвол ют получить пленки однородного состава.Methods are known for producing multi-component films by cathode sputtering. However, these methods do not allow films of uniform composition to be obtained.

Дл  получени  более однородного состава пленки и ускорени  процесса распылени  предлагаетс  способ, в котором исходный ферромагнитный материал подвергают катодному распылению в магнитном поле.To obtain a more uniform film composition and accelerate the sputtering process, a method is proposed in which the ferromagnetic source material is subjected to cathode sputtering in a magnetic field.

По предлагаемому способу ферромагнитные пленки получают в газоразр дной плазме при большой плотности тока и низком давлении. Плазма в инертном газе - криптоне создаетс  в трехэлектродной трубке , куда в пространство между катодом и анодом ввод т образцы. На образцы подают отрицательные относительно катода потенциалы. На рассто нии 2-3 см от распыл емого образца помещают стекл нную подложку, на которую осаждают распыл емый материал. Подложку подогревают спиралью, питаемую электрическим током. Дл  того, чтобы задать направление оси намагничени  пленки, осаждение ее ведут в. магнитном поле (около 175-200 эрст), которое дополнительно концентрирует плазму, стагива  ее в область распыл емого образца. Это увеличивает плотность тока и ускор ет процесс распылени .In the proposed method, ferromagnetic films are obtained in a gas discharge plasma with a high current density and low pressure. Plasma in an inert gas — krypton is created in a three-electrode tube, where samples are introduced into the space between the cathode and the anode. The samples are fed negative relative to the cathode potentials. At a distance of 2–3 cm from the sprayed sample, a glass substrate is placed on which the sprayed material is deposited. The substrate is heated by a spiral, fed by electric current. In order to set the direction of the magnetization axis of the film, its deposition is carried out in. a magnetic field (about 175–200 hp), which additionally concentrates the plasma, stagging it into the region of the sprayed sample. This increases the current density and speeds up the spraying process.

Предложенным способом были получены качественные пленки ко бальта, кремнистого железа, молибденового пермолло  с доменной структурой. Петли гистерезиса, сн тые с полученных пленок, оказались пр моугольными при величинах коэрцитивной силы, соответствующих требовани м.The proposed method was used to obtain high-quality films of cobalt, siliceous iron, and molybdenum permollo with a domain structure. The hysteresis loops removed from the films obtained turned out to be rectangular at coercive force values corresponding to the requirements.

Предмет изобретени Subject invention

Способ получени  многокомпонентных ферромагнитных пленок катодным распылением, отличающийс  тем, что, с целью получени  более однородного состава пленки и ускорени  процесса раопылени , исходный ферромагнитный материал подвергают катодному распылению в магнитном поле.A method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering, characterized in that, in order to obtain a more uniform film composition and speed up the sputtering process, the initial ferromagnetic material is subjected to cathode sputtering in a magnetic field.

SU682125A 1960-10-14 1960-10-14 Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering SU138791A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU682125A SU138791A1 (en) 1960-10-14 1960-10-14 Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU682125A SU138791A1 (en) 1960-10-14 1960-10-14 Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU138791A1 true SU138791A1 (en) 1960-11-30

Family

ID=48294919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU682125A SU138791A1 (en) 1960-10-14 1960-10-14 Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU138791A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2458181C2 (en) * 2010-08-17 2012-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА) Method for obtaining ferromagnetic film from silicide nanoclusters on surface of silicone substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2458181C2 (en) * 2010-08-17 2012-08-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА) Method for obtaining ferromagnetic film from silicide nanoclusters on surface of silicone substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1483966A (en) Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition
KR880009454A (en) Sputter deposition method and apparatus therefor
GB1356769A (en) Apparatus and method for depositing thin layers on a substrate
SU138791A1 (en) Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering
JPH0314907B2 (en)
FR2082217A5 (en) Substrate coating by cathodic sputtering andevaporation
GB1153363A (en) Method of Coating.
JPS56121629A (en) Film forming method
GB793635A (en) Improvements in methods of manufacturing thin films
JPS59225525A (en) Reactive ion beam etching apparatus
JPS6267822A (en) Plasma processor
JP2623827B2 (en) Microwave plasma processing equipment
JPS55141721A (en) Sputtering apparatus for magnetic body
JPS5689835A (en) Vapor phase growth apparatus
JPS6127463B2 (en)
JPH02159370A (en) Film forming device by sputtering
JPS6465261A (en) Vapor deposition method by plasma ionization
JPS5591971A (en) Thin film forming method
JPH02133573A (en) Hard-carbon film forming device
JPS63210006A (en) Formation of thin amorphous carbon film
JPH0799160A (en) Method and apparatus for working of neutral particles
Emeleus et al. Notes on plasma-electron oscillations
JPS5753828A (en) Production of magnetic recording medium
JPS57104223A (en) Sputtering method and apparatus therefor
JP2595009B2 (en) Plasma generating apparatus and thin film forming apparatus using plasma