SU138791A1 - Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering - Google Patents
Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputteringInfo
- Publication number
- SU138791A1 SU138791A1 SU682125A SU682125A SU138791A1 SU 138791 A1 SU138791 A1 SU 138791A1 SU 682125 A SU682125 A SU 682125A SU 682125 A SU682125 A SU 682125A SU 138791 A1 SU138791 A1 SU 138791A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cathode sputtering
- ferromagnetic films
- producing multicomponent
- films
- cathode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
Известны способы получени многокомпонентных пленок катодным распылением. Однако эти способы не позвол ют получить пленки однородного состава.Methods are known for producing multi-component films by cathode sputtering. However, these methods do not allow films of uniform composition to be obtained.
Дл получени более однородного состава пленки и ускорени процесса распылени предлагаетс способ, в котором исходный ферромагнитный материал подвергают катодному распылению в магнитном поле.To obtain a more uniform film composition and accelerate the sputtering process, a method is proposed in which the ferromagnetic source material is subjected to cathode sputtering in a magnetic field.
По предлагаемому способу ферромагнитные пленки получают в газоразр дной плазме при большой плотности тока и низком давлении. Плазма в инертном газе - криптоне создаетс в трехэлектродной трубке , куда в пространство между катодом и анодом ввод т образцы. На образцы подают отрицательные относительно катода потенциалы. На рассто нии 2-3 см от распыл емого образца помещают стекл нную подложку, на которую осаждают распыл емый материал. Подложку подогревают спиралью, питаемую электрическим током. Дл того, чтобы задать направление оси намагничени пленки, осаждение ее ведут в. магнитном поле (около 175-200 эрст), которое дополнительно концентрирует плазму, стагива ее в область распыл емого образца. Это увеличивает плотность тока и ускор ет процесс распылени .In the proposed method, ferromagnetic films are obtained in a gas discharge plasma with a high current density and low pressure. Plasma in an inert gas — krypton is created in a three-electrode tube, where samples are introduced into the space between the cathode and the anode. The samples are fed negative relative to the cathode potentials. At a distance of 2–3 cm from the sprayed sample, a glass substrate is placed on which the sprayed material is deposited. The substrate is heated by a spiral, fed by electric current. In order to set the direction of the magnetization axis of the film, its deposition is carried out in. a magnetic field (about 175–200 hp), which additionally concentrates the plasma, stagging it into the region of the sprayed sample. This increases the current density and speeds up the spraying process.
Предложенным способом были получены качественные пленки ко бальта, кремнистого железа, молибденового пермолло с доменной структурой. Петли гистерезиса, сн тые с полученных пленок, оказались пр моугольными при величинах коэрцитивной силы, соответствующих требовани м.The proposed method was used to obtain high-quality films of cobalt, siliceous iron, and molybdenum permollo with a domain structure. The hysteresis loops removed from the films obtained turned out to be rectangular at coercive force values corresponding to the requirements.
Предмет изобретени Subject invention
Способ получени многокомпонентных ферромагнитных пленок катодным распылением, отличающийс тем, что, с целью получени более однородного состава пленки и ускорени процесса раопылени , исходный ферромагнитный материал подвергают катодному распылению в магнитном поле.A method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering, characterized in that, in order to obtain a more uniform film composition and speed up the sputtering process, the initial ferromagnetic material is subjected to cathode sputtering in a magnetic field.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU682125A SU138791A1 (en) | 1960-10-14 | 1960-10-14 | Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU682125A SU138791A1 (en) | 1960-10-14 | 1960-10-14 | Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU138791A1 true SU138791A1 (en) | 1960-11-30 |
Family
ID=48294919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU682125A SU138791A1 (en) | 1960-10-14 | 1960-10-14 | Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU138791A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2458181C2 (en) * | 2010-08-17 | 2012-08-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА) | Method for obtaining ferromagnetic film from silicide nanoclusters on surface of silicone substrate |
-
1960
- 1960-10-14 SU SU682125A patent/SU138791A1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2458181C2 (en) * | 2010-08-17 | 2012-08-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА) | Method for obtaining ferromagnetic film from silicide nanoclusters on surface of silicone substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1483966A (en) | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition | |
KR880009454A (en) | Sputter deposition method and apparatus therefor | |
GB1356769A (en) | Apparatus and method for depositing thin layers on a substrate | |
SU138791A1 (en) | Method for producing multicomponent ferromagnetic films by cathode sputtering | |
JPH0314907B2 (en) | ||
FR2082217A5 (en) | Substrate coating by cathodic sputtering andevaporation | |
GB1153363A (en) | Method of Coating. | |
JPS56121629A (en) | Film forming method | |
GB793635A (en) | Improvements in methods of manufacturing thin films | |
JPS59225525A (en) | Reactive ion beam etching apparatus | |
JPS6267822A (en) | Plasma processor | |
JP2623827B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
JPS55141721A (en) | Sputtering apparatus for magnetic body | |
JPS5689835A (en) | Vapor phase growth apparatus | |
JPS6127463B2 (en) | ||
JPH02159370A (en) | Film forming device by sputtering | |
JPS6465261A (en) | Vapor deposition method by plasma ionization | |
JPS5591971A (en) | Thin film forming method | |
JPH02133573A (en) | Hard-carbon film forming device | |
JPS63210006A (en) | Formation of thin amorphous carbon film | |
JPH0799160A (en) | Method and apparatus for working of neutral particles | |
Emeleus et al. | Notes on plasma-electron oscillations | |
JPS5753828A (en) | Production of magnetic recording medium | |
JPS57104223A (en) | Sputtering method and apparatus therefor | |
JP2595009B2 (en) | Plasma generating apparatus and thin film forming apparatus using plasma |