SU1361635A1 - Способ обращени к накопителю - Google Patents
Способ обращени к накопителю Download PDFInfo
- Publication number
- SU1361635A1 SU1361635A1 SU853986932A SU3986932A SU1361635A1 SU 1361635 A1 SU1361635 A1 SU 1361635A1 SU 853986932 A SU853986932 A SU 853986932A SU 3986932 A SU3986932 A SU 3986932A SU 1361635 A1 SU1361635 A1 SU 1361635A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- bits
- memory
- backup
- elements
- defective
- Prior art date
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной .технике, в частности к запоминающим устройствам. Целью изобретени вл етс увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижени требований к годности элементов пам ти резервных разр дов ., увеличени степени использовани годных элементов пам ти накопител и сокращени оборудовани дл резервных разр дов накопител . Способ обращени к накопителю заключаетс в том, что при записи подают информационные сигналы в годные и резервные разр ды чеек накопител , а при считывании информации из тех же чеек пам ти накопител блокируют сигналы, считанные из дефектных информационных элементов пам ти, при этом число резервных разр дов накопител выбирают равным К, где га - максимальное число дефектных элементов пам ти в чейке пам ти,при условии, что в каждой чейке пам ти резервные разр ды содержат не более К-т дефектных элементов пам ти, а сумма всех дефектных элементов в К резервных разр дах наибольша . i (Л
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам.
Цель изобретени - увеличение числа годных накопителей запоминаю- щих устройств за счет снижени требований к годности элементов пам ти резервных разр дов, увеличени степени использовани годных элементов пам ти накопител и сокращени оборудовани дл резервных разр дов накопител ,
Способ осуществл ют следующим образом .
Сначала провер ют работоспособность всех элементов пам ти во всех разр дах чеек пам ти накопител запоминающего устройства. Запоминают адрес чеек с дефектными элементами пам ти и номера их дефектных разр дов . Определ ют m - максимальное число дефектных элементов пам ти в чейке пам ти дл коррекции дефектШ
Claims (1)
- В случае обращени к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разр ды чеек накопител , а при считывании информации из этих же чеек пам ти накопител информации считываетс из годных и соответствующих резервных разр дов чеек накопител , при этом сигналы из дефектных элементов пам ти выбранной чейки пам ти блокируютс . При обращении к чейке, все разр ды которой годные (а элементы пам ти резервных 15 разр дов этой чейки могут быть дефектными ) , информационные сигналы подаютс и снимаютс с годных разр дов , а резервные разр ды при этом блокируютс . Формула изобретениСпособ обращени к накопителю, заключающийс при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разр ды чеек пам ти нако20ных элементов разр дов K(K9in). Пер- 25 пител , а при считывании информациивым в качестве резервного выбирают разр д, содержащий наибольшее количество дефектных элементов пам ти. Следующие К-1 резервные разр ды выбираютс так, чтобы в резервных разр дах в каждой чейке пам ти бьшо не более К-т дефектных элементов пам ти и сумма всех дефектных элементов всех К резервных разр дов получилась наибольшей. Таким образом, наибольша часть дефектных элементов пам ти исключаетс из обращени , а остальные дефектные элементы пам ти замен ютс годными в резервных разр дах этих же чеек.Редактор В.Петраш Заказ 6297/52Составитель В.Рудаков Техред. М.ДидыкКорректорТираж 588ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4В случае обращени к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разр ды чеек накопител , а при считывании информации из этих же чеек пам ти накопител информации считываетс из годных и соответствующих резервных разр дов чеек накопител , при этом сигналы из дефектных элементов пам ти выбранной чейки пам ти блокируютс . При обращении к чейке, все разр ды которой годные (а элементы пам ти резервных 5 разр дов этой чейки могут быть дефектными ) , информационные сигналы подаютс и снимаютс с годных разр дов , а резервные разр ды при этом блокируютс . Формула изобретениСпособ обращени к накопителю, заключающийс при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разр ды чеек пам ти нако0303540из тех же чеек пам ти накопител - в блокировке сигналов, считанных из дефектных информационных элементов пам ти, отличающийс тем, что, с целью увеличени числа годных накопителей, число резервных разр дов накопител выбирают равным К (где К mi m - максимальное число дефектных элементов пам ти в чейке пам ти) при условии, что в каждой чейке пам ти резервные разр ды содержат не более К-т дефектных элементов пам ти, а сумма всех дефектных элементов пам ти в К резервных разр дах наибольша .Корректор Г.Решетник
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853986932A SU1361635A1 (ru) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | Способ обращени к накопителю |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853986932A SU1361635A1 (ru) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | Способ обращени к накопителю |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1361635A1 true SU1361635A1 (ru) | 1987-12-23 |
Family
ID=21208933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853986932A SU1361635A1 (ru) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | Способ обращени к накопителю |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1361635A1 (ru) |
-
1985
- 1985-11-11 SU SU853986932A patent/SU1361635A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 3422402, кл. 340- 172,5, опублик.1969. Авторское свидетельство СССР 907587, кл. G 11 С 29/00, 1980. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910002501B1 (ko) | 에러 교정회로를 갖는 반도체 기억장치 | |
US7028234B2 (en) | Method of self-repairing dynamic random access memory | |
US5377146A (en) | Hierarchical redundancy scheme for high density monolithic memories | |
US6252800B1 (en) | Semiconductor memory device | |
US6219286B1 (en) | Semiconductor memory having reduced time for writing defective information | |
KR890015280A (ko) | 마스크 rom | |
KR910006992A (ko) | 메모리 | |
EP0193210A3 (en) | Semiconductor memory device with a built-in test circuit | |
EP0586114A3 (en) | A semiconductor read only memory | |
WO2002095759A1 (en) | Dynamically configured storage array utilizing a split-decoder | |
US6807610B2 (en) | Method and apparatus for virtually partitioning an integrated multilevel nonvolatile memory circuit | |
SU1361635A1 (ru) | Способ обращени к накопителю | |
ZA851040B (en) | A data storage arrangement and method of operating it | |
US5917743A (en) | Content-addressable memory (CAM) for a FLASH memory array | |
KR100430617B1 (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 동작 방법 | |
US7724567B2 (en) | Memory device and method of refreshing | |
JPS55125597A (en) | Semiconductor memory circuit | |
US7146456B2 (en) | Memory device with a flexible reduced density option | |
SU1252816A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
JPS63308795A (ja) | ダイナミツクram | |
US11294577B2 (en) | Non-volatile memory and operation method thereof | |
KR100477921B1 (ko) | 반도체메모리장치 | |
JP3247603B2 (ja) | プレデコーダ回路及びデコーダ回路 | |
RU2084972C1 (ru) | Способ записи данных при тестировании устройства памяти и устройство для проверки памяти | |
US20100002482A1 (en) | Memory device and method |