SU1361635A1 - Способ обращени к накопителю - Google Patents

Способ обращени к накопителю Download PDF

Info

Publication number
SU1361635A1
SU1361635A1 SU853986932A SU3986932A SU1361635A1 SU 1361635 A1 SU1361635 A1 SU 1361635A1 SU 853986932 A SU853986932 A SU 853986932A SU 3986932 A SU3986932 A SU 3986932A SU 1361635 A1 SU1361635 A1 SU 1361635A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bits
memory
backup
elements
defective
Prior art date
Application number
SU853986932A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Александрович Алексеев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1439
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1439 filed Critical Предприятие П/Я А-1439
Priority to SU853986932A priority Critical patent/SU1361635A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1361635A1 publication Critical patent/SU1361635A1/ru

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной .технике, в частности к запоминающим устройствам. Целью изобретени   вл етс  увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижени  требований к годности элементов пам ти резервных разр дов ., увеличени  степени использовани  годных элементов пам ти накопител  и сокращени  оборудовани  дл  резервных разр дов накопител . Способ обращени  к накопителю заключаетс  в том, что при записи подают информационные сигналы в годные и резервные разр ды  чеек накопител , а при считывании информации из тех же  чеек пам ти накопител  блокируют сигналы, считанные из дефектных информационных элементов пам ти, при этом число резервных разр дов накопител  выбирают равным К, где га - максимальное число дефектных элементов пам ти в  чейке пам ти,при условии, что в каждой  чейке пам ти резервные разр ды содержат не более К-т дефектных элементов пам ти, а сумма всех дефектных элементов в К резервных разр дах наибольша . i (Л

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам.
Цель изобретени  - увеличение числа годных накопителей запоминаю- щих устройств за счет снижени  требований к годности элементов пам ти резервных разр дов, увеличени  степени использовани  годных элементов пам ти накопител  и сокращени  оборудовани  дл  резервных разр дов накопител ,
Способ осуществл ют следующим образом .
Сначала провер ют работоспособность всех элементов пам ти во всех разр дах  чеек пам ти накопител  запоминающего устройства. Запоминают адрес  чеек с дефектными элементами пам ти и номера их дефектных разр дов . Определ ют m - максимальное число дефектных элементов пам ти в  чейке пам ти дл  коррекции дефектШ

Claims (1)

  1. В случае обращени  к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разр ды  чеек накопител , а при считывании информации из этих же  чеек пам ти накопител  информации считываетс  из годных и соответствующих резервных разр дов  чеек накопител , при этом сигналы из дефектных элементов пам ти выбранной  чейки пам ти блокируютс . При обращении к  чейке, все разр ды которой годные (а элементы пам ти резервных 15 разр дов этой  чейки могут быть дефектными ) , информационные сигналы подаютс  и снимаютс  с годных разр дов , а резервные разр ды при этом блокируютс . Формула изобретени 
    Способ обращени  к накопителю, заключающийс  при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разр ды  чеек пам ти нако20
    ных элементов разр дов K(K9in). Пер- 25 пител , а при считывании информации
    вым в качестве резервного выбирают разр д, содержащий наибольшее количество дефектных элементов пам ти. Следующие К-1 резервные разр ды выбираютс  так, чтобы в резервных разр дах в каждой  чейке пам ти бьшо не более К-т дефектных элементов пам ти и сумма всех дефектных элементов всех К резервных разр дов получилась наибольшей. Таким образом, наибольша  часть дефектных элементов пам ти исключаетс  из обращени , а остальные дефектные элементы пам ти замен ютс  годными в резервных разр дах этих же  чеек.
    Редактор В.Петраш Заказ 6297/52
    Составитель В.Рудаков Техред. М.Дидык
    Корректор
    Тираж 588Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР
    по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
    Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4
    В случае обращени  к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разр ды  чеек накопител , а при считывании информации из этих же  чеек пам ти накопител  информации считываетс  из годных и соответствующих резервных разр дов  чеек накопител , при этом сигналы из дефектных элементов пам ти выбранной  чейки пам ти блокируютс . При обращении к  чейке, все разр ды которой годные (а элементы пам ти резервных 5 разр дов этой  чейки могут быть дефектными ) , информационные сигналы подаютс  и снимаютс  с годных разр дов , а резервные разр ды при этом блокируютс . Формула изобретени 
    Способ обращени  к накопителю, заключающийс  при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разр ды  чеек пам ти нако0
    30
    35
    40
    из тех же  чеек пам ти накопител  - в блокировке сигналов, считанных из дефектных информационных элементов пам ти, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  числа годных накопителей, число резервных разр дов накопител  выбирают равным К (где К mi m - максимальное число дефектных элементов пам ти в  чейке пам ти) при условии, что в каждой  чейке пам ти резервные разр ды содержат не более К-т дефектных элементов пам ти, а сумма всех дефектных элементов пам ти в К резервных разр дах наибольша .
    Корректор Г.Решетник
SU853986932A 1985-11-11 1985-11-11 Способ обращени к накопителю SU1361635A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853986932A SU1361635A1 (ru) 1985-11-11 1985-11-11 Способ обращени к накопителю

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853986932A SU1361635A1 (ru) 1985-11-11 1985-11-11 Способ обращени к накопителю

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1361635A1 true SU1361635A1 (ru) 1987-12-23

Family

ID=21208933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853986932A SU1361635A1 (ru) 1985-11-11 1985-11-11 Способ обращени к накопителю

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1361635A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 3422402, кл. 340- 172,5, опублик.1969. Авторское свидетельство СССР 907587, кл. G 11 С 29/00, 1980. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910002501B1 (ko) 에러 교정회로를 갖는 반도체 기억장치
US7028234B2 (en) Method of self-repairing dynamic random access memory
US5377146A (en) Hierarchical redundancy scheme for high density monolithic memories
US6252800B1 (en) Semiconductor memory device
US6219286B1 (en) Semiconductor memory having reduced time for writing defective information
KR890015280A (ko) 마스크 rom
KR910006992A (ko) 메모리
EP0193210A3 (en) Semiconductor memory device with a built-in test circuit
EP0586114A3 (en) A semiconductor read only memory
WO2002095759A1 (en) Dynamically configured storage array utilizing a split-decoder
US6807610B2 (en) Method and apparatus for virtually partitioning an integrated multilevel nonvolatile memory circuit
SU1361635A1 (ru) Способ обращени к накопителю
ZA851040B (en) A data storage arrangement and method of operating it
US5917743A (en) Content-addressable memory (CAM) for a FLASH memory array
KR100430617B1 (ko) 반도체 기억 장치 및 그 동작 방법
US7724567B2 (en) Memory device and method of refreshing
JPS55125597A (en) Semiconductor memory circuit
US7146456B2 (en) Memory device with a flexible reduced density option
SU1252816A1 (ru) Запоминающее устройство
JPS63308795A (ja) ダイナミツクram
US11294577B2 (en) Non-volatile memory and operation method thereof
KR100477921B1 (ko) 반도체메모리장치
JP3247603B2 (ja) プレデコーダ回路及びデコーダ回路
RU2084972C1 (ru) Способ записи данных при тестировании устройства памяти и устройство для проверки памяти
US20100002482A1 (en) Memory device and method