SU1330208A1 - Раствор дл травлени изделий из меди - Google Patents
Раствор дл травлени изделий из меди Download PDFInfo
- Publication number
- SU1330208A1 SU1330208A1 SU853875303A SU3875303A SU1330208A1 SU 1330208 A1 SU1330208 A1 SU 1330208A1 SU 853875303 A SU853875303 A SU 853875303A SU 3875303 A SU3875303 A SU 3875303A SU 1330208 A1 SU1330208 A1 SU 1330208A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- copper
- etching
- chloride
- solution
- printed circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области химической обработки металлов, в частности к очистке меди путем травлени , и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности. Цель изобретени - снижение бокового под- травливани и улучшение качества изделий . Готов т трав щий раствор дл очистки, содержащий (м/л) хлорид меди (II) 0,4-0,8, хлорид натри 0,05- 0,2, ацетонитрил () 4,8-6,10. Обработку в растворе провод т при температуре 25°С в течение 40 с. Очистка в данном растворе позвол ет снизить подтравливание кромки медных проводников и обеспечивает более равномерную очистку поверхности при травлении. 1 табл. с (О со со о ю о 00
Description
Изобретение относитс к химической обработке-металлов, в частности к очистке меди путем травлени , и может быть использовано в радиоэлектронной промьшленности.
Целью изобретени вл етс снижение бокового подтравливани и улучшени качества изделий.
П р и м.е р. Травильный раствор готов т смешением компонентов в предлагаемых соотношени х в мерной колбе при комнатной температуре. Затем берут 40 стекл нных подложек, выполненных из полированного оптического бор- 15 нецелесообразно, так как увеличиваетсиликатного стекла марки К-8. Методом напылени в вакууме (давление 5
40
-S
мм
рт.ст.) на подложки нанос т
Результаты сравнительных исп травлени в предлагаемом и изве
пленку хрома толпщной 0,1 мкм и меди 0,6 мкм. На металлизированные подлож-20 растворах приведены в таблице. ки центрифугированием нанос т защитный негативный фоторезист ФН-11. Затем по известной технологии пластины подготавливают к травлению. Травление
Уменьшение подтравливани пр работке в предлагаемом растворе сравнению с известными составл 60-70% .
.пластин производ т щего состава, м/л:
CuClj,
NaCl
CHjCN
HjO
в растворе следую
0,5 0,2 6,1 До
литра
Температура ошзгта 25° С, Врем травлени сло меди 40 с. При этом не наблюдаетс подтравливани медных проводников. Травление идет быстро и очень равномерно, поверхность чиста без следов шлама.
Скорость травлени определ ют гравиметрически- по убыли массы дисковых электродов с площадью рабочей поверхности 0,64 см, изготовленных из мед марки М-99, за опзэеделенный интервал времени при 25 С в услови х интенсивного перемешивани растворов.
Были приготовлены воднью растворы следующих составов, в м/л: 1-й - CuClj 0,80; NaCl 0,20; ацетонитрил CHjCN 6,10; 2-й - CuCl, 0,40; NaCl 0,05; CHjCN 4,80; 3-й - CuClj 0,60; NaCl 0,10; CHjCN 5,50.
Скорость травлени равн лась, в 1-м растворе - 6, (максимальное значение); во 2-м - 10,5-10 (минимальное значение); в 3-м - 13, (промежуточное значение ). Качество травлени во всех
растворах бьшо высокое. Повер-хность меди гладка ., чиста , без следов шлама .
Использование травильного раствора , в котором концентрации компонентов не укладываютс в пределы, нецелесообразно , так как при малом содержании CuClj и CHjCN (ацетонитрил) очень мала скорость травлени и, следовательно , увеличиваетс веро тность подтравливани .
Превышение же концентраций компонентов выше предлагаемого интервала
с расход реактивов, а скорость возрастает незначительно.
Результаты сравнительных испь5таний травлени в предлагаемом и известном
растворах приведены в таблице.
20 растворах приведены в таблице.
25
30
35
40
45
50 55
Уменьшение подтравливани при обработке в предлагаемом растворе по сравнению с известными составл ет 60-70% .
Как видно из данных испь1таний, предлагаемый раствор позвол ет повысить эффективность процесса травлени меди в результате увеличени скорости процесса, уменьшить подтравливание кромки медных проводников. Облегчились контроль и регулирование процесса травлени , так как исключена необходимость корректрфовки состава травильного раствора по компонентам. В результате использовани раствора . предлагаемого состава обеспечиваетс равномерное травление образцов при очистке.
Claims (1)
- Формула изобретениРаствор дл травлени изделий из меди, содержащий хлорид меди (И)., хлорид щелочного металла, отличающийс тем, что, с целью снижени бокового подтравливани и улучшени качества изделий, он дополнительно содержит ацетонитрил, а в качестве хлорида щелочного металла - хлорид натри при следующем соотношении компонентов, м/л:.Хлорид меди (II) 0,4-0,8 Хлорид натри 0,05-0,2 Ацетонитрил 4,8-6,1022,8-10 120 10-55-tO22 40-464 -lO-t30-10-4Составитель В. Олейниченко Редактор Э. Слиган Техред м.Ходанич Корректор Л. БескидЗаказ 3543/29 Тираж 936ПодписноеВНШШИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4При изготовлении печатных плат и микросхем наблюдаетс большое боковое под- травливание. Имеютс разрывы и протравы в .схемах печатных платТо жеКачество печатных плат и микросхем хорошее. Боковое подтравливание незначительное
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853875303A SU1330208A1 (ru) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | Раствор дл травлени изделий из меди |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853875303A SU1330208A1 (ru) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | Раствор дл травлени изделий из меди |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1330208A1 true SU1330208A1 (ru) | 1987-08-15 |
Family
ID=21169877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853875303A SU1330208A1 (ru) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | Раствор дл травлени изделий из меди |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1330208A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1974370A4 (en) * | 2005-12-21 | 2015-11-04 | Macdermid Inc | MICROGRAVIDE COMPOSITION AND METHOD OF USE |
-
1985
- 1985-04-01 SU SU853875303A patent/SU1330208A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
РЖ Хими , 1983, № 3, реф. ЗЛ-189. За вка DE № 2942504, кл. С 23 F 1/00, 1981. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1974370A4 (en) * | 2005-12-21 | 2015-11-04 | Macdermid Inc | MICROGRAVIDE COMPOSITION AND METHOD OF USE |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4725375A (en) | Etchant composition | |
CN100526507C (zh) | 钛或钛合金用蚀刻液 | |
FR2433595A1 (fr) | Procede de revetement d'electrodes avec un derive du ruthenium | |
US3597290A (en) | Method for chemically dissolving metal | |
US4693916A (en) | Method of depositing a silicon dioxide film | |
JPH04506528A (ja) | ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液 | |
FR2603904A1 (fr) | Procede d'attaque corrosive du cuivre et produit obtenu en particulier plaquette de circuit | |
US4784785A (en) | Copper etchant compositions | |
SU1330208A1 (ru) | Раствор дл травлени изделий из меди | |
FR2387300A1 (fr) | Procede de revetement d'electrodes | |
FR2551078A1 (fr) | Perfectionnements aux compositions pour la dissolution de metaux et procede de dissolution | |
JPH0429744B2 (ru) | ||
KR20030051236A (ko) | 도금법 | |
SU1341243A1 (ru) | Раствор дл травлени изделий из меди | |
SU773063A1 (ru) | Раствор дл сн ти олов нно-свинцовых покрытий с медной основы | |
US3671344A (en) | Process of etching metal with ammonium persulfate with recovery and recycling | |
JP2008095148A (ja) | エッチング液およびブラックマトリックスの製造方法 | |
CN111732133A (zh) | 一种硫酸四氨钯的制备方法 | |
JPS6365620B2 (ru) | ||
CN114920658A (zh) | 一种离子交换树脂纯化氢氧化胆碱的方法 | |
SU805501A1 (ru) | Раствор дл травлени металлизирован-НыХ пОКРыТий, пРЕиМущЕСТВЕННО пЕчАТ-НыХ плАТ | |
SU945113A1 (ru) | Состав дл обработки стекл нных пластин | |
SU1151594A1 (ru) | Раствор дл избирательного травлени меди | |
JP2004196796A (ja) | ヒドロキシルアミン安定剤の製造方法及び精製方法 | |
SU1346694A1 (ru) | Раствор дл удалени никелевого покрыти |