SU1323940A1 - Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику - Google Patents

Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику Download PDF

Info

Publication number
SU1323940A1
SU1323940A1 SU864034711A SU4034711A SU1323940A1 SU 1323940 A1 SU1323940 A1 SU 1323940A1 SU 864034711 A SU864034711 A SU 864034711A SU 4034711 A SU4034711 A SU 4034711A SU 1323940 A1 SU1323940 A1 SU 1323940A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
dielectric
sample
metal
adhesion
current
Prior art date
Application number
SU864034711A
Other languages
English (en)
Inventor
Софья Ароновна Зайдман
Original Assignee
Томский политехнический институт им.С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Томский политехнический институт им.С.М.Кирова filed Critical Томский политехнический институт им.С.М.Кирова
Priority to SU864034711A priority Critical patent/SU1323940A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1323940A1 publication Critical patent/SU1323940A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к способам контрол  механической прочности соединений металл-диэлектрик и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковой технике, кабельной промышленности и других област х. Способ позвол ет упростить процесс измерени . Образец с ассиметрией, заложенной в нем либо в процессе технологии изготовлени , либо в предварительно созданной анизатропии самого диэлектрика, подключают через переключатель пол рности к измерителю тока. Помещают образец в услови  повышенной влажности и регистрируют изменение направлени  тока при смене пол рности включени  образца, что позвол ет судить об адгезии металла к диэлектрику . В услови х повышенной влажности происходит сорбци  пленки на поверхности диэлектрика, при этом увеличиваетс  ток, что повышает достоверность контрол  адгезии металла к диэлектрику. 1 ил. Р 00 ГчЭ СО СО 1

Description

Изобретение относитс  к способам определени  прочности и может быть использовано в кабельной технике, микроэлектронике и полупроводниковой технике.
Целью изобретени   вл етс  упрощение процесса измерени .
На чертеже приведена принципиальна  схема устройства дл  осуществлени  предлагаемого способа.
Диэлектрик 1, на который нанесены металлические электроды 2, зажимаютс  между токоотвод щими электродами 3, которые подсоединены к измерительному прибору 4 через переключатель 5 пол рности при этом образец помещен в камеру 6 влажности.
Способ осуществл ют следующим образом .
Образец с асимметрией, заложенной в технологии изготовлени  его или в предварительно созданной анизотропии самого диэлектрика 1, помещают в камеру 6 влажности , затем подсоедин ют его к регистратору тока и в замкнутой цепи образец-измерительный прибор 4 регистрируют генерируемый образцом ток. Далее производ т переключение пол рности образца, поворачива  его на 180° или мен   местами токоподвод щие проводники 3 измерительного прибора, что также можно сделать с помощью переключател  5, после чего регистрируют смену направлени  тока, что  вл етс  гарантией генерации тока образцом, а следовательно, доказывает наличие хорошей адгезии металла к диэлектрику.
Контроль адгезии металлических покрытий на диэлектрическом основании данным способом можно проводить только дл  асимметричных структур металл-диэлектрик-металл . Такие ассиметричные структуры имеютс  в микроэлектронике, когда на
диэлектрическую подложку (ситалл, керамика , сапфир, брокерит и т. д.) нанос т резистивные пленки из алюмини  или тантала , из золота или никел  и т. д., а также осуществл ют многослойное покрытие с разным количеством слоев металла на каждой
из сторон диэлектрика, или, если имеетс  градиент концентрации носителей зар да, вдоль самого диэлектрика.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Неразрущающий способ контрол  адгезии металла к диэлектрику, при котором на образце измер ют электрические параметры, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  процесса измерени ,
    образец с асимметрией провод щих слоев или с анизотропией диэлектрика помещают в камеру влажности, регистрируют ток, генерируемый образцом, производ т переключение пол рности образца и по смене направлени  генерируемого тока суд т об
    адгезии металла с диэлектриком.
    Составитель Е. Анисимов
    Редактор А. ЛежнинаТехред И. ВересКорректор В Бут га
    Заказ 2959/48Тираж 776Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
    1 13035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
SU864034711A 1986-03-07 1986-03-07 Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику SU1323940A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864034711A SU1323940A1 (ru) 1986-03-07 1986-03-07 Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864034711A SU1323940A1 (ru) 1986-03-07 1986-03-07 Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1323940A1 true SU1323940A1 (ru) 1987-07-15

Family

ID=21225534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864034711A SU1323940A1 (ru) 1986-03-07 1986-03-07 Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1323940A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Зайдман С. А. Твердотельный источник тока с высоким внутренним сопротивлением. - Приборы и системы управлени , 1982, № 8, с. 25. Авторское свидетельство СССР № 491085, кл. G 01 N 19/04, опублик. 1975. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6231743B1 (en) Method for forming a semiconductor device
EP1616172B1 (en) A thin semiconductor film gas sensor device
ATE93320T1 (de) Verfahren zum feststellen und/oder zum identifizieren einer biologischen substanz durch elektrische messungen und vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens.
SU1323940A1 (ru) Неразрушающий способ контрол адгезии металла к диэлектрику
JP2965176B2 (ja) 静電チャックの過渡特性評価方法
US7710130B2 (en) Volume resistivity measurement apparatus for dielectric layer of electrostatic chuck and measurement method using the apparatus
JP2901781B2 (ja) 半導体装置の検査方法
SU894571A1 (ru) Способ обнаружени трещин в электроизол ционных материалов
SU1429060A1 (ru) Способ измерени напр женности электрического пол в твердом диэлектрике
SU1572170A1 (ru) Способ контрол толщины диэлектрической пленки на электропровод щей подложке
Kern et al. New methods for detecting structural defects in glass passivation films
SU989422A1 (ru) Датчик влажности и температуры
SU1185066A1 (ru) Способ определени толщины многослойных электропроводных покрытий
SU763767A1 (ru) Способ контрол дефектов
SU1536528A1 (ru) Зондовое устройство дл измерени электрических параметров изделий микроэлектроники
JPH0124271B2 (ru)
JPH05149989A (ja) プリント配線板の試験方法
JPS5917259A (ja) 半導体素子の測定方法
SU1250982A1 (ru) Способ определени сопротивлени контактного соединени проволоки и тонкой пленки
SU1599747A1 (ru) Способ контрол сплошности диэлектрических покрытий
SU729156A1 (ru) Способ определени готовности комбинированных металло-стекл нных и металлокерамических спаев
JP2890180B2 (ja) 電子回路へのアクセスを提供するための給受電制御プローブの製造方法
SU1177778A1 (ru) Способ определени координат дефектов в электроизол ционных материалах
RU2186440C1 (ru) Магниторезистивный датчик
JPS61110443A (ja) 半導体素子コ−テイング材の判別方法