SU131139A1 - Memory element - Google Patents
Memory elementInfo
- Publication number
- SU131139A1 SU131139A1 SU610184A SU610184A SU131139A1 SU 131139 A1 SU131139 A1 SU 131139A1 SU 610184 A SU610184 A SU 610184A SU 610184 A SU610184 A SU 610184A SU 131139 A1 SU131139 A1 SU 131139A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrode
- zinc
- working
- memory element
- storage element
- Prior art date
Links
Description
Известны различные конструкции запоминающих элементов, примен емых в вычислительных машинах.Various designs of storage elements used in computers are known.
Предлагаемый запоминающий элемент предназначен дл использовани в релейных вычислительных машинах, не требующих высокого быстродействи , и отличаетс от известных тем, что дл упрощени он выполнен в виде трехэлектродной электрохимической чейки.The proposed storage element is intended for use in relay computers that do not require high speed and differs from the known ones in that, for simplicity, it is made in the form of a three-electrode electrochemical cell.
Конструкци предлагаемого запоминающего элемента показана на чертеже.The design of the proposed storage element is shown in the drawing.
Элемент представл ет собой электрохимическую чейку, состо щую из трех электродов /, 2 и , помещенных в раствор электролита, заключенного в сосуд 4. Электрод / - цинковый, электроды 2 и 5 - рабочий и стандартный выполнены в виде амальгамированных ртутью пласти рафинированной меди. Цинковый электрод / и рабочий.электрод 2 наход тс в одной части сосуда, а электрод 3 (стандартный) - в другой. Обе части сосуда соединены между собой раствором электролита (насыщенный , в равновесии с твердой фазой, раствор сернокислого цинка с небольшой примесью закисной сернокислой ртути).The cell is an electrochemical cell consisting of three electrodes /, 2 and placed in an electrolyte solution enclosed in vessel 4. Electrode / - zinc, electrodes 2 and 5 - working and standard are made in the form of mercury amalgamated refined copper. The zinc electrode / and the working electrode. Electrode 2 is in one part of the vessel, and electrode 3 (standard) is in the other. Both parts of the vessel are interconnected by an electrolyte solution (saturated, in equilibrium with the solid phase, a solution of zinc sulphate with a small admixture of anoxic sulfuric acid mercury).
Работа предлагаемого запоминающего элемента основана на использовании влени изменени потенциала электрода, наход щегос в растворе электролита, при подаче на него кратковременного электрического импульса.The operation of the proposed storage element is based on the use of the phenomenon of a change in the potential of an electrode, which is in an electrolyte solution, when a short-term electric pulse is applied to it.
Запоминающий элемент имеет два устойчивых состо ни : состо ние «Ь (если на вход был подан импульс напр жени ) и состо ние «О (если импульса подано не было). Эти два состо ни различаютс по величине , возникающей на выходе э.д.с., и могут быть считаны. Дл записи информации импульс напр жени подаетс плюсом на цинковый электрод 1, а минусом на рабочий электрод 2. На рабочем электроде начинает осаждатьс цинк; в результате посто нно действующа э.д.с. между рабочим и стандартным (обладающим вполне определенным устойчивым потенциалом) электродами измен етс на какую-то определенную величину за-счет возникновени добавочной э.д.с. Получивша с суммарна э.д-с. используетс дл управлени считывающим устройством во врем цикла считывани . Дл стирани записанной информации подаетс импульс-напр жени обратной пол рности. Цинк переходит в раствор , добавочна э.д.с. между рабочим и стандартным электродами исчезает и элемент возвращаетс в исходное состо ние.The storage element has two stable states: the state “b (if a voltage pulse was applied to the input) and the state“ O (if no pulse was given). These two states differ in magnitude at the emf output and can be read. To record information, a voltage pulse is applied to the zinc electrode 1 plus and to the working electrode 2 with a minus. Zinc starts to be deposited on the working electrode; as a result, a constant emf between the working and standard (with a well-defined stable potential) electrodes is changed by some specific value due to the appearance of an additional emf. Received with the total ed. is used to control the reader during the read cycle. To erase the recorded information, a reverse polarity pulse voltage is applied. Zinc goes into solution, additional emf. between the working and standard electrodes disappears and the element returns to its original state.
Предмет изобретени Subject invention
Запоминающий элемент дл вычислительных машин, отличающ и и с тем, что, с целью упрощени , он выполнен в виде трехэлектро ной электрохимической чейки.A storage element for computers, which is also distinguished by the fact that, for the purpose of simplification, it is made in the form of a three-electrochemical cell.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU610184A SU131139A1 (en) | 1958-10-23 | 1958-10-23 | Memory element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU610184A SU131139A1 (en) | 1958-10-23 | 1958-10-23 | Memory element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU131139A1 true SU131139A1 (en) | 1959-11-30 |
Family
ID=48402229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU610184A SU131139A1 (en) | 1958-10-23 | 1958-10-23 | Memory element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU131139A1 (en) |
-
1958
- 1958-10-23 SU SU610184A patent/SU131139A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1313718A (en) | Binary memory cell | |
SU131139A1 (en) | Memory element | |
JPS5363938A (en) | Dynamic memory unit | |
JPS5314525A (en) | Memory circuit | |
JPS56140591A (en) | Semiconductor memeory device | |
ES272116A1 (en) | Electrochemical generator (Machine-translation by Google Translate, not legally binding) | |
JPS53117345A (en) | Read-only memory unit | |
GB1412435A (en) | Electronic memory storage element | |
JPS5641593A (en) | Semiconductor memory unit | |
JPS5512534A (en) | Semiconductor memory unit | |
JPS56114198A (en) | Semiconductor circuit | |
JPS53123685A (en) | Binary memory device | |
JPS53135529A (en) | C.mos static random access memory | |
JPS52110530A (en) | Mos random access memory | |
JPS5522154A (en) | Electronic watch | |
JPS5379331A (en) | Semiconductor memory cell | |
JPS52141590A (en) | Semiconductor memory cell | |
JPS5613588A (en) | Refreshing circuit for dynamic ram | |
SU630640A1 (en) | Storage cell | |
JPS5625293A (en) | Static memory cell | |
SU435564A1 (en) | MAGNETIC ANALOG ELEMENT OF MEMORY | |
JPS527752A (en) | Display drive circuit | |
SU409299A1 (en) | ELECTROCHEMICAL ACTIVE ELEMENT | |
SU1057990A1 (en) | Storage | |
SU490158A1 (en) | Display device |