SU1304442A1 - Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов - Google Patents

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

Info

Publication number
SU1304442A1
SU1304442A1 SU3924637/26A SU3924637A SU1304442A1 SU 1304442 A1 SU1304442 A1 SU 1304442A1 SU 3924637/26 A SU3924637/26 A SU 3924637/26A SU 3924637 A SU3924637 A SU 3924637A SU 1304442 A1 SU1304442 A1 SU 1304442A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
container
growing
grown
crystal
crystals
Prior art date
Application number
SU3924637/26A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.П. Иванов
В.Р. Любинский
Л.Л. Нагорная
Н.Н. Смирнов
В.И. Бобыр
Original Assignee
Н.П. Иванов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Н.П. Иванов filed Critical Н.П. Иванов
Priority to SU3924637/26A priority Critical patent/SU1304442A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1304442A1 publication Critical patent/SU1304442A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод. Способ включает плавление исходной соли в контейнере, введение в расплав соли активатора, выдержку расплава и выращивание конической и цилиндрической частей кристалла путем опускания контейнера из зоны плавления в зону кристаллизации. Способ отличается тем, что после выращивания конической части опускание прекращают, вводят активатор, поднимают контейнер в зону плавления на 3 - 5 мм, выдерживают в течение 6 - 8 ч. и проводят выращивание цилиндрической части кристалла. Кроме того, при выращивании сцинтилляционного элемента, содержащего световод, после выращивания конической части опускание контейнера продолжают на величину, соответствующую заданной высоте световода. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.
SU3924637/26A 1985-07-03 1985-07-03 Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов SU1304442A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3924637/26A SU1304442A1 (ru) 1985-07-03 1985-07-03 Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3924637/26A SU1304442A1 (ru) 1985-07-03 1985-07-03 Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1304442A1 true SU1304442A1 (ru) 1997-01-20

Family

ID=60540201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3924637/26A SU1304442A1 (ru) 1985-07-03 1985-07-03 Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1304442A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0362440A3 (en) Process for crystal growth from solution
GB1528897A (en) Method of purifying silicon
Langlois Convection in Czochralski growth melts.
EP1571240A3 (en) Method for producing compound semiconductor single crystal
GB1476915A (en) Drawing crystals from a melt
EP0732427A3 (en) A method and apparatus for the growth of a single crystal
US4957712A (en) Apparatus for manufacturing single silicon crystal
ZA913972B (en) Wet-tip die for efg crystal growth apparatus
SU1304442A1 (ru) Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов
JPS6437486A (en) Crucible for crystal growth
JPS6461381A (en) Method for growing single crystal
GB1354697A (en) Method of growing crystals
SU1262998A1 (ru) Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава
SU1360266A1 (ru) Способ получения монокристаллов in sb<bi>
JPS5551795A (en) Artificial rock crystal and growing method therefor
Mogilevskii et al. Growing Single Crystals of the LaNi sub 5 Intermetallide
SU1332886A1 (ru) Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации
JPS57129896A (en) Liquid phase epitaxial growing apparatus
Pankov Czochralski-Stepanov method.
JPS6442396A (en) Meodymium-gallium-garnet single crystal and its production
RU95107207A (ru) Способ выращивания монокристаллов кремния
JPS6414193A (en) Method for growing single crystal of iii-v compound semiconductor
JPS56100195A (en) Growing method for semiconductor single crystal
Maksimov Methods of Producing Single Crystals of Alloys Based on the System Fe--Cr--Co
Mogilevskii et al. Influence of the Level of Purification of Inert Gases on the Quality of TiCu Crystals Grown From Their Melt