RU95107207A - Способ выращивания монокристаллов кремния - Google Patents
Способ выращивания монокристаллов кремнияInfo
- Publication number
- RU95107207A RU95107207A RU95107207/25A RU95107207A RU95107207A RU 95107207 A RU95107207 A RU 95107207A RU 95107207/25 A RU95107207/25 A RU 95107207/25A RU 95107207 A RU95107207 A RU 95107207A RU 95107207 A RU95107207 A RU 95107207A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- melt
- growing
- crucible
- oxygen
- concentration
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Цель изобретения - управление концентрацией кислорода (получение заданной величины No в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых по методу Чохральского. Эта цель достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния по Чохральскому с использованием установленного внутри нагревателя кварцевого тигля диаметром (300±30) мм при отношении площади поверхности контакта расплава с тиглем к площади открытой поверхности контакта расплава 1,5 - 4,0 расстояние (h) от начального уровня расплава в тигле до верхнего края нагревателя поддерживают равным 2 - 9 см, а увеличение (уменьшение) концентрации кислорода в верхней части растущего монокристалла на каждые (0,4±0,2)•10смпроводят путем повышения (понижения) уровня расплава на 1 см в пределах указанного интервала h. Предложенное решение позволяет выращивать монокристаллы кремния для широкого класса полупроводниковых приборов с различными требованиями к концентрации кислорода.
Claims (1)
- Цель изобретения - управление концентрацией кислорода (получение заданной величины No в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых по методу Чохральского. Эта цель достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния по Чохральскому с использованием установленного внутри нагревателя кварцевого тигля диаметром (300±30) мм при отношении площади поверхности контакта расплава с тиглем к площади открытой поверхности контакта расплава 1,5 - 4,0 расстояние (h) от начального уровня расплава в тигле до верхнего края нагревателя поддерживают равным 2 - 9 см, а увеличение (уменьшение) концентрации кислорода в верхней части растущего монокристалла на каждые (0,4±0,2)•1017 см-3 проводят путем повышения (понижения) уровня расплава на 1 см в пределах указанного интервала h. Предложенное решение позволяет выращивать монокристаллы кремния для широкого класса полупроводниковых приборов с различными требованиями к концентрации кислорода.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95107207A RU2076909C1 (ru) | 1995-05-04 | 1995-05-04 | Способ выращивания монокристаллов кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95107207A RU2076909C1 (ru) | 1995-05-04 | 1995-05-04 | Способ выращивания монокристаллов кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2076909C1 RU2076909C1 (ru) | 1997-04-10 |
| RU95107207A true RU95107207A (ru) | 1997-05-10 |
Family
ID=20167437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95107207A RU2076909C1 (ru) | 1995-05-04 | 1995-05-04 | Способ выращивания монокристаллов кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2076909C1 (ru) |
-
1995
- 1995-05-04 RU RU95107207A patent/RU2076909C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2076909C1 (ru) | 1997-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE8604627D0 (sv) | For halvledaranordning avsett enkristallsubstrat av kisel med hog syrehalt och framstellningssett for detta | |
| JPS6432622A (en) | Formation of soi film | |
| EP0390672A3 (en) | Method for heat process of silicon | |
| KR950003482A (ko) | 개선된 결정 성장방법 | |
| DE69705545T2 (de) | Vorrichtung zur züchtung von grossen siliziumkarbideinkristallen | |
| JPH035392A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| RU95107207A (ru) | Способ выращивания монокристаллов кремния | |
| JPS6033291A (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
| SU882247A1 (ru) | Способ выращивания монокристаллического sic | |
| JPS5490086A (en) | Method of producing single crystal | |
| MY133116A (en) | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions | |
| JPS5692192A (en) | Method for growing semiconductor single crystal | |
| JPS645992A (en) | Method for growing crystal | |
| EP0284434A3 (en) | Method of forming crystals | |
| JPS6461381A (en) | Method for growing single crystal | |
| JPS56104799A (en) | Production of si single crystal and device therefor | |
| RU2042749C1 (ru) | Способ получения монокристаллов кремния | |
| SU1675409A1 (ru) | Способ получени магнитнооптической структуры | |
| JPS62197389A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JPH0640592Y2 (ja) | シリコン単結晶の成長装置 | |
| JPS6437486A (en) | Crucible for crystal growth | |
| RU95100029A (ru) | Способ получения монокристаллического кремния | |
| Shashkov | Behavior of Oxygen in the Process of Growing Silicon Single Crystals by the Czochralski Method | |
| JPH04362087A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| GB1354697A (en) | Method of growing crystals |