SU1304077A1 - Store for matrix bubble storage unit - Google Patents
Store for matrix bubble storage unit Download PDFInfo
- Publication number
- SU1304077A1 SU1304077A1 SU853943388A SU3943388A SU1304077A1 SU 1304077 A1 SU1304077 A1 SU 1304077A1 SU 853943388 A SU853943388 A SU 853943388A SU 3943388 A SU3943388 A SU 3943388A SU 1304077 A1 SU1304077 A1 SU 1304077A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- information
- register
- accumulator
- storage
- registers
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах хранени информации. Целью изобретени вл етс уменьшение времени считывани информации и повышение надежности устройства. Это достигаетс за счет того, что в накопителе, содержащем регистры хранени , регистр ввода-вывода, генератор и датчик, регистры хранени св заны с регистром ввода-вывода через репликаторы - переключатели, а ввод новой информации из генератора и возвраихение информационного блока в полувыбранных накопител х осуществл етс с помощью переключателей , св зывающих генератор с регистром ввода-вывода и конец регистра ввода-вывода с его началом. В результате уменьшаетс веро тность потери информации и сокращаетс врем восстановлени хранимых данных. 2 ил. I (Л оэ о 4 О The invention relates to computing and can be used in information storage devices. The aim of the invention is to reduce information reading time and increase device reliability. This is achieved due to the fact that in the drive containing the storage registers, the I / O register, the generator and the sensor, the storage registers are connected to the I / O register via the replicators - the switches, and the input of the new information from the generator and the return of the information block to the half-selected drives The x is implemented using switches that connect the generator to the I / O register and the end of the I / O register to its beginning. As a result, the probability of loss of information is reduced and the recovery time of the stored data is reduced. 2 Il. I (l oe o 4 o
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах хранени информации.The invention relates to computing and can be used in information storage devices.
Це. 1ь изобретени - уменьшение времени считывани информации и увеличение надежности наконител .Tse. 1 of the invention is a reduction in information reading time and an increase in reliability of the tip.
На фиг. 1 изображена структурна схема элемента накопител дл матричного запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, на фиг. 2 - схема его включени в матричном запоминающем устройстве .FIG. 1 shows a block diagram of a storage element for a matrix storage device on cylindrical magnetic domains; FIG. 2 is a diagram of its inclusion in a matrix memory device.
Накопитель представл ет собой магнито- одноосную пленку 1, на которой расположены пермаллоевые аппликации и токопрово- д щие шины, определ ющие структуру накопител . Элемент накопител состоит из регистров 2;...2,1 хранени , которые при помощи репликаторов-переключателей 3|...3n соединены с регистром 4 ввода-вывода. Элемент накопител содержит генератор 5, выход которого при помощи первого переключател 6 соединен с регистром 4 ввода-вывода, и датчик 7, вход которого соединен с концо.м регистра 4 ввода-вывода. Кроме того, начало регистра ввода-вывода соединено с его концом посредством второго переключател 8. Репликаторы- переключатели Sj ...3„ имеют общую электрическую шину 9 управлени , переключатели 6 и 8 - общую электрическую щину 10 управлени ,элемент матрицы накопител 11,,,/; (т - строки К.столб- ца), шины 12 управлени , выход датчика 13. Элемент накопител включен в матричное запоминающее устройство таким образом, что управл ющие тины 9 репликаторов-переключателей 3 всех элементов накопител 1 I, расположенных в одной строке матрицы, соединены последовательно. Кроме того, у всех элементов накопител 11, расположенных в одном столбце .матрицы, последовательно соединены управл ющие щины 10 переключател ми 6 и 8 и шины 12 управлени генератором 5, а также последовательно включены выходы 13 датчиков 7.The accumulator is a magneto-uniaxial film 1, on which permalloyed applications and electrical conductors are located, defining the structure of the accumulator. The storage unit consists of registers 2; ... 2.1 storage, which are connected to input / output register 4 by means of switch replicators 3 | ... 3n. The storage element contains a generator 5, the output of which is connected to the input-output register 4 by means of the first switch 6, and a sensor 7, the input of which is connected to the end of the input-output register 4. In addition, the beginning of the I / O register is connected to its end by the second switch 8. The replicators switches Sj ... 3 "have a common electric bus 9 of control, switches 6 and 8 have a common electric bus 10 of control, the matrix element of drive 11, , /; (t - columns K. column), control bus 12, sensor output 13. The storage element is included in the matrix memory in such a way that the control engines 9 of the switch replicators 3 of all the 1 I storage elements located in one row of the matrix, connected in series. In addition, all elements of the accumulator 11 located in the same column of the matrix are connected in series with the control 10 of the switches 6 and 8 and the bus 12 of the generator 5, and the outputs 13 of the sensors 7 are connected in series.
Накопитель работает следующим образом.The drive works as follows.
В режиме считывани производитс поиск требуемого информационного блока данных в выбираемом элементе накопител матрицы (например 112,2) путем продвижени информации одновременно по регистрам 2,...2п хранени всех элементовнакопител In the read mode, the required information data block is searched in the selectable element of the matrix accumulator (for example, 112.2) by advancing information simultaneously on the registers 2, ... 2p of storing all the elements of the accumulator
111 1...11„, i матрицы. Подачей тока репликации на тину 9 выбранной строки матрицы (при выборке из накопител 112,2 - втора строка) в элементах накопител этой строки посредством репликаторов-переключателей 3i...3n информационные блоки перевод тс (копируютс ) из регистров 2|...2„ хранени в регистры 4 ввода-вывода, после него они по регистрам 4 ввода-вывода продви гаютс к датчикам элементов накопител выбранной строки. Подачей опорного напр жени на электрические выходы 13 датчиков 7 выбранного столбца (при выборке111 1 ... 11 „, i matrices. By applying replication current to Tin 9 of the selected row of the matrix (when sampling from accumulator 112.2 - second row) in the accumulator elements of this row by means of switch replicators 3i ... 3n information blocks are transferred (copied) from registers 2 | ... 2 These are stored in I / O registers 4, after which they are pushed through the I / O registers 4 to the sensors of the accumulator elements of the selected row. By applying reference voltage to the electrical outputs of the 13 sensors 7 of the selected column (when sampling
элемента накопител 1 Ь, - второй столбец) производитс последовательное считывание требуемого информационного блока из выбранного элемента накопител (например , 112,2).accumulator element 1 b, second column), the required information block is sequentially read from the selected accumulator element (for example, 112.2).
Таким образом, считывание производитс только из элемента накопител , наход щегос на пересечении выбранной строки и выбранного столбца. Во всех полувыбранных элементах накопител выбранной строкиThus, reading is performed only from the storage element located at the intersection of the selected row and the selected column. In all half-selected elements of the accumulator of the selected line
на датчики 7 не подаетс опорное напр жение . Прохождение ЦМД под ними не приводит к по влению считываемого сигнала. Во всех полувыбранных элементах накопител выбранного столбца информаци в реC гистрах 4 ввода-вывода отсутствует, а следовательно , не поступает на датчики 7. Таким образом, во всех полувыбранных и, очевидно, невыбранных элементах накопител матрицы не производитс считывание информации. sensors 7 are not supplied with reference voltage. The passage of the CMD under them does not lead to the appearance of a readable signal. In all the semi-selected elements of the accumulator of the selected column, the information in the input-output registers 4 is missing and, therefore, does not flow to the sensors 7. Thus, information is not read in all the semi-selected and, obviously, unselected elements of the matrix accumulator.
0 В режиме записи производитс поиск требуемого информационного блока данных в вбираемом элементе накопител матрицы (например, 112,2) путем продвижени информации одновременно по регистрам 2i...2n хранени всех элементов накопител 0 In the recording mode, the required information data block is searched in the selectable element of the matrix accumulator (for example, 112.2) by advancing information simultaneously on the storage registers 2i ... 2n of all the elements of the accumulator
111 1... I m k матрицы. 111 1 ... I m k matrices.
Подачей тока переключени на щину 9 выбранной строки (при выборке из накопител 1122 - второа строка) в элементах накопител этой строки информационныеBy applying the switching current to the line 9 of the selected row (when sampling from the accumulator 1122 - the second row) in the accumulator elements of this row the information
,, блоки перевод тс (переключаютс ) из регистров 2i...2,, хранени в регистры 4 ввода- вывода.The blocks are transferred (switched) from the registers 2i ... 2, storage to the 4 I / O registers.
Подачей управл ющих сигналов на электрические входы 12 генераторов 5 выбранного столбца (при выборке элемента на5 копител 112,2 - второй столбец) производитс последовательный ввод записываемого информационного блока. Затем путем подачи токовых управл юц 1их сигналов в шину 10 переключатель 6 переводит вводимый информационный блок в регистр 4 ввода-вывода.Giving control signals to the electrical inputs 12 of the generators 5 of the selected column (when the element of the accumulator element 5 5 112.2 is sampled - the second column), the recorded information block is sequentially entered. Then, by supplying current control signals of their signals to bus 10, switch 6 converts the input information block into input-output register 4.
В шину 10 невыбранных столбцов матрицы подают последовательность токовых сигналов управлени , которые возвращают выведенный информационный блок из конца регистра ввода-вывода в его начало че5 рез переключатель 8. Моменты времени начала ввода данных через генератор 5 в выбранный элемент накопител и начала подачи последовательностей токов дл управлени переключател ми 6 и 8 выбирают так, чтобы информационные блоки в элемен0 тах накопител в выбранных и невыбранных столбцах подошли к репликаторам- переключател м 3 выбранной строки одновременно . При этом токовые сигналы, подаваемые на щину 10 дл управлени переключател ми 6 и 8, должны отличатьс A bus of 10 unselected matrix columns is fed to a sequence of current control signals that return the output information block from the end of the I / O register to its beginning through switch 8. The time of the start of data input through the generator 5 to the selected drive element and the beginning of the supply of sequences of currents to control switches 6 and 8 are selected so that the information blocks in the storage elements in the selected and unselected columns go to switch replicators 3 of the selected row one TERM. In doing so, the current signals supplied to the bus 10 to control the switches 6 and 8 should differ
5 по фазе или пол рности. В результате в ре гистре 4 ввода-вывода выбранного элемента накопител напротив регистров хранени будет находитьс вводимый информационный блок. В регистрах 4 ввода-вывода всех полувыбранных элементов накопител выбранной строки будет находитьс информационный блок, ранее выведенный из регистров хранени . Подачей тока переключени на шину 9 выбранной строки информационный блок в каждом элементе накопител 11 переводитс посредством переключателей-репликаторов Зь..3„ в регистры 2...2-п хранени .5 in phase or polarity. As a result, in the input-output register 4 of the selected storage element, the input information block will be located opposite the storage registers. In the I / O registers 4 of all half-selected elements of the accumulator of the selected row, the information block previously derived from the storage registers will be found. By supplying the switching current to the bus 9 of the selected line, the information block in each element of the accumulator 11 is transferred by means of the replicator switches 3. To the registers 2 ... 2-n storage.
Таким образом, в выбранном элементе накопител на месте информационого блока, выведенного из регистров хранени , будет записан введенный информационный блок. В полувыбранных элементах накопител выбранной строки информационный блок, выведенный из регистров хранени , возвращаетс на свое место. В остальных элементах накопитель запись (переключение информационного блока в регистры хранени ) не производитс . При этом введенный в регистры ввода-вывода полувыбранных элементов накопител выбранного столбца информационный блок в дальнейшем выводитс без считывани посредством продвижени по регистрам ввода-вывода до датчика 7.Thus, in the selected storage element, in place of the information block, derived from the storage registers, the entered information block will be recorded. In the half-selected elements of the accumulator of the selected line, the information block derived from the storage registers returns to its place. In the remaining elements, the drive is not written (switching the information block to the storage registers). In this case, the semi-selected elements of the accumulator of the selected column entered into the I / O registers are then output without reading information by advancing through the I / O registers to the sensor 7.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853943388A SU1304077A1 (en) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | Store for matrix bubble storage unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853943388A SU1304077A1 (en) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | Store for matrix bubble storage unit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1304077A1 true SU1304077A1 (en) | 1987-04-15 |
Family
ID=21193938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853943388A SU1304077A1 (en) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | Store for matrix bubble storage unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1304077A1 (en) |
-
1985
- 1985-06-11 SU SU853943388A patent/SU1304077A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент 4221000 (US), кл. 365/2, 1980. IBM Research Report RG 6340, 1977. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB789096A (en) | Drive current generator for memory arrays | |
SU1304077A1 (en) | Store for matrix bubble storage unit | |
US3283313A (en) | Thin film magnetic register | |
SU1425781A1 (en) | Memory drive | |
SU1275538A1 (en) | Storage unit for storage | |
JPS63195896A (en) | Dynamic ram device for multivalued storage | |
SU1325560A1 (en) | File for domain memory | |
Lee | Associative techniques with complementing flip-flops | |
SU1107175A1 (en) | Information store | |
US3478333A (en) | Magnetic memory system | |
US3568169A (en) | Duplex cycle for 2-d film memories | |
SU1325561A1 (en) | File for domain memory | |
US3038148A (en) | Apparatus for increasing the storage capacity of a magnetic drum | |
SU1392594A1 (en) | Single-bit stack | |
US5305255A (en) | Non-destructive readout ferroelectric memory cell | |
SU678535A1 (en) | Storage | |
SU1307577A1 (en) | Matrix switching device | |
US3419855A (en) | Coincident current wired core memory for computers | |
SU395898A1 (en) | STORAGE RECORDER DEVICE | |
US3351923A (en) | Coincident current inhibit system | |
SU1328846A2 (en) | Drive for magnetic bubble domain storage | |
SU875457A1 (en) | Accumulator for storage | |
JPS6160506B2 (en) | ||
SU733021A1 (en) | Memory device | |
SU1278978A1 (en) | Read-only memory with overwriting information |