SU1275538A1 - Storage unit for storage - Google Patents

Storage unit for storage Download PDF

Info

Publication number
SU1275538A1
SU1275538A1 SU843822668A SU3822668A SU1275538A1 SU 1275538 A1 SU1275538 A1 SU 1275538A1 SU 843822668 A SU843822668 A SU 843822668A SU 3822668 A SU3822668 A SU 3822668A SU 1275538 A1 SU1275538 A1 SU 1275538A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
information
additional
registers
main
cmd
Prior art date
Application number
SU843822668A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Геннадий Филиппович Нестерук
Валерий Филиппович Нестерук
Владимир Тимофеевич Гиль
Виктор Ильич Потапов
Наталья Робертовна Легоцкая
Original Assignee
Омский политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Омский политехнический институт filed Critical Омский политехнический институт
Priority to SU843822668A priority Critical patent/SU1275538A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1275538A1 publication Critical patent/SU1275538A1/en

Links

Landscapes

  • Digital Magnetic Recording (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранени  дискретной информации,Целью изобретени   вл етс  повышение отказоустойчивости накопител  дл  запо . минающего устройства. Накопитель дл  запоминающего устройства содержит слой магнитоодноосного материала с цилиндрическими 4arнитными доменами (ЦМД), на поверхности которого расположены регистры хранени  информации , взаимосв занные через основной регистр ввода информации с основным генератором ЦЬЩ и через дополнительные регистры ввода информации - с дополнительными генераторами ЦМД. Регистры зфанени  информации свАзаны также через переключатели-репликаторы ЦМД с основными и дополнительными регистрами вйвода информации, коi торые соединены с элементом считывани  ЦМД. Регистры ввода информации магнитосв заны с соответствующими С аннигил торами. 1 ил.The invention relates to computing and can be used in the construction of discrete information storage devices. The aim of the invention is to increase the resiliency of the drive for the software. mining device. The storage device contains a layer of a magnetically uniaxial material with cylindrical 4-unit domains (CMD), on the surface of which are located information storage registers interconnected through the main information input register with the main generator TsBT and through additional information-input registers with additional generators of the CMD. Information registers are also connected via CMD replicator switches-replicators with main and additional information input registers, which are connected to the CMD reading element. The information input registers are magnetized with the corresponding annihilators. 1 il.

Description

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации.The invention relates to computer technology and can be used to build discrete information storage devices.

Цель изобретения - повышение отказоустойчивости накопителя для запоминающего устройства.'The purpose of the invention is to increase the fault tolerance of the drive for the storage device. '

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого накопителя.The drawing shows a schematic diagram of the proposed drive.

Накопитель для запоминающего устройства содержит слой 1 магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) 2, на поверхности которого расположены регистры 3 хранения информации, взаимосвязанные через основной регистр 4 ввода информации с основным генератором 5 ЦМД и через дополнительные регистры 6 ввода информации - с дополнительными генераторами 7 ЦМД. Регистры 3 хранения информации связаны также через переключатели-репликаторы 8 ЦМД с основным 9 и дополнительными 10 регистрами вывода информации, которые соединены с элементом 11 считывания ЦМД, Регистры 4 и 6 ввода информации магнитосвязаны с соответствующими аннигиляторами 12 ЦМД.The storage device for the storage device contains a layer 1 of magnetically uniaxial material with cylindrical magnetic domains (DEM) 2, on the surface of which there are information storage registers 3, interconnected through the main information input register 4 with the main DTM generator 5 and through additional information input registers 6 with additional generators 7 CMD. The information storage registers 3 are also connected through the DTM switch-replicators 8 to the main 9 and additional 10 information output registers, which are connected to the CMD reading element 11, Information input registers 4 and 6 are magnetically connected to the corresponding CMD annihilators 12.

Предлагаемый накопитель работает следующим образом.The proposed drive operates as follows.

При записи управляющие сигналы в виде импульса тока поступают на выводы основного 5 и дополнительных 7 генераторов ЦМД в соответствии со значением разрядов записываемого слова данных. Слово данных вводится в основной 4 и дополнительные 6 регистры ввода. При этом в токопроводящую шину аннигиляторов 12 ЦМД подаются импульсы тока, уничтожающие (к-1) разрядов слова данных в каждом 1~м регистре 6 ввода (0 < i £ к). При поступлении разряда а0 в (к-1)-й дополнительный регистр 6 ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется параллельный ввод слова данных из основного 4 и дополнительных 6 регистров ввода информации в регистры 3 хранения информации.When recording, control signals in the form of a current pulse are supplied to the terminals of the main 5 and additional 7 CMD generators in accordance with the value of the bits of the recorded data word. The data word is entered in the main 4 and additional 6 input registers. At the same time, current pulses are sent to the conductive bus of the annihilators 12 of the CMD, which destroy (k-1) bits of the data word in each 1 ~ m input register 6 (0 <i £ k). When discharge a 0 arrives at the (k-1) -th additional input register 6, current pulses are not supplied to the annihilator busbar and data word from the main 4 and additional 6 information input registers are entered into information storage registers 3 in parallel.

При считывании информации слово данных, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, попадает в переключатели-репликаторы 8 ЦМД и переводится импульсом тока отрицательной полярности, посыпаемым в токопроводящую шину переключателей—реп1275538 2 ликаторов 8 ЦМД из регистров хранения информации в основной 9 и дополнительные 10 регистры вывода ЦМД, Разряды считанного блока последова5 тельно поступают в элемент 11 считывания ЦМД за счет того, что разрядность каждого i-го дополнительного регистра 10 вывода ЦМД больше разрядности основного регистра 7выво10 да ЦМД на (k-i) разрядов.When reading information, the data word, moving through the information storage registers 3, enters the 8 CMD switches-replicators 8 and is translated by a current pulse of negative polarity sprinkled into the conductive bus of the switches — rep 1275538 2 CMD 8 liquors from the information storage registers into the main 9 and additional 10 output registers CMD, The discharges of a read block sequentially arrive at the CMD reading element 11 due to the fact that the capacity of each i-th additional register 10 of the output of the CMD is greater than the capacity of the main register RA 7vyvo10 and TsMD on (k-i) categories.

Claims (1)

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении устройств хра нени  дискретной информации. Цель изобретени  - повьшение отказоустойчивости накопител  дл  запоминающего устройства. На чертеже изображена принципиал на  схема предлагаемого накопител . Накопитель дл  запоминающего уст ройства содержит слой 1 магнитоодно осного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) 2, на поверхности которого расположены регистры 3 хранени  информации, взаимосв занные через основной регистр 4 ввода информации с основным генератором 5 ЦМД и через дополнительны регистры 6 ввода информации - с дополнительными генераторами 7 ЦМД. Регистры 3 хранени  информации св заны также через переключатели-репликаторы 8 ЦМД с основным 9 и допол нительными 10 регистрами вывода информации , которые соединены с элементом 11 считывани  ЦМД, Регистры 4 и 6 ввода информации магнитосв заны с соответствукщими аннигил торами 12 ЦМД. Предлагаемьй накопитель работает следующим образом. При записи управл ющие сигналы в виде импульса тока поступают на выводы основного 5 и дополнительных 7 генераторов ЦМД в соответствии со значением разр дов записываемого сло ва данных. Слойо данных вводитс  в основной 4 и дополнительные 6 регист ры ВЕюда. При этом в токопроЬод щую шину аннигил торов 12 ЦМД подаютс  импульсы тока, уничтожающие (k-1) разр дов слова данных в каждом i-м регистре 6 ввода (). При поступл€ нии разр да а в (k-1)-и дополнительный регистр 6 ввода импульсы тока в токопровод щую шину аннигил тора не подаютс  и осуществл етс  па раллельный ввод слова данных из основного 4 и дополнительных 6 регистров ввода информации в регистры 3 хранени  информации. При считывании информации слово данных, продвига сь по регистрам 3 хранени  информации, попадает в переключатели-репликаторы 8 ЦМД и переводитс  импульсом тока отрицатель ной пол рности, посьшаемым в токопровод щую шину переключателей-реп382 ликаторов В ЦМД из регистров хранени  информации в основной 9 и дополнйтельные 10 регистры вывода ЦМД. Разр ды считанного блока последовательно поступают в элемент 11 считывани  ЦМД за счет того, что разр дность каждого i-ro дополнительного регистра 10 вывода ЦМД больше разр дности основного регистра 7вьгаода ЦВД на (k-i) разр дов. Формула изобретени  Накопитель дл  запоминающего устройства , содержащий слой магнитоодноосного материала, на поверхности которого расположены регистры хранени  информации, основной регистр ввода информации, соединенный с основным генератором цилиндрических магнитных доменов, основной регистр вывода информации, соединенный с элементом считывани  цилиндрических магнитных доменов, и переключатели-репликаторы цилиндрических магнитных доменов, отличающийс  тем, что, с целью повьш1ени  отказоустойчивости он содержит (k-1) допол нительных регистров ввода информации, где k - разр дность страницы информации , (k-1) дополнительных регистров вывода информации, (k-1) дополнительных генераторов цилиндрических магнитных доменов и k аннигил торов цилиндрических магнитных доменов, один регистр хранени  информации соединен с основным, а другие регистры хранени  информации - соответственно с одним из дополнительных регистров ввода информации и через переключатели-репликаторы цилиндрических магнитных доменов - соответственно с одним из дополнительных регистров вывода информации, каждый дополнительный регистр ввода информации соединен с соответствующим дополнительным генератором цилиндрических магнитных доменов, а каждый дополнительный регистр вывода информации соединен с элементом считывани  цилиндрических магнитных доменов, основной и каждый из дополнительных регистров ввода информации магнитосв зан с соответствующим аннигил тором цилиндрических магнитных доменов, причем разр дность каждого i-ro дополнительного регистра ввода информации, , больше разр дности основного регист312755384The invention relates to computing and can be used to construct devices for storing discrete information. The purpose of the invention is to increase the fault tolerance of the storage device for the storage device. The drawing shows the principle on the scheme of the proposed drive. The drive for the storage device contains a layer 1 of a magnetically one-axis material with cylindrical magnetic domains (CMD) 2, on the surface of which are located the information storage registers 3 interconnected through the main information input register 4 with the main information generator 5 and with additional 7 CMD generators. The information storage registers 3 are also connected via replicators 8 CMD switches with the main 9 and additional 10 information output registers, which are connected to the CMD reading element 11, Information input registers 4 and 6 are connected to the corresponding CMD annihilators. The proposed drive works as follows. When recording, the control signals in the form of a current pulse arrive at the outputs of the main 5 and additional 7 CMD generators in accordance with the value of the bits of the data layer to be written. The data layer is entered into the main 4 and additional 6 registers of the VEUID. In this case, current pulses are applied to the current-carrying bus of the CMD annihilators 12 CMD, which destroy (k-1) bits of the data word in each i-th input register 6 (). When a bit a (k-1) -and additional register 6 is entered, current pulses are not fed into the conductor bus of the annihilator, and a word word is entered from the main 4 and additional 6 data-input registers into the storage registers 3. information. When reading information, the data word, promoted through the information storage registers 3, enters the CMD replicators 8 and is converted by a negative polarity current pulsed into the current bus of the replica switches 82 of the modulators In the CMD from the information storage registers to the main 9 and additional 10 CMD output registers. The bits of the read block are successively entered into the CMD read element 11 due to the fact that the width of each i-ro additional register 10 of the CMD output is greater than the width of the main register of the CVP on (k-i) bits. The invention Storage device for a storage device containing a layer of a magnetically uniaxial material, on the surface of which information storage registers are located, a main information input register connected to a main generator of cylindrical magnetic domains, a main information output register connected to a read element of cylindrical magnetic domains, and replicators switches cylindrical magnetic domains, characterized in that, in order to increase the fault tolerance, it contains (k-1) information input registers, where k is the information page size, (k-1) additional information output registers, (k-1) additional generators of cylindrical magnetic domains and k annihilators of cylindrical magnetic domains, one register of information storage is connected to the main one, and other registers of information storage — respectively, with one of the additional registers of information input and via switches-replicators of cylindrical magnetic domains — respectively with one of the additional registers of information output Each additional information input register is connected to a corresponding additional generator of cylindrical magnetic domains, and each additional information output register is connected to a read element of cylindrical magnetic domains, the main one and each of the additional information input registers are magnetized with a corresponding annihilator of cylindrical magnetic domains, and the number of each i-ro additional register for entering information, is greater than the size of the main register312755384 pa на L разр дов, разр дность каждо- дов, а дополнительные генераторы циго i-ro регистра вьгеода информации линдрических магнитных доменов соедибольше разр дности основного регист- нены последовательно с основным генера вывода информации на (k-i) разр - ратором..pa for L bits, the bit width of each, and additional generators of the qigo i-ro register for the information of the lindric magnetic domains and the highest bit of the main register are registered sequentially with the main generator of information output by the (k-i) bit. DDDDDD
SU843822668A 1984-12-11 1984-12-11 Storage unit for storage SU1275538A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843822668A SU1275538A1 (en) 1984-12-11 1984-12-11 Storage unit for storage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843822668A SU1275538A1 (en) 1984-12-11 1984-12-11 Storage unit for storage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1275538A1 true SU1275538A1 (en) 1986-12-07

Family

ID=21150597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843822668A SU1275538A1 (en) 1984-12-11 1984-12-11 Storage unit for storage

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1275538A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка DE № 2649310, кл. G 11 С 19/08,. опублик. 1981. Патент US № 3999172, кл. 340-174, опублик. 1980. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004854B1 (en) Semiconductor memory device
US4295205A (en) Solid state mass memory system compatible with rotating disc memory equipment
KR960015230A (en) Semiconductor memory
KR930006722A (en) Semiconductor memory and its output control method
SU1275538A1 (en) Storage unit for storage
ATE67892T1 (en) INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY.
SU1425781A1 (en) Memory drive
SU1304077A1 (en) Store for matrix bubble storage unit
WO1980002888A1 (en) Magnetic bubble domain organization using double period input/output devices
SU1325560A1 (en) File for domain memory
SU1322256A1 (en) Device for sorting information
SU809376A1 (en) Associative storage element
SU1328846A2 (en) Drive for magnetic bubble domain storage
SU1022216A1 (en) Device for checking domain storage
SU1265856A1 (en) Control device for domain memory
JPS556957A (en) Multiplex parallel-serial conversion system using memory
SU429466A1 (en) STORAGE DEVICE
US4198690A (en) Magnetic bubble domain memory device with integrated buffer
SU600739A1 (en) Counter keeping information at power supply breaks
SU1307577A1 (en) Matrix switching device
SU1451773A1 (en) Associative-address on-line storage
SU619964A1 (en) Magnetic storage
SU1501055A1 (en) Arrangement for dynamic conversion of address
SU849301A1 (en) Storage
SU1238153A1 (en) Ferroacoustic storage