SU1275538A1 - Storage unit for storage - Google Patents
Storage unit for storage Download PDFInfo
- Publication number
- SU1275538A1 SU1275538A1 SU843822668A SU3822668A SU1275538A1 SU 1275538 A1 SU1275538 A1 SU 1275538A1 SU 843822668 A SU843822668 A SU 843822668A SU 3822668 A SU3822668 A SU 3822668A SU 1275538 A1 SU1275538 A1 SU 1275538A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- information
- additional
- registers
- main
- cmd
- Prior art date
Links
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранени дискретной информации,Целью изобретени вл етс повышение отказоустойчивости накопител дл запо . минающего устройства. Накопитель дл запоминающего устройства содержит слой магнитоодноосного материала с цилиндрическими 4arнитными доменами (ЦМД), на поверхности которого расположены регистры хранени информации , взаимосв занные через основной регистр ввода информации с основным генератором ЦЬЩ и через дополнительные регистры ввода информации - с дополнительными генераторами ЦМД. Регистры зфанени информации свАзаны также через переключатели-репликаторы ЦМД с основными и дополнительными регистрами вйвода информации, коi торые соединены с элементом считывани ЦМД. Регистры ввода информации магнитосв заны с соответствующими С аннигил торами. 1 ил.The invention relates to computing and can be used in the construction of discrete information storage devices. The aim of the invention is to increase the resiliency of the drive for the software. mining device. The storage device contains a layer of a magnetically uniaxial material with cylindrical 4-unit domains (CMD), on the surface of which are located information storage registers interconnected through the main information input register with the main generator TsBT and through additional information-input registers with additional generators of the CMD. Information registers are also connected via CMD replicator switches-replicators with main and additional information input registers, which are connected to the CMD reading element. The information input registers are magnetized with the corresponding annihilators. 1 il.
Description
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации.The invention relates to computer technology and can be used to build discrete information storage devices.
Цель изобретения - повышение отказоустойчивости накопителя для запоминающего устройства.'The purpose of the invention is to increase the fault tolerance of the drive for the storage device. '
На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого накопителя.The drawing shows a schematic diagram of the proposed drive.
Накопитель для запоминающего устройства содержит слой 1 магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) 2, на поверхности которого расположены регистры 3 хранения информации, взаимосвязанные через основной регистр 4 ввода информации с основным генератором 5 ЦМД и через дополнительные регистры 6 ввода информации - с дополнительными генераторами 7 ЦМД. Регистры 3 хранения информации связаны также через переключатели-репликаторы 8 ЦМД с основным 9 и дополнительными 10 регистрами вывода информации, которые соединены с элементом 11 считывания ЦМД, Регистры 4 и 6 ввода информации магнитосвязаны с соответствующими аннигиляторами 12 ЦМД.The storage device for the storage device contains a layer 1 of magnetically uniaxial material with cylindrical magnetic domains (DEM) 2, on the surface of which there are information storage registers 3, interconnected through the main information input register 4 with the main DTM generator 5 and through additional information input registers 6 with additional generators 7 CMD. The information storage registers 3 are also connected through the DTM switch-replicators 8 to the main 9 and additional 10 information output registers, which are connected to the CMD reading element 11, Information input registers 4 and 6 are magnetically connected to the corresponding CMD annihilators 12.
Предлагаемый накопитель работает следующим образом.The proposed drive operates as follows.
При записи управляющие сигналы в виде импульса тока поступают на выводы основного 5 и дополнительных 7 генераторов ЦМД в соответствии со значением разрядов записываемого слова данных. Слово данных вводится в основной 4 и дополнительные 6 регистры ввода. При этом в токопроводящую шину аннигиляторов 12 ЦМД подаются импульсы тока, уничтожающие (к-1) разрядов слова данных в каждом 1~м регистре 6 ввода (0 < i £ к). При поступлении разряда а0 в (к-1)-й дополнительный регистр 6 ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется параллельный ввод слова данных из основного 4 и дополнительных 6 регистров ввода информации в регистры 3 хранения информации.When recording, control signals in the form of a current pulse are supplied to the terminals of the main 5 and additional 7 CMD generators in accordance with the value of the bits of the recorded data word. The data word is entered in the main 4 and additional 6 input registers. At the same time, current pulses are sent to the conductive bus of the annihilators 12 of the CMD, which destroy (k-1) bits of the data word in each 1 ~ m input register 6 (0 <i £ k). When discharge a 0 arrives at the (k-1) -th additional input register 6, current pulses are not supplied to the annihilator busbar and data word from the main 4 and additional 6 information input registers are entered into information storage registers 3 in parallel.
При считывании информации слово данных, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, попадает в переключатели-репликаторы 8 ЦМД и переводится импульсом тока отрицательной полярности, посыпаемым в токопроводящую шину переключателей—реп1275538 2 ликаторов 8 ЦМД из регистров хранения информации в основной 9 и дополнительные 10 регистры вывода ЦМД, Разряды считанного блока последова5 тельно поступают в элемент 11 считывания ЦМД за счет того, что разрядность каждого i-го дополнительного регистра 10 вывода ЦМД больше разрядности основного регистра 7выво10 да ЦМД на (k-i) разрядов.When reading information, the data word, moving through the information storage registers 3, enters the 8 CMD switches-replicators 8 and is translated by a current pulse of negative polarity sprinkled into the conductive bus of the switches — rep 1275538 2 CMD 8 liquors from the information storage registers into the main 9 and additional 10 output registers CMD, The discharges of a read block sequentially arrive at the CMD reading element 11 due to the fact that the capacity of each i-th additional register 10 of the output of the CMD is greater than the capacity of the main register RA 7vyvo10 and TsMD on (k-i) categories.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843822668A SU1275538A1 (en) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | Storage unit for storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843822668A SU1275538A1 (en) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | Storage unit for storage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1275538A1 true SU1275538A1 (en) | 1986-12-07 |
Family
ID=21150597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843822668A SU1275538A1 (en) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | Storage unit for storage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1275538A1 (en) |
-
1984
- 1984-12-11 SU SU843822668A patent/SU1275538A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
За вка DE № 2649310, кл. G 11 С 19/08,. опублик. 1981. Патент US № 3999172, кл. 340-174, опублик. 1980. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950004854B1 (en) | Semiconductor memory device | |
US4295205A (en) | Solid state mass memory system compatible with rotating disc memory equipment | |
KR960015230A (en) | Semiconductor memory | |
KR930006722A (en) | Semiconductor memory and its output control method | |
SU1275538A1 (en) | Storage unit for storage | |
ATE67892T1 (en) | INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY. | |
SU1425781A1 (en) | Memory drive | |
SU1304077A1 (en) | Store for matrix bubble storage unit | |
WO1980002888A1 (en) | Magnetic bubble domain organization using double period input/output devices | |
SU1325560A1 (en) | File for domain memory | |
SU1322256A1 (en) | Device for sorting information | |
SU809376A1 (en) | Associative storage element | |
SU1328846A2 (en) | Drive for magnetic bubble domain storage | |
SU1022216A1 (en) | Device for checking domain storage | |
SU1265856A1 (en) | Control device for domain memory | |
JPS556957A (en) | Multiplex parallel-serial conversion system using memory | |
SU429466A1 (en) | STORAGE DEVICE | |
US4198690A (en) | Magnetic bubble domain memory device with integrated buffer | |
SU600739A1 (en) | Counter keeping information at power supply breaks | |
SU1307577A1 (en) | Matrix switching device | |
SU1451773A1 (en) | Associative-address on-line storage | |
SU619964A1 (en) | Magnetic storage | |
SU1501055A1 (en) | Arrangement for dynamic conversion of address | |
SU849301A1 (en) | Storage | |
SU1238153A1 (en) | Ferroacoustic storage |