SU875457A1 - Accumulator for storage - Google Patents

Accumulator for storage Download PDF

Info

Publication number
SU875457A1
SU875457A1 SU802884927A SU2884927A SU875457A1 SU 875457 A1 SU875457 A1 SU 875457A1 SU 802884927 A SU802884927 A SU 802884927A SU 2884927 A SU2884927 A SU 2884927A SU 875457 A1 SU875457 A1 SU 875457A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
storage
information
accumulator
read
storage registers
Prior art date
Application number
SU802884927A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Леонидович Прохоров
Вячеслав Константинович Раев
Юрий Валентинович Федотов
Сергей Всеволодович Замковец
Original Assignee
Институт Электронных Управляющих Машин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронных Управляющих Машин filed Critical Институт Электронных Управляющих Машин
Priority to SU802884927A priority Critical patent/SU875457A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU875457A1 publication Critical patent/SU875457A1/en

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

(54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА(54) STORAGE DEVICE FOR STORING DEVICE

Изобретение относитс  к вычисли-i тельной технике и может быть использовано в запоминающих уст ройствах (ЗУ), в которых носител ми информации  вл ютс  цилиндрические магнитные домены (ЦМД). Известен накопитель дл  ЗУ, содержащий две группы кольцевых регистров хранени , в каждую из которых записаны соответст,венно нечетные и четны биты всех слов, хран  щхс  в чипе. Регистры хранени  каждой группы магнитосв заны с двум  каналами св зи, . по одному из которых осуществл етс  запись информации в регистры -хранени , а по другому - считывание информации из накопител  111 . Однако в известном накопителе с увеличением степени интеграции чипа пропорционально уменьшаетс  перма лоевый элемент переключени -репликации ЦМД, а вместе с ним и ширина токовых шин управлени  переключением и реплика цией ЦМДг существенно снижает по тенцисшьную емкость накопител , поскольку рассто ние между пр молинейными участками регистров хранени  пр этом увеличиваетс . Наиболее близким к предлагаемому техническим решением  вл етс  накопи тель дл  ЗУ, который содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены два канала запийи-считывани  информации и размещенные между ними регистры хранени  информации из ферромагнитных аппликаций, причем регистры хранени  нечетных разр дов информации магнитосв заны с одним каналом записи-считывани  информсщии, а регистры хранени  четных разр дов с другим. в известном накопителе два смежных регистра-хранени  информации объедин ютс  в один свернутый регистр. Рассто ние (по каналу св зи) ме.жду такими регистрами не измен етс  (составл ет два периода схемы продвижени ), а используемые пермаллоевые элементы переключени -репликации имеют в два раза большие линейные размеры, чем в накопительной части чипа, и соответственно в два раза более широкие шины управлени  21. Однако объединение смежных регистров хранени  в один длинный регистр в два раза увеличивает врем  поиска необходимой информации в накопителе , в два раза уменьшает длину информационной последовательности ЦМД, записываемой (считываемой) в накопитель ,в два аза уменьшает количество резервных регистров хранени , вводимых в накопитель.The invention relates to computing technology and can be used in storage devices (RAM) in which information carriers are cylindrical magnetic domains (CMD). There is a drive for a memory containing two groups of ring storage registers, each of which contains respectively odd and even bits of all the words stored in the chip. The storage registers of each group are magnetized with two communication channels,. according to one of which information is recorded in the storage registers, and the other reads information from the accumulator 111. However, in the known accumulator, with increasing chip integration degree, the perm cell switching element-replication of the CMD is proportionally reduced, and with it the width of the current bus control lines for switching and replication CMDg significantly reduces the potential capacity of the accumulator, since the distance between the straight sections of the storage registers this increases. The closest to the proposed technical solution is a storage device for a charger, which contains a magnetically uniaxial film, on which there are two channels for recording and reading information and information storage registers located between them from ferromagnetic applications, and the storage registers for odd information are magnetically coupled to one channel write-read information, and storage registers of even bits with another. In a known storage unit, two adjacent register-storage of information are combined into one collapsed register. The distance (along the communication channel) between such registers does not change (makes up two periods of the advancement scheme), and the permalloy switching elements-replications used are twice as large as the linear dimensions of the chip, and accordingly two control buses 21 times wider. However, combining adjacent storage registers into one long register doubles the search time for necessary information in the drive, twice reduces the length of the information sequence of the CMD being written (read my) into the drive, in two aza, reduces the number of backup storage registers entered into the drive.

Цель изобретени  - увеличение быстродействи  известного накопител  дл  ЗУ.The purpose of the invention is to increase the speed of a known storage device for storage.

Поставленна  цель достигаетс  путем того, что в нем регистры хранени  нечетных и четных разр дов расположены попеременно и выполнены Г-образной формы, причем их горизонтальные участки направлены навстречу друг другу и магнитосв заны с соответствук аими каналами записисчитывани  информации.The goal is achieved by the fact that in it the storage registers of odd and even bits are arranged alternately and are L-shaped, with their horizontal sections directed towards each other and magnetically connected with the corresponding writing channels of information.

На чертеже изображена принципиальна  схема предложенного накопител  дл  ЗУ.The drawing shows a schematic diagram of the proposed storage device for the memory.

Накопитель дл  ЗУ содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранени  нечетных 1 и четных 2 разр дов, магнитосв занные с каналами 3 и 4 записи-считывани  информации, с помощью репликаторов-переключателей ЦМД 5 и б, генераторы ЦМД нечетных 7 и четных 8 разр дов и датчики считывани  нечетных 9 и четных 10 разр дов.The drive for the charger contains a magnetically uniaxial film on which the storage registers of odd 1 and even 2 bits are located, magnetically connected to channels 3 and 4 of the information record-reading, using the CMD switch replicators 5 and b, the CMD generators of odd 7 and even 8 bits Dov and sensors read odd 9 and even 10 bits.

Накопитель дл  ЗУ работает следующим образом.The drive for the memory works as follows.

Генератор 7 ЦМД формирует нечетные , а генератор 8 ЦМД - четные разр ды записываемой в накопитель информационной последовательности ЦМДЧерез определенное количество тактов управл ющего магнитного пол  (равное в периодах управлени  половине длины регистра хранени ) эта информаци  переключаетс  с помощью репликаторовпереключателей 5 и б в регистры 1 и 2 хранени . В режиме считывани  необходима  информационна  последовательность ЦМД переключаетс  (разрушающее считывание) или реплицируетс  (неразрушающее считывание) в каналы записисчитывани  3 и 4 и проходит к датчикам 9 и 10 считывающего устройства. По сравнению с известным предложенный накопитель в два раза увеличивает быстродействие накопител ; в два раза увеличивает длину информационной последовательности ЦВД, записываемой (считываемой) в чип; в два раза увеличивает количество резервных регистров хранени  увеличивает процент выхода.годных за счет уменьшенной в два раза длины регистров хранени .The CMD generator 7 generates odd numbers, and the CMD generator 8 generates even bits of the information sequence recorded in the accumulator of the CMDC. 2 storage. In the read mode, the necessary information sequence of the CMD is switched (destructive read) or replicated (non-destructive read) to the read / read channels 3 and 4 and passes to the sensors 9 and 10 of the reader. In comparison with the known, the proposed drive doubles the speed of the drive; doubles the length of the information sequence of a CVP to be written (read) to the chip; doubles the number of backup storage registers and increases the percentage of output available by reducing the storage registers twice.

Claims (2)

1.Патент США 4075611, кл. 340-174,опублик. 19.78.1. US patent 4075611, cl. 340-174, pub. 19.78. 2.IEEE Trans. Magn. V.MAG - 15, 6, 1979, p. 1692 (прототип).2.IEEE Trans. Magn. V.MAG - 15, 6, 1979, p. 1692 (prototype).
SU802884927A 1980-02-18 1980-02-18 Accumulator for storage SU875457A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802884927A SU875457A1 (en) 1980-02-18 1980-02-18 Accumulator for storage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802884927A SU875457A1 (en) 1980-02-18 1980-02-18 Accumulator for storage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU875457A1 true SU875457A1 (en) 1981-10-23

Family

ID=20878788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802884927A SU875457A1 (en) 1980-02-18 1980-02-18 Accumulator for storage

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU875457A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2802203A (en) Magnetic memory system
KR930014577A (en) Semiconductor memory
US5892724A (en) NAND-type dynamic RAM having temporary storage register and sense amplifier coupled to multi-open bit lines
SU875457A1 (en) Accumulator for storage
US3191163A (en) Magnetic memory noise reduction system
JP4310439B2 (en) Exclusive-OR type functional memory
US4263661A (en) Magnetic bubble domain organization using double period input/output devices
SU728157A1 (en) Storage
SU1107175A1 (en) Information store
SU920839A1 (en) Storage module
SU1325560A1 (en) File for domain memory
SU1325561A1 (en) File for domain memory
SU1425781A1 (en) Memory drive
SU1304077A1 (en) Store for matrix bubble storage unit
SU963099A1 (en) Logic storage device
US3419855A (en) Coincident current wired core memory for computers
SU1275538A1 (en) Storage unit for storage
SU982091A1 (en) Store for associative memory
SU1287230A1 (en) Information store for bubble storage
SU1328846A2 (en) Drive for magnetic bubble domain storage
SU481939A1 (en) Memory device
JPS6069891A (en) Semiconductor memory device
SU920838A1 (en) Storage
SU809374A1 (en) Magnetic change-over switch
SU1101897A1 (en) Read-only memory