Claims (2)
2Q модул . С учетом потерь площади пленки на организацию дешифраторов- обща емкость модул составит величину пор дка 10 бит. Кроме того, следует учесть и тот факт, что магнитоодноосные пленки-носители ЦМД (как и вообще промышленно производимые кристаллы) выпускаютс со стандартизированными линейными размерами, вне зависимости от того, какой тип доступа к информации (последовательно-параллельный или произвольный) будет в создаваемом ЗУ реализован. На магнитоодноосной пленке такого размера в насто щее врем при реализации последователььо-параллельного доступа может быть размещено пор дка бит информации. При этом вс поверхность пленки зан та каналами продвижени ЦМД, а при реализации произвольного доступа (как было указано) вследствие ограничени на общую емкость модул на пленке может быть размещено пор дка 10 бит информации , причем в этом случае не более 50% пленки будет зан то каналами продвижени ЦМД (сюда же входит и дещифратор). Следовательно, результирующее значение плотности записи информации в м.одуле с произвольным доступом почти в дес ть разменьще , чем в модуле ЗУ, с последовательно-параллельной выборкой информации. Следствием такого уменьщени плотности записи информации витс увеличение физического объема ЗУ, собранного из таких модулей, в 10- 100 раз и не менее, чем дес тикратное увеличение стоимости ЗУ по сравнению с ЗУ с послёдовательно-параллельной выборкой информации . Таким образом, доменные ЗУ,, реализованные на основе известных модулей , могут потер ть преимущества, присущие доменным ЗУ вообще (высока плотность записи информации, малые габариты, .низка удельна стоимость и т.д.), по отнощению к ЗУ, создаваемым на основе других типов элементной базы, использующих физические влени в твердом теле, в частности, по отнощению к по упроводниковым ЗУ, и следовательно , модули не могут быть использованы дл построени внещних накопителей емкостью 10 - 10 бит информации, где применение доменной технологии дает наибольщий эффект. В результате область применени известнь1х модулей ЗУ ограничиваетс буферными накопител ми дискретной информации и накопител ми терминальных устройств вычислительных систем, где требуема емкость обычно лежит в диапазоне 10 10 бит. Цель изобретени - расщирение области применени запоминающего модул на ЦМД. Поставленна цель достигаетс тем, что запоминающий модуль, содержащий магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположены дещифратор, выходы которого подключены к адресным компрессорам и,МД, динамические ловущки ЦМД, кажда из которых подключена к одному из адресных и одному из разр дных компрессоров ЦМД через переключатели ЦМД, дополнительные компрессоры ЦМД, соединенные с разр дными компрессорами и разр дньши аннигил торами и магнитосв занные с последова-тельно соединенными между собой магщторезисторными датчиками, содержит дополнительно 2N-f-l (где N - число запоминающих слов) управл емых переключателей цилиндрических магнитных доменов, регистр сдвига, управл емый генератор и два аннигил тора ЦМД, N кольцевых регистров сдвига ЦМД, N дополнительных динамических ловущек ЦМД и N управл емых репликаторов ЦМД, причем каждый из N кольцевых регистров сдвига через последовательно соединенные управл емый переключатель ЦМД дополнительную динамическую ловушку и управл емый репликатор ЦМД подключен к соответствующему входу дещифратора, а генератор ЦМД через управл емый переключатель подключен к второму аннигил тору ЦМД и к входу регистра сдвига, который последовательно соединен с первым аннигил тором ЦМД и через N управл емых переключателей ЦМД подключен к N кольцевым регистрам сдвига ЦМД. На фиг. 1 изображена принцициальна схема запоминающего модул ; на фиг. 2 показана конструкци объединенных динамической ловущки и репликатора ЦМД. Предлагаемый запоминающий модуль содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположены первый аннигил тор 1 ЦМД, переключате/1и 2 ЦМД, кольцевые регистры 3 сдвига ЦМД, динамические ловущки 4 ЦМД, репликаторы 5 ЦМД, объединенные динамическа ловущка и репликатор 6 ЦМД, дещифратор 7, накопитель 8 с произвольной выборкой информации, гег нератор 9 ЦМД, регистр 10 сдвига ЦМД, щины 11 и 12 управлени переключател ми ЦМД, щина 13 управлени репликаторами ЦМД, щины 14 управлени дещифратором , разр дны е щины 15 накопител , управл емый переключатель 16 ЦМД и второй аннигил тор 17 ЦМД. Предлагаемый запоминающий модуль функционирует следующим образом. Считывание информации из модул производитс только через накопитель 8, поэтому ничем не отличаетс от процесса считывани в известном устройстве за исключением того, что вместо генераторов путем подачи тока в щину 13 возбуждаютс репликаторы 5. Процесс репликации в данном случае аналогичен процессу генерации ЦМД в известном устройстве, поскольку в дина .мических ловущках 4 всегда наход тс ЦМД, введенные в эти ловущки перед подготовкой устройства к работе. Репликатор образован ферромагнитными аппликаци ми 18 и 19 динамической ловущки (см. фиг. 2), между которыми пропущена токова щина 13. Репликаци производитс путем подачи тока в щину 13, когда вектор Н магнитного пол управлени продвижением ЦМД совпадает с направлением Е стрелки S и, соответственно, ЦМД выт гиваетс , превраща сь в полосовой домен. кра которого располагаютс под ферромагнитными аппликаци ми 18 и 19. Запись информации в модуль может быть произведена как непосредственно в накопитель 8, так и в кольцевые регистры 3, из которых информаци впоследствии быть переведена в накопитель 8 дл дальнейшего ее считывани . Процессы записи информации непосредственно в накопитель 8 и перевода информации в «акопитель 8 из кольцевых регистров 3 полностью аналогичны процессу записи информации в известном устройстве с той лишь разницей, что при записи информации непосредственно в Н9копитель.8 вместо генераторов ,-как это имело место в известном устройстве , возбуждаютс путем подачи тока в шину 13 репликаторы 5 ЦМД, а при переводе информации из кольцевых регистров 3 в накопитель 8 в процессе подачи тока в шину 12 срабатывают переключатели 2, ток в шину 13 в этом случае не подаетс . Запись информации в кольцевые регистры 3 осушествл етс путем ввода ЦМД, поступивших из генератора 9, через управл емый переключатель 16 в регистр 10, откуда они через переключатели 2 ЦМД ввод тс непосредственно в регистры 3. Конструкци ключей 16 и 2 принципиального значени не имеет и поэтому в насто щем описании- не представл етс . Дл описани процесса записи информации в кольцевые регистрь 3 важно указать только фазу подачи тока в разр дную шину 15, вл ющуюс одновременно шиной управлени переключателем 16. Из фиг. 2 видно, чтд при записи информации в регистры 3 необходимо возбудить (подать ток) шину 13, в результате чего на выходе репликаторов 5 и генератора 9 по в тс ЦМД. Если шины 14 и шины 15 не возбуждены, то ЦМД из репликаторов 5 проход т через-адресные компрессоры в накопитель 8 и попадают в аннигил торы, установленные на выходе адресных компрессоров . То же самое происходит и с ЦМД, который по вилс на выходе генератора 9. Этот ЦМД, пройд через переключатель 16, попадет в аннигил тор 17. Если же соответствующа разр дна шина 15 возбуждена, то ЦМД, поступивший с выхода генератора 9, мен ет свое направление и переходит в регистр (канал продвижени ) 10. Таким образом, в пределах одного такта работы устройства процесс записи, информации в регистры 3 не пересекаетс с процессом записи информации в запоминающие чейки накопител 8, поскольку последний осуществл етс при возбуждении шины 15 в предыдущей четверти периода оборота пол управлени , т.е. когда вектор Ну поворачиваетс из положени «В в положение «С. Предлагаема конструкци запоминающего модул выгодно отличаетс от извест-, ной, так как позвол ет создать доменные ЗУ с плотностью записи информации, практически равной плотности информации в ЗУ с последовательной выборкой информации, и временем выборки, практически равным времени выборки из ЗУ с произвольным доступом . Таким образом; предложенные модули в отличие от известных могут быть использованы не только дл построени буферных накопителей информации и накопителей терминальных устройств, но и дл построени внешних накопителей информации цифровых вычислительных систем. Кроме того, применение предлагаемого запоминающего модул позвол ет снизить стоимость быстродействующих доменных ЗУ, поскольку практически при том же среднем значении времени выборки информации, что и в известном устройстве плотность записи информации в предлагаемом модуле в 5-10 раз выше по сравнению, с известными устройствами. Формула изобретени Запоминающий модуль, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены дешифратор, выходы которого подключены к адресным компрессорам цилиндрических магнитных доменов, динамические ловушки цилиндрических магнитных доменов , кажда из которых подключена к одному из адресных и одному из разр дных компрессоров цилиндрических магнитных доменов через переключатели цилиндрических магнитных доменов, дополнительные компрессоры цилиндрических магнитных доменов, соединенные с разр дными компрессорами и разр дными аннигил торами и магнитосБ занные с последовательно соединенными между собой магниторезисторными датчиками, отличающийс тем, что, с целью расширени области применени устройства, оно содержит дополнительно 2N+1 (где N - число запоминаемых слов) управл емых переключателей цилиндрических магнитных доменов, регистр сдвига, управл емь1Й генератор и два аннигил тора цилиндрических магнитных доменов, N кольцевых регистров сдвига цилиндрических магнитных доменов, N дополнительных динамических ловушек цилиндрических магнитных доменов и N управл емых репликаторов цилиндрических магнитных доменов, причем каждый из N кольцевых регистров сдвига через последовательно соединенные управл емый переключатель цилиндрических магнитных доменов, дополнительную динамическую ловушку и управл емый репликатор цилиндрических магнитных доменов подключен к соответствующему входу дешифратора, а генератор цилиндрических магнитных доменов через управл емый переключательподключен к второму аннигил тору цилиндрических магнитных доменов и к входу регистра сдвига, который последовательно соединен с первым аннигил тором цилиндрических магнитных доменов .и через N управл емых переключателей цилиндрических магнитных доменов подключен к N кольцевым регистрам сдвига цилиндрических магнитных доменов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР по за вке № 2476359/18-24, кл. G 11 С 11/14, 1977. 2Q module Taking into account the loss of film area on the organization of the decoders, the total capacity of the module will amount to about 10 bits. In addition, it should be taken into account that the magnetically uniaxed carrier films of CMD (as well as industrially produced crystals) are produced with standardized linear dimensions, regardless of what type of information access (serial-parallel or arbitrary) will be in the created memory implemented. On a magnetically uniaxial film of this size, at the present time, when implementing sequential parallel access, an order of bits of information can be placed. At the same time, the entire surface of the film is occupied by the promotion channels of the CMD, and when implementing random access (as mentioned) due to the restriction on the total capacity of the module, about 10 bits of information can be placed on the film, and in this case no more than 50% of the film will be promotion channels CMD (here also includes a descrambler). Consequently, the resulting value of the information recording density in the random access unit is almost ten less than in the storage unit, with a series-parallel selection of information. The consequence of such a decrease in the information recording density is that the increase in the physical volume of the memory collected from such modules is 10–100 times and not less than tenfold increase in the cost of the memory as compared to the memory with sequential-parallel selection of information. Thus, domain memory, implemented on the basis of known modules, may lose the advantages inherent in domain memory in general (high information recording density, small dimensions, low specific cost, etc.), in relation to memory created on the basis of other types of components that use physical phenomena in a solid, in particular, with respect to conductor storage, and therefore, the modules cannot be used to build external storage devices with a capacity of 10 to 10 bits of information, where the use of domain technology naibolschy effect. As a result, the field of application of known memory modules is limited by discrete information buffer accumulators and computing device terminal devices, where the required capacity usually lies in the range of 10 10 bits. The purpose of the invention is to expand the scope of the storage module on the CMD. The goal is achieved by the storage module containing a magnetically uniaxial film with CMD, on which a decipheror is located, the outputs of which are connected to address compressors and, MD, dynamic hooks of CMD, each of which is connected to one of the address CMD compressors CMD switches, additional CMD compressors connected to discharge compressors and discharged with annihilators and magnetically coupled to series-connected magnetoresistor sensors interconnected um additionally 2N-fl (where N is the number of storage words) of controlled switches of cylindrical magnetic domains, shift register, controlled generator and two CMD annihilators, N CMD ring shift registers, N additional CMD dynamic traps and N controlled replicators of CMD, each of the N ring shift registers through a serially connected controlled switch CMD additional dynamic trap and controlled replicator CMD connected to the corresponding input of the descriptor, and the generator CMD through the pack Aulus by switch connected to the second bubble annihilation torus and to the input of the shift register, which is connected in series with the first bubble and annihilation torus through N CMD controlled switches connected to a ring N shift registers CMD. FIG. 1 shows a schematic diagram of a storage module; in fig. Figure 2 shows the design of the combined dynamic trap and CMD replicator. The proposed storage module contains a magnetically uniaxial film with CMD, on which the first CMD annihilator 1 is located, switch / 1 and 2 CMD, circular CMD shift registers 3, CMD dynamic traps 4 CMD, replicators 5 CMD, combined dynamic trap and replicator 6 CMD, decipher 7, drive 8 with a random selection of information, the generator of the CMD 9, the shift register 10 of the CMD, the CMD switch 11 and 12 control switches, the CMD replicator control strip 13, the CMD control switch 14, the drive control pulley 15, the switchable control Spruce 16 CMD and second annihilator 17 CMD. The proposed storage module operates as follows. Information is read from the module only through the accumulator 8, therefore it is no different from the reading process in the known device, except that instead of generators replicators 5 are energized by supplying current to the bar 13. The replication process in this case is similar to the process of generating the CMD in the known device, since in the dynamic trap 4, there are always CMD introduced into these traps before preparing the device for operation. The replicator is formed by ferromagnetic applications 18 and 19 of the dynamic trap (see Fig. 2), between which current 13 is passed. Replication is carried out by applying current to pin 13 when the vector H of the magnetic field controlling the advancement of the CMD coincides with the direction E of arrow S and, accordingly, the CMD is stretched, turning into a band domain. the edges of which are located under the ferromagnetic applications 18 and 19. The recording of information into the module can be made either directly into the drive 8 and into the ring registers 3, from which information can be subsequently transferred to the drive 8 for further reading. The processes of recording information directly into the drive 8 and transferring information into the storage unit 8 of the ring registers 3 are completely similar to the process of recording information in a known device with the only difference that when writing information directly to H9 storage 8 instead of generators, as was the case in the known the device is excited by applying current to the bus 13 replicators 5 CMD, and when translating information from the ring registers 3 to the drive 8 in the process of applying current to the bus 12 switches 2, the current to bus 13 in this case not served. Information is recorded in the ring registers 3 by inputting the CMD received from the generator 9 through the controlled switch 16 into the register 10, from where they are inserted through the switches 2 of the CMD directly into the registers 3. The design of the keys 16 and 2 has no fundamental meaning and therefore not described herein. In order to describe the process of recording information in the ring register 3, it is important to indicate only the phase of the current supply to the discharge bus 15, which is simultaneously the control bus of the switch 16. From FIG. 2 shows that when recording information in registers 3, it is necessary to excite (feed current) bus 13, as a result of which the output of the replicators 5 and the generator 9 is in TC of the CMD. If tires 14 and tires 15 are not excited, then CMD from replicators 5 pass through addressable compressors to drive 8 and enter annihilators installed at the output of address compressors. The same thing happens with the CMD, which is on the output of the generator 9. This CMD, having passed through switch 16, will fall into the annihilator 17. If the corresponding bit of the bus 15 is excited, then the CMD received from the output of the generator 9 changes its direction and goes to the register (advance channel) 10. Thus, within one cycle of operation of the device, the recording process, the information in registers 3 does not intersect with the process of recording information in the storage cells of drive 8, since the latter is carried out when the tire 15 is energized uschey quarter period turnover floor control, i.e. when the vector Well turns from position "B to position" C. The proposed construction of the storage module differs favorably from the known one, since it allows the creation of domain storage devices with a recording density of information that is almost equal to the information density in a storage device with sequential sampling of information, and a sampling time almost equal to the sampling time from random access storage. In this way; Unlike the known modules, the proposed modules can be used not only to build buffer storage devices and storage devices of terminal devices, but also to build external storage devices of digital computing systems. In addition, the use of the proposed storage module allows to reduce the cost of high-speed domain storage devices, since practically at the same average value of information sampling time as in a known device, the information recording density in the proposed module is 5-10 times higher than with known devices. Claims A memory module containing a magnetically uniaxial film with cylindrical magnetic domains on which a decoder is located, the outputs of which are connected to address compressors of cylindrical magnetic domains, dynamic traps of cylindrical magnetic domains, each of which is connected to one of the address and one of the cylindrical magnetic discharge compressors domains through switches cylindrical magnetic domains, additional compressors cylindrical magnetic domains, connect Ingeny with discharge compressors and discharge annihilators and magnetoscopic with magnetoresistor sensors connected in series with each other, characterized in that, in order to expand the application area of the device, it also contains 2N + 1 (where N is the number of memorized words) controllable switches cylindrical magnetic domains, shift register, control generator and two annihilators of cylindrical magnetic domains, N ring shift registers of cylindrical magnetic domains, N additional dynamic cylindrical magnetic domain traps and N controlled replicators of cylindrical magnetic domains, each of the N circular shift registers through a serially connected controlled switch of cylindrical magnetic domains, an additional dynamic trap and a controlled replicator of cylindrical magnetic domains are connected to the corresponding decoder input, and the cylindrical generator magnetic domains through a controlled switch connected to the second annihilator of cylindrical magnetic fields omenov and to the input of the shift register, which is connected in series with the first annihilator of cylindrical magnetic domains. And through N controlled switches of cylindrical magnetic domains it is connected to N ring shift registers of cylindrical magnetic domains. Sources of information taken into account in the examination 1. USSR author's certificate in application No. 2476359 / 18-24, cl. G 11 C 11/14, 1977.
2.Авторское свидетельство СССР по за вке № 2636403/18-24, кл. G 11 С 11/14, 1978 (прототип). ,2. USSR author's certificate for application No. 2636403 / 18-24, cl. G 11 C 11/14, 1978 (prototype). ,