SU1292038A1 - Накопитель информации и способ считывани информации из накопител - Google Patents

Накопитель информации и способ считывани информации из накопител Download PDF

Info

Publication number
SU1292038A1
SU1292038A1 SU853992823A SU3992823A SU1292038A1 SU 1292038 A1 SU1292038 A1 SU 1292038A1 SU 853992823 A SU853992823 A SU 853992823A SU 3992823 A SU3992823 A SU 3992823A SU 1292038 A1 SU1292038 A1 SU 1292038A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
coordinate
information
group
groups
magnetically
Prior art date
Application number
SU853992823A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Львович Куперман
Александр Сергеевич Болдырев
Борис Владимирович Мощинский
Марк Игоревич Чельдиев
Борис Константинович Костромской
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5489
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5489 filed Critical Предприятие П/Я М-5489
Priority to SU853992823A priority Critical patent/SU1292038A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1292038A1 publication Critical patent/SU1292038A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ, Целью изобретени   вл етс  упрощение накопител  информации , а также повышение быстродействи  способа считывани  информации из этого накопител . Накопитель информации содержит слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, пер-, пендикул рной его поверхности, в котором сформирована матрица запоминаю щих  чеек в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезис- тивного материала, изолирукнций слой 4 и вторую группу координатных шин 5, причем координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосв - занных с монодоменными област ми соответствующих строк и столбцов матрицы . Дл  считывани  информации из данного накопител  подают импульсы тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противополо:кных направлени х и регистрируют считанную информацию путем фиксации изменени  активного сопротивлени  соответствугацей координатной шины первой группы. 2 а.п. ф-лы, 2 ил. § (Л ФвИ

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ.
Целью изобретени   вл етс  упрощение накопител  информации, а также повьшшние быcтpoдeйcтJзи  способа считывани  информации из этого накопител  .
На фит, 1 изображена конструкци  накопител  информации; на фиг. 2- направлени  токов в координатньт шинах и направлени  намагниченности  чеек пам ти.
Нако.питель информации содержит слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, перпендикул рной его поверхности, в котором сформирована матрица запоминающих  чеек , в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезистивного материала (например, 80% Ni, 20% Ре) , :изолирующий слой 4 и вторую группу координатных шин 5, причем коорди натиые шины обоих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей , магнитосв занных с монодо™ менными обла,ст ми соответствующих строк и столбцов матрицы, причем зазор одноименными участками координатных шин составл ет 1-2 полупериода полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.
Накопитель информации работает следующим образом;
Пусть в  чейку А (фиг. 2) записываетс  и из  чейки А считываетс  код информации 1, а в  чейку Б записываетс  и из Б считываетс  код информации О. Направление намагниченности в  чейке пам ти , соответствующее хранению кода til II
JO
15
Считывание информации из накопител  в соответствии с рассматриваемым способом осуществл ют следующим образом.
Дл  считывани  информации из  чейки пам ти подают импульс тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противоположных направлени х и регистрируют изменение магнитного пол  рассе ни  монодоменной области путем фиксации изменени  активного сопротивлени  соответствующей координатной шины первой группы.
Допустим, что считываетс  информаци  из  чейки А (фиг. 2 ), котора  охвачена шиной 3| первой группы и шршой 5j второй группы. При считывании импульс тока Ij подают по шине 3 в направлении, противоположном оси X, импульс тока In подают по шине 5| в направлении, противоположном оси У. При этом зона 6 материа 7 ла намагничиваетс  в направлении(5), т.е. в направлении намагниченности в  чейке А. Участок шины 3), охватывающий  чейку А, намагничиваетс  вдоль шины и его активное сопротивление возрастает.
Если информаци  считываетс  из  чейки Б, то подачу импульсов тока по шинам 32 и 52 осуществл ют так, как в случае считывани  информации из  чейки А. Однако в этом случае 35 нагфавлени  намагниченности в  чейке Б и зоне 6 около  чейки Б противоположны , участок шины 3, охватывающий  чейку Б, намагничиваетс  поперек шины 3 (радиально) и его активное сопротивление не измен етс . По изменению активного сопротивлени  шины первой группы распознают информацию.
Предлагаемый способ считывани  информации обладает по сравнению с
20
25
30
40
1, обозначено на фиг. 2© , направ- известным более высоким быстродейстлениё намагниченности  чейки пам ти, соответствующее хранению кода О, обозначено на фиг. 2О.
Дл  записи 1 в  чейку шине 5 подаетс  импульс тока 1ц в направлении оси У, по шине 3, подаетс  импульс тока в направлении обратном оси .X.
50
вием, так как отпада ет необходимость в переключении запоминающей  чейки, т.е. разрушении информации и ее восстановлении в цикле считывани , и в св зи с этим более высокой надежностью .
Таким образом, предлагаемый накопитель информации позвол ет упростить конструкцию накопител  и повысить его надежность а рассматриваемый способ считывани  - повысить быстродействие накопител  информации в цикле чтени .
Дла записи О в  чейку Б импульс
тока I
подаетс  по шине 5„ в направлении оси У и импульс тока 1 по шине 3 - в направлении оси X.
O
5
Считывание информации из накопител  в соответствии с рассматриваемым способом осуществл ют следующим образом.
Дл  считывани  информации из  чейки пам ти подают импульс тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противоположных направлени х и регистрируют изменение магнитного пол  рассе ни  монодоменной области путем фиксации изменени  активного сопротивлени  соответствующей координатной шины первой группы.
Допустим, что считываетс  информаци  из  чейки А (фиг. 2 ), котора  охвачена шиной 3| первой группы и шршой 5j второй группы. При считывании импульс тока Ij подают по шине 3 в направлении, противоположном оси X, импульс тока In подают по шине 5| в направлении, противоположном оси У. При этом зона 6 материа 7 ла намагничиваетс  в направлении(5), т.е. в направлении намагниченности в  чейке А. Участок шины 3), охватывающий  чейку А, намагничиваетс  вдоль шины и его активное сопротивление возрастает.
Если информаци  считываетс  из  чейки Б, то подачу импульсов тока по шинам 32 и 52 осуществл ют так, как в случае считывани  информации из  чейки А. Однако в этом случае 5 нагфавлени  намагниченности в  чейке Б и зоне 6 около  чейки Б противоположны , участок шины 3, охватывающий  чейку Б, намагничиваетс  поперек шины 3 (радиально) и его активное сопротивление не измен етс . По изменению активного сопротивлени  шины первой группы распознают информацию.
Предлагаемый способ считывани  информации обладает по сравнению с
0
5
0
0
известным более высоким быстродейст0
5
вием, так как отпада ет необходимость в переключении запоминающей  чейки, т.е. разрушении информации и ее восстановлении в цикле считывани , и в св зи с этим более высокой надежностью .
Таким образом, предлагаемый накопитель информации позвол ет упростить конструкцию накопител  и повысить его надежность а рассматриваемый способ считывани  - повысить быстродействие накопител  информации в цикле чтени .
Ф ормула изобретени 
1. Накопитель информации, содержащий слой магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запоминающих  чеек в виде монодоменных областей, и две группы координатных шин, расположенных на слое магнитоодноосного материала и изолированньпс друг от друга, отличающий- с   тем, что, с целью упрощени  накопител , координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосв заиных с монодоменными област ми соответствующих строк и столбцов матрицы, причем указанные участки координатных шин первой группы выполнены из магниторезистивного материала и рас- положены с зазором по отношению к одноименньп4 участкам координатных шин
O
второй группы равным 1-2 полупериодам полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.
2. Способ считьшани  информации из накопител , оснсванньй на подаче импульсов тока в выбранные координатные шины первой и второй групп и ре- гистрации изменени  магнитных полей рассе ни  монодоменных областей, отличающийс  тем, что, с целью повьппени  быстродействи  способа, подачу импульсов тока Ъ выбранные координатные шины .первой и второй групп осуществл ют одноврё- .менно и в противоположных направле- ни х, а регистрацию изменени  магнитного пол  рассе ни  монодоменной области осуществл ют путем фиксации изменени  активного сопротивлени  соответствующей координатной шины первой группы.
Редактор А.Ворович
Заказ 277/51Тираж 590 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретенш и открытшЧ 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4
Составитель Ю.Рзенталь
Техред А, Кравчук Корректор В. Бут га

Claims (2)

  1. Формула изобретения
    1. Накопитель информации, содержащий слой магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запо- 5 минающих ячеек в виде монодоменных областей, и две группы координатных шин, расположенных на слое магнитоодноосного материала и изолированных друг от друга, отличающийс я тем, что, с целью упрощения накопителя, координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосвязанных с монодомеиными областями соответствующих строк и столбцов матрицы, причем указанные участки координатных шин первой группы выполнены из магниторезистивного материала и рас- 20 положены с зазором по отношению к одноименным участкам координатных шин ‘ второй группы равным 1-2 полуперяодам полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.
  2. 2. Способ считывания информации из накопителя, основанный на подаче импульсов тока в выбранные координатные шины первой и второй групп и регистрации изменения магнитных полей рассеяния монодоменных областей, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия способа, подачу импульсов тока в выбранные координатные шины .первой и второй групп осуществляют одновременно и в противоположных направлениях, а регистрацию изменения магнитного поля рассеяния монодоменной области осуществляют путем фиксации изменения активного сопротивления соответствующей координатной шины первой группы.
    Редактор А.Ворович Составитель Ю.Рзенталь Техред А,Кравчук Корректор В.Бутяга
    Заказ 277/51 Тираж 590 Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретенш1 и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
    Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4
SU853992823A 1985-10-22 1985-10-22 Накопитель информации и способ считывани информации из накопител SU1292038A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853992823A SU1292038A1 (ru) 1985-10-22 1985-10-22 Накопитель информации и способ считывани информации из накопител

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853992823A SU1292038A1 (ru) 1985-10-22 1985-10-22 Накопитель информации и способ считывани информации из накопител

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1292038A1 true SU1292038A1 (ru) 1987-02-23

Family

ID=21210990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853992823A SU1292038A1 (ru) 1985-10-22 1985-10-22 Накопитель информации и способ считывани информации из накопител

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1292038A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 486375, кл. G 11 С 11/14, 1974. Авторское свидетельство СССР N 1221661, кл. G 11 С 11/14, 1984. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970009765B1 (ko) 자성박막 메모리 및 그 기록 · 재생 방법
KR890001931B1 (ko) 위치검출장치부착 엔코오더
KR0161963B1 (ko) 자기헤드를 가진 매트릭스 장치
KR100310575B1 (ko) 비휘발성 자기 메모리 어레이
CN100341073C (zh) 磁性随机存取存储器
US5969978A (en) Read/write memory architecture employing closed ring elements
KR970071478A (ko) 스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치
JPS62248251A (ja) 半導体記憶装置
KR20050027159A (ko) 패턴화 및 안정화된 자성 차폐부를 가지는 자기 임의 접근메모리 디자인
WO1994003899A1 (en) Nonvolatile random access memory
JPH0638047B2 (ja) 磁気的に位置を検出する装置
KR20030044891A (ko) 자기 랜덤 액세스 메모리
KR20030032567A (ko) 단일 트랜지스터형 자기 랜덤 액세스 메모리 소자와 그구동 및 제조방법
KR20010100862A (ko) 전류 밀도가 낮은 자기 저항 메모리
US5864498A (en) Ferromagnetic memory using soft magnetic material and hard magnetic material
US4473893A (en) Nondestructive readout, random access cross-tie wall memory system
SU1292038A1 (ru) Накопитель информации и способ считывани информации из накопител
US4722073A (en) Magnetoresistive random access cross-tie memory architecture and signal processing system
KR890005724A (ko) 변위 검출기용의 자기 기록매체.
US8659852B2 (en) Write-once magentic junction memory array
KR20050083986A (ko) 자기저항 메모리 셀을 갖는 매트릭스와 이를 포함하는비휘발성 메모리 및 자기저항 소자 기록 방법
US3878542A (en) Movable magnetic domain random access three-dimensional memory array
KR100442460B1 (ko) 신호 오버 커플링이 감소된 랜덤 액세스 반도체 메모리
US4034359A (en) Magneto-resistive readout of a cross-tie wall memory system using a pillar and concentric ring probe
US4805140A (en) Cross-tie random access memory