SU1292038A1 - Накопитель информации и способ считывани информации из накопител - Google Patents
Накопитель информации и способ считывани информации из накопител Download PDFInfo
- Publication number
- SU1292038A1 SU1292038A1 SU853992823A SU3992823A SU1292038A1 SU 1292038 A1 SU1292038 A1 SU 1292038A1 SU 853992823 A SU853992823 A SU 853992823A SU 3992823 A SU3992823 A SU 3992823A SU 1292038 A1 SU1292038 A1 SU 1292038A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- coordinate
- information
- group
- groups
- magnetically
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ, Целью изобретени вл етс упрощение накопител информации , а также повышение быстродействи способа считывани информации из этого накопител . Накопитель информации содержит слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, пер-, пендикул рной его поверхности, в котором сформирована матрица запоминаю щих чеек в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезис- тивного материала, изолирукнций слой 4 и вторую группу координатных шин 5, причем координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосв - занных с монодоменными област ми соответствующих строк и столбцов матрицы . Дл считывани информации из данного накопител подают импульсы тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противополо:кных направлени х и регистрируют считанную информацию путем фиксации изменени активного сопротивлени соответствугацей координатной шины первой группы. 2 а.п. ф-лы, 2 ил. § (Л ФвИ
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ.
Целью изобретени вл етс упрощение накопител информации, а также повьшшние быcтpoдeйcтJзи способа считывани информации из этого накопител .
На фит, 1 изображена конструкци накопител информации; на фиг. 2- направлени токов в координатньт шинах и направлени намагниченности чеек пам ти.
Нако.питель информации содержит слой магнитоодноосного материала 1 с осью анизотропии, перпендикул рной его поверхности, в котором сформирована матрица запоминающих чеек , в виде монодоменных областей 2, первую группу координатных шин 3, выполненных из магниторезистивного материала (например, 80% Ni, 20% Ре) , :изолирующий слой 4 и вторую группу координатных шин 5, причем коорди натиые шины обоих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей , магнитосв занных с монодо™ менными обла,ст ми соответствующих строк и столбцов матрицы, причем зазор одноименными участками координатных шин составл ет 1-2 полупериода полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.
Накопитель информации работает следующим образом;
Пусть в чейку А (фиг. 2) записываетс и из чейки А считываетс код информации 1, а в чейку Б записываетс и из Б считываетс код информации О. Направление намагниченности в чейке пам ти , соответствующее хранению кода til II
JO
15
Считывание информации из накопител в соответствии с рассматриваемым способом осуществл ют следующим образом.
Дл считывани информации из чейки пам ти подают импульс тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противоположных направлени х и регистрируют изменение магнитного пол рассе ни монодоменной области путем фиксации изменени активного сопротивлени соответствующей координатной шины первой группы.
Допустим, что считываетс информаци из чейки А (фиг. 2 ), котора охвачена шиной 3| первой группы и шршой 5j второй группы. При считывании импульс тока Ij подают по шине 3 в направлении, противоположном оси X, импульс тока In подают по шине 5| в направлении, противоположном оси У. При этом зона 6 материа 7 ла намагничиваетс в направлении(5), т.е. в направлении намагниченности в чейке А. Участок шины 3), охватывающий чейку А, намагничиваетс вдоль шины и его активное сопротивление возрастает.
Если информаци считываетс из чейки Б, то подачу импульсов тока по шинам 32 и 52 осуществл ют так, как в случае считывани информации из чейки А. Однако в этом случае 35 нагфавлени намагниченности в чейке Б и зоне 6 около чейки Б противоположны , участок шины 3, охватывающий чейку Б, намагничиваетс поперек шины 3 (радиально) и его активное сопротивление не измен етс . По изменению активного сопротивлени шины первой группы распознают информацию.
Предлагаемый способ считывани информации обладает по сравнению с
20
25
30
40
1, обозначено на фиг. 2© , направ- известным более высоким быстродейстлениё намагниченности чейки пам ти, соответствующее хранению кода О, обозначено на фиг. 2О.
Дл записи 1 в чейку шине 5 подаетс импульс тока 1ц в направлении оси У, по шине 3, подаетс импульс тока в направлении обратном оси .X.
50
вием, так как отпада ет необходимость в переключении запоминающей чейки, т.е. разрушении информации и ее восстановлении в цикле считывани , и в св зи с этим более высокой надежностью .
Таким образом, предлагаемый накопитель информации позвол ет упростить конструкцию накопител и повысить его надежность а рассматриваемый способ считывани - повысить быстродействие накопител информации в цикле чтени .
Дла записи О в чейку Б импульс
тока I
подаетс по шине 5„ в направлении оси У и импульс тока 1 по шине 3 - в направлении оси X.
O
5
Считывание информации из накопител в соответствии с рассматриваемым способом осуществл ют следующим образом.
Дл считывани информации из чейки пам ти подают импульс тока в выбранные координатные шины первой и второй групп одновременно и в противоположных направлени х и регистрируют изменение магнитного пол рассе ни монодоменной области путем фиксации изменени активного сопротивлени соответствующей координатной шины первой группы.
Допустим, что считываетс информаци из чейки А (фиг. 2 ), котора охвачена шиной 3| первой группы и шршой 5j второй группы. При считывании импульс тока Ij подают по шине 3 в направлении, противоположном оси X, импульс тока In подают по шине 5| в направлении, противоположном оси У. При этом зона 6 материа 7 ла намагничиваетс в направлении(5), т.е. в направлении намагниченности в чейке А. Участок шины 3), охватывающий чейку А, намагничиваетс вдоль шины и его активное сопротивление возрастает.
Если информаци считываетс из чейки Б, то подачу импульсов тока по шинам 32 и 52 осуществл ют так, как в случае считывани информации из чейки А. Однако в этом случае 5 нагфавлени намагниченности в чейке Б и зоне 6 около чейки Б противоположны , участок шины 3, охватывающий чейку Б, намагничиваетс поперек шины 3 (радиально) и его активное сопротивление не измен етс . По изменению активного сопротивлени шины первой группы распознают информацию.
Предлагаемый способ считывани информации обладает по сравнению с
0
5
0
0
известным более высоким быстродейст0
5
вием, так как отпада ет необходимость в переключении запоминающей чейки, т.е. разрушении информации и ее восстановлении в цикле считывани , и в св зи с этим более высокой надежностью .
Таким образом, предлагаемый накопитель информации позвол ет упростить конструкцию накопител и повысить его надежность а рассматриваемый способ считывани - повысить быстродействие накопител информации в цикле чтени .
Ф ормула изобретени
1. Накопитель информации, содержащий слой магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запоминающих чеек в виде монодоменных областей, и две группы координатных шин, расположенных на слое магнитоодноосного материала и изолированньпс друг от друга, отличающий- с тем, что, с целью упрощени накопител , координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосв заиных с монодоменными област ми соответствующих строк и столбцов матрицы, причем указанные участки координатных шин первой группы выполнены из магниторезистивного материала и рас- положены с зазором по отношению к одноименньп4 участкам координатных шин
O
второй группы равным 1-2 полупериодам полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.
2. Способ считьшани информации из накопител , оснсванньй на подаче импульсов тока в выбранные координатные шины первой и второй групп и ре- гистрации изменени магнитных полей рассе ни монодоменных областей, отличающийс тем, что, с целью повьппени быстродействи способа, подачу импульсов тока Ъ выбранные координатные шины .первой и второй групп осуществл ют одноврё- .менно и в противоположных направле- ни х, а регистрацию изменени магнитного пол рассе ни монодоменной области осуществл ют путем фиксации изменени активного сопротивлени соответствующей координатной шины первой группы.
Редактор А.Ворович
Заказ 277/51Тираж 590 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретенш и открытшЧ 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4
Составитель Ю.Рзенталь
Техред А, Кравчук Корректор В. Бут га
Claims (2)
- Формула изобретения1. Накопитель информации, содержащий слой магнитоодноосного материала, в котором сформирована матрица запо- 5 минающих ячеек в виде монодоменных областей, и две группы координатных шин, расположенных на слое магнитоодноосного материала и изолированных друг от друга, отличающийс я тем, что, с целью упрощения накопителя, координатные шины обеих групп выполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых окружностей, магнитосвязанных с монодомеиными областями соответствующих строк и столбцов матрицы, причем указанные участки координатных шин первой группы выполнены из магниторезистивного материала и рас- 20 положены с зазором по отношению к одноименным участкам координатных шин ‘ второй группы равным 1-2 полуперяодам полосовой доменной структуры магнитоодноосного материала.
- 2. Способ считывания информации из накопителя, основанный на подаче импульсов тока в выбранные координатные шины первой и второй групп и регистрации изменения магнитных полей рассеяния монодоменных областей, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия способа, подачу импульсов тока в выбранные координатные шины .первой и второй групп осуществляют одновременно и в противоположных направлениях, а регистрацию изменения магнитного поля рассеяния монодоменной области осуществляют путем фиксации изменения активного сопротивления соответствующей координатной шины первой группы.
Редактор А.Ворович Составитель Ю.Рзенталь Техред А,Кравчук Корректор В.Бутяга Заказ 277/51 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретенш1 и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853992823A SU1292038A1 (ru) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Накопитель информации и способ считывани информации из накопител |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853992823A SU1292038A1 (ru) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Накопитель информации и способ считывани информации из накопител |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1292038A1 true SU1292038A1 (ru) | 1987-02-23 |
Family
ID=21210990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853992823A SU1292038A1 (ru) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Накопитель информации и способ считывани информации из накопител |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1292038A1 (ru) |
-
1985
- 1985-10-22 SU SU853992823A patent/SU1292038A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 486375, кл. G 11 С 11/14, 1974. Авторское свидетельство СССР N 1221661, кл. G 11 С 11/14, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970009765B1 (ko) | 자성박막 메모리 및 그 기록 · 재생 방법 | |
KR890001931B1 (ko) | 위치검출장치부착 엔코오더 | |
KR0161963B1 (ko) | 자기헤드를 가진 매트릭스 장치 | |
KR100310575B1 (ko) | 비휘발성 자기 메모리 어레이 | |
CN100341073C (zh) | 磁性随机存取存储器 | |
US5969978A (en) | Read/write memory architecture employing closed ring elements | |
KR970071478A (ko) | 스핀밸브 자기저항효과 헤드와 그 제조방법 및 자기기록장치 | |
JPS62248251A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20050027159A (ko) | 패턴화 및 안정화된 자성 차폐부를 가지는 자기 임의 접근메모리 디자인 | |
WO1994003899A1 (en) | Nonvolatile random access memory | |
JPH0638047B2 (ja) | 磁気的に位置を検出する装置 | |
KR20030044891A (ko) | 자기 랜덤 액세스 메모리 | |
KR20030032567A (ko) | 단일 트랜지스터형 자기 랜덤 액세스 메모리 소자와 그구동 및 제조방법 | |
KR20010100862A (ko) | 전류 밀도가 낮은 자기 저항 메모리 | |
US5864498A (en) | Ferromagnetic memory using soft magnetic material and hard magnetic material | |
US4473893A (en) | Nondestructive readout, random access cross-tie wall memory system | |
SU1292038A1 (ru) | Накопитель информации и способ считывани информации из накопител | |
US4722073A (en) | Magnetoresistive random access cross-tie memory architecture and signal processing system | |
KR890005724A (ko) | 변위 검출기용의 자기 기록매체. | |
US8659852B2 (en) | Write-once magentic junction memory array | |
KR20050083986A (ko) | 자기저항 메모리 셀을 갖는 매트릭스와 이를 포함하는비휘발성 메모리 및 자기저항 소자 기록 방법 | |
US3878542A (en) | Movable magnetic domain random access three-dimensional memory array | |
KR100442460B1 (ko) | 신호 오버 커플링이 감소된 랜덤 액세스 반도체 메모리 | |
US4034359A (en) | Magneto-resistive readout of a cross-tie wall memory system using a pillar and concentric ring probe | |
US4805140A (en) | Cross-tie random access memory |