SU1226596A1 - Преобразователь переменного напр жени в посто нное - Google Patents

Преобразователь переменного напр жени в посто нное Download PDF

Info

Publication number
SU1226596A1
SU1226596A1 SU843799567A SU3799567A SU1226596A1 SU 1226596 A1 SU1226596 A1 SU 1226596A1 SU 843799567 A SU843799567 A SU 843799567A SU 3799567 A SU3799567 A SU 3799567A SU 1226596 A1 SU1226596 A1 SU 1226596A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
mos transistor
gate
capacitor
resistor
Prior art date
Application number
SU843799567A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Владимир Анатольевич Масловский
Игорь Степанович Громов
Сергей Владимирович Костюнин
Original Assignee
Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики filed Critical Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority to SU843799567A priority Critical patent/SU1226596A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1226596A1 publication Critical patent/SU1226596A1/ru

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

Изобретение предназначено дл  питани  устройств интегральной инжекционной логики. Цель изобретени  - повышение КПД. Преобразователь содержит МДП lit nit транзисторы 4 и 5, истоки которых соединены и подключены к входному выводу 1. Подложка каждого МДП-транзистора соединена со своим стоком. К выходному выводу 2 подключен сток МДП-транзистора 4. Затвор МДП-транзистора 4 через резистор 6 соединен с затвором МДП-транзистора 5, заземленным выходным выводом 3 и одной из обкладок конденсатора 8. Друга  обкладка конденсатора 8 соединена с затвором МДП- транзистора 4 и через резистор 7 со стоком МДП-транзистора 5. Введение резистора 7, конденсатора 8 и МДП-транзистора 5 с индуцированным п-каналом и использование МДП-транзистора с индуцированным р-ка- налом, обеспечивают сохранение напр жени  на конденсаторе 8 в течение нескольких периодов входного напр жени . Минимальные потери выходного напр жени  обеспечиваютс  приближением порога открывани  МДП-транзистора 4 к нулю при равенстве напр жени  на затворе МДП-транзистора 4 его напр жению отсечки, дл  чего подбирают номиналы резисторов 6 и 7. 1 ил. i а с 7 /г I о п Ю ГчЭ 05 ел со О5

Description

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано дл  преобразовани  малого переменного напр жени  в посто нное , например, дл  питани  устройств интегральной инжекционной логики.
Цель изобретени  - повышение КПД.
На чертеже представлена принципиальна  схема преобразовател .
Устройство содержит входной вывод 1, выходной вывод 2 и общий вывод 3. Истоки МДП-транзисторов 4 и 5 соединены между собой и подключены к входному выводу 1. Подложка каждого МДП-транзистора соединена со своим стоком. К выходному выводу 2 подключен сток МДП-транзистора 4. Затвор МДП-транзистора 4 подключен к одному из выводов резистора 6, резистора 7 и конденсатора 8. Другой вывод конденсатора 8 соединен с другим выводом резистора 6 и подключен к выводу 3. Другой вывод резистора 7 подключен к стоку МДП-транзистора 5. Затвор последнего подключен к выводу 3. Нагрузка 9 подключаетс  к выводам 2 и 3.
Устройство работает следующим образом.
К входному выводу 1 прикладываетс  переменное напр жение UBX. При отрицательной полуволне UBX МДП-транзистор 4 на- ходитс  в закрытом состо нии, а МДП-транзистор 5 открываетс  при превышении (по модулю) UBI его напр жени  отсечки (порогового напр жени ). На стоке МДП-транзистора 5 последовательно включены резисторы 7 и 6, образующие делитель напр жени . Сигнал, выдел емый на резисторе 6, зар жает конденсатор 8. Напр жение на последнем практически сохран етс  в течение нескольких периодов . Это отрицательное напр жение на конденсаторе 8 приложено к затвору МДП-транзистора 4.
При положительной полуволне UBX МДП- транзистор 5 закрываетс  и на нагрузке 9 по вл етс  выходное напр жение преобразовател . Отрицательное напр жение на затворе МДП-транзистора 4 призвано уменьшить порог его открывани . Дл  получени 
минимальных потерь выходного напр жений преобразовател  необходимо, чтобы напр - жение порога открывани  МДП-транзистора 4 было близко к нулю. Выполнение этого услови  достигаетс  при равенстве напр жени  на затворе МДП-транзистора 4 его напр жению отсечки. Дл  того, чтобы выполн лось такое равенство при заданном UBX необходимо подобрать номиналы резисторов 6 и 7.
Дл  получени  минимальных потерь вы- аддного напр жени  и повышени  КПД при преобразовании малых напр жений используют МДП-транзисторы с коротким каналом (ДМОП, УМОП и т. д.) и напр жением отсечки в дес тые доли вольта.
Рассматриваемый низковольтный преобразователь переменного напр жени  в посто нное может стать основной структурой при создании эффективных низковольтных преобразовательных устройств и систем. Такой преобразователь достаточно просто реализуетс  в интегральном монолитном исполнении.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Преобразователь переменного напр жени  в посто нное, содержащий входной и выходной выводы, основной резистор, один вывод которого подключен к общему выводу МДП-транзистор с индуцированным р-кана- лом, затвор которого подключен к другому выводу основного резистора, исток - к входному , а сток - к выходному выводу, отли- чающийс тем, что, с целью повышени  КПД, в него введены дополнительный резистор, конденсатор и МДП-транзистор с индуцированным п-каналом, исток которого подключен к входному выводу, затвор - к общему выводу, а сток - к одному из выводов дополнительного резистора, другой вывод которого подключен к затвору МДП-транзистора с р-каналом, конденсатор включен параллельно основному резистору, а подложка каждого МДП-транзистора соединена со своим стоком.
SU843799567A 1984-10-11 1984-10-11 Преобразователь переменного напр жени в посто нное SU1226596A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843799567A SU1226596A1 (ru) 1984-10-11 1984-10-11 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843799567A SU1226596A1 (ru) 1984-10-11 1984-10-11 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1226596A1 true SU1226596A1 (ru) 1986-04-23

Family

ID=21141850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843799567A SU1226596A1 (ru) 1984-10-11 1984-10-11 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1226596A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5107227A (en) * 1988-02-08 1992-04-21 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable phase-locked loop
US5173849A (en) * 1987-09-19 1992-12-22 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable synchronous rectifier
DE4121052A1 (de) * 1991-06-26 1993-01-07 Eurosil Electronic Gmbh Gleichrichteranordnung fuer integrierte schaltkreise

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ромаш Э. М. Источники вторичного электропитани радиоэлектронной аппаратуры.-Радио и св зь, 1981, с. 60. Основы проектировани микроэлектронной аппаратуры./Под ред. Б. Ф. Высоцкого.- Советское радио, 1977, с. 180. Игумнов Д. В., Громов И. С. Эксплуатационные параметры и особенности применени полевых транзисторов.-Радио и св зь, 1981, с. 43. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173849A (en) * 1987-09-19 1992-12-22 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable synchronous rectifier
US5107227A (en) * 1988-02-08 1992-04-21 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable phase-locked loop
DE4121052A1 (de) * 1991-06-26 1993-01-07 Eurosil Electronic Gmbh Gleichrichteranordnung fuer integrierte schaltkreise

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1168365A3 (en) Negative-voltage bias circuit
KR960703496A (ko) 보호 디바이스(a protection device using field effect transistors)
TW325599B (en) Semiconductor integrated circuit device
SU1226596A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
KR890005995A (ko) 바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체 인버터
DE59206670D1 (de) CMOS-Pufferschaltung
SU1480065A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1363406A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1267552A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1515294A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
RU2004060C1 (ru) Преобразователь напр жени
RU2009602C1 (ru) Преобразователь постоянного напряжения
SU1520635A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1624623A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1352593A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1577024A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1403051A1 (ru) Источник опорного напр жени
SU1665500A2 (ru) Повторитель напр жени
SU1506370A1 (ru) Аналого-дискретный преобразователь напр жени
SU1597874A1 (ru) Интегральна микросхема стабилизатора посто нного напр жени
SU1670737A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1272508A1 (ru) Преобразователь напр жени в частоту
SU1460762A1 (ru) Регулируемый преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1539993A1 (ru) МДП-инвертор
SU1665481A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное