SU1363406A1 - Преобразователь переменного напр жени в посто нное - Google Patents

Преобразователь переменного напр жени в посто нное Download PDF

Info

Publication number
SU1363406A1
SU1363406A1 SU864053515A SU4053515A SU1363406A1 SU 1363406 A1 SU1363406 A1 SU 1363406A1 SU 864053515 A SU864053515 A SU 864053515A SU 4053515 A SU4053515 A SU 4053515A SU 1363406 A1 SU1363406 A1 SU 1363406A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
channel
voltage
transistor
capacitor
gate
Prior art date
Application number
SU864053515A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Сергей Владимирович Костюнин
Игорь Степанович Громов
Александр Владимирович Юровский
Original Assignee
Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики filed Critical Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority to SU864053515A priority Critical patent/SU1363406A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1363406A1 publication Critical patent/SU1363406A1/ru

Links

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике , в частности к источникам вторичного электропитани  радиоэлектронной аппаратуры. Цель изобретени  повьшение КПД. В состав устройства вход т ЩП-транзисторы 1-3 с индуцированными каналами, резисторы 4, 5 и конденсатор 6. При о трицательной полуволне входног( напр жени  МДП-транзис- тор 2 с п-каналом открываетс  и конденсатор 6 зар жаетс . При положительной полуволне входного напр жени  открываетс  МДП-транзистор 1 с р-каналом. В результате на нагрузке 10 имеет место выпр мленное напр жение . Одновременно открываетс  и МДП- транзистор 3 с п-каналом. На затвор МДП-транзистора 1 с р-каналом поступает практически все напр жение с конденсатора 6, способствующее форсированному его открыванию.. Форсированное .открывание МДП-транзистора 1 существенно уменьшает.сопротивление его проход щего канала, за счет чего и снижаютс  потери выходного напр жени . 1 ил. (Л с оо О5 оо 4 о 05

Description

Изобретение относитс  к электротехнике и предназначено дл  использовани  при реализации вторичного электропитани  низковольтных интеграЛ ь- ных узлов, например,, инжекционной логики .
Цель изобретени  - повьшение КПД.
На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема преобразо вател .
Устройство содержит первый МДП- транзистор 1 с индуцированным р-ка- налом, второй МДП-транзистор 2 и третий МДП-транзистор 3 с индуцированны п-каналом, первый резистор 4, второй резистор 5, конденсатор 6. На схеме показаны, кроме того, входной потенциальный вывод 7, выходной потенциальный вывод 8, шина 9 нулевого по- тенциала и нагрузка 10, Провод щий р-канал МДП-транзистора 1 включен между выводами 7 и 8, подложка соединена со стоком, а затвор подключен через резистор 4 к шине 9 нулевого потенциала. Провод щий п-канал МДП- транзистора 2 включен между выводом 7 и первым выводом резистора 5, подложка соединена со стоком, а затвор подключен к шине 9 нулевого потенциала, .с которой соединена пер- . вал обкладка конденсатора 6. Провод щий п-канал ЩП-транзистора 3 включен между затвором ВДП-транзистора 1 и второй обкладкой конденсатора 6, подложка соединена со стоком, а затвор подключен к выводу 7. Втора  обкладка конденсатора 6 соединена с первым выводом резистора 5, второй вывод которого подключен к шине 9 нулевого потенциала.
Устройство работает следующим образом . .
Между выводом 7 и шиной 9 нулево- го потенциала прикладываетс  входное переменное, напр жение li , При отрицательной полуволне ILg ЩИ- транзисторы 1 и 3 наход тс  в закрытом состо нии, а ВДП-транзистор 2 откры- ваетс  Сигнал, вьщел емый на резисторе 5, зар жает конденсатор 6, При положительной полуволне и открываюс  МДП-транзисторы 1 и 3. Через открытый МДП-транзистор 3 отрицательное
ВНИИПИ Заказ 6375/50
Произв.-полигр. пр-тие г. Ужгород, ул. Проектиан, 4
напр жение с конденсатора 6 поступает на затвор ВДП-транзистора 1 и форсирует его открывание. Поскольку открывание ЩП-транзистора 3 происходит только при положительной полуволне и , на затвор МДП-транзистора 1 можно подавать весьма большое отрицательное напр жение. Повьшгенное напр жение на затворе МДП-транзистора 1 предопредел ет увеличение степени его открывани  и снижени  сопротивлени  его провод щего канала. В результате уменьшаютс  потери на- . пр жени  на силовом МДП-транзисторе 1 и возрастает КПД преобразовател .
Дл  эффективной работы устройства желательно использовать НДП-транзис- торы с малыми пороговыми напр жени ми . Данный преобразователь достаточно просто реализуетс  в интегральном монолитном исполнении.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Преобразователь переменного напр жени  в посто нное, содержащий первый МДП-транзистор с индуцированным р-каналом,включенным между входным и выходным потенциальными выводами, с подложкой, соединенной с одним из выводов р-канала, и с затвором, подключенным через первый резистор к шине нулевого потенциала, второй МДП-транзистор с индуцированным п- каналом, включенным между входным потенциальным выводом и первым выводом второго резистора, с подложкой, соединенной с одним из выводов п-ка- нала, и с затвором, подключенным к шине нулевого потенциала, с которой соединена перва  обкладка конденсате ра, о тличающийс  тем чт с целью повьш1ени  КГЩ, введен третий 1ЩП-транзистор с индуцированным п-ка налом, включенным между затвором первого ЩП-транзистора и второй обкладкой конденсатора, с подложкой, соединенной с одним из вьтодов п-канала и с затвором, подключенным к входном потенциальному выводу, причем втора  обкладка конденсатора соединена с первым выводом второго резистора, второй вывод которого подключен к шине нулевого потенциала.
    Тираж 659 Подписное
SU864053515A 1986-04-09 1986-04-09 Преобразователь переменного напр жени в посто нное SU1363406A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864053515A SU1363406A1 (ru) 1986-04-09 1986-04-09 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864053515A SU1363406A1 (ru) 1986-04-09 1986-04-09 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1363406A1 true SU1363406A1 (ru) 1987-12-30

Family

ID=21232545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864053515A SU1363406A1 (ru) 1986-04-09 1986-04-09 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1363406A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5107227A (en) * 1988-02-08 1992-04-21 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable phase-locked loop
US5173849A (en) * 1987-09-19 1992-12-22 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable synchronous rectifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1325644, кл. Н 02 М 7/217, 1985. Авторское свидетельство СССР № 1226596, кл. Н 02 М 7/217, 1984. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173849A (en) * 1987-09-19 1992-12-22 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable synchronous rectifier
US5107227A (en) * 1988-02-08 1992-04-21 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Integratable phase-locked loop

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100214407B1 (ko) 고측부 스위치용 전하 펌프 회로
US4321661A (en) Apparatus for charging a capacitor
US4365172A (en) High current static MOS driver circuit with low DC power dissipation
EP0086090B1 (en) Drive circuit for capacitive loads
KR900008187B1 (ko) 전압 체배기 회로
KR940010446A (ko) 효율적 네가티브 충전펌프
KR840004835A (ko) 집적가능 반도체계 전기용 회로
CN107437933A (zh) 一种高端负载开关电路及ic
US6215329B1 (en) Output stage for a memory device and for low voltage applications
SU1363406A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
JPH0612869B2 (ja) Cmosダイナミツクram用時間遅廷回路
GB2339638A (en) A high-side driver charge pump with a supply cutoff transistor
SU1226596A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
KR950034763A (ko) 반도체 집적회로 장치
SU1515294A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1480065A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1631673A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени в посто нное
SU1665481A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1460762A1 (ru) Регулируемый преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU1681335A1 (ru) Формирователь напр жени смещени подложки
SU1624623A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1520635A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1352593A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1379914A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
RU2009602C1 (ru) Преобразователь постоянного напряжения