SU121237A1 - Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава - Google Patents
Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплаваInfo
- Publication number
- SU121237A1 SU121237A1 SU27230A SU497359A SU121237A1 SU 121237 A1 SU121237 A1 SU 121237A1 SU 27230 A SU27230 A SU 27230A SU 497359 A SU497359 A SU 497359A SU 121237 A1 SU121237 A1 SU 121237A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- melt
- single crystals
- regulating
- growing single
- crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
В. В. Добровенский и В. П. Бутузов
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА
За влено 10 феврал 1955 г. за Л 27230/497359/26 в Главное управление
приборостроени Министерства г.аши11остроенп и приборостроени СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретени1Ъ Л 15 за 1959 г.
Известные способы регулировани процесса выращнвани монокристаллов из расплава не обеспечивают получени их одинакового качества как по длине кристалла, так и между отдельными кристаллами.
Происходит это потому, что поддержание определенного температурного режима охлаждени расплава на участке кристаллизации (на границе твердой и жидкой фаз) осуществл етс вручную и зависит от индивидуальных способностей обслуживающего персонала.
Предлагаемый способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава путем поддержани определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав-кристалл) изменением тока охлаждающей жидкости в холодильнике, охлаждающем верхний конец выращиваемого кристалла, лищен этого недостатка, позвол ет улучщить существующие процессы кристаллизации и обеспечить возможность стабильного получени однородных, хорощего качества монокристаллов.
Достигаетс это тем, что границу фаз расплав--кристалл удерживают на одном уровне относительно поверхности расплава, поднима в процессе кристаллизации тигель с расплавом.
Дл осуществлени способа регулировани предлагаетс устройство в виде программного терморегул тора с электрическим датчиком температуры верхнего конца кристалла и задающим программу кулачком , вращаемым электродвигателем. Устройство автоматическиподдерживает границу фаз расплав-кристалл на неизменном рассто нии от поверхности расплава.
Отличительной особенностью устройства вл етс то, что электродвигатель задающего программу кулачка св зан с подъемным механизмом тигл с расплавом.
Сущность и действие предлагаемых способа регулировани и устройства дл его осуществлени по сн ютс чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулировани процесса кристаллизации по заданной программе.
В тигле / находитс расплав вещества 2 с температурой несколько выше температуры кристаллизации и поддерживаемой посто нной с помощью соответствующего пагревани .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU27230A SU121237A1 (ru) | 1955-02-10 | 1955-02-10 | Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU27230A SU121237A1 (ru) | 1955-02-10 | 1955-02-10 | Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU121237A1 true SU121237A1 (ru) | 1958-11-30 |
Family
ID=48393034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU27230A SU121237A1 (ru) | 1955-02-10 | 1955-02-10 | Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU121237A1 (ru) |
-
1955
- 1955-02-10 SU SU27230A patent/SU121237A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106048713A (zh) | 一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的方法 | |
| KR0157323B1 (ko) | 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치 | |
| SU121237A1 (ru) | Способ регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава | |
| US2863740A (en) | Crystal growing system | |
| CN1330798C (zh) | 熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺 | |
| US3677718A (en) | Technique for flux growth of barium titanate single crystals | |
| KR102198127B1 (ko) | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 | |
| JP2814657B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の育成方法 | |
| US3268301A (en) | Method of pulling a semiconductor crystal from a melt | |
| CN113174626B (zh) | 一种碲锌镉单晶体的生长方法及装置 | |
| SU863641A1 (ru) | Способ автоматического управлени процессом кристаллизации утфел | |
| SU108648A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава методом выт гивани (по Чохральскому) | |
| SU762907A1 (ru) | Способ регулирования процесса кристаллизации 1 | |
| SU113806A1 (ru) | Способ автоматического регулировани процесса выращивани монокристаллов из расплава | |
| UA116309C2 (uk) | Спосіб отримання монокристалів, у тому числі великої площі | |
| JPS62278186A (ja) | 半導体単結晶の製造方法及び装置 | |
| SU445462A1 (ru) | Установка дл выращивани кристаллов | |
| JP6401673B2 (ja) | 単結晶成長方法およびその装置 | |
| CN110616455A (zh) | 一种晶体提拉生长装置 | |
| JPH111388A (ja) | 単結晶成長方法及び装置 | |
| SU425942A1 (ru) | Способ автоматического управления процессом кристаллизации утфеля | |
| KR970006854B1 (ko) | 망간-아연 페라이트 단결정 성장장치 | |
| JP2007099581A (ja) | 結晶製造方法 | |
| RU2128250C1 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
| JPS59141488A (ja) | 単結晶育成装置 |