SU445462A1 - Установка дл выращивани кристаллов - Google Patents
Установка дл выращивани кристалловInfo
- Publication number
- SU445462A1 SU445462A1 SU1635731A SU1635731A SU445462A1 SU 445462 A1 SU445462 A1 SU 445462A1 SU 1635731 A SU1635731 A SU 1635731A SU 1635731 A SU1635731 A SU 1635731A SU 445462 A1 SU445462 A1 SU 445462A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- heaters
- temperature
- axial
- crystal grower
- crucible
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относитс к облает выращивани Еристаллов. В известной установке дл выращивани кристаллов, работающей по методу Штобера и содержащей футерованную печь с неподвижным тиглем внутри и нагреватели, осев градиент температуры создают потоком от верхнего торцового нагре вател через тигель в холодильник Однако при применении таких установок в процессе выращивани кристаллов (орма фронта кристаллизации не управл етс , что приводит к возможности зарождени в основном блоке побочных кристаллов и образовани поликристаллической структуры. Кроме того, величина осевого градиента температуры вл етс практически нерегулируемой величиной и может не соответствовать услови м проведени процесса Во врем перемещени фронта кристаллизации на высоте кристалла величина осевого градиента измен етс , что приводит к неоднородности свойств кристаллизуемого материала. По этим причинам процент выхода годны х кристаллов при выращивании в известных установках монокристаллов больших диаметров или кристаллов с соотношением высоты н диаметру менее 0,3 очень невелик. Цель изобретени - управление формой фронта кристаллизации. Дл этого в предлагаемой установке на всей внутренней поверхности печи установлены секционированные нагреватели. На чертеже изображена схема описываемой установки, вид сверху, Убтановна содерЕИт нагреватели 1-4 с каждой торповой стороны
тигл и нёойолько иап{шмер три; бойОЕых нагревателей 5-7, теплоизол цию 8 и неподвижный тигель 9
Бойовые нагреватели управл ют формой фронта нриоталлизации за счет регулировани соотношени радиального и осевого тепловых потоков в кристаллизуемом материале . Осевой градиент температуры создают тепловым потоком между верхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревател ми.
Установка работает следующим образом.
После загрузки тигл и расплавлени материала температуру нагревателей 1-7 подбирают тан, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент по высоте расплава,«
Измен по программе температуру торцовых нагревателей 1,2 и 3,4 добиваютс равномерного перемещени фронта кристаллизации по высоте расплава. Боковые нагреватели 5-7 сохран ют при этом посто нство соотношени радиальных и осевых тепловых потоков, управл формой Дронта кристаллизации и обеспечива ее посто нство во врем всего процесса выращивани ,
В момент окончани полного закристаллизовывани расплава
в самом холодном участке крисТ алла темйература должна быть не ниже температуры релаксации технических напр жений. Это полностью исключает растрескивание
полученн1й: кристаллов.
Но окончании процесса выращива ни с помощью нагревателей 1-7 создают изотермические услови во зсем объеме полученного кристалла , после чего провод т его отжиг по заданной программе.
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Установка дл выращивани кристаллов по методу Штобера, содержаща футерованную печь с неподвижным тиглем внутри и нагреватели , отличающа с тел что, с целью управлени формой фронта кристаллизации, на всей внутренней поверхности печи установлены секционированные нагреватали .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1635731A SU445462A1 (ru) | 1971-03-23 | 1971-03-23 | Установка дл выращивани кристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1635731A SU445462A1 (ru) | 1971-03-23 | 1971-03-23 | Установка дл выращивани кристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU445462A1 true SU445462A1 (ru) | 1974-10-05 |
Family
ID=20469385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1635731A SU445462A1 (ru) | 1971-03-23 | 1971-03-23 | Установка дл выращивани кристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU445462A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU168533U1 (ru) * | 2016-01-20 | 2017-02-07 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛАБОРАТОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ" | Установка для выращивания монокристаллов |
-
1971
- 1971-03-23 SU SU1635731A patent/SU445462A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU168533U1 (ru) * | 2016-01-20 | 2017-02-07 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛАБОРАТОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ" | Установка для выращивания монокристаллов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3898051A (en) | Crystal growing | |
| US3359077A (en) | Method of growing a crystal | |
| EP0068021A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR FORMING AND GROWING A SINGLE CRYSTAL OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION. | |
| CN101311332B (zh) | 结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置 | |
| KR20070044389A (ko) | 결정 제조장치 | |
| DE69934643T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines einkristalls mit halbleitender zusammensetzung | |
| KR20070039607A (ko) | 용융물로부터 단결정을 성장시키는 방법 | |
| CN100570018C (zh) | 结晶制造方法以及装置 | |
| US6712904B1 (en) | Device for producing single crystals | |
| US3002821A (en) | Means for continuous fabrication of graded junction transistors | |
| SU445462A1 (ru) | Установка дл выращивани кристаллов | |
| US20070151510A1 (en) | Crystal-Growing Furnace, In Particular A Vertical Bridgman Crystal-Growing Furnace Or A Vertical Gradient Freeze Crystal-Growing Furnace Having A Jacket Heater And A Method of Regulating The Heat Output of the Jacket Heater | |
| WO2007064247A2 (fr) | Procede de croissance de cd1-xznxte, ou 0$m(f)x$m(f)1 | |
| US4853066A (en) | Method for growing compound semiconductor crystal | |
| CN105369343B (zh) | 一种单温区晶体生长装置及单温区晶体生长方法 | |
| JPS6046073B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| CN105803518B (zh) | 类提拉法单晶生长装置及方法 | |
| RU2381305C1 (ru) | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм МЕТОДОМ ОТФ | |
| JPH08750B2 (ja) | 高圧合成装置を用いた単結晶育成方法および装置 | |
| RU2600381C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава | |
| JPS55126597A (en) | Single crystal growing method | |
| RU2330127C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия методом отф | |
| JPH01317188A (ja) | 半導体単結晶の製造方法及び装置 | |
| RU2088701C1 (ru) | Устройство для выращивания кристаллов из расплава | |
| RU2633899C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа |