SU1172584A1

SU1172584A1 - Способ перемешивани сыпучих материалов

Info

Publication number: SU1172584A1
Application number: SU823489891A
Authority: SU
Inventors: Олег Ювенальевич Розанов; Алексей Леонтьевич Петренко
Priority date: 1982-09-03
Filing date: 1982-09-03
Publication date: 1985-08-15

Abstract

1. СПОСОБ ПЕРЕМЕШИВАНИЯ СЫПУЧИХ МАТЕРИАЛОВ в емкости, секционированной экранами, образующими со стенками подэкранные полости, включающий нисход щее перемещение материала под действием силы т жести и подачу потока газа навстречу потоку материала, отличающийс тем, что, с целью интенсификации перемешивани за счет создани дополнительных зон смещени , в каждую подэкранную полость ввод т газовую струю, направленную тангенциально к поверхности движущегос сло сыпучего материала. 2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что с целью регулировани интенсивности смешени материалов, измен ют периодически количество газовых струй, поступающих в подэкранные полости. 3.Способ по п. 1, отличающийс тем, что, с целью регулировани интенсивности смешени материалов, измен ют количество газа в струе.

Description

Изобретение относитс к технологии пневматического .смешени порошкообразных и гранулированных сыпучих материалов и может найти применение во всех отрасл х промышленности, св занных с переработкой сыпучих материалов, например в металлургической промышленности, в химической и др.

Целью изобретени вл етс интенсификаци процесса перемешивани сыпучих материалов за счет создани дополнительных зон смешени .

На фиг. 1 показана схема устройства, иллюстрирующа один из примеров реализации способа; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - график перемешивани сыпучих компонентов по изобретению, где - относительное изменение контролируемого компонента в зависимости от времени f; - врем готовности смеси; на фиг. 4 - график перемешивани сыпучих компонентов по прототипу, где cjnpfC)- относительное изменение контролируемого компонента в зависимости от времени С; Сл - врем готовности смеси.

С

При осуществлении способа в подэкранных полост х создают дополнительные зоны смещени , в которых обеспечивают перемещение частиц в горизонтальном направлении посредством ввода в полости струй газа тангенциально к поверхности движущегос нисход щего сло сыпучего материала. Интенсивность перемещивани при этом регулируют периодическим изменением количества газовых струй, поступающих в подэкранные полости, а также изменением количества газа в струе каждой из зон смещени . Вместе с этим, использу вакуумный режи.м в емкости, разрыхл ют материал в нисход щем слое и увеличивают скорость нисход щего движени частиц у срезов экранов. Высока степень интенсификации процесса по данному способу дает возможность примен ть его в непрерывных технологических процессах.

Данный способ может быть реализован и в аппаратах, где восход щее движение материала осуществл ют за счет фонтанировани частиц в центральной зоне емкости 1, котора снабжена экранами 2 с асимметричными профил ми проходных сечений дл создани подэкранных зон 3 смешени , газопровод щими устройствами 4 и 5 с клапанами 6 дл обеспечени доступа газа в емкость 1, центральной трубой 7 дл пневматического транспортировани материала из зоны 8 на поверхность сло , патрубком 9 с клапаном 10 дл подключени емкости 1 к вакуумному насосу, люками 11 и 12 дл загрузки и выгрузки материала, патрубком 13 с клапаном 14 дл

отвода готовой смеси при непрерывном процессе смешени .

Дл реализации способа емкость 1 через люк 11 загружают компонентами сыпучей смеси в произвольной последовательности до заданного уровн . Открывают клапан 10 и, подключа тем самым емкость 1 к вакуумному на.сосу, создают в ней разр жекие газа. Затем открывают клапаны 6 и подают газ с атмосферным давлением в зону 8 и в дополнительные зоны 3 смешени . Из зоны 8 по трубе 7 материал в виде взвеси поднимают газовым потоком на поверхность загруженного сло , который под действием силы т жести опускаетс сплощ5 ным потоком к зоне 8, образу в подэкранных полост х свободную поверхность материала . Поступающий в подэкранные полости через устройства 5 газ движетс тангенциально по свободной поверхности материала , «взвещивает и перемещает частицы материала по кольцевому пространству до асимметричного выреза в экране. В области асимметричного выреза скорость нисход щего потока максимальна , поэтому взвешенный поток материала в подэкранной по5 лости, достига этой области, гаситс и стекает вместе с нисход щим потоком на следующий уровень. Готовую смесь выгружают через люк 12.

При непрерывном процессе смещени компоненты смеси подают через устройство

0 5 вместе с потоком газа в подэкранные полости , а готовую смесь отвод т с поверхностного сло по патрубку 13 или непосредственно из центральной трубы 7.

Регулирование интенсивности процесса перемещивани материала в емкости 1 осуществл ют изменением, числа одновременно действующих зон 3, а также изменением интенсивности перемешивани в зонах 3 путем изменени количества газа в струе, дл чего в некоторые подэкранные полости

прекращают доступ газа, перекрыва клапаны 6, и вместе с этим или независимо от этого измен ют расход газа в действующих дополнительных зонах с помощью регулирующих устройств.

Из графиков на фиг. 3 и 4 видно, что врем смешени по прототипу lap, характеризующеес затухающими гармоническими колебани ми, равно примерно 10 мин. По предлагаемому способу процесс смещени заканчиваетс на первом-втором периоде гармонических колебаний в течение одной-двух минут, Cw 1-2 мин. При этом производительность процесса перемещивани повыщаетс в 5-10 раз и в таком же соотнощении снижаютс энергетические затраты на приготовление единицы продукции .

Фиг. г

Claims

I. СПОСОБ ПЕРЕМЕШИВАНИЯ СЫПУЧИХ МАТЕРИАЛОВ в емкости, секционированной экранами, образующими со стенками подэкранные полости, включающий нисходящее перемещение материала под действием силы тяжести и подачу потока газа навстречу потоку материала, отличающийся тем, что, с целью интенсификации перемешивания за счет создания дополнительных зон смешения, в каждую подэкранную полость вводят газовую струю, направленную тангенциально к поверхности движущегося слоя сыпучего материала.
2. Способ по π. 1, отличающийся тем, что с целью регулирования интенсивности смешения материалов, изменяют периодически количество газовых струй, поступающих в подэкранные полости.
3. Способ по π. 1, отличающийся тем, что, с целью регулирования интенсивности смешения материалов, изменяют количество газа в струе.

(Л м ьо сл QO

Фиг 1