Изобретение относитс к раДиотехнике и может быть использовано в выходных каскадах усилителей, рабо .тающих на емкостную нагрузку. ; Известен повторитель, содержащий первый и второй входные транзисторы, :имеющие разную структуру, к эмиттеру ка ;дого из которых через отражатель тока подключен непосредственно источ :ник стабильного тока и через диод Iколлектор другого транзистора LlJ. Однако в таком устройстве необходимым условием дл повышени быстродействи вл етс наличие симметричного выхода соединенного с емкостной нагрузкой. При несимметричном выходе выигрыша в быстродействии не будет. Наиболее близким к изобретению по техническсй сущности вл етс эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру, базы которых объе:динены и вл ютс входом эмиттерного повторител , эмиттер первого транзис тора через токостабилизирующий двух .полюсник соединен с первой шиной источника питани , выполненного со средней точкой, а коллектор - с входом отражател тока, выводы питани которого соединены с второй шиной источника питани , а выход - с эмиттером второго транзистора и вл етс выходом эмиттерного повторител , а также фop вIpyющий конденсатор, шунти рукщий токостабшшзируниций двухполюс ник (-2. Однако в известном устройстве высокое быстродействие обеспечиваетс только при определенных соотношени х между емкостью нагрузки и емкостью формирукш(его конденсатора, а также при большой скважности входных импульсных сигналов. Цель изобретени - повышение быст родействи .. Дл этого в эмиттерный повторитель , содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру , базы объединены и вл ютс входом эмиттерного повторител ,- эмиттер первого транзистора через токостабилизирук ций двухполюсник соединен с первой шиной источни ка питани , в.ьтолненного со средней точкой, а коллектор - с входом отражател тока, выводы питани которого соединены с второй шиной исто чника питани , а выход - с эмиттерои второ го транзистора и вл етс выходом эмиттерного повторител , введены дополнительный токостабилизирующий двухполюсник и первый и второй дополнительные транзисторы, имеющие одну структуру, коллекторы которых соединены с первой шиной источника питани , при этом база первого и эмиттер .второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к эмиттеру первого транзистора, а эмиттер первого и база второго дополнительных транзисторов объед,инены и подключены к коллектору второго транзистора, который через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой шиной источника питани . На чертеже представлена электрическа принципиальна схема эмиттерного повторител . . Эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, , отражатель 3 тока, токостабилизирующий двухполюсник 4, дополнительный токостабилизирующий двухполюсник 5, первый и второй дополнительные транзисторы 6 и 7, первую и вторую шины 8 и 9 источника питани . Эмиттерный повторитель работает следующим образом. В статическом режиме (при нулевом входном напр жении Ug 0) ток коллектора второго транзистора 2 Х равенвыходному току отражател 3 . , который в свою очередь устанавливаетс равным коллекторному току первого, транзистора:1 и, следовательно, току токостабилизирующего двухполюсника 4 It , - i. - - i. I Tok токостабилизирующего двухполюсника ST. выбираетс несколько меньэ ше чем т -5 Поэтому второй дополнительный транзистор 7 находитс в режиме отсечки, а эмиттерный ток первого дополнительного транзистора 6 равен разности I,-l,-Ij . (3) Если входное напр жение получает положительное приращение, то это вызывает быстрый зар д емкостной нагрузкоторый переки зар дным током i даетс в эмиттер первого дополнительного транзистора 6, и далее закорачиваетс на первую шину 8 источника питани . В режиме зар да емкостной нагрузки напр жение коллектор - база 3 - 11 второго транзистора 2 не измен етс благодар передаче входного напр жени в эмиттерную цепь первого транзистора 1, а затем в коллекторную цепь второго транзистора 2, Это увеличивает входное сопротивление эмиттерного повторител (ЭП) и уменьшает вли ние емкости коллектор - база второго транзистора 2 на R Таким образом, при положительном приращении Ug врем установлени переходного процесса в ЭП минимально Ч. Если Ug уменьшаетс до некоторого отрицательного значени и.,- то это вызывает уменьшение коллекторного тока второго транзистора 2. Как только коллекторный ток -станет меньше чем .Эу , происходит запирание первого дополнительного транзисто;ра 6, а второй дополнительный тран: зистор 7 переходит в активный режим Как следствие разностный ток Jp, усиленный в jb-i раз, поступает в эмиттерную цепь первого транзисто4 .. ра 1 и через отражатель 3 тока начинает разр жать емкостную нагрузку U S 4 P-r() -. , раз max 5 . где РУ - коэффициент усилени тока базы второго дополнительного транзистора 7. При достаточно большом значении (ь второй транзистор 2 не . запираетс , т.е. напр жение на емкостной нагрузке с малой погрешностью отслеживает изменение у . Разр дный ток i , может достигать весьма больших значений. Это уменьшает врем установлени перехоМ ного процесса в дес тки-сотни раз и noBbmiaer быстродействие ЭП. Указа ный эффект достигаетс без каких-либо дополнительных конденсаторов и в щи-г роком диапазонеизменени скважности выходных импульсных сигналов. За счет введени новых св з«й в эмиттерном повторителе компенсируетс вли ние «мкости коллектор - база не только второго транзистора «2, но и первого транзистора 1,