Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.Е. ЖилинfiledCriticalВ.Е. Жилин
Priority to SU3381978/25ApriorityCriticalpatent/SU1032936A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1032936A1publicationCriticalpatent/SU1032936A1/ru
Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p - n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 - 950С в течение 7 - 20 мин.
SU3381978/25A1981-12-091981-12-09Способ изготовления свч-биполярных транзисторов
SU1032936A1
(ru)