SU1003397A1 - Электрическа коммутационна матрица - Google Patents

Description

(54) ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ КОММУТАЦИОННАЯ МАТРИЦА

1

, Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано |В электронных блоках дл  комрлутации электрических сигналов.

Известна электрическа  коммутацион на  матрица, содержаща  переплетенные ортогональные токопроводники и изол ционные нити и контактные узлы при. переходе токопроводников с одной координаты на другую 1 .

Недостаток данной матрицы - сложна  технологи  изготовлени .

Извества также электрическа  коммутационна  матрица, содержаща  переплетенные ортогональные токопроводники и изол ционные нити с гофрами и контактные выводы 2 .

Однако при соединении схемных элементов при помощи указанной матрицы ее гофры огибают схемные элементы что приводит к увеличению длины,сое791нительных токопроводников, а это ограничивает использование такой конструкции в модул х-с интегральными «схемами со временем переключени  пор дка 10 НС, а также не позвол ет увеличить плотность токопроводников и уменьшить число слоев матрицы. - Цель изобретени  - упрощение конструкции за счет уменьшени  слоев матрицы.

Указанна  цель достигаетс  тем, что в электрической коммутационной матрице, преимущественно дл  соедине НИН схемных элементов, содержгидей переплетенные ортогональные токопроводники и изол ционные нити с гоф рами и контактные выводы, выполнены параллельные прорези, участки между которыми сложены вдвое с образова10 нием гофр, между которыми размещены схемные элементы.

На фиг. 1 изображена предлагаема  матрица в развернутом виде; -на фиг.2то же, в сложенном виде, на фиг. 3 15 то же, с подключенными схемными элементами.

Электрическа  коммутационна  матрица содержит переплетенные ортого- . нальные токопроводники с контактны20 ми выводами 1 и изол ционные нити. Гофры 2 матрицы образованы при помощи параллельных прорезей 3, участки между которыми сложены вдвое по лини м 4-7, причемпо линии 4 из25 гиба матрицу складывают вдвое и получают параллельную прорез м 3 складку 8.

Перпендикул рную параллельным прорез м 3 складку 9 получают склады 0 ва  матрицу по лини м 5-7. В начале

делают складку по линии 5 изгиба, приведенной под углом 45. от конца прсфеэн до пересечени  с линией 4 изгиба, затек: складывают по линии 6 изгиба,.проведенной между концами параллельных прорезей, и оконча тельно складывают по линии 7 изгиба, проведенной через точки пересечени  линий 4 и 5 изгиба. Сложенную матрицу укладывают между схемными элементами 10, а контактные выводы 1 соедин ют с выводами 11 схемных элементов .

Предлагаема  матрица позвол ет увеличить плотность токопроводников между схемными элементами за счет выполнени  параллельных прорезей , между которыми выполнены .складки , что дает возможность сократить количество слоев в два раза и снизить стоимость матрицы на 30%.

Claims (2)

1.Патент США 3479565, кл. 317-101, 1969.

2.Авторское свидетельство СССР 270017, кл. Н 05 К 1/04, 1969

. (прототип).