SI24593A - Postopek izdelave organske svetleče diode - Google Patents

Postopek izdelave organske svetleče diode Download PDF

Info

Publication number
SI24593A
SI24593A SI201300411A SI201300411A SI24593A SI 24593 A SI24593 A SI 24593A SI 201300411 A SI201300411 A SI 201300411A SI 201300411 A SI201300411 A SI 201300411A SI 24593 A SI24593 A SI 24593A
Authority
SI
Slovenia
Prior art keywords
layer
curable
mixture
ruthenium complex
pedot
Prior art date
Application number
SI201300411A
Other languages
English (en)
Inventor
Barbara Sušin
Mojca Friškovec
Kristina Bašnec
Original Assignee
CETIS, grafiÄŤne in dokumentacijske storitve, d.d.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETIS, grafiÄŤne in dokumentacijske storitve, d.d. filed Critical CETIS, grafiÄŤne in dokumentacijske storitve, d.d.
Priority to SI201300411A priority Critical patent/SI24593A/sl
Publication of SI24593A publication Critical patent/SI24593A/sl

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Po izumu je predviden postopek izdelave organskih svetlečih diod, pri katerem se na primeren substrat, zlasti stekleno površino ali folijo s predhodno nanešeno anodo, nanese transportne sloje in emisivni sloj, nakar se v nadaljnjem koraku oblikuje prostor za katodo in izvrši vnašanje same katode, sestoječe iz evtektične zmesi galija in indija. Nanašanje transportnega sloja in emisivnega sloja se po izumu izvrši s fleksotiskom.

Description

Postopek izdelave organske svetleče diode
Izum se nanaša na postopek izdelave organske svetleče diode (OLED). Tovrstni izumi so na področju elektrotehnike razvrščeni k svetilom, konkretno pa k postopkom izdelave elektroluminiscentnih izvorov svetlobe.
Pri tem je izum osnovan na problemu, kako izpopolniti postopek izdelave organske svetleče diode, da bo ta lahko potekal hitreje in bo tako v velikoserijski proizvodnji lahko čas izdelave diode v primerjavi z doslej znanimi postopki bistveno krajši.
Prijavitelju je znan postopek izdelave organskih svetlečih diod, pri katerem se na primeren substrat, zlasti stekleno površino ali folijo s predhodno nanešeno anodo, sestoječo iz trdne raztopine običajno 90 ut.% indijevega (III) oksida In2O3 in 10 ut. % kositrovega (IV) oksida SnO2 (strokovnjakom znane tudi s kratico ITO, ki izhaja iz angleške strokovne terminologije Indium Tin Oxide), nanese še na vročem zraku utrdljiv transportni sloj, sestoječ iz poli(3,4-etilendioksithiopen) • · · · poli(stirensulfonata) (skrajš. PEDOT:PSS), in emisivni sloj, sestoječ iz UVutrdljivega rutenijevega kompleksa. Pri tem se nanašanje sloja UV-utrdljivega rutenijevega kompleksa vrši z naprševanjem, namreč bodisi z nanašanjem na vrteče se podlage (angl. spin coating) ali s kapljičnim tiskom s kapljičnim tiskom s pomočjo takoimenovanega ink jet tiskalnika (angl. Ink-jet printing) . Temu sledi oblikovanje prostora za katodo in vnašanje same katode, in sicer s pomočjo tkzv. samolepilnih mask za katodo, pri čemer je na prvi t.j. spodnji maski prav tako nanesen sloj ITO, medtem ko sama katoda sestoji iz evtektične zmesi galija in indija. Za tovrsten postopek je značilno, da nanašanje transportnega sloja (PEDOT.PSS) in emisivnega sloja iz UV-utrdljivega rutenijevega kompleksa poteka z naprševanjem (spin coatingom) oz. kapljičnim tiskom s pomočjo takoimenovanega ink jet tiskalnika iz zato razmeroma počasi in je zatorej primemo predvsem za manjše površine, za individualno oz. laboratorijsko uporabo, ne pa tudi za velikoserijsko proizvodnjo.
Izum se nanaša na postopek izdelave organskih svetlečih diod, pri katerem se na primeren substrat, zlasti stekleno ploščo ali polimerni substrat v obliki plošče ali folije, s predhodno nanešeno anodo, sestoječo iz trdne raztopine vsaj približno 90 ut.% indij evega (III) oksida In2O3 in ut. 10 % kositrovega (IV) oksida SnO2 (ITO) nanese še na vročem zraku utrdljiv transportni sloj, sestoječ iz zmesi natrijevega sulfata polistirena in poli(3,4-etilendioksithiopen) poli(stirensulfonata) (PEDOT:PSS), in emisivni sloj, sestoječ iz UV-utrdljivega rutenijevega kompleksa, čemur sledi oblikovanje prostora za katodo in zatem vnašanje katode iz evtektične zmesi galija in indija, in sicer s pomočjo tkzv. samolepilnih mask za katodo, pri čemer je na prvi t.j. spodnji maski prav tako nanešen električno prevodni sloj (ITO).
Za postopek po izumu pa je značilno, da se nanašanje na vročem zraku sušečega se oz. utrdljivega transportnega sloja (PEDOT;PSS) in emisivnega sloja iz UVutrdljivega rutenijevega kompleksa izvrši s pomočjo fleksotiska.
Pri eni od možnih izvedb postopka po izumu se v koraku nanašanja emisivnega sloja s fleksoprintom kot UV-utdljiv rutenijev kompleks uporabi zmes tris(2,2’bipiridil)dikloro-rutenijevega (II) heksahidrata, amonijevega heksafluorofosfata in acetonitrila.
Pri alternativni izvedbi postopka po izumu se v koraku nanašanja emisivnega sloja s fleksoprintom kot UV-utdljiv rutenijev kompleks uporabi zmes tris(2,2’bipiridil)dikloro-rutenijevega (II) heksahidrata, amonijevega heksafluorofosfata in dimetil sulfoksida.
Organska svetleča dioda OLED (okrajš. za Organic Light Emitting Diode, pogosto tudi Light Emitting Polymer (LEP) ali Organic Electro Luminescence (OEL), je vsaka svetleča dioda (LED), ki temelji na organskih elementih in v stiku z električnim tokom oddaja svetlobo. Klasična LED dioda je namreč polprevodniška in ne organska. Plasti pri OLED tehnologiji so sestavljene iz organskih snovi.
Sodobna organska dioda je sestavljena iz sevajoče polprevodne (n) plasti in polprevodne (p) plasti med anodo in katodo. Zaradi boljše učinkovitosti so diode lahko sestavljene tudi iz več plasti.
Napetost na elektrodah povzroči premik naboja, elektroni se zberejo v sevajoči plasti, v prevodni plasti za njimi ostane presežek pozitivnega naboja. Kljub napetosti na elektrodah se pozitivni in negativni naboj privlačita. Ob srečanju pozitivnega in negativnega naboja (na p-n spoju) se presežka izničita, nastala energija pa se sprosti v obliki svetlobe. Valovna dolžina (oz. barva) svetlobe je odvisna od materialov obeh polprevodnih plasti v diodi.
Primer
Pri izdelavi organske svetleče diode (OLED) smo uporabili s kositrom dopiran indijev oksid (ITO) na primernem substratu, namreč na steklu ali polimerni foliji. ITO je trdna raztopina,sestoječa iz vsaj približno 90 ut.% indijevega (III) oksida Ιη2θ3 in 10 ut. % kositrovega (IV) oksida SnO2, uporabljen pa je bil zaradi dobre električne prevodnosti in transparentnosti. V tankih plasteh smo ga nanašali na substrate s fizikalnimi postopki iz parne faze.
Nadalje smo uporabili na vročem zraku sušeč se oz. utrdljiv PEDOT proizvajalcev Clevious in Sigma-Aldrich, ki je bil zaradi boljše oprijemljivosti predhodno razredčen z izo-2-propanolom. Uporabljeno zmes PEDOT:PSS, namreč poli(3,4etilendioksithiopen) poli(stirensulfonat), predstavlja polimerna zmes dveh ionskih monomerov. En del te zmesi je sestavljen iz natrijevega sulfata polistirena, ki je sulfonirani polistiren. Drugi del poli(3,4-etilenedioksthiopen) ali PEDOT je vezan polimer in nosi pozitivne naboje na osnovi polithiofena. Skupaj nabiti makromolekuli tvorita makromolekulsko sol.
Za tiskanje emisivne plasti je bil uporabljen UV-utrdljiv rutenijev kompleks, kakršega tudi sicer uporabljajo pri tehniki nanašanja na vrtečih se podlagah (spin coatingom), pri čemer gre za zmes tris(2,2’-bipiridil)dikloro-rutenijevega (II) heksahidrata, amonijevega heksafluorofosfata in acetonitrila. Alternativno možnost predstavlja UV-utrdljiv rutenijev kompleks za nanašanje s kapljičnim tiskom (ink jet), namreč zmes tris(2,2’-bipiridil)dikloro-rutenijevega (II) heksahidrata, amonijevega heksafluorofosfata in dimetil sulfoksida.
• · · ·
Za katodo je bila uporabljena evtektična zmes galija in indija, ki je bila v neposrednem stiku z emisivnim slojem iz omenjenega rutenijevega kompleksa in anodnim slojem ITO na spodnji samolepilni polimerni maski za oblikovanje prostora za katodo.
Tako izdelana OLED je bila sestavljena iz anode (ITO) na primernem substratu, transportnega sloja (PEDOT:PSS), emisivnega sloja iz rutenijevega kompleksa, ki oddaja svetlobo, in iz katode iz evtektične zmesi galija in indija. Omenjeni sloji so bili stisnjeni med polimernim substratom, lahko tudi med steklom in polimernim substratom, po izbiri še dodatno prevlečenim z enkapsulacijskim zaščitnim slojem, tako da je bil preprečen dostop kisika in vlage, obenem pa je bila s tem zagotovljena tudi zaščita omenjenih slojev pred zunanjimi fizikalnimi vplivi in poškodbami. Tako dobljen sestav smo lahko priključili na vir enosmerne napetosti.
Komponenti, ki tvorita delujočo OLED, namreč na vročem zraku sušeč se oz. utrdljiv transportni sloj (PEDOT:PSS) in emisivni sloj iz UV-utrdljivega rutenijevega kompleksa, sta bili s fleksotiskom nanešeni na substrat v obliki polimerne folije s predhodno nanešenim anodnim slojem (ITO). V prvem primeru sta bila na vročem zraku sušeč se PEDOT:PSS in UV-utrdljiv rutenijev kompleks naneŠena na predhodno nanešeni sloj ITO, v drugem primeru pa je bil na predhodno nanešen sloj ITO in PEDOT:PSS nanešen še emisivni sloj iz UVutrdljivega rutenijevega kompleksa.
S tem je bila realizirana delujoča OLED, pri kateri sta bila na vročem zraku sušeč se transportni sloj (PEDOT:PSS) in emisivni sloj iz UV-utrdljivega rutenijevega kompleksa nanešena s fleksotiskom. Kakovost same izdelave OLED in tudi njena učinkovitost v smislu svetilnosti je bila primerljiva z OLED, ki so izvedene po znanih postopkih nanašanja transportnega sloja in emisivnega sloja s tehniko spin coatinga ali kapljičnega tiska.
• ·
Polimerna folija zagotavlja OLED boljšo prožnost, bolj jo je možno upogibali, ne da bi prenehala svetiti. Razen tega za izdelavo nismo potrebovali čiste sobe, dasiravno čistoča okolice veliko pripomore k daljši življenjski dobi izdelane diode. Nanos omenjenega transportnega sloja in emisivnega sloja v tehniki fleksotiska je dovolj enakomeren in primerne debeline za izdelavo delujoče OLED, razen tega pa postopek po izumu omogoča nanašanje omenjenega transportnega sloja in emisivnega sloja na večjo površino, kar omogoča občutno večjo produktivnost izdelave v primerjavi z doslej znanimi postopki.

Claims (3)

1. Postopek izdelave organskih svetlečih diod, pri katerem se na primeren substrat, zlasti stekleno ploščo ali polimerni substrat v obliki plošče ali folije, s predhodno nanešeno anodo, sestoječo iz trdne raztopine vsaj približno 90 ut.% indijevega (III) oksida In2O3 in 10 ut. % kositrovega (IV) oksida SnO2 (ITO) nanese še na vročem zraku sušeč se oz. utrdljiv transportni sloj, sestoječ iz zmesi natrijevega sulfata polistirena in poli(3,4-etilendioksithiopen) poli(stirensulfonata) (PEDOT:PSS), in emisivni sloj, sestoječ iz UV-utrdljivega rutenijevega kompleksa, čemur sledi oblikovanje prostora za katodo in zatem vnašanje katode iz evtektične zmesi galija in indija, in sicer s pomočjo tkzv. samolepilnih mask za katodo, pri čemer je na prvi t.j. spodnji maski prav tako nanešen električno prevodni sloj (ITO), označen s tem, da se korak nanašanja na vročem zraku sušečega se transportnega sloja (PEDOT:PSS) in emisivnega sloja iz UVutrdljivega rutenijevega kompleksa izvrši s fleksotiskom.
2. Postopek po zahtevku 1, označen s tem, da se v koraku nanašanja emisivnega sloja s fleksoprintom kot UV-utdljiv rutenijev kompleks uporabi zmes tris(2,2’-bipiridil)dikloro-rutenijevega (II) heksahidrata, amonijevega heksafluorofosfata in acetonitrila.
3. Postopek po zahtevku 1, označen s tem, da se v koraku nanašanja emisivnega sloja s fleksoprintom kot UV-utdljiv rutenijev kompleks uporabi zmes tris(2,2’-bipiridil)dikloro-rutenijevega (II) heksahidrata, amonijevega heksafluorofosfata in dimetil sulfoksida.
SI201300411A 2013-12-05 2013-12-05 Postopek izdelave organske svetleče diode SI24593A (sl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SI201300411A SI24593A (sl) 2013-12-05 2013-12-05 Postopek izdelave organske svetleče diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SI201300411A SI24593A (sl) 2013-12-05 2013-12-05 Postopek izdelave organske svetleče diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SI24593A true SI24593A (sl) 2015-06-30

Family

ID=53443653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SI201300411A SI24593A (sl) 2013-12-05 2013-12-05 Postopek izdelave organske svetleče diode

Country Status (1)

Country Link
SI (1) SI24593A (sl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI332721B (sl)
US10510978B2 (en) Light emitting element using charge generating layer formed through solution process and method for manufacturing same
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
CN106129262B (zh) 一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法
EP2592672B1 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing same
TWI321859B (en) Organic light emitting device
CN103444262A (zh) 有机电致发光元件
CN104701462A (zh) 有机场致发光显示装置
CN104365182A (zh) 有机电致发光器件
JP2013509710A (ja) 発光電気化学デバイス、そのデバイスを含むシステム、およびそのデバイスの使用
KR101127572B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN105917736B (zh) 发光装置及发光装置的制造方法
US8580403B2 (en) Organic light-emitting diode, display and illuminating device
CN108630828B (zh) 一种有机电致发光装置及其制备方法
SI24593A (sl) Postopek izdelave organske svetleče diode
KR101562558B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
CN105374853A (zh) Oled显示面板及显示装置
KR101210792B1 (ko) 유연성 유기발광 소자 및 그 제조방법
EP3469639A1 (en) Light emitting electrochemical cell and method of manufacture
CN105977397B (zh) 有机发光二极管器件及其制备方法、阵列基板、显示装置
Kim et al. Buffer layer control for solution processing of white organic light-emitting diodes
GB2563448A (en) Device
KR20110007904A (ko) 인버티드 투명 유기 발광다이오드 및 인버티드 투명 유기 발광다이오드 제조방법
JP2017130408A (ja) 発光装置
KR20150104298A (ko) 평면정렬 전극 유기발광다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
OO00 Grant of patent

Effective date: 20150710

KO00 Lapse of patent

Effective date: 20220817