SE520115C2 - The ditch with flat top - Google Patents
The ditch with flat topInfo
- Publication number
- SE520115C2 SE520115C2 SE9701154A SE9701154A SE520115C2 SE 520115 C2 SE520115 C2 SE 520115C2 SE 9701154 A SE9701154 A SE 9701154A SE 9701154 A SE9701154 A SE 9701154A SE 520115 C2 SE520115 C2 SE 520115C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- ditch
- insulating layer
- polysilicon
- insulating
- trench
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/763—Polycrystalline semiconductor regions
Abstract
Description
30 520 115 ningen i oxiderna. Detta betyder att oxiderna i ornråden med hög mekanisk spänning etsas djupare än resten av ytan, vilket leder till spår längs kanterna av diket. Under vidarebehandlingen är det möjligt att dessa spår blir fyllda med ledande material till ett sådant djup att senare behandling för att avlägsna oönskat ledande material blir ineffektiv och strängar av ledande överskottsmaterial finns kvar i spåren. Dessa strängar kan förorsaka problem såsom exempelvis kortslutning, särskilt om sträng- arna är så höga att de kommer i kontakt med ledare som är lagda över diket. 520 115 in the oxides. This means that the oxides in the high mechanical stress orchards are etched deeper than the rest of the surface, leading to grooves along the edges of the ditch. During the further treatment, it is possible that these grooves are filled with conductive material to such a depth that later treatment to remove unwanted conductive material becomes ineffective and strands of conductive excess material remain in the grooves. These strings can cause problems such as short circuits, especially if the strings are so high that they come into contact with conductors laid over the trench.
REDoGöRELsE FÖR UPPFINNINGEN Ett ändamål med föreliggande uppfinning är att åstadkomma dikesytor som är plana- re än tidigare dikesytor. Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstadkomma ett förfarande för att eliminera problemet med strängar av ledande överskottsmatexial som finns kvar i spår längs dikeskantema.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide ditch surfaces which are flatter than previous ditch surfaces. Another object of the invention is to provide a method for eliminating the problem of strands of conductive excess material remaining in grooves along the trench edges.
Enligt uppfinningen emås detta ändamål genom tillhandahållande av extra material längs kanterna av dikena i och för att förhindra uppträdandet av spår längs di- keskanterna. I fallet med kiselbaserad processering sker detta genom deponering av ett skikt av polykisel, oxid, nitiid eller dylikt som därefter tillbakaetsas medelst ett anisotropiskt medel, dvs en etsprocess som angriper skiktet som skall etsas betydligt snabbare i vertikal riktning än i horisontell. Detta lämnar extra material längs di- keskanterna. Denna process äger rum innan oxidskiktet odlas på polykislet i diket. I fallet med icke-oxiderbart material såsom exempelvis oxid eller nitrid skall tjockle- ken av det extra materialet efter etsning huvudsakligen vara densamma som steghöj- den. I fallet med polykisel väljs tjockleken av deponerat polykisel företrädesvis så att när allt extra polykisel oxideras under den efterföljande oxideringen det resulte- rande oxidskiktet har ungefär samma höjd som steghöjden. Det extra materialet i form av oxid-, nitrid- eller polykiselsträngar längs dikeskanterna skyddar mot oxide- ring av det underliggande kislet vilket i annat fall skulle oxideras och generera om- råden med hög mekanisk spärming. I frånvaron av områden med hög mekanisk spänning förlöper den efterföljande våtetsningen jämnare och bildandet av oönskade spår vid dikeskantema undviks. 10 15 20 25 520 115 n J Oxideringen av det extra tjocka polykiselmaterialet nära dikeskantema ger också ett tjockare oxidskikt nära dikesväggama. Genom att välja lämpliga dimensioner på de extra polykiselsträngama blir det möjligt att åstadkomma oxidskikt vid dikeskanter- na som har huvudsakligen samma tjocklek som de omgivande oxidskikten och på detta sätt åstadkomma en planare yta.According to the invention, this object is achieved by providing extra material along the edges of the ditches in order to prevent the appearance of tracks along the edges of the ditches. In the case of silicon-based processing, this is done by depositing a layer of polysilicon, oxide, nitride or the like which is then etched back by means of an anisotropic agent, ie an etching process which attacks the layer which is to be etched much faster in the vertical direction than in the horizontal. This leaves extra material along the edges of the ditches. This process takes place before the oxide layer is grown on the polysilicon in the ditch. In the case of non-oxidizable material such as, for example, oxide or nitride, the thickness of the extra material after etching should be substantially the same as the step height. In the case of polysilicon, the thickness of deposited polysilicon is preferably selected so that when all the extra polysilicon is oxidized during the subsequent oxidation, the resulting oxide layer has approximately the same height as the step height. The extra material in the form of oxide, nitride or polysilicon strands along the ditch edges protects against oxidation of the underlying silicon, which would otherwise be oxidized and generate areas with high mechanical stress. In the absence of areas with high mechanical stress, the subsequent wet etching proceeds more evenly and the formation of unwanted grooves at the ditch edges is avoided. 10 15 20 25 520 115 n J The oxidation of the extra thick polysilicon material near the ditch edges also gives a thicker oxide layer near the ditch walls. By selecting suitable dimensions on the extra polysilicon strands, it becomes possible to provide oxide layers at the ditch edges which have substantially the same thickness as the surrounding oxide layers and in this way provide a flatter surface.
En dikesformering formad i enlighet med uppfinningen uppvisar ett antal fördelar.A ditch formation formed in accordance with the invention has a number of advantages.
En uppenbar fördel är att ytan över diket inte längre har något vertikalt steg, vilket minskar risken för att oönskat material blir kvar i diket och senare förorsakar pro- blem. En annan fördel är att en jämnare yta erhålles efter det att oxiden eller nitti- den deponerats eller efter det att polykislet deponerats och tillbakaetsats enligt ett förfarande i enlighet med uppfinningen.An obvious advantage is that the surface over the ditch no longer has a vertical step, which reduces the risk of unwanted material remaining in the ditch and later causing problems. Another advantage is that a smoother surface is obtained after the oxide or rivet has been deposited or after the polysilicon has been deposited and re-etched according to a method in accordance with the invention.
FIGURBESKRIVNIN G Uppfmningen beskrives närmare nedan med hjälp av exempel på utföringsformer av dikesstrukturer formade i enlighet med uppfinningen och under hänvisning till bifo- gade ritning, på vilken Fig. la-lh i tvärsektion visar steg i formerandet av ett dike enligt ett tidigare känt förfarande och Fig. 2a-2j i tvärsektion visar steg i formerandet av ett dike i enlighet med en utfö- ringsfonn av föreliggande uppfinning.DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention is described in more detail below by means of examples of embodiments of ditch structures formed in accordance with the invention and with reference to the accompanying drawing, in which Figs. Figures 2a-2j in cross section show steps in the formation of a ditch in accordance with an embodiment of the present invention.
DETALJBESKRIVNIN G AV UTFÖRIN GSFORMERN A Fig. la visar det första steget i ett känt förfarande för åstadkomrnande av ett dike.DETAILED DESCRIPTION OF THE EMBODIMENT A Fig. 1a shows the first step in a known method of making a ditch.
Ett dike 1 har etsats ut i ett kiselsubstrat 2 av en skiva som har en plan yta 3. Ett isolerande skikt 4 av exempelvis kiseldioxid eller kiselninid eller en kombination av dessa upptill på den plana ytan fungerar som en mask under etsningen av diket l. 10 15 20 25 30 I fig. lb har ett andra isolerande skikt 9 av exempelvis kiseldioxid eller kiselnitrid eller en kombination av dessa odlats eller deponerats i diket 1 och på det första iso- lerande oxidskiktet 4. Det är även möjligt att deponera det isolerande skiktet 9 efter det att det första isolerande skiktet 4 avlägsnats från den plana ytan 3. I fig. lc har ett polykiselskikt 6 deponerats till en tjocklek som är tillräcklig för att överfylla di- ket 1. Ett spår eller vertikalt nedåtriktat steg 8' förefrnnes över diket 1.A trench 1 has been etched into a silicon substrate 2 by a sheet having a flat surface 3. An insulating layer 4 of, for example, silica or silicon ninide or a combination of these at the top of the flat surface acts as a mask during the etching of the trench 1. 15 20 25 30 I fi g. 1b has a second insulating layer 9 of, for example, silica or silicon nitride or a combination of these grown or deposited in the ditch 1 and on the first insulating oxide layer 4. It is also possible to deposit the insulating layer 9 after the first insulating layer 4 has been removed from the flat surface 3. In Fig. 1c, a polysilicon layer 6 has been deposited to a thickness sufficient to fill the ditch 1. A groove or vertically downward step 8 'is formed over the ditch 1.
I fig. ld har polykiselskiktet 6 etsats bort i och för att frilägga den huvudsakligen plana ytan av kiselsubstratet 2. Detta ger öar av kiselsubstrat 2 åtskilda medelst ett dike l med väggar 9 av isolerande oxid 4 och en käma av polykisel 6. När polykislet 6 bortetsas från skivytan återstår ett nedåtriktat vertikalt steg 8 över diket 1.I fi g. 1d, the polysilicon layer 6 has been etched away to expose the substantially flat surface of the silicon substrate 2. This gives islands of silicon substrate 2 separated by a ditch 1 with walls 9 of insulating oxide 4 and a core of polysilicon 6. When the polysilicon 6 is etched from the disk surface a downward vertical step 8 remains over the ditch 1.
Detta förorsakas av överetsning av polykiselskiktet 6. Denna överetsning erfordras för att säkerställa att allt polykisel avlägsnas på den plana ytan 3.This is caused by over-etching of the polysilicon layer 6. This over-etching is required to ensure that all polysilicon is removed on the flat surface 3.
Ytan av polykislet 6 som återstår i diket 1 oxideras därefter till att bilda ett isoleran- de oxidlock 10 över diket såsom visas i frg. le. I områdena 12 där dikenas 1 oxid- väggar har lutande Överdelar vilka lutar nedåt mot insidan av diket har kiselsubstra- tet 2 endast en tunn beläggning av polykisel 6. Under oxideringsprocessen är det möjligt att även kiselsubstratet 2 oxideras särskilt i området där lockoxiden är tunn innan oxideringssteget. Detta genererar höga mekaniska spänningar i områden 12 och i oxíden 9, 10 nära dessa områden.The surface of the polysilicon 6 remaining in the ditch 1 is then oxidized to form an insulating oxide cap 10 over the ditch as shown in FIG. smile. In the areas 12 where the oxide walls of the ditches 1 have sloping Upper parts which slope downwards towards the inside of the ditch, the silicon substrate 2 has only a thin coating of polysilicon 6. During the oxidation process, it is possible the oxidation step. This generates high mechanical stresses in areas 12 and in the oxide 9, 10 near these areas.
Efterföljande behandling utnyttjar ofta våtetsning för att avlägsna termiskt produce- rade oxider så att isoleringsskiktet 9 på den plana ytan 3 blir tunnare eller avlägsnas helt och hållet. För det fall att isoleringsskiktet 4 fortfarande finns kvar är det tänk- bart att även detta åtminstone delvis blir tunnare. Etshastigheten för våtetsning för oxider är starkt beroende av den mekaniska spänningen i oxiderna. Detta betyder att oxiderna i områden 12 med hög mekanisk spänning etsas djupare än resten av ytan.Subsequent treatment often uses wet etching to remove thermally produced oxides so that the insulating layer 9 on the flat surface 3 becomes thinner or is removed completely. In the event that the insulating layer 4 still remains, it is conceivable that this will also be at least partially thinner. The etching rate of wet etching for oxides is strongly dependent on the mechanical stress in the oxides. This means that the oxides in areas 12 with high mechanical stress are etched deeper than the rest of the surface.
Såsom visas i fig. lf kan detta leda till oregelbundna spår 14 längs kantema av diket 1. 10 15 20 25 520 5 Under efterföljande behandling innefattande deponering av ledande material fylls dessa spår 14 med ledande material 16 såsom visas i fig. lg.As shown in fi g. lf, this can lead to irregular grooves 14 along the edges of the ditch 1. During subsequent treatment involving deposition of conductive material, these grooves 14 are filled with conductive material 16 as shown in fi g. lg.
Varaktigheten av senare behandling för att avlägsna oönskat ledande material 16 kan vara otillräcklig för att avlägsna allt ledande material 16 på botten av spåren 14 och strängar 18 av ledande överskottsmaterial 16 kan finnas kvar i spåren såsom visas i fig. lh. Dessa strängar 18 kan förorsaka problem såsom exempelvis kortslutningar särskilt om strängarna är så höga att de kommer i kontakt med ledare som lagts över diket under efterföljande processering.The duration of subsequent treatment to remove unwanted conductive material 16 may be insufficient to remove all conductive material 16 at the bottom of the grooves 14 and strands 18 of conductive excess material 16 may remain in the grooves as shown in fi g. lh. These strands 18 can cause problems such as, for example, short circuits, especially if the strands are so high that they come into contact with conductors laid over the trench during subsequent processing.
Enligt en utföringsfonii av förfarandet enligt föreliggande uppfinning för fonnering av plana diken såsom visas i fig. 2a-2d etsas ett dike i substratet på konventionellt sätt. Som exempel illustreras uppfinningen med utföringsformer som utnyttjar ett kiselsubstrat, kiseloxider som isolerande material och polykisel som fyllnadsmateri- al. Det är även möjligt att använda andra halvledare, exempelvis kiselkarbid eller andra material ur grupp 3 eller grupp 5 eller andra lämpliga material för substratet och de isolerande materialen kan vara någon lämplig förening såsom exempelvis oxider, nitiider eller dylikt samt kombinationer av dessa. Vidare är dikesfyllnads- materialet icke begränsat till polykisel utan kan exempelvis vara amorft kisel, mik- rokiistallint kisel eller kristallina kiselföreningar. För det fall att dikesstnikturen forineras i ett substrat som är baserat på ett annat material än kisel är det naturligtvis möjligt att använda andra fyllnadsmaterial med lämpliga egenskaper.According to an embodiment of the method according to the present invention for forming the planes as shown in Figs. 2a-2d, a trench is etched in the substrate in a conventional manner. By way of example, the invention is illustrated by embodiments which utilize a silicon substrate, silicon oxides as insulating material and polysilicon as filler material. It is also possible to use other semiconductors, for example silicon carbide or other materials from group 3 or group 5 or other suitable materials for the substrate and the insulating materials may be any suitable compound such as for example oxides, nitrides or the like and combinations thereof. Furthermore, the ditch filling material is not limited to polysilicon but may be, for example, amorphous silicon, micro-crystalline silicon or crystalline silicon compounds. In the event that the ditch texture is forined in a substrate based on a material other than silicon, it is of course possible to use other filling materials with suitable properties.
Av fig. Ze framgår det att extra sömmar 20 av polykisel lagts längs kanterna av di- kena med hjälp av någon lämplig metod. Ett exempel på en dylik metod är att först deponera en polykiselfilm 21 med en tjocklek t av exempelvis 0,3 - 0,8 um över hela skivan. Denna film 21 deponeras även på de vertikala stegen 8 så att de verti- kala stegen 8 kommer 2t närmare varandra efter det att filmen 21 deponerats. Denna films 21 tjocklek t är beroende av höjden h av dikets vertikala steg. Denna film 21 10 15 20 25 30 »a -tr n « ~. s .n -wv i. in- » -.i v; -> ~ . i ~ i i | I «, si .- a- r i . . , . . i-v . 1 - . . t -, _ » i ~ ., i » , , , . i . t i ., .. , . . 6 visas medelst en streckad linje i fig. 2e. Filmen 21 tillbakaetsas därefter en sträcka t med ett anisotropiskt etsmedel som huvudsakligen etsar i vertikal riktning. Detta fiilägger oxidskiktet 4 och/eller 9 på den plana ytan och polykislet mitt i diket men lärnnar extra materialsömmar 20 längs dikeskantema.Av fi g. It can be seen that extra seams of polysilicon were laid along the edges of the ditches by means of any suitable method. An example of such a method is to first deposit a polysilicon film 21 with a thickness t of, for example, 0.3 - 0.8 μm over the entire board. This film 21 is also deposited on the vertical steps 8 so that the vertical steps 8 come 2 hours closer to each other after the film 21 has been deposited. The thickness t of this film 21 depends on the height h of the vertical steps of the ditch. This film 21 10 15 20 25 30 »a -tr n« ~. s .n -wv i. in- »-.i v; -> ~. i ~ i i | I «, si .- a- r i. . ,. . i-v. 1 -. . t -, _ »i ~., i»,,,. i. t i., ..,. . 6 is shown by a dashed line in fi g. 2nd. The film 21 is then etched back a distance t with an anisotropic etchant which etches substantially in the vertical direction. This oxid lays the oxide layer 4 and / or 9 on the flat surface and the polysilicon in the middle of the ditch but learns extra material seams 20 along the ditch edges.
Enligt en fóredragen utföringsfonn av uppfinningen beräknas tjockleken t av filmen 21 och varaktigheten av den anisotropa etsningen till att ge en tjocklek d på de extra sömmarna 20 så att det resulterande oxidskiktet efter oxideringen av polykislet i sömmarna 20 har en tjocklek som huvudsakligen är lika med tjockleken av den iso- lerande oxid som täcker kiselytan 3. Topografin av polykislet 6, 20 är nu sådan att det inte fmns några områden med endast en tunn beläggning av polykisel. Skivan oxideras därefter på konventionellt sätt för att bilda ett isolerande oxidlock 22 över diket l utifrån det fiilagda polykislet 6, 20 såsom visas i fig. 2f. Eftersom det finns mer polykiselmaterial tillgängligt för oxidering i området 12 oxideras inte kiselsub- stratet i området 12 och uppträder inga områden med hög mekanisk spänning. Den mer likfonniga tjockleken av polykiselskiktet före oxideringen leder till ett mer lik- formigt oxidskikt. Genom att variera formen och dimensionerna av de extra polyki- selsömmama 20 blir det möjligt att åstadkomma ett oxidskikt som är huvudsakligen plant och i plan med den frilagda ytan av det omgivande substratet.According to a preferred embodiment of the invention, the thickness t of the film 21 and the duration of the anisotropic etching are calculated to give a thickness d of the additional seams 20 so that the resulting oxide layer after the oxidation of the polysilicon in the seams 20 has a thickness substantially equal to the thickness of the insulating oxide covering the silicon surface 3. The topography of the polysilicon 6, 20 is now such that there are no areas with only a thin coating of polysilicon. The board is then oxidized in a conventional manner to form an insulating oxide cap 22 over the ditch 1 from the exposed polysilicon 6, 20 as shown in fi g. 2f. Since there is more polysilicon material available for oxidation in region 12, the silicon substrate is not oxidized in region 12 and no regions of high mechanical stress occur. The more uniform thickness of the polysilicon layer before oxidation leads to a more uniform oxide layer. By varying the shape and dimensions of the additional polycycle seams 20, it becomes possible to provide an oxide layer which is substantially flat and flush with the exposed surface of the surrounding substrate.
Till följd av frånvaron av områden med hög mekanisk spänning bildas inga spår un- der tillbakavâtetsning av de termiska oxiderna såsom framgår av fig. 2g.Due to the absence of areas with high mechanical stress, no grooves are formed during backwetting of the thermal oxides as shown in Fig. 2g.
Efterföljande fyllning av ledande material 16 får ett jämnare djup och avlägsnandet av ledande material 16 kan genomföras utan kvarvarande strängar av oönskat ledan- de material såsom framgår av fig. 2h och 2i.Subsequent filling of conductive material 16 has a more even depth and the removal of conductive material 16 can be carried out without remaining strands of unwanted conductive material as shown in fi g. 2h and 2i.
Enligt en andra utföringsforrn av uppfinningen deponeras ett ytterligare skikt av oxid i stället för polykisel över hela skivan inklusive dikesväggama efter det att ste- gen med att fylla diket med polykisel och efterföljande tillbakaetsning av polykislet utförts. Djupet av detta ytterligare skikt är beroende av höjden av dikets vertikala 10 15 20 m» .. - .i t, i. »f i < ; = » .p i = t. : i i . r . , . , r »i i; s: - , , , = v-i I . i , ._, i . - i . i r . r », i i . , p i . . .i ., u -in i steg. Detta oxidskikt tillbakaetsas därefter till det tidigare oxidskiktet med ett aniso- tropiskt etsmedel som etsar primärt i den vertikala riktningen och lärnnar liksom i ovanstående utföringsfonn extra sömmar av material längs dikeskantema. Tjockle- ken av extrasömmama väljs så att det återstående oxidskiktet längs dikeskantema har en tjocklek (höjd) som är huvudsakligen lika med tjockleken av det ursprungliga isolerande oxidskiktet och så att dikesväggarna förskjuts mot varandra ett stycke som är tillräckligt för att täcka varje område av dikeskantema som har en tunn be- läggning av polykisel. Om tjockleken av var och en av extrasömmarna är större än halva den maximala dikesbredden kommer diket att fyllas fullständigt av dessa sömmar. Efter anisotropisk tillbakaetsning åstadkommes en dikesyta som huvudsak- ligen ligger i plan med den omgivande frilagda plana ytan. Dessa extrasömmar av oxid kommer inte att oxideras under efterföljande behandling av skivan och kommer därför att förhindra att höga mekaniska spänningar uppstår nära dikeskantema.According to a second embodiment of the invention, an additional layer of oxide is deposited instead of polysilicon over the entire board, including the ditch walls, after the step of filling the ditch with polysilicon and subsequent etching of the polysilicon has been carried out. The depth of this additional layer depends on the height of the vertical 10 15 20 m ».. - .i t, i.» F i <; = ».P i = t.: I i. r. ,. , r »i i; s: -,,, = v-i I. i, ._, i. - i. i r. r », i i. , p i. . .i., u -in in step. This oxide layer is then etched back to the previous oxide layer with an anisotropic etchant which etches primarily in the vertical direction and teaches, as in the above embodiment, extra seams of material along the ditch edges. The thickness of the extra seams is chosen so that the remaining oxide layer along the ditch edges has a thickness (height) which is substantially equal to the thickness of the original insulating oxide layer and so that the ditch walls are displaced towards each other by a piece sufficient to cover each area of the ditch edges. has a thin coating of polysilicon. If the thickness of each of the extra seams is greater than half the maximum trench width, the trench will be completely filled by these seams. After anisotropic back-etching, a ditch surface is produced which is substantially flush with the surrounding exposed flat surface. These extra stitches of oxide will not be oxidized during subsequent treatment of the board and will therefore prevent high mechanical stresses from occurring near the ditch edges.
Enligt en tredje utföringsform av uppfinningen ersätter ett ytterligare skikt av nitrid det ytterligare oxidskiktet i den andra utföringsformen av uppfinningen. På liknande sätt som beskrivits i samband med den andra utföringsforrnen deponeras detta nitridskikt över skivan och tillbakaetsas därefter.According to a third embodiment of the invention, a further layer of nitride replaces the further oxide layer in the second embodiment of the invention. In a manner similar to that described in connection with the second embodiment, this nitride layer is deposited over the disk and then etched back.
Vid samtliga utföringsformer av uppfinningen kan de isolerande skikten utgöras av något lämpligt isolerande material inklusive sådana material som oxider, nitrider eller liknande av substratrnaterialet.In all embodiments of the invention, the insulating layers may be comprised of any suitable insulating material including such materials as oxides, nitrides or the like of the substrate material.
Claims (2)
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9701154A SE520115C2 (en) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | The ditch with flat top |
| TW086105057A TW356579B (en) | 1997-03-26 | 1997-04-18 | Planar trenches |
| CN98805442A CN1110848C (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Method for producing planar trenches |
| JP54556198A JP2001519097A (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Manufacturing method of planar trench |
| PCT/SE1998/000528 WO1998043293A1 (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Method for producing planar trenches |
| KR10-1999-7008655A KR100374455B1 (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Method for producing planar trenches |
| AU67539/98A AU6753998A (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Method for producing planar trenches |
| CA002285627A CA2285627A1 (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Method for producing planar trenches |
| EP98912851A EP1018156A1 (en) | 1997-03-26 | 1998-03-23 | Method for producing planar trenches |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9701154A SE520115C2 (en) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | The ditch with flat top |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE9701154D0 SE9701154D0 (en) | 1997-03-26 |
| SE9701154L SE9701154L (en) | 1998-09-27 |
| SE520115C2 true SE520115C2 (en) | 2003-05-27 |
Family
ID=20406360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE9701154A SE520115C2 (en) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | The ditch with flat top |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1018156A1 (en) |
| JP (1) | JP2001519097A (en) |
| KR (1) | KR100374455B1 (en) |
| CN (1) | CN1110848C (en) |
| AU (1) | AU6753998A (en) |
| CA (1) | CA2285627A1 (en) |
| SE (1) | SE520115C2 (en) |
| TW (1) | TW356579B (en) |
| WO (1) | WO1998043293A1 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498383B2 (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-24 | International Business Machines Corporation | Oxynitride shallow trench isolation and method of formation |
| US6461936B1 (en) * | 2002-01-04 | 2002-10-08 | Infineon Technologies Ag | Double pullback method of filling an isolation trench |
| JP2008028357A (en) | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Hynix Semiconductor Inc | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP4717122B2 (en) * | 2009-01-13 | 2011-07-06 | 三菱電機株式会社 | Method for manufacturing thin film solar cell |
| CN102468176B (en) * | 2010-11-19 | 2013-12-18 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Method for making longitudinal region of super junction device |
| CN103822735A (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Wafer structure for pressure sensors and processing method of water structure |
| CN107507773B (en) * | 2016-06-14 | 2021-09-17 | 格科微电子（上海）有限公司 | Method for optimizing transistor structure of CMOS image sensor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2207281B (en) * | 1987-07-24 | 1992-02-05 | Plessey Co Plc | A method of providing refilled trenches |
| US5175122A (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-29 | Digital Equipment Corporation | Planarization process for trench isolation in integrated circuit manufacture |
| US5561073A (en) * | 1992-03-13 | 1996-10-01 | Jerome; Rick C. | Method of fabricating an isolation trench for analog bipolar devices in harsh environments |
| US5627092A (en) * | 1994-09-26 | 1997-05-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Deep trench dram process on SOI for low leakage DRAM cell |
| US5683945A (en) * | 1996-05-16 | 1997-11-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Uniform trench fill recess by means of isotropic etching |
-
1997
- 1997-03-26 SE SE9701154A patent/SE520115C2/en not_active IP Right Cessation
- 1997-04-18 TW TW086105057A patent/TW356579B/en active
-
1998
- 1998-03-23 CA CA002285627A patent/CA2285627A1/en not_active Abandoned
- 1998-03-23 CN CN98805442A patent/CN1110848C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-23 EP EP98912851A patent/EP1018156A1/en not_active Withdrawn
- 1998-03-23 AU AU67539/98A patent/AU6753998A/en not_active Abandoned
- 1998-03-23 KR KR10-1999-7008655A patent/KR100374455B1/en not_active IP Right Cessation
- 1998-03-23 WO PCT/SE1998/000528 patent/WO1998043293A1/en active IP Right Grant
- 1998-03-23 JP JP54556198A patent/JP2001519097A/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001519097A (en) | 2001-10-16 |
| SE9701154D0 (en) | 1997-03-26 |
| CN1110848C (en) | 2003-06-04 |
| WO1998043293A1 (en) | 1998-10-01 |
| EP1018156A1 (en) | 2000-07-12 |
| CN1257609A (en) | 2000-06-21 |
| AU6753998A (en) | 1998-10-20 |
| CA2285627A1 (en) | 1998-10-01 |
| SE9701154L (en) | 1998-09-27 |
| KR20010005591A (en) | 2001-01-15 |
| KR100374455B1 (en) | 2003-03-04 |
| TW356579B (en) | 1999-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3382143B2 (en) | Method of forming isolation region in silicon substrate and structure of isolation region | |
| CN103681452B (en) | Trench Insulation Process | |
| CN110634760A (en) | Method for detecting etching damage of side wall of channel hole in double-stack structure | |
| JPH0786391A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
| US8383488B2 (en) | Method for producing a semiconductor component with two trenches | |
| SE520115C2 (en) | The ditch with flat top | |
| JPH10116893A (en) | Semiconductor device and formation of element isolating film | |
| US6063693A (en) | Planar trenches | |
| CN111430357A (en) | Method for forming three-dimensional memory | |
| CN103187353A (en) | Method for forming shallow groove isolation area | |
| US6232181B1 (en) | Method of forming a flash memory | |
| KR100299379B1 (en) | Method for forming metal wiring in semiconductor device | |
| US6719918B2 (en) | Method of reducing notching during reactive ion etching | |
| JPH06326091A (en) | Formation method for field oxide film in semiconductor element | |
| CN110047943A (en) | A kind of flush memory device and its manufacturing method | |
| CN108417527A (en) | The forming method of self-aligned contact hole | |
| KR100190070B1 (en) | Method and device for isolating semiconductor device | |
| TW415017B (en) | Method of improving trench isolation | |
| US8486741B2 (en) | Process for etching trenches in an integrated optical device | |
| KR100207531B1 (en) | Isolation method for semiconductor device using nitrogen in-situ deoped poly-si spacer | |
| US7105404B2 (en) | Method for fabricating a semiconductor structure | |
| KR20090106010A (en) | Method for fabricating fine pattern of semiconductor device | |
| KR950000521B1 (en) | Element isolating method of semiconductor device | |
| KR950002190B1 (en) | Semiconductor device isolation method | |
| JP3468920B2 (en) | Element isolation method for semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |