SE434895B - Kvicksilverkontakt och forfarande for framstellning av densamma - Google Patents

Description

7901506-1 2 Mikrohåligheterna utgör områden för elektrokemiska nedbryt- ningsförlopp, vilka minska'stabiliteten och livslängden hos kontakt- övergången mellan metall i fast fas och kvicksilver.

Strävan att undertrycka de elektrokemiska nedbrytningsför- loppen medför att processtekniken för vätning av ytan av metall i fast fas medelst kvicksilver och för framställning av kontakten i dess helhet blir mycket komplicerad. Ändamålet med föreliggande uppfinning är att åstadkomma dels en kvicksilverkontakt, vars basdel av metall i fast fas uppvisar hög elektrokemisk beständighet och tröghet mot kvicksilver, och dels ett förfarande för framställning av kvicksilverkontakten, vilket förfa- rande säkerställer den önskade vätningen av ytan av metall i fast fas med kvicksilver, vilket bidrar till att kontaktövergången mellan metall i fast fas och kvicksilver får hög stabilitet och lang livs- längd samtidigt som processtekniken för framställning av kvicksil- verkontakten blir enklare. g g _ D Detta uppnås enligt uppfinningen medelst en kvicksilverkontakt, vars med kvicksilver vätta basdel av metall i fast fas är framställd av antimon.

Förfarandet enligt uppfinningen för framställning av kvick- silverkontakten är baserat på att man först framställer kontaktens basdel av metall i fast fas och sedan påför ett skikt av kvicksilver på basdelen, varvid kontaktens basdel av metall i fast fas enligt uppfinningen framställes genom galvanisk utfällning av antimon på ett underlag. _ Det är lämpligt att skiktet av kvicksilver påföres genom galvanisk utfällning av kvicksilver på antimon.

Kvicksilverkontakten enligt uppfinningen och det enligt upp- J finningen föreslagna förfarandet för framställning av densamma har I basdel av metall i fast fas är uppbyggd av ett underlag, som utgör den fördelen, att ytan av basdelen av metall i fast fas vätes av kvicksilver i erforderlig utsträckning, vilket minskar den elektro- kemiska aktiviteten av basdelen av metall i fast fas, då basdelen står i kontakt med kvicksilver, varigenom kvicksilverkontakten får högre stabilitet OCnIängre livslängd.

Genom att de galvaniska utfällningarna kan genomföras medelst operationer av samma slag blir processtekniken för framällning av kvicksilverkontakten avsevärt förenkladÅ Uppfinningen beskrives närmare nedan medelst ett särskilt utföringsexempel.

Den enligt uppfinningen föreslagna kvicksilverkontaktens

Claims (1)

1. 7901506-1 3 en del av ett kommuteringselement uflxärbelagt med ett skikt av anti- mon, vars yta är vätt med kvicksilver. ' Genom att antimon uppvisar positiva egenskaper som är typiska för ädla och oädla metaller, är det inert i förhållande till syre. Denna egenskap hos antimon bidrar till att kontaktytan av basdelen av metall i fast fas vätes väl av kvicksilver utan att man i detta syfte måste använda flerstegsprocessteknik och utan att strängt vakuum måste upprätthàllas. Genom att antimon uppvisar hög elektrokemisk beständighet och tröghet mot kvicksilver, elimineras dessutom nedbrytningsför- loppen vid kontaktövergången antimon-kvicksilver. Genom att antimon har förmåga att på galvanisk väg isoleras 1 form av en sammanpackad, finkristallin fällning ur en lösning, vilken fällning på grund av sina s.k. ytstrukturegenskaper befrämjar kvicksilvers adhesion mot antimonytan, kan man framställa kvicksil- verkontakten medelst enkla identiska operationer för successiv gal- vanisk utfällning av först antimon och därefter kvicksilver pà ett underlag (en del av ett kommuteringselement). P a t e n t k r a v l. Kvicksilverkontakt innefattande en med kvicksilver vätt basdel av metall i fast fas, k ä n n e t e c k n a d a v att basdelen av metall i fast fas är framställd av antimon.

   2. Förfarande för framställning av kvicksilverkontakten enligt patentkrav 1, vid vilket förfarande man först framställer basdelen av metall i fast fas och sedan påför ett skikt av kvicksilver på basdelen, k ä n n e t e c k n a t a v att kontaktens basdel av metall i fast fas framställes genom galvanisk utfällning av antimon på ett underlag.

   5. Förfarande enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a t a v att kvicksilverskiktet pàföres genom galvanisk utfällning av kvicksilver på antimon. 7901506-1 S a m m a n d r a g Uppfinningen avser en med kvicksilver vätt kontakt för elektriska strömbrytare och ett förfarande för framställning av densamma. I l Kvicksilverkontakten innefattar en med kvicksilver vätt basdel av antimon i fast fas. Förfarandet för framställning av kvicksilverkontakten grundar sig på att man framställer en basdel av metall i fast fas genom galvanisk utfällning av antimon på ett underlag och därefter påför ett skikt av kvicksilver på antimonet. Uppfinningen är avsedd att användas vid kommuterings- apparater.