SE432169B - Grindkrets - Google Patents

Description

æaøasvß-2 10 15 20 25 30 35 2 Det inses, att en dylik pulssignal för att reglera - omkopplingen av grindkretsen måste ha stor amplitud.

Av den i fig 2 visade gallerkretsdelens ekvivalenskrets framgår emellertid att utsignalen S2 utsättas för en icke önskvärd påverkan på grund av läckning av pulssig- nalen om en pulssignal med stor amplitud användes för frånkoppling av transistorn 3. Användningen av en puls- signal med stor amplitud förorsakar ett lågt dynamiskt omrâde hos kretsen, högt transistormotstând vid mättnad och icke önskvärda frekvensegenskaper av kretsen. I fig 2 betecknas dioder med Dl och D2, vilka är ekvivalenta med egenskaperna mellan transistorns 3 bas och kollektor respektive mellan dennas bas och emittor och med SW be- tecknas en ekvivalent strömställare för kortslutning mellan transistorns 3 bas och kcllektor. _ Fig 3 åskådliggör en krets enligt uppfinningen-för undanröjande av nackdelarna med ovan beskrivna kända krets. I fig 3 betecknas förstärkare med 4 och 5, en första och en andra grind med 6 respektive 7, en be- gränsare med 8 och en nivåhâllarkondensator med C. Nor- malt är den första grinden 6 i sitt från-tillstånd och den andra grinden i sitt till-tillstånd och en insignal S1 ledes genom förstärkaren 4, den andra grinden 7 och förstärkaren 5 och erhålles sedan som en utsignal S2.

Då en störning förekommer i insignalen S1 påtryckes en pulssignal P den första grinden 6 för att tillså den- na och detta i sin tur medför en frânslagning av den andra grinden 7, varigenom störningen effektivt avlägs- nas. Begränsaren 8 håller potentialen i punkten A lägre än i punkten B, varigenom säkerställes en normal opera- ' tion av den andra grinden 7.

Fig 4 visar ett exempel på en konkret krets enligt uppfinningen. I fig 4 motsvarar ett par transistorer T1, T2 och ett par transistorer T5, T6 förstärkarna 4 och S medan transistorer T3 och T4 motsvarar den första grin- den 6 och den andra grinden 7. Ett par transistorer T7, T8 motsvarar begränsaren 8. 6 Då i den sålunda konstruerade kretsen en störning 10 15 20 25 30 35 7809970-2 3 förekommer i insignalen S1 påtryckes en positiv pulssig- nal P grinden med transistorn T3 för tillkoppling av den- 4 kollek- torpotential till dess baspotential. Eftersom transis- samma. Till följd därav reduceras transistorns T itorns T4 emitterpotential hâlles vid en viss nivå på grund av kondensatorn C pâtryckes transistorn T4 en om- kastad förspänning så länge som potentialen i punkten A är lägre än i punkten B. Sålunda frânkopplas transistorn '1-4. _ _ I detta sammanhang torde det noteras, att om poten- tialen i punkten A är högre än summan av potentialen i punkten B och spänningen VÉE mellan transistorns T4 bas och emitter (i det följande benämnd "bas-emitter-spän- ning VàE“) är transistorn T4 alltför förspänd för att leda. För att förhindra detta fenomen är begränsaren, som består av transistorerna T7 och T8, anordnad. Om bas-emitter-spänningen VBE hos vardera transistorn satis- fierar ekvationen VBEVPS) + Vsnwe) = 'VBEWN ' Varma” tillslås transistorerna T7, T8, då potentialen i punkten A höjes över potentialen i punkten B. Sålunda förhindras att potentialen i punkten A höjes över nivån. Detta sä- kerställer rätt omkopplingsoperation av transistorn T4 för varje amplitud hos pulssignalen. Då transistorn T4 är i sitt till-tillstånd är dess kollektorström större än dess emitterström och relationen är -V < V (där BC BE VBC är bas-kollektor-spänningen). Sålunda är transisto- rerna T7 och T8 i sina från-tillstånd.

Enligt uppfinningen kan sålunda omkoppling av grin- den uppnås medelst en puls med en så liten amplitud som V BC läckningen av pulsen till utgången blir så liten som = VD (där VD är en diods D framspänning), så att möjligt. Kretsen har sålunda stort dynamiskt område i frånkopplingstillståndet och litet motstånd i till-till- ståndet jämte utmärkta frekvensegenskaper.

Grindkretsen enligt uppfinningen kan användas i en störeliminerande krets för användning i en radiomotta- 77195915* 97-0- 2 nlo 15 20 zns 30 35 4 gare för mottagning av amplitudmodulerade vågor, en sändtagare för 27 MHz-bandet etc och kan också användas för varje typ av analog omkopplare. _ I Fig 5 visar ett annat utförande av uppfinningen, vil- ket kan reducera en alltför stor förspänningsström för att avlägsna en kvarvarande störning på grund av en om- koppling. I I fig 5 bildar en transistor Q2, en diod D och ett motstånd R3 en konstantströmkrets och strömvärdet be- stämmes av motståndet R3. I stället för dioden D kan en transistor användas, varvid transistorns funktion som diod utnyttjas. Motstånden Rl och R2 är anordnade för att reducera den inverkan som utövas på grund av skillnaden i egenskaper mellan transistorn Q2 och dio- den D. Transistorns Q2 kollektorström bestämmes av mot- ståndet R3 i konstantströmkretsen och konstantströmmen påtryckes omkopplingstransistorns Ql bas för grindreg- lering. Denna krets enligt uppfinningen tillåter ett strömflöde (en konstantström, som bestämmes av motstån- det R3) som är just tillräcklig för att mätta transistorn Ql även om den insignalnivå, som förekommer hos transis- torns Qi emitter är låg negativ och förhindrar ett över- strömsflöde. Å andra sidan pâtryckes konstantströmmen då insignalnivån är hög positiv transistorns Ql bas och motståndet vid mättnad hålles lågt. Detta visas i fig 7.

Mera speciellt flyter förspänningsströmmen BC och följer insignalströmmen SC.

Fig 6 visar ytterligare ett utförande av uppfinningen, vilket också har en konstantströmkrets. I fig 6 har de element, som motsvarar elementen i fig 5, motsvarande hänvisningsbeteckningar. Vid detta utförande pâtryckes en reglersignal för till- eller frånkoppling av en tran- sistor Ql en omkopplingspulsinanslutning SW. Normalt på- tryckes en lâgnivåsignal inanslutningen SW för att hål- la transistorn Ql ledande och en transistor Q4 i dess från-tillstånd. Då sålunda en transistor Q2 är i sitt till-tillstånd och en ström, som är densamma som den ström, vilken flyter från en kraftkälla +B och genom ett 10 15 20 25 30 35 78091970-2 5 motstånd R2, en diod D och ett motstånd R3, påtryckes konstant transistorns Ql bas. Transistorns Ql och en kondensatorns C operationer är identiska med de förut nämnda. Transistorerna Q5 och Q6 verkar för att hålla transistorn Ql i dess från-tillstånd om transistorns Ql potential är högre vid dess kollektor än vid dess emitter, då en insignal med hög nivå pâtryckes anslut- ningen SW och transistorn Q4 tillslås för kortslutning av transistorns Ql bas och kollektor. Enligt förelig- gande uppfinning kan transistorns Ql omkopplingsopera- tion regleras medelst en puls med ringa amplitud på grund av användningen av transistorn Q4 och konstant- strömkretsen verkar också för att mera positivt avlägs- na en omkopplingsstörning.

Relationen mellan en insignalström och förspännings- strömmen är identisk med den i fig 7 visade.

I enlighet med.utförandena enligt fig 5 och 6 kan omkopplingsstörningen, som förorsakas av en överdriven förspänningsström, vilken påtryckes en omkopplingstran- sistor, såsom ofta är fallet med konventionell teknik, väl avlägsnas. Användningen av konstantströmkretsen som en förspänningsströmkälla för omkopplingstransistorn kan förhindra att en alltför stor ström flyter, kan eli- minera kvarvarande omkopplingsstörning och kan åstad- komma utmärkta frekvensegenskaper och ett stor dynamiskt område.

Fig 8 visar ytterligare ett utförande av uppfinningen, 'vilken kan reducera en omkopplingsstörning utan att förorsaka distorsion i utsignalen. Jämfört med grind- kretsen enligt fig 1 framgår det att detta utförande utmärkes av att två transistorer Ql, Ql' användes som omkopplingselement. De första och andra transistorerna Ql, Ql' är så förbundna med varandra att respektive kollektor- och emitterelektroder är inbördes motsatt kopplade. Mera speciellt är den första transistorns Q1 kollektor i förbindningspunkten Jl kopplad till den and- ra transistorns Ql' emitter och den första transistorns Ql emitter i förbindningspunkten J2 kopplad till den and- Yfâßëeteïo-z _ 10 15 20 25 30 35 6 ra transistorns Ql' kollektor. pen första och andra transistorns Ql, Ql' är båda medelst ett motstånd R kopplade till en grindanslutning G, vilken påtryckes en omkopplingspuls. Andra delar av grindkretsen är, så- som framgår av fig 8, identiska med grindkretsen enligt fig l. _ Om det antages att transistorn Ql icke är inkopplad i kretsen och blott transistorns Q1' operation tages i beaktande framgår det, såsom förklarats med hänvis- ning till fig l, att basströmmen ekvivalent ökar och det inre motståndet minskar (motståndet r') med en allt- mera negativ insignal och det inre motståndet ökar (mot- ståndet R') med en alltmera positiv insignal, då transis- torns Ql' basström hålles tillräckligt låg. Sålunda kan transistorkretsen, som innefattar en kondensator C åskåd- liggöras med den i fig 9 visade ekvivalenta kretsen. In- och utsignalerna visas i fig 10 med en vågform A' och en störd vâgform B'.

Transistorernas Ql, Ql' kretsar, som innefattar den i fig 8 visade kondensatorn C, kan sålunda uttryckas med sådana ekvivalenta kretsar som den i fig ll visade, då basströmmarna hos respektive transistorer tryckes ned.

Detta innebär att eftersom basströmmen anses ekvivalent ökad och det inre motståndet minskat med den antingen åt det positiva eller åt det negativa hållet gående in- signalen, då basströmmen undertryckes, förorsakas ingen distorsion av signalens vâgform i grindkretsens utan- slutning OUT och en utsignal förekommer, vilken har en vâgform, som är identisk med insignalens.

Såsom förut understrukits, säkerställer en grind- krets enligt fig 8, vilken komplementärt utnyttjar två omkopplingstransistorer, en utsignal utan distorsion på grund av att utsignalen är kompenserad även om för- spänningsströmmen hålles låg och reducerar mycket effek- tivt en kvarvarande störning på grund av omkopplinq och medför utmärkta frekvensegenskaper och stort dynamiskt område.

Claims (3)

10 15 20 25 30 7809970-2 PATENTKRAV l. Grindkrets med en signalbana, i vilken en in- signal, som har störsignalkomponenter, är avsedd att inmatas och vilken sträcker sig mellan insignal- och utsignalanslutningar, k ä n n e t e c k n a d därav, att ett första grindorgan (6), vilket normalt är i sitt från-tillstànd, är anordnat, att ett andra grindorgan (7) är seriekopplat med signalbanan och normalt är i sitt till-tillstånd för att tillåta den signalbanan på_tryckta signalen att passera därigenom, att det första grindorganet (6) är så kopplat till det andra grindor- ganet (7), att tillslagning av det första grindorganet (6) åstadkommer fränslagning av det andra grindorganet (7), att de första och andra grindorganen (6, 7) båda är ett strömreglerorgan med en regleranslutning och ett par lastanslutningar, varvid regleranslutningens ström- eller spänningstillstànd etablerar ett lågresistivt kopplingstillstànd eller ett högresistivt frànkopplings- tillstånd mellan organets lastanslutningar, som inne- fattar det första grindorganet (6), vilket är kopplat mellan regleranslutningen och lastanslutningen närmast det andra grindorganets (7) signalbaneinanslutning, så att det första grindorganet (6) i tillslaget till- stånd normalt bryter kopplingen mellan det andra grind- organets (7) lastanslutningar för att öppna signalbanan, att medel är anordnade för att åstadkomma en störindi- kerande reglersignal (P), vilken uppträder under före- _ komsten av störsignalkomponenter i insignalen och matas till det första grindorganets (6) regleranslutning för tillslagning av detta, varigenom det andra grindorganet (7) är frånkopplingsbart, och att ett begränsningsorgan (8) är kopplat till lastanslutningen närmast det andra grindorganets (7) inanslutning och reagerar för den sistnämnda lastanslutningens potential för att begränsa det andra grindorganets (7) inpotential till en sådan TEQ997Û -~2 10 15 20 8 nivå, att det andra grindorganet (7) hindras från att tillslå på grund av variationen av inpotentialspän- ningen, då det andra grindorganet (7) är frånslaget medelst det första grindorganet (6).

2. Grindkrets enligt krav l, k ä n n e t e c k - n a d därav, att det andra grindorganet (7) består av en transistor (T4), vars kollektor- och emitteran- slutningar bildar lastanslutningarna, varvid kollektor- anslutningen är den lastanslutning, som är kopplad till signalbanans inanslutning, och det.första grindorganet (6) består av en annan transistor (T3), vars lastan- slutningar innefattar kollektorn, som är kopplad till den förra transistorns (T4) bas.

3. Grindkrets enligt krav 1, k ä n n e t e c k - n a d därav, att den har en konstantströmkälla kopp- lad till det andra grindorganets (7) regleranslutning för att tillföra denna en förspänningsström, så att förspänningsström flyter, som följer det andra grind- organets insignalström, då det första grindorganet (6) tíllslâs som ett gensvar på reglersignalen, varigenom frånslagning tillåtes av det andra grindorganet (7).