SA516371366B1 - الصمام الثنائي التحويلي المدمج - Google Patents

الصمام الثنائي التحويلي المدمج Download PDF

Info

Publication number
SA516371366B1
SA516371366B1 SA516371366A SA516371366A SA516371366B1 SA 516371366 B1 SA516371366 B1 SA 516371366B1 SA 516371366 A SA516371366 A SA 516371366A SA 516371366 A SA516371366 A SA 516371366A SA 516371366 B1 SA516371366 B1 SA 516371366B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
conductive region
region
type
connection
conduction
Prior art date
Application number
SA516371366A
Other languages
English (en)
Inventor
دي سميث ديفيد
بيوم ريم سونج
Original Assignee
صن بور كوربوريشن
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by صن بور كوربوريشن filed Critical صن بور كوربوريشن
Publication of SA516371366B1 publication Critical patent/SA516371366B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142—Energy conversion devices
    • H01L27/1421—Energy conversion devices comprising bypass diodes integrated or directly associated with the device, e.g. bypass diode integrated or formed in or on the same substrate as the solar cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H01L31/0443—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

قد يتضمن صمام ثنائي تحويلي bypass diode وضع منطقة توصيل أولى من نوع توصيل أول فوق ركيزة لخلية شمسية substrate of a solar cell ، ووضع منطقة توصيل ثانية second conductive region (340) من نوع توصيل ثانٍ فوق منطقة التوصيل الأولى first conductive region (312) . قد يتضمن الصمام الثنائي التحويلي منطقة عازلة رفيعة thin dielectric region (316) موضوعة مباشرة بين منطقتي التوصيل الأولى (312) والثانية (340) . شكل 4.

Description

الصمام الثنائي التحويلي المدمج ‎Built-in Bypass Diode‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع الخلايا الكهروضوئية ‎Photovoltaic cells‏ ؛ المعروفة بشكل شائع باسم الخلايا الشمسية ‎cells‏ +5018 » هى أجهزة معروفة للتحويل المباشر لأشعة الشمس ‎solar radiation‏ إلى طاقة كهربائية ‎energy‏ [1600108©. بصورة عامة؛ تركب الخلايا الشمسية على رقاقة شبه موصلة أو على ركيزة باستخدام تقنيات معالجة أشباه الموصلات لتكوين وصلة ثنائية بالقرب من أحد أسطح الركيزة. يعمل إشعاع الشمس الذي يصطدم بسطح الركيزة ‎Jang‏ فيه على إنتاج أزواج إلكترونية وفراغات في كامل الركيزة. تنتقل الأزواج الإلكترونية والفراغات إلى مناطق شائبة موجبة ومناطق شائبة سالبة في الركيزة؛ مما يولد فرق جهد كهربائي بين المناطق الشائبة. يتم توصيل المناطق الشائبة بمناطق موصلة على الخلية الشمسية لتوجيه تيار كهربائي من الخلية إلى دائرة خارجية 0 مقرونة بها. يتعلق طلب البراءة الأمريكي رقم 8604330 بشكل عام ببناء وتصنيع صفائف الخلايا الشمسية ذات جودة عالية ‎high-efficiency solar-cell arrays‏ و يتعلق طلب البراءة الأمريكي رقم 20100108119 بطرق تصنيع وحدات الخلايا الشمسية ‎ld‏ ‏نفاذية خطأً نسبية محسنة وقدرة على تحقيق أقصى انتاج استجابة لعملية غير مثالية لواحده او 5 "اكثر من ‎WAY‏ الشمسية فى الوحدة أو لظروف عملية غير مثالية ‎Jie‏ حالة الظل. الوصف العام للاختراع يتعلق الإختراع الحالي بطريقة لصناعة صمام ثنائي تحويلي لخلية شمسية؛ وتشمل هذه الطريقة: تكوين منطقة توصيل أولى لنوع توصيل أول على طبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى على ركيزة ‎substrate‏ فى الخلية الشمسية ‎solar cell‏ ؛
تكوين طبقة عازلة ثانية على منطقة التوصيل الأولى؛ إزالة جزءِ من الطبقة العازلة الثانية؛ تكوين منطقة توصيل ثانية لنوع توصيل ثانٍ فوق ‎gia‏ منطقة التوصيل الأولى عن طريق الجزء الذي تمت إزالته من الطبقة العازلة الثانية؛ إزالة جزء من منطقة التوصيل الثانية لفصل منطقة التوصيل الثانية في الجزأين الأول والثاني من منطقة التوصيل الثانية؛ و معدن لربط نوع التوصيل الثاني بمنطقة التوصيل الأولى؛ ومعدن من نوع التوصيل الأول ‎ada)‏ ‏بالجزءِ الأول من منطقة التوصيل الثانية. شرح مختصر للرسومات
0 يظهر الشكل 1 منظرًا بسيطًا من أعلى إلى أسفل لصمام ثنائي تحويلي لخلية شمسية؛ ‎Bg‏ لبعض المجشمات. يظهر الشكل 2 منظرًا بسيطًا من أعلى إلى أسفل لصمام ثنائي تحوبلي يتضمن مناطق شائبة موجبة ومناطق شائبة سالبة؛ ‎Gy‏ لبعض المجسّمات. يظهر الشكل 3 منظرًا عرضيًا لصمام ثنائي تحويلي؛ ‎By‏ لبعض المجسّمات.
5 يمثل الشكل 4 مخططً يبيّن مثالاً على تكوين صمام ثنائي تحويلي؛ وفقًا لبعض المجسّمات. تظهر الأشكال 5 إلى 14 عروضًا عرضية لتسلسل أمثلة تكوين صمام ثنائي تحوبلي؛ وفقًا لبعض المجشمات. الوصف التفصيلى:
0 أو من استخداماته. على النحو المستخدم هناء فإن كلمة ‎J‏ تعني "الخدمة كمثال على ذلك أو شاهد أو توضيح”. أي تنفيذ يُوصف هنا بأنه مثالي ليس بالضرورة أن يُفمّر على أنه يتميز
بالأفضلية أو الفائدة عن غيره من التطبيقات. علاوة على ذلك؛ لا توجد نية لتكون ملزمة بأي طريقة صريحة أو ضمنية مقدمة فى إجراء المجال التقنىي؛ أو المعلومات العامة؛ أو النبذة المختصرة؛ أو الوصف التفصيلى التالى. تتضمن هذه المواصفات مراجع 'تطبيق واحد" أو "أحد التطبيقات". ولا يشير بالضرورة تكرار ظهور عبارات ‎Jie‏ "في تطبيق واحد" أو 'في أحد التطبيقات" إلى التطبيق ذاته. وقد يُجمع بين هياكل أو سمات أو ميزات خاصة بأي طريقة مناسبة تتماشى مع هذا الكشف. المصطلحات. تقدم الفقرة التالية تعريفات المصطلحات الموجودة في هذا الكشف وسياقها أو أيهما ‎Ly)‏ في ذلك عناصر الحماية الملحقة): 'يتضمن" هذا المصطلح مفتوح. لا يمنع هذا المصطلح؛ كما استُخدم في عناصر الحماية الملحقة) 0 مزدبدًا من البنية أو الخطوات. ‎slg’‏ ل" قد يتم وصف أو المطالبة بيعنصر لحماية مكونات أو وحد ات متنوعة كوحدات أو مكونات ‎shee‏ إنجاز مهمة أو مهمات. وفي ‎Jie‏ هذه السياقات؛ يُستخدم مصطلح "مهيأة ل" ليعني هيكلاً بالإشارة إلى أن هذه الوحدات/المكونات تتضمن هيكلاً ‎Jat‏ هذه المهمة أو المهام أثناء التشغيل. وهكذا ‎iad‏ القول إن الوحدة/المكوّن ‎Ligh‏ لإنجاز المهمة؛ حتى عندما لا تكون الوحدة/المكون 5 المحدد قيد التشغيل حاليًا (ليس في وضع التشغيل/ليس نشطًا على سبيل المثال). وعندما نقرأ أن إحدى الوحدات/الدوائر/المكونات تم 'تهيئتها" لإنجاز مهمة أو مزيد من المهمات؛ فإن ثمة نية واضحة لعدم الاستشهاد بعنوان قانون الولايات المتحدة رقم 35؛ المادة 112( الفقرة السادسة؛ لتلك الوحدة/المكون. "الأولى ‎dull‏ وما إلى ذلك. تُستخدم هذه المصطلحات؛ على النحو المستخدم ‎(la‏ كصفات 0 اللأسماء التي تسبقهاء ولا تعني ‎Ban‏ أي نوع من الترتيب (مثل الترتيب الزماني والمكاني والمنطقي وما إلى ذلك). فعلى سبيل المثال؛ لا تعني الإشارة إلى منطقة التوصيل "الأولى” من الخلية الشمسية أن هذه المنطقة هي منطقة التوصيل الأولى من حيث الترتيب؛ بل إن المصطلح "الأول" يُستخدّم لتمييز منطقة التوصيل هذه عن منطقة توصيل أخرى ‎Ji)‏ منطقة توصيل 'ثانية").
'يعتمد على”. وفقًا لما ورد بهذا المستند؛ فإن هذا المصطلح يُستخدّم لوصف عامل أو أكثر من العوامل التي تؤثر على التحديد. لا يمنع هذا المصطلح العوامل الإضافية التي قد تؤثر على التحديد. بمعنى أن التحديد قد يعتمد فقط على هذه العوامل» أو على الأقل يعتمد عليها ‎a‏ على سبيل المثال؛ فإن العبارة 'يعتمد تحديد ‎A‏ على 8" حيث تمثل 8 عاملاً ‎Sik‏ على تحديد لي لا تستبعد أن يكون تحديد ‎A‏ مبنيًا كذلك على ©. ومن ناحية أخرى؛ قد يعتمد تحديد ‎GSA‏ على 8. 'مقترنة' - يشير الوصف التالي إلى العناصر أو العقد أو الميزات "المقترنة' معًا. ويعني المصطلح ‎did‏ على النحو المستخدم هناء ما لم ينص صراحة على خلاف ذلك؛ أن أحد العناصر/العقد/الميزات ترتبط ارتباطًا مباشرًا أو غير مباشر (أو تتواصل تواصلاً مباشرًا أو غير مباشر) بأحد العناص ر/العقد/الميزات الأخرى؛ وليس بالضرورة ‎ali)‏ ميكانيكيًا. 0 علاوة على ذلك؛ قد تُستخدم بعض المصطلحات في الوصف التالي بهدف الإشارة فقط وبالتالي ليس المقصود منها أن تكون مقيّدة. على سبيل المثال؛ تشير مصطلحات ‎Jie‏ "العلوي"؛ "السفلي”؛ 'فوق"؛ 'تحت" إلى اتجاهات في المخططات المشار إليها في هذا الصدد. وتصف مصطلحات ‎Jie‏ ‎(dada‏ "المؤخرة"» ‎CLEAN‏ "الجانب” ‎Cds Al‏ "الداخلية"؛ التوجه و/أو مكان أجزاء من عنصر ضمن إطار مرجعي ثابت ولكنه مطلق والذي تم توضيحه بالرجوع إلى النص والرسومات 5 المرتبطة به واصفًا المكون قيد المناقشة. ‎(Sarg‏ أن تتضمن هذه المصطلحات الكلمات المذكورة أعلاه على ‎dag‏ التحديد ومشتقاتها وغيرها من الكلمات ذات المضمون المماتل. رغم أن العديد من الأمثلة الوارد وصفها في هذا المستند تتعلق بالخلايا الشمسية ذات الموصلات الخلفية؛ إلا أن التقنيات والهياكل تنطبق بنفس القدر على الخلايا الشمسية الأخرى (ذات الموصلات الأمامية على سبيل المثال). وعلى ‎dla Ad‏ فإن الهياكل والتقنيات التي تم الكشف 0 عنها تنطبق على هياكل أشباه الموصلات الأخرى رغم أن معظم محتوى هذا الإفصاح ؤصف في ‎gga‏ الخلايا الشمسية ليسهل استيعابه. ونتناول بالشرح؛ في هذا المستند؛ الصمامات الثنائية التحويلية وطرق تكوين صمامات ثنائية تحويلية للخلايا الشمسية. وفي الوصف التالي؛ يتم توضيح العديد من التفاصيل المعينة؛ ‎Jie‏ ‏عمليات تدفق العمليات المعينة؛ بهدف توفير فهم شامل لمجسّمات تطبيق الإعلان الحالي. سيكون
من الواضح لأي شخص ماهر في هذا الفن أن مجسّمات الإعلان الحالي ‎(Sa‏ ممارستها دون هذه التفاصيل المحددة. ‎Ag‏ نماذج أخرى؛ لا يتم وصف تقنيات التصنيع المعروفة؛ ‎Jie‏ تقنيات الطباعة على الحجر والتصميم وفق نمط معين؛ بشكل تفصيلي بهدف عدم حجب مجسّمات الإعلان الحالي دون ضرورة لذلك. وعلاوة على ذلك؛ يجب استيعاب أن المجسّمات المختلفة الموضحة في الأشكال هي نماذج توضيحية ولم يتم رسمها بشكل مطابق للأبعاد الفعلية.
تسخن عادة الخلايا الشمسية عند وجود تيار عكسي بفعل الظل و/أو التلوث. ويمكن استخدام الصمامات الثنائية التحويلية ‎WAY lead‏ الشمسية من التعطل أثناء وقوع هذه الأحداث. ومع ذلك؛ قد يتم فقد الطاقة لأن الصمامات الثنائية التحويلية ‎bypass diodes‏ تكون متصلة في العادة بقاعدة عند كل سلسلة ‎per-string basis‏ (على سبيل المثال؛ الخلايا 12 إلى 18)؛ ولأن
0 الحماية لا تكون مثالية في حالة وجود نقاط ساخنة. ولذلك؛ قد توفر الصمامات الثنائية التحويلية المكشوفة حماية للصمام الثنائي التحويلي على المستوى الفردي ‎LAL‏ الشمسية. وقد تُستخدم هذه الحماية لأحداث التيار العكسي؛ بالإضافة إلى ‎sled]‏ حرارة النقاط الساخنة. بالإشارة الآن إلى الشكل 1؛ يظهر منظر بسيط من أعلى إلى أسفل لصمام ثنائي تحويلي لخلية شمسية. قد يتضمن الجزء 100 من خلية شمسية صمامًا ثنائيًا تحويليًا من البوليسيليكون
‎polysilicon 5‏ 102 مع المنطقة السالبة 104 والمنطقة الموجبة 106. وكما هو موضح؛ قد تلامس الشبكة المعدنية ‎metal grid‏ 108 المنطقة 104. وكما نرى في مخطط الصمام الثنائي ‎gat «110‏ الصمام الثنائي التحوبلي ‎bypass diode‏ 102 إلى الخلية الشمسية المناظرة له. في أحد المجسّمات؛ وكما هو موضح هناء توجد منطقة البوليسيليكون الموجبة أسفل الصمام الثنائي التحويلي 102 ومنفصلة عن الشرائح الموجبة الأخرى. في المجسّمات المتنوعة؛ لا يمكن
‏0 استخدام المنطقة التي يستهلكها الصمام الثنائي التحويلي 102 لتوليد الطاقة؛ وبذلك فإنها تكون صغيرة بالنسبة لإجمالي منطقة الخلية الشمسية. لاحظ أن خلية شمسية واحدة يمكن أن تتضمن صمامات ثنائية تحويلية متعددة؛ وأنها لا تقتصر على صمام ثنائي تحويلي ‎mete‏ واحد. في أحد المجسّمات؛ قد يوفر الصمام الثنائي التحويلي 102 تيارًا أعلى أثناء أحداث التيار العكسي؛ وذلك لتقليل استهلاك الطاقة.
بالإشارة إلى الشكل 2 يظهر منظر بسيط من ‎lel‏ إلى أسفل لأحد مجسّمات صمام ثنائي تحويلي يتضمن مناطق شائبة موجبة ومناطق شائبة سالبة. وكما هو موضح؛ قد تلامس منطقة البوليسيليكون ‎polysilicon‏ السالبة 206 البطانة الموجبة 210. يحدث التلامس مع ‎gall‏ ‏الموجب من الصمام الثنائي المزود بعنصر البوليسيليكون 208 لربط الصمام الثنائي التحويلي المدمج 208 الذي تم تحويله بالخلايا الشمسية. ويمكن ضبط الحيز المكاني لهذا الصمام الثنائي التحويلي بناءً على مقدار التيار المحمي و/أو بناءً على التضحية المقررة للانحياز الأمامي. بالإشارة الآن إلى الشكل 3؛ يظهر عرض عرضي لمجسّم صمام ‎Jl‏ تحوبلي. وكما هو موضح؛ قد يتضمن الصمام الثنائي التحويلي 302 منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الأولى 312 لأول نوع توصيل يتم وضعه فوق الركيزة 310 في خلية شمسية. في أحد المجسّمات؛ يكون نوع 0 االتوصيل الأول ‎lage‏ وبالمثل تكون منطقة التوصيل الأولى 312 عبارة عن منطقة بوليسيليكون شائبة موجبة. في المجسّمات الأخرى؛ قد يكون نوع التوصيل الأول منطقة بوليسيليكون شائبة سالبة. في أحد المجسّمات؛ حيث يكون نوع التوصيل الأول عبارة عن منطقة موجبة؛ يمكن أن تكون الركيزة عبارة عن ذرات ملوثة لمادة شائبة سالبة؛ وفي المجسّم الذي يكون فيه منطقة سالبة؛ يمكن أن تكون الركيزة ‎Ble‏ عن ذرات ملوثة لمادة شائبة موجبة. في أحد المجسّمات؛ ‎(Sar‏ وضع 5 منطقة التوصيل الأولى 312 في طبقة عازلة رفيعة؛ ‎Jie‏ الطبقة العازلة الرفيعة ‎dielectric‏ ‎layer‏ 316 التي يتم وضعها في الركيزة. في المجسّمات المتنوعة؛ قد يتضمن الصمام الثنائي التحوبلي 302 منطقة توصيل ثانية لنوع توصيل ‎GB‏ (بخلاف نوع التوصيل الأول) يتم وضعها فوق منطقة التوصيل الأولى. وكما هو موضح في الشكل 3؛ يمكن أن تكون منطقة التوصيل الثانية بمثابة منطقة التوصيل الثانية 345. 0 في المجسّمات التي يكون فيها نوع التوصيل الأول موجبًا؛ يكون نوع التوصيل الثاني سالبًا. وبالمثل في المجسّمات التي يكون فيها نوع التوصيل الأول ‎Bla‏ يكون نوع التوصيل الثاني موجبًا. في أحد المجسّمات؛ قد يتضمن الصمام الثنائي التحويلي 302 ‎ane‏ من نوع التوصيل الأول 0 يتم وضعه في منطقة التوصيل الثانية ومعدثًا من نوع التوصيل الثاني 362 يتم وضعه في 5 منطقة التوصيل الأولى. لاحظ أن المعدن المستخدم في نوع التوصيل الأول قد يكون من نفس نوع
المعدن المستخدم في نوع التوصيل الثاني ‎Jie‏ الألومنيوم ‎aluminum‏ ؛ النحاس ‎copper‏ ؛ الفضة ‎«silver‏ وما إلى ذلك). يستخدم مصطلح المعدن الخاص بنوع توصيل معين (الأول؛ الثاني؛ وما إلى ذلك) في هذا المستند لتوضيح المعدن المطابق لشرائح من نوع توصيل معين. على سبيل المثال؛ المعدن المستخدم في الشرائح الموجبة للخلية الشمسية ‎Ble‏ عن معدن موجب أو معدن من نوع موجب. ولذلك؛ في الصمام الثنائي التحويلي المبيّن في الشكل 3؛ يوضع المعدن الموجب في منطقة التوصيل السالبة؛ بينما يوضع المعدن السالب في منطقة التوصيل الموجبة. لاحظ أن الأجزاء الأخرى من الخلية الشمسية لا تتضمن أي صمام ثنائي تحويلي ومناطق توصيل سالبة ذات أطراف معدنية سالبة ومناطق توصيل موجبة ذات أطراف معدنية موجبة لتكوين شرائح الخلية الشمسية.
0 وكما هو موضح في الشكل 3؛ في بعض المجسّمات؛ يمكن وضع المعدن الخاص بنوع التوصيل الثاني 362 عبر فتحة في طبقة عازلة؛ كما هو موضح في الفتحة بين المنطقتين 352 و354. في أحد المجسّمات؛ يمكن أن تكون المناطق العازلة 352 و354 و314 عبارة عن طبقة أكسيد ‎layer‏ 0006 ؛ مثل ثاني أكسيد السليكون ‎LS; . silicon dioxide‏ هو موضح أيضًا في الشكل 3. في بعض المجسشّمات؛ يمكن وضع منطقة التوصيل الثانية 345 عبر فتحة في طبقة عازلة ؛
مثل الفتحة بين المنطقتين 314 و352. في المجسّمات المتنوعة؛ يتضمن الصمام الثنائي التحوبلي منطقة عازلة رفيعة موضوعة مباشرة بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية. وقد تتمتع المنطقة العازلة الرفيعة الموضوعة بشكل مباشر بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية بسمك 10 إلى 20 أنجستروم تقريبًا. في أحد المجسّمات؛ تكون المنطقة العازلة الرفيعة عبارة عن أكسيد نفقي.
0 في أحد المجسّمات؛ يمكن وضع المنطقة العازلة الرفيعة؛ مثل المنطقة العازلة الرفيعة 332 جانبيًا بشكل مباشر بين منطقة التوصيل الأولى 312 ومنطقة التوصيل الثانية 347 بدون نفق عازل في الركيزة بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية. قد يترقب على تجنب استخدام نفق عازل موضوع في الركيزة بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية تجنب تغطية ‎Orally Ba‏ ومن ثم تجنب حدوث تحول أثناء عملية التصنيع.
في أحد المجسّمات؛ يمكن وضع المنطقة العازلة الرفيعة؛ ‎Jie‏ المنطقة العازلة الرفيعة 330؛ بشكل مباشر فوق منطقة التوصيل الأولى 312 بينما توضع منطقة التوصيل الثانية 345 بشكل مباشر فوق المنطقة العازلة الرفيعة 330. في أحد المجسّمات؛ قد يتضمن الصمام الثنائي التحويلي 302 المنطقتين العازلتين الرفيعتين 330 و332.
بالإشارة الآن إلى الشكل ‎of‏ يظهر مخطط انسيابي يوضح طريقة تكوين صمام ثنائي تحوبلي؛ ‎Gg‏ ‏لبعض المجسّمات. في مجسّمات متنوعة؛ ‎(Sa‏ أن تشتمل الطريقة الوارد ذكرها في الشكل 4 على كتل أكثر (أو أقل) مما هو موضح. يرتبط شرح الطريقة الوارد ذكرها في الشكل 4 بالرسومات التوضيحية العرضية لمراحل متنوعة للطريقة الموضحة في الأشكال 5 إلى 14. لاحظ أن بعض المراحل الموضحة في الأشكال 5 إلى 14 ليست جزءًا ضروريًا من الطريقة التي تستخدم لتكوين
0 الصمام الثنائي التحويلي؛ ومع ذلك فإنها ‎eda‏ من السياق. في 402؛ يمكن تكوين منطقة التوصيل الأولى من نوع التوصيل الأول على طبقة عازلة أولى في خلية شمسية؛ ‎Jie‏ الركيزة 310 في الشكل 5. قد يتضمن تكوين منطقة التوصيل الأولى تكوين منطقة توصيل من النوع الموجب. وقد يتضمن تكوين منطقة توصيل من النوع الموجب تكوين منطقة بوليسيليكون ‎region‏ 00/5000 من نوع موجب (على سبيل المثال؛ مزج البوليسيليكون
5 مع شوائب من نوع موجب) أو قد يتضمن تكوين ‎dilate‏ سيليكون غير متبلورة ‎amorphous‏ ‎silicon region‏ » وهي المنطقة التي يمكن تكوينها في منطقة التوصيل الموجبة من خلال ‎shal‏ ‏عملية حرارية ‎thermal‏ . ‎Sy‏ هو موضح في 404؛ يمكن تكوين طبقة عازلة ثانية على منطقة التوصيل الأولى. في أحد المجّمات؛ يمكن أن تكون الطبقة العازلة الثانية عبارة عن طبقة من ثاني أكسيد السيليكون
‎silicon dioxide 20‏ . يوضح الشكل 6 مثالاً على الكتلتين 402 5 404 مع طبقة عازلة ثانية 313 تم تكوينها على منطقة التوصيل الأولى 312 التي تم تكوينها على الطبقة العازلة الأولى 316 في الركيزة 310. لاحظ أن الطبقة العازلة الأخرى 318 موضحة في الشكل 6؛ ويمكن تكوينها في الوقت ذاته؛ أو في وقت ‎AT‏ كطبقة عازلة أولى 316. في أحد المجسّمات؛ لا تتكون الطبقة العازلة الأخرى
8 في هذه المرحلة الموضحة في هذه الطريقة؛ وبدلاً من ذلك؛ تتكون الطبقة العازلة الأولى 6 بدون تكوين الطبقة العازلة الأخرى 318 أيضًا. يوضح الشكل 7 أحد أجزاء الطبقة العازلة الثانية 313؛ مع إزالة منطقة التوصيل الأولى 312. ويمكن استخدام أساليب متعددة لإجراء ‎ly)‏ على سبيل المثال؛ الاستئصال بالليزر أو الإخفاء ثم حفر ‎gall‏ الظاهر. بالإشارة إلى الشكل 4 مرة أخرى؛ كما هو موضح في 406 يمكن إزالة جزء من الطبقة العازلة الثانية وتشكيل فتحة في الطبقة العازلة الثانية؛ كما هو موضح في الشكل 8؛ من خلال الفتحة بين الجزأين المتبقيين 314 و322 من الطبقة العازلة الثانية. في أحد المجسّمات؛ يمكن إزالة جزء الطبقة العازلة الثانية عن طريق الاستئصال بالليزر؛ ويمكن إجراء ذلك في بعض المجسّمات أيضًا 0 بدون إزالة جزء (أو إزالة جزء قليل العمق للغاية) من منطقة التوصيل الأولى أسفل ‎gall‏ الذي تمت إزالته بالقطع. على سبيل المثال؛ يمكن تكوين الليزر (على سبيل المثال؛ الطاقة و/أو الشكل و/أو مدة النبض و/أو الطول الموجيء وما إلى ذلك) بحيث يكون شفافًا أو بدون تأثير على منطقة التوصيل الأولى»؛ ولكن مع إزالة الطبقة العازلة الثانية عن طريق القطع. في المجسّمات المتنوعة؛ يتم إجراء عملية ‎dl)‏ المواد الموضحة في الشكلين 7 و8 عن طريق الاستئصال بالليزر؛ ويمكن 5 إجراء عمليات الإزالة باستخدام أداة واحدة ولكن بتكوبنات ليزر مختلفة أو باستخدام أدوات ليزر مختلفة؛ على سبيل المثال؛ يمكن استخدام عمق ‎dl)‏ بالقطع متباين كما هو موضح. في أحد المجسّمات؛ يمكن نسج مناطق الخلية الشمسية؛ كما هو موضح في الشكل 9. يوضح الشكل 9 عملية حفر المناطق النسيجية ‎texturize regions‏ 326 و328 و324. لاحظ أن المنطقة النسيجية 324 تكون أقل نسيجًا من المنطقتين 326 و328؛ وذلك بسبب خصائص 0 مقاومة الحفر لمادة البولي بروبين ‎Polypropylene‏ . في 408 يمكن تكوين منطقة توصيل ثانية بنوع توصيل ‎(Ol‏ كما هو موضح من خلال منطقة التوصيل ‎Ast)‏ 340 في الشكل 11( وذلك فوق منطقة التوصيل الأولى المكشوفة ‎le)‏ سبيل ‎Jal)‏ من خلال الفتحة الموجودة في المنطقة العازلة). في أحد المجسّمات؛ حيث يكون نوع التوصيل الأول ‎cage‏ قد تتضمن منطقة التوصيل الثانية تكوين منطقة توصيل من نوع سالب.
على سبيل المثال؛ قد يتضمن تكوين منطقة توصيل من النوع السالب تكوين منطقة بوليسيليكون من نوع سالب (على سبيل ‎(Jal)‏ مزج البوليسيليكون مع شوائب من نوع سالب) أو قد يتضمن تكوين منطقة سيليكون غير متبلورة؛ وهي المنطقة التي يمكن تكوينها في منطقة التوصيل السالبة. في أحد المجسّمات؛ تتمتع ‎dilate‏ التوصيل الثانية التي تم تكوينها بسمك 500 أنجستروم تقريبًا. في أحد المجسّمات؛ قبل تكوين منطقة التوصيل الثانية في الكتلة 408؛ يمكن تكوين طبقة عازلة ثالثة؛ وهي الطبقة التي تتيح الفصل بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية. وكما هو موضح هناء ‎(Sa‏ أن تكون الطبقة العازلة الثالثة عبارة عن طبقة عازلة رفيعة (على سبيل المثال» 15 أنجستروم؛ 10 إلى 20 أنجستروم؛ وما إلى ذلك)؛ ويمكن لهذه الطبقة الفصل بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية.
0 في أحد المجسّمات؛ يمكن تكوين الطبقة العازلة الثالثة. مثل الطبقة التي توضع بشكل جانبي بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية (على سبيل المثال» كما هو موضح بواسطة الطبقة العازلة 332 في الشكل 10) و/أو يمكن تكوينها من خلال وضعها بشكل مباشر فوق منطقة التوصيل الأولى مثلاً ‎le)‏ سبيل المثال» كما هو موضح بواسطة الطبقة العازلة 330 في الشكل 10) حيث توضع منطقة التوصيل الثانية مباشرة فوق الطبقة العازلة ‎LEH‏ (لإجراء فصل عمودي ‎(Die‏
5 ا لاحظ أن طبقة عازلة ‎dad)‏ 334 يمكن تكوينها ‎Wail‏ على ‎hall‏ النسيجي من الركيزة 310؛ كما هو موضح أيضًا في الشكل 10. في ‎latina‏ متنوعة؛ قد يكون وضع أكسيد نفقي كطبقة عازلة ثالثة مطابقًا للبنية الهندسية للسطح الخلفي. في مجسّمات متنوعة؛ يمكن ‎Load‏ أن تكون الطبقة العازلة الأولى طبقة عازلة رفيعة؛ ومع ذلك؛ فإنها قد تتمتع بسمك مختلف عن الطبقة العازلة الرفيعة الخاص بالطبقة العازلة الثالثة. على سبيل
0 المثال. قد تتمتع الطبقة العازلة الأولى بسمك بنطاق 5 إلى 50 أنجستروم تقريبًا ‎Yay‏ من سمك 10 إلى 20 أنجستروم للطبقة العازلة الثالثة. قد تتمتع الطبقة العازلة الثانية بسمك أكبر من 50 أنجستروم تقريبًا. في بعض المجسّمات؛ يمكن تكوين طبقة أكسيد نفقي ومزيج بوليسيليكون (على سبيل المثال» مزيج بوليسيليكون سالب) على السطح الأمامي؛ كما هو موضح في الشكل 12. في مجسّمات متنوعة؛
يمكن تلدين طبقة البوليسيليكون السالبة على جانبي الركيزة؛ كما يمكن وضع طبقة النيتريد 342 على السطح الأمامي 13. وبالرجوع إلى الشكل 4 مرة ‎egal‏ كما هو موضح في 410 يمكن ‎A)‏ جزء من منطقة التوصيل الثانية لتكوين/عزل المنطقتين الأولى والثانية من منطقة التوصيل الثانية. في أحد المجسّمات؛
يمكن إزالة جزءِ منطقة التوصيل الثانية ‎Jo)‏ سبيل المثال؛ الجزءِ بين المنطقتين 345 و347 كما هو موضح في الشكل 14) عن طريق إجراء استتصال بالليزر لهذا الجزء. ويمكن الإشارة إلى هذا الاستتصال بالليزر على أنه عملية تحديد وقد تتضمن استئصال ‎sha‏ منطقة التوصيل الثانية بدون استئصال الطبقة العازلة 322 أيضًا من أسفل منطقة التوصيل الثانية. في أحد المجمّمات؛ يمكن ‎chal‏ استئصال لجزءِ من منطقة التوصيل الثانية باستخدام أداة الليزر ذاتها المستخدمة في عمليات
0 اليزر الأخرى الموضحة هناء ولكن مع ضبط الليزر على إعداد طاقة أقل (أو طول موجي مختلف؛ شكل؛ مدة نبض» وما إلى ذلك). ‎Yang‏ من ذلك؛ يمكن إجراء عملية التحديد باستخدام أداة ليزر منفصلة ذات مستوى طاقة أقل؛ بخلاف الأداة المستخدمة لاستتصال طبقات متعددة ‎Bye‏ ‏واحدة. ‏في 412؛ يمكن ربط نوع توصيل ثانٍ بمنطقة التوصيل الأولى وربط معدن من نوع التوصيل الأول
5 بأحد الجزأين (على سبيل المثال؛ ‎gall‏ الأول) في منطقة التوصيل الثانية لتكوين وصلات التوصيل المناظرة. على سبيل المثال؛ في أحد المجسّمات؛ قد يتضمن ربط معدن من نوع التوصيل الثاني بمنطقة التوصيل الأولى ربط معدن من نوع سالب بمنطقة توصيل من نوع موجب. وقد يتضمن ربط معدن من نوع التوصيل الأول ربط معدن من نوع موجب بأحد أجزاء (على سبيل ‎gall (Jal‏ الأول 345) مناطق توصيل سالبة.
0 يوضح الشكل 3 مثالاً على ربط الكتلة 412. لاحظ أنه في بعض المجسّمات؛ قد تتضمن الطريقة إزالة جزء من الطبقة العازلة 322. يوضح الشكل 3 نتيجة إجراء عملية الإزالة هذه من خلال المنطقة بين الطبقتين العازلتين 352 و354. قد تسمح المنطقة بين الطبقتين العازلتين 352 و354 بربط معدن من نوع توصيل ثانٍ 362 (معدن سالب ‎(Mie‏ بمنطقة التوصيل الأولى (على سبيل المثال؛ منطقة التوصيل الموجبة). وكما هو موضح في الشكل 3؛ يمكن ربط معدن من نوع
— 3 1 — التوصيل الأول 360 (معدن موجب ‎(Mie‏ بالجزءِ الأول 345 من منطقة التوصيل الثانية (على سبيل المثال » منطقة التوصيل السالبة) . فى أحد المجسشمات؛ يمكن ‎Jas‏ الطبقة العازلة ‎ZEN‏ 330 أكثر قدرة على التوصيل» وذلك عن طريق الضغط الكهربائي ‎Mie‏ (على سبيل ‎(JE‏ توصيل تيار مرتفع أو استخدام انحياز ‎(le‏
فولت ‎Sie‏ لفترة زمنية وجيزة) أو الضغط الحراري عن طريق التلدين ‎anneal‏ ؛ الليزر ‎laser‏ ؛ وما إلى ذلك؛ مثلاً). ويجعل الطبقة العازلة الثالثة أكثر قدرة على التوصيل؛ يمكن حينئذٍ خفض منطقة الخلية الشمسية التي يستخدمها صمام ثنائي تحوبلي أو صمامات ثنائية؛ مما يتيح للخلية الشمسية توليد المزيد من الطاقة الكهربية ‎power‏ ‏يمكن أن توفر التقنيات والهياكل المعلن عنها حماية ضد أحداث التيار العكسى واخماد الحرارة فى
0 النقاط الساخنة؛ والتي تتيح بدورها اختبار النقاط الساخنة المطلوب إزالتها من تدفق ‎dallas‏ الوحدة. وبالإضافة إلى ذلك؛ تستطيع التقنيات والهياكل المعلن عنها تجنب حدوث تحول أثناء عملية التصنيع بدون الحاجة إلى وضع معادن في نفق عزل. على الرغم من توضيح تطبيقات محددة أعلاه؛ إلا أن هذه التطبيقات ليس المقصود منها تضييق نطاق الكشف الحالي؛ حتى عند توضيح تطبيق واحد فيما يتعلق ‎Baer‏ محددة. وتهف أمثلة الميزات
5 المقدمة في الكشف إلى أن تكون أمثلة توضيحية؛ بدلاً من أن تكون أمثلة مقيدة؛ ما لم ينص على خلاف ذلك. ويهدف الوصف أعلاه إلى تغطية هذه البدائل والتعديلات والمكافئات كما سيتضح لأحد اختصاصيي القطاع الذين يحظون بفائدة هذا الكشف. يتضمن نطاق الكشف ‎dad)‏ أي ميزة أو مجموعة من المزايا التى تم الكشف عنها هنا (إما صراحة أم ضمئًا)؛ أو أي تعميم لها؛ سواء كانت تخفف من أي مشكلات تم التعرض لها هنا أو
0 جميع هذه المشكلات؛ أو لم تخفف ذلك. ومن هذا المنطلق؛ قد نُصاغ عناصر الحماية جديدة أثناء الادعاء لهذا الطلب (أو أحد الطلبات التي تطالب بالأولوية بها) لأي مجموعة من الميزات. وتحديدًا» بالإشارة إلى عناصر الحماية الملحقة؛ قد تأتي الميزات من عناصر الحماية المستقلة مع تلك الميزات من عناصر الحماية غير المستقلة؛ وريما تأتى الميزات من عناصر الحماية المستقلة
— 4 1 — ذات الصلة بأي طريقة ملائمة وليس فقط في مجموعات محددة مذكورة في عناصر الحماية الملحقة. في أحد المجسّمات؛ تتضمن طريقة تصنيع صمام ثنائي تحويلي لخلية شمسية تكوين منطقة توصيل أولى من نوع التوصيل الأول على طبقة عازلة أولى على ركيزة في الخلية الشمسية؛
وتكوين طبقة عازلة ثانية على منطقة التوصيل الأولى ‎ga Aly‏ من الطبقة العازلة الثانية؛ وتكوين منطقة توصيل ثانية من نوع التوصيل الثاني فوق ‎gin‏ من منطقة التوصيل الأولى من خلال الجزء الذي تمت إزالته من الطبقة العازلة الثانية وإزالة ‎gia‏ من منطقة التوصيل الثانية لفصل منطقة التوصيل الثانية فى الجزأين الأول والثانى من منطقة التوصيل ‎(All)‏ وريبط معدن من نوع التوصيل الثاني بمنطقة التوصيل الأولى ومعدن من نوع التوصيل الأول بمنطقة التوصيل
0 الثانية. فى أحد المجسّمات؛ تتضمن عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل الأولى تكوين منطقة توصيل من نوع موجب؛ بينما تتضمن عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل الثانية تكوين منطقة توصيل من نوع ‎calls‏ أما عمليات الربط المذكورة؛ فتتضمن ربط معدن سالب بمنطقة توصيل موجبة وربط معدن موجب بالجزءٍ الأول من منطقة التوصيل السالبة.
5 في أحد المجسشمات؛ تتضمن عملية الإزالة المذكورة لجزء من منطقة التوصيل الثانية إجراء استتصال بالليزر ‎gall‏ الخاص بمنطقة التوصيل الثانية. فى أحد المجسشمات؛ تتضمن الطريقة أيضًاء قبل عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل الثانية؛ تكوين طبقة عازلة ثالثة؛ وتتيح الطبقة العازلة الثالثة الفصل بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية. في أحد المجسّمات؛ تتضمن عملية الإزالة المذكورة لجزء من منطقة التوصيل الثانية إجراء
0 استئصال بالليزر للجزء الخاص بالطبقة العازلة الثانية بدون إزالة جز من منطقة التوصيل الأولى أسفل الجزءِ الذي تم استئصاله. في أحد المجسشمات؛ تتضمن طريقة تصنيع صمام ثنائي تحوبلي لخلية شمسية تكوين فتحة في طبقة عازلة في منطقة توصيل أولى وتكوين منطقة توصيل ثانية فوق منطقة التوصيل الأولى من خلال الفتحة الموجودة في الطبقة العازلة وفصل جزءٍ أول من منطقة التوصيل الثانية عن جزءٍ ثانٍ
— 5 1 — من منطقة التوصيل الثانية وتكوين رابط توصيل بين منطقة التوصيل الأولى ونوع المعدن المناظر لها وبين الجزء الثاني من منطقة التوصيل الثانية ونوع المعدن المناظر لها. في أحد المجسّمات؛ يتم إجراء عملية التكوين المذكورة للفتحة الموجودة فى الطبقة العازلة عن طريق الاستئصال بالليزر. فى أحد المجسّمات»؛ تتضمن عملية الفصل المذكورة ‎all‏ الأول عن ‎SE gall‏ من منطقة
التوصيل الثانية إجراء استتصال بالليزر لمنطقة التوصيل الثانية. فى أحد المجسشمات؛ تتضمن عملية التكوين المذكورة لرابط التوصيل تكوين رابط توصيل بين منطقة توصيل من نوع سالب ومعدن من نوع موجب وبين منطقة توصيل من نوع موجب ومعدن من نوع سالب.
0 فى أحد المجسّمات؛ تتضمن عملية التكوين المذكورة للفتحة الموجودة فى الطبقة العازلة تكوين فتحة في طبقة ثاني أكسيد السيليكون بمنطقة التوصيل الأولى؛ وتكون منطقة التوصيل الأولى حينئذٍ منطقة توصيل من نوع موجب. فى أحد المجسّمات»؛ تتضمن الطريقة أيضًا تكوين طبقة عازلة أخرى قبل عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل الثانية؛ وتتيح الطبقة العازلة الأخرى ‎Bim‏ الفصل بين منطقتي التوصيل الأولى
5 والثانية. في أحد المجسّمات؛ يتيح تكوين الطبقة العازلة الأخرى الفصل الجانبي لمنطقتي التوصيل الأولى والثانية. في أحد المجسّمات؛ يتيح تكوين الطبقة العازلة الأخرى الفصل الجانبي والعمودي لمنطقتي التوصيل الأولى والثانية.
0 في أحد المجسّمات؛ تتضمن عملية تكوين منطقة التوصيل الثانية تكوين سيليكون غير متبلور فوق منطقة التوصيل الأولى من خلال الفتحة الموجودة في الطبقة العازلة.
— 6 1 — فى أحد المجسشمات؛ تتضمن عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل الثانية تكوين طبقة البوليسيليكون السالبة في منطقة التوصيل الأولى. في أحد المجسّمات؛ يتضمن صمام ثنائي تحويلي لخلية شمسية منطقة توصيل أولى من نوع توصيل أول يتم وضعها فوق ركيزة في الخلية الشمسية ومنطقة توصيل ثانية من نوع توصيل ثانٍ يتم وضعها فوق منطقة التوصيل الأولى ومنطقة عازلة رفيعة يتم وضعها مباشرة بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية.
في أحد المجسّمات؛ يمكن وضع المنطقة العازلة الرفيعة ‎Gals‏ بشكل مباشر بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية؛ بدون نفق عازل في الركيزة بين منطقتي التوصيل الأولى والثانية. في أحد المجسّمات؛ يتم وضع المنطقة العازلة الرفيعة مباشرة فوق منطقة التوصيل الأولى؛ بينما يتم وضع منطقة التوصيل الثانية أعلى المنطقة العازلة الرفيعة مباشرة.
0 فى أحد المجسّمات؛ تكون المنطقة العازلة الرفيعة عبارة عن أكسيد نفقى ‎tunnel oxide‏ في أحد المجشمات؛ يتضمن أيضًا الصمام ‎SU‏ التحوبلي طبقة عازلة رفيعة ‎thin dielectric‏ ‎layer‏ موضوعة على الركيزة؛ بينما توضع منطقة التوصيل الأولى على الطبقة العازلة الرفيعة .

Claims (1)

  1. عناصر الحماية 1- طريقة لصناعة صمام ثنائي تحويلي ‎fabricating a bypass diode‏ لخلية شمسية ‎solar‏ ‎cell‏ ؛ وتشمل هذه الطريقة: تكوين منطقة توصيل ‎conductive region conductive region‏ أولى )312( لنوع توصيل أول على ‎dak‏ عازلة ‎dielectric layer‏ أولى )316( على ركيزة ‎substrate‏ )310( في الخلية الشمسية ‎solar cell‏ ؛ تكوين طبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثانية )313( على منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الأولى (312)؛ إزالة جزءِ من الطبقة العازلة ‎dielectric layer‏ الثانية )313(¢ تكوين منطقة توصيل ‎conductive region‏ ثانية )340( لنوع توصيل ‎Ob‏ فوق جزءٍ منطقة
    0 التوصيل ‎conductive region‏ الأولى (312) المكشوف بالجزءٍ الذي تمت إزالته من الطبقة العازلة الثانية؛ إزالة ‎gia‏ من منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الثانية )340( لفصل منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الثانية في الجزأين الأول والثاني (345؛» 347) من منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الثانية؛ و
    5 إقران معدن لنوع التوصيل الثاني بمنطقة التوصيل ‎conductive region‏ الأولى ومعدن من نوع التوصيل الأول )345( لربطه بالجزءٍ الأول من منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الثانية. 2- الطريقة ‎Uy‏ لعنصر الحماية 1؛ حيث تتضمن عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل ‎conductive region‏ الأولى تكوين منطقة توصيل ‎CONductive region‏ من نوع موجب؛
    وحيث تتضمن عملية التكوين المذكورة لمنطقة ‎conductive region Jaa gill‏ الثانية تكوين منطقة توصيل ‎conductive region‏ من نوع سالب؛ حيث يتضمن الإقران المذكور إقران معدن سالب بمنطقة توصيل ‎cONductive region‏ موجبة وربط معدن موجب بالجزءٍ الأول من منطقة التوصيل ‎conductive region‏ السالبة.
    — 1 8 —
    3- الطريقة وفقًا لعنصري الحماية 1 أو 2 حيث تتضمن عملية الإزالة المذكورة لجزء من منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الثانية إجراء استتئصال بالليزر للجزءء الخاص بمنطقة التوصيل ‎conductive region‏ الثانية.
    4- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1؛ تشتمل أيضًا قبل عملية التكوين المذكورة لمنطقة التوصيل ‎«Aull conductive region‏ على تكوين ‎dada‏ عازلة ‎Cus (Al dielectric layer‏ تتيح الطبقة العازلة ‎dielectric layer‏ الثالثة الفصل بين منطقتى التوصيل ‎conductive region‏ الأولى والثانية.
    0 5- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1 حيث تتضمن عملية الإزالة المذكورة لجزء من الطبقة العازلة الثانية إجراء استتصال ‎ead‏ من الطبقة العازلة ‎dielectric layer‏ الثانية بدون إزالة جزءِ من منطقة التوصيل ‎conductive region‏ الأولى أسفل الجزءِ الذي تم استتئصاله.
    ‏ولا‎ + Fd EEE) | : {+} ‏الموجبة‎ << Yor 5 BS a oo ٍْ : ‏ب‎ - nn ra ‏ا و 1 ا‎ ‏ات ا اا و‎ A ‏ا ا لب‎ os: JI RT ‏ال المعدلية‎ in - > i oy > ‏وك ا > ا‎ i 0 ‏تت‎ 5 >> ٍ > 1 ٍ 0. a oo ho 2 ‏ب 1 | ا 1 ب‎ : Le 5 ّ 5 ‏ا‎ od > | = 1 ‏و 2 ا‎ — 8 ‏اديب ا اليم‎ ee pg £1) ‏الميجية‎ fd i ; ‏ا‎ b or | 3 28 ny ‏ا ل‎ 8 : ‏ا 7 ا ا ب‎ Lo 0 | Wy oe > 7 1 Rs ‏و‎ 1 ‏نيا ل‎ re : Sf 8 | = : gn 7 1 SE ad | IN 4 | 3 “ i \ FAY TIF A IE FOUR ‏با ات حاط‎ Porn SA bE 0 ‏ا‎ HE Bi 5 1 = 54 bates hn 1) a 1 ‏ل‎ | 2 I 2 ‏ب 1 2 | : : 0 ب‎ A : : ‏ساي ل‎ = CPE bE 1 1 0 0 a 0 ‏اا اتا إُ‎ : ho 2 1 8 ED > ٍ ّ 31 ٍ ‏ا ام‎ ١ 72 ‏ل‎ ‏اا‎ I BS ‏لحن‎ EN ‏مح‎ ‎edd | bd in ‏1ل : ل‎ ١ ‏شكل‎
    — 0 2 — ٍ 9 7 ." ب ‎EN‏ : ب ب ‎Tn ES EN‏ . 3 ‎j‏ > 5 ااي الل 3 ‎NT kN i EY i Nn “i hy EEN‏ ‎A‏ ب > ًّ ف اا الل ‎tr Ey‏ با - - ب تت ™ > > ا ا تت > ‎ES > a‏ ” * ببس ا > : ‎LL a‏ ب - ‎RN‏ ‏ا تا 1 ‎NG‏ ا 1 > ‎a ES . EY . Er 5 Fa hE ES BY Hy‏ . ا > 5 ب ب لذ ايك يكيب ب< »> بطانات من نوع ل ‎LN .. AL gS ws‏ ال ا ا ‎NO‏ نا احا ا ف > بح الت ا ‎EN oy‏ 0 ا ب ا ا ال د ‎No‏ ‏3 > تت ‎ry AN Sy Sg‏ ب" ‎ES‏ ب 5 ا 0 : 0 = ‎ON‏ "0 . : ‎NN ON‏ سال اال اح حاب لح اح ااا ‎EE = 2 = Ey‏ ا ا ا ال ا > ‎EN "on Fu‏ 8 م ‎i sd) NG > > ES T‏ اا ا ا شا العلا ا ‎Bs LON NN‏ 4ه الخ حب 0 لكان ان توت اح اد ات ‎SONNE ON‏ مح ات ا ا إٍْ ال“ ابن 0 ‎Sn AR SON ONCE‏ ا را ا را اا ‎Se BENE‏ اا با 0 0 3 ال اا ا ‎i‏ ‎ES EY i, 1 CS‏ ادا يج ‎To, h‏ ٍ ب ب ,> ‎ves wt Sn‏ يدبي ب = ‎py‏ ل 1 ااا اال .حل ا يت اسن لوو ا ل ل ل 2 ‎x‏ اا لد ل ب ‎=r‏ را كن ات داع اراي : 0 ‎nity‏ ع ‎ES Emin 8 > 3 i pt‏ ‎{oo Fy ar‏ | ب 0 بيج : ت- - جبيح ٍ ا 0 ب ار ‎on‏ ‎oy, ] a‏ ا ا إٍ . ¥ ‎i‏ . . ل 727 5 و اصح الت ‎voasoo AB‏ ار ‎ANN NN‏ ‎NAN Gis ANON‏ 70 ‎rs ANN 77 NAAN 77‏ ‎NN 7 IR ON‏ 77 ‎ie‏ المح 0 ‎aN ON‏ ‎ER SC TENE‏ 0 ‎PO EI Sa‏ مر ‎Nery NEN‏ اا لا ا ا 00 7 5 0 ْ حا ‎bo 8 Yea | ZN‏ شكل ؟
    ٠ 2 1 ٠ ‏حك‎ N rex ray SEE ‏ل‎ wf r BREE EN 3 i { [TTT ANSE PEST IE NRE { | 5 ‏ب 3 3 ب ب 4 2 ب‎ i 3 ‏ل 0 0 0 ; د ا ب‎ 0 . i ree “Pe ERASER GIR i i ir 3 ‏بو‎ A £7 cf dE dl LS ‏د ياي‎ IEA re. Lied No a ERIE ERE ERY UE 4 ‏صر تتام ا‎ ‏ل‎ EE ee TTT LAL Tb ‏نا‎ RR Tl I ‏ل‎ os ‏كان‎ ‏حم يتا ارا وات وجي اا‎ A HL ‏م ما اع‎ RRA! 200 or ol ® 1 3 0 ‏:ل اي المي‎ 0 ١ ‏ل‎ 8 RS ‏ةتح ا ا‎ Ed ‏ا وان ! ليست جوع‎ a ‏ل ا ا‎ Sn Ld 8 Te ‏الس كوم بييا‎ ‏الا ا مي ا‎ SRR ‏ا ا‎ RR RRR ‏“بي اباباي : : سا ا‎ Fy ‏دراه‎ ‎Th ‎EEE AS pak 212 + ‏شَكّل‎
    ‎EY‏ ‎on‏ ٍ يج ‎oh‏ كج اه $ 1 0 ِ. 0 تكوين منطقة توصيل أولى من نوع توصيل أول على طبقة عازلة اولي في ركيزة ‎١ْ 8‏ تكوين طبقة عازلة ثانية علي منطقة ‏ ) ض التوصيل الأولى ٍ ب إزالة جزء من الطبقة ‎ADL‏ ‏ض ‎As‏ ض ‎ea EA‏ تكوين منطقة توصيل ‎A‏ من نوع توصيل ‎OU‏ فوق جزء من منطقة التوصيل الأولى المكشوفة ‎٠‏ ‏إزالة جزء من منطقة التوصيل الثانية لتكوين الجزاين الأول والثاني من منطقة التوصيل الثانية _معدن لربط نوع التوصيل الثاني بمنطقة التوصيل ض الأولي ؛ ومعدن من لوخ التوصييل ‎aay) Jad ١‏ بالجزء ض الأول من منطقة التوصيل الثانية شكل +
    — 3 2 — ‎Ce‏ ‎he!‏ 5 ; = لل[ ا ‎JS SS i i Sa I a i av‏ ‎١ ّ ١‏ حا ‎Br‏ واه ا للا ات ات ا ا ا ا ا ا اتا ‎we‏ ‏مخ وت ‎"ee‏
    ‎١‏ ا ‎١‏ أ
    ‏ا ‎TAY‏ ا ا م ا ا ال ‎mE‏
    ‏ا ‏شكل ‎v‏
    ب ‎re‏ رن جوم ل ل ل ل ل انا انتما ااه اما ااه ند لدان عا الما لا داه لمجا الا ا ا ‎i 5 ss‏ سن .0 \ ‎v‏ ‎TAA‏ شكل ‎A‏ ‎rey‏ ‏ارا اا ا كا اران اران ‎TAC weg‏ ل ل ‎oy res‏ ا اطق ‎AA 1‏ ات تا الا حت الا لتقت ‎Loe TT eT‏ وبا 5 0 ¥ ‎ia‏ ‎YA‏ 7 ‎jut a‏ . 4
    — 2 5 — 3 1 * ¥ LEN rr ‏ض‎ ‎+ ‏ال نوي — مج يجو دح سس مد‎ ‏ا ات ا اا‎ 3 y 4 8 - ‏د 5 ا ا‎ ERE ‏ا‎ a i 2 i Cn F 3 ‏بكار‎ 7 : LA INVVVVVVVYVVVV VV VV VV VV VV VAAN YYA ٠١ ‏شكل‎
    ‎TY. \ PE ‏الج ا‎ ET ran A 5 ‏جد د‎ Cea a IP ‏ا‎ Se ERE 0 ‏اللو‎ ‏ل اا ره ده د رق‎ ER ‏ا د ف‎ Edo ILL ‏ل ا الزن الا‎ rr] ro —————————————— 0 AANA Fis VVVVVYYVVVVVVVVVVVVVVVVVV VV TEA ٠١ ‏شكل‎
    — 6 2 — ‎a JI rye YE‏ ‎١ i 08‏ ‎Te‏ ارا ل ‎SR‏ الت اتات ا اا و ا ا ا ‎Ne ER‏ لا ‎١‏ ا وا ا نوات اا الات نايت ال انان لاد ‎od‏ ا ل ا ا كن راص في اراي ع الا تال ص أ حل ا ‎TE RE‏ ل أ دا دان ادا ارا ادا سات نا ل ا ‎or wa “2‏ | ا ‎١‏ ‎CAA SAK 0 AA Al‏ ¥ ان ان اتا ‎Se‏ ل ‎TE‏ ا ‎ym [ho TR EL‏ ‎Ti -‏ ‎ri‏ ‎TY»‏ ‎AAAAAAD‏ يبب يب بتي يب نيب بكي باتياتياتيتي ‎ARAL AA‏ ‎١‏ = ل 1م شكل ‎٠١‏ ‏ا ل رض ‎AE‏ ل ا ا ل ‎WEE‏ ‎ud‏ 8 3 7 7 ٍ ْ ٍ : ا ‎oben 7 1 = id Ey Py ) E i‏ 0 1 | - $ 3 1 ا لم مات ات ا ل ‎IIIS REGS SE‏ د ا ا ا ا ا ل لا ال ل ل ا 70 ‎i ١ ' Fe‏ 0 + بقاع ااا ‎RR A 4‏ : اا : ‎LE Bi‏ شكل ؟٠‏
    ٠ 2 7 ٠ Tie : . ‏يسم‎ I BE NE ALLEN ‏ا‎ A ARTE E rey Tey NS NA ‏لا ل‎ PC x ‏ااا ا ل .نسم ه57‎ ‏رار يتا ال ب ان‎ SC aC ‏أ ان لقص ام ارا ا اا‎ 1 ‏اخ‎ ¢ do rE A p ‏ال ا ْ و‎ 5 pe ‏سم‎ 7 A Pe yd ‏ب من م‎ Ps p< 7 ry 2 Ks A ‏رك ص رك رك رك صر ب‎ 7 A 5 ARRAS ‏ل‎ ee AS ENO OES rie 0 INS “2 5 SRS > Sosy A] oy, ‏م‎ als 7 - > So Sa 1 i 1 GG ENON ‏ل‎ ENE CRE Gras ‏ا‎ TE ‏ب لكام‎ ee SER ARAN AN NON AAO 5 0 Lo AN A \ rr ie PALANAN ‏أي بطي كي‎ AAAS ALAS ‏ييه ب واي ياي يجا يجا بايا اليا ابابا ابابا ب بال لال الالال‎ 8 vi ‏شكل‎
    لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا ‎Sued Authority for intallentual Property‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § 8 ‎Ss o‏ + < م ‎SNE‏ اج > عي كي الج ‎TE I UN BE Ca‏ ‎a‏ ةا ‎ww‏ جيثة > ‎Ld Ed H Ed - 2 Ld‏ وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. ‎Ad‏ ‏صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ v=‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎SAIP@SAIP.GOV.SA‏
SA516371366A 2013-12-20 2016-06-19 الصمام الثنائي التحويلي المدمج SA516371366B1 (ar)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/136,719 US20150179847A1 (en) 2013-12-20 2013-12-20 Built-in bypass diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA516371366B1 true SA516371366B1 (ar) 2021-04-04

Family

ID=53401015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA516371366A SA516371366B1 (ar) 2013-12-20 2016-06-19 الصمام الثنائي التحويلي المدمج

Country Status (15)

Country Link
US (2) US20150179847A1 (ar)
EP (1) EP3084839B1 (ar)
JP (1) JP6563908B2 (ar)
KR (1) KR102282202B1 (ar)
CN (1) CN105830229B (ar)
AU (2) AU2014366257B2 (ar)
BR (1) BR112016011872B1 (ar)
CL (1) CL2016001521A1 (ar)
MX (1) MX2016007331A (ar)
MY (1) MY182401A (ar)
PH (1) PH12016501140A1 (ar)
SA (1) SA516371366B1 (ar)
SG (1) SG11201605042WA (ar)
TW (1) TWI652835B (ar)
WO (1) WO2015094988A1 (ar)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10217880B2 (en) * 2016-03-30 2019-02-26 Sunpower Corporation Voltage breakdown device for solar cells
KR101868566B1 (ko) * 2016-11-04 2018-06-19 엘지전자 주식회사 태양 전지

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4759803A (en) * 1987-08-07 1988-07-26 Applied Solar Energy Corporation Monolithic solar cell and bypass diode system
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
JP3888860B2 (ja) * 2000-05-24 2007-03-07 シャープ株式会社 太陽電池セルの保護方法
US6690041B2 (en) * 2002-05-14 2004-02-10 Global Solar Energy, Inc. Monolithically integrated diodes in thin-film photovoltaic devices
JP2003347573A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池用バイパスダイオード
US9029685B2 (en) * 2005-11-18 2015-05-12 The Boeing Company Monolithic bypass diode and photovoltaic cell with bypass diode formed in back of substrate
US7737357B2 (en) * 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080173347A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 General Electric Company Method And Apparatus For A Semiconductor Structure
US8071872B2 (en) * 2007-06-15 2011-12-06 Translucent Inc. Thin film semi-conductor-on-glass solar cell devices
DE102008030880A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktsolarzelle mit großflächigen Rückseiten-Emitterbereichen und Herstellungsverfahren hierfür
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
WO2010057216A2 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Applied Materials, Inc. Integrated bypass diode assemblies for back contact solar cells and modules
US20110114156A1 (en) * 2009-06-10 2011-05-19 Thinsilicon Corporation Photovoltaic modules having a built-in bypass diode and methods for manufacturing photovoltaic modules having a built-in bypass diode
WO2011149021A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 株式会社エバテック 光起電力素子の製造方法及び光起電力素子
KR20120028624A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 삼성전자주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US8604330B1 (en) * 2010-12-06 2013-12-10 4Power, Llc High-efficiency solar-cell arrays with integrated devices and methods for forming them
US8134217B2 (en) * 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
US9716196B2 (en) 2011-02-09 2017-07-25 Alta Devices, Inc. Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices
JP5879538B2 (ja) 2011-03-25 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換装置及びその製造方法
US9490375B2 (en) * 2011-04-04 2016-11-08 Mitsubishi Electric Corporation Solar cell and method for manufacturing the same, and solar cell module
WO2013000026A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Newsouth Innovations Pty Limited Dielectric structures in solar cells
US20130213469A1 (en) * 2011-08-05 2013-08-22 Solexel, Inc. High efficiency solar cell structures and manufacturing methods
JP5868661B2 (ja) * 2011-11-09 2016-02-24 シャープ株式会社 バイパスダイオードおよびその製造方法
US8597970B2 (en) * 2011-12-21 2013-12-03 Sunpower Corporation Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell
KR101563851B1 (ko) * 2012-10-16 2015-10-27 솔렉셀, 인크. 광기전 태양 전지 및 모듈의 모놀리식으로 집적된 바이패스 스위치를 위한 방법 및 시스템
US20150048497A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Qualcomm Incorporated Interposer with electrostatic discharge protection

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160100955A (ko) 2016-08-24
BR112016011872A2 (ar) 2017-08-08
EP3084839A4 (en) 2016-12-21
TWI652835B (zh) 2019-03-01
AU2020200217A1 (en) 2020-02-06
CN105830229A (zh) 2016-08-03
US20150179847A1 (en) 2015-06-25
EP3084839B1 (en) 2019-04-03
MY182401A (en) 2021-01-25
US20200335642A1 (en) 2020-10-22
TW201530796A (zh) 2015-08-01
AU2014366257B2 (en) 2019-10-03
MX2016007331A (es) 2016-08-19
AU2014366257A1 (en) 2016-04-28
PH12016501140A1 (en) 2016-08-15
BR112016011872B1 (pt) 2022-02-08
CL2016001521A1 (es) 2016-12-09
KR102282202B1 (ko) 2021-07-26
CN105830229B (zh) 2018-08-03
EP3084839A1 (en) 2016-10-26
SG11201605042WA (en) 2016-07-28
US11967655B2 (en) 2024-04-23
JP6563908B2 (ja) 2019-08-21
WO2015094988A1 (en) 2015-06-25
JP2016541105A (ja) 2016-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7078213B2 (ja) 太陽電池および太陽光発電モジュール
SA516371368B1 (ar) تصنيع منطقة باعث الخلايا الشمسية باستخدام طرق تصميم متميزة للمنطقتين الموجبة والسالبة
KR101502670B1 (ko) 태양광 모듈 어레이 및 다이오드 케이블
CN106463516B (zh) 电池内旁路二极管
US20110308566A1 (en) Photovoltaic module and the way of connecting photovoltaic modules in a photovoltaic system
CN103094381A (zh) 一种太阳能电池组件
SA516371366B1 (ar) الصمام الثنائي التحويلي المدمج
KR20150045309A (ko) 태양전지 모듈
US8729444B2 (en) Photovoltaic system with potential reduction
CN109244163B (zh) 一种光伏组件及其构造方法
EP2372778A2 (en) Solar cell
CN105556683A (zh) 太阳能电池模块
EP3550615B1 (en) Interconnect member
KR101307445B1 (ko) 광전지 모듈
CN105428360A (zh) 半导体器件
KR101306544B1 (ko) 태양전지 모듈 및 그 제조방법
US11646386B2 (en) Solar module with an enlarged aperture area
CN102874738A (zh) 红外探测器及其制造方法
Chen et al. Metallization Reliability of GaN-Based High-Voltage Light-Emitting Diodes
JP2005217102A (ja) ダイオード付バスバーおよびそれを使用した太陽電池
Wambach Development of a High Current and High Power Terminal System with Bypass Diodes for Large Area Modules Integrated Into Buildings
US10090418B2 (en) Solar battery module
US20190273172A1 (en) Interconnect member
KR101382739B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조 방법
KR20220154436A (ko) 크랙발생률 저감유도를 통한 태양전지모듈 신뢰성 향상방법 및 신뢰성이 향상된 태양전지모듈