SA515361269B1 - جهازوطريقة لإزالة قضبان السيليكون متعدد البللورات من مفاعل - Google Patents
جهازوطريقة لإزالة قضبان السيليكون متعدد البللورات من مفاعل Download PDFInfo
- Publication number
- SA515361269B1 SA515361269B1 SA515361269A SA515361269A SA515361269B1 SA 515361269 B1 SA515361269 B1 SA 515361269B1 SA 515361269 A SA515361269 A SA 515361269A SA 515361269 A SA515361269 A SA 515361269A SA 515361269 B1 SA515361269 B1 SA 515361269B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- wall
- mentioned
- reactor
- item
- rods
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 13
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 10
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 210000003899 penis Anatomy 0.000 claims description 3
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 claims 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66F—HOISTING, LIFTING, HAULING OR PUSHING, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. DEVICES WHICH APPLY A LIFTING OR PUSHING FORCE DIRECTLY TO THE SURFACE OF A LOAD
- B66F19/00—Hoisting, lifting, hauling or pushing, not otherwise provided for
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
يتعلق الإختراع بطريقة لإزالة قضبان سيليكون متعدد التبلور polycrystalline silicon rods من مفاعل reactor، حيث يشتمل المفاعل على أزواج قضيب على شكل حرف U-، حيث فيه واحد من أزواج القضيب على شكل حرف U-، يحاط بالكامل بجسم به جدار خارجي outer wall وجدار داخلي inner wall، ويزال الجسم سوياً مع زوج القضيب rod pair المرفق به من المفاعل بواسطة ونش crane، رافعة كبلية cable hoist أو قابض gripper.
Description
— \ — قضبان السيليكون متعدد البللورات من مفاعل ANY جهاز وطريقة
Device and method for the removal of polycrystalline silicon rods from a reactor الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع بجهاز وطريقة لإزالة قضبان سيليكون عديدة البلورات polycrystalline silicon من مفاعل reactor يعمل السيليكون عديد البلورات مرتفع النقاوة (عديد سيليكون (polysilicon بمثابة مادة أولية 5 الإنتاج سليكون أحادى البلورات monocrystalline silicon لأشباه الموصلات
Lay أو انصهار منطقة (/21)؛ - (CZ) Czochralski بواسطة طريقة semiconductors لإنتاج سيليكون أحادى البلورات أو متعدد البلورات بواسطة طرق السحب والسباكة لإنتاج خلايا .photovoltaics للخلايا الكهروضوئية solar cells شمسية يتم Sale إنتاج عديد السيليكون عن طريق عملية سيمنس (Siemens) في العملية؛ يتم إدخال Y غاز تفاعل مشتمل على واحد أو أكثر من السيليكون المحتوى على مكونات وعلى نحو اختيارى هيدروجين chydrogen لداخل مفاعل مشتمل على ركائز مسخنة Substrates heated عن طريق مرور مباشر lal حيث يترسب السيليكون في شكل مادة صلبة على الركائز. المكونات التي تحتوي على سيليكون والمستخدمة على نحو مفضل هي سيلان (Si H4) silane أحادي dichlorosilane ثاني كلوروسيلان (SIH3CI) monochlorosilane كلوروسيلان رابع كلوروسيلان (SIHCI3) trichlorosilane .ثالث كلوروسيلان ((SIH2CI2) ١ (SiCI4) tetrachlorosilane أو مخاليط من المواد المذكورة. يتم file تنفيذ عملية سيمنس في مفاعل ترسيب (أيضاً يُسمى 'مفاعل سيمنس Siemens metallicbase المفاعل على لوح قاعدة معدني Jak deg التجسيم الأكثر 4. ("reactor plate وناقوس bell يمكن تبريده والذي يرتكز على لوح القاعدة بحيث يتم تكوين gl مفاعل في OV OA
ب داخل الناقوس. يتم تزويد لوح القاعدة بواحدة أو أكثر من فتحات مداخل غاز وواحدة أو أكثر من فتحات غاز عادم off-gas لغازات المفاعل reaction gases الخارجة؛ وأيضاً مع مثبتات التي تقوم بتثبيت الركائز بداخل فراغ المفاعل ويتم تزويدها بالقدرة الكهربائية .electric power تتكون كل ركيزة Sale من قضيبين من شعيرات رقيقية two thin filament rods وقنطرة bridge © تصل القضبان المتجاورة بصفة dale عند أطرافها الحرة. تدخل قضبان الشعيرات لداخل القطب الكهربي الموضوع على sel المفاعل؛ التي يتم من WDA عمل توصيل الأقطاب الكهربائية بمزود القدرة الكهربائية. يترسب على قضبان الشعيرات المسخنة والقنطرة الأفقية عديد سيليكون مرتفع sl ونتيجة لذلك تتزايد أقطارها مع مرور الوقت. بعد تحقيق القطر المرغوب؛ يتم إنهاء العملية. ٠ الوصف العام للاختراع في هذه الطريقة؛ يتم الحصول على قضبان سيليكون في شكل حرف لا والتي يمكن أن تكون بارتفاع عدة أمتار وبوزن مئات الكيلوجرامات. من أجل أن تكون العملية اقتصادية بقدر (ERY) فمن الضرورى الترسيب حتى الوصول إلى أقطار قضبان قصوى. تمثل إزالة قضبان كبيرة وثقيلة جداً من المفاعل مشكلة. ينبغي تواصل الإزالة بأقل تلوث بقدر الإمكان واقتصادية بقدر الإمكان؛ Vo أي ينبغي أن تصاحبها أدنى وقت لتوقف المفاعل. ينبغي أن يكون في الإمكان أيضاً إزالة قضبان dll مشكلة على نحو غير متساوي (على سبيل المثال؛ بيضاوية الشكل؛ مكعبة الشكل؛ بمعنى قطر قضيب متغير عبر ارتفاع القضيب) أو قضبان تتلامس مع بعضها البعض بشكل آمن. تكشف طلب البراءة الأمريكية 817017077175978 عن جهاز لإزالة أقطاب السيليكون sue البلورات؛ مشتمل على جسم ذو جدران خارجية والذي يتم تصميم أبعاده بحيث يتم احتواء القضبان ٠٠ -بواسطة الجدران الخارجية؛ حيث يحتوي كل جدار خارجي على باب لإتاحة الوصول إلى واحد على الأقل من القضبان. في تجسيم مفضل؛ يتم تبطين الجدران الداخلية ببوليمر للعمل على منع تلوث قضبان السيليكون عديدة البلورات. تكشف طلب البراءة الأمريكية 8170900047417 ge جهاز AY AT القضبان السيليكون عديدة البلورات؛ مشتمل على جدار له جدار داخلي dnner wall جدار خارجي وعدد وافر من OA ١ه
_ _ توصيلات بين الجدار الداخلي و الجدار الخارجي؛ وثغرة بين الجدار الداخلي والجدار الخارجي؛ نافذة وصول في الجدار الخارجي؛ لوح قاعدة؛ والعديد من الاتصالات على لوح ac all حيث يكون الجدار الداخلي والجدار الخارجي اسطواني ومتحد المركزء يتم تصميم أبعاد الثغرة لكي تستقبل العديد من أقطاب سيليكون موضوعة على اتصالات لوح Gael حيث يتم فيه عمل نافذة 0 الوصول بحيث يكون في الإمكان الوصول إلى قضبان السيليكون. يمكن سحب القضبان عن طريق نافذة الوصول. من غير الملائم للأجهزة الموصوفة أعلاه أنه في حالة القضبان القائمة بميل؛ أو في Alla حدوث dad ساقطة جزئياً؛ وهي نادرة الحدوث؛ يكون استخدامها مستحيلاً. لذلك؛ فإن الجهاز ليس عملياً بالقدر الكافي لإنتاج اقتصادي من عديد السيليكون.
٠ ينطبق ذلك أيضاً على الطرق المذكورة في عناصر الحماية في البراءة الألمانية 83107 بخصوص سحب قضبان سيليكون عديد البلورات من مفاعل» حيث يتم تشغيل توجيه متين Jy معتمد على نقاط معايرة عبر المفاعل المفتوح ويتم الإمساك بأزواج القضبان عن طريق جهاز تثبيت ميكانيكي أو هوائى ومن ثم يتم إيداع هذه القضبان بداخل جهاز
١ تكشف طلب البراءة اليابانية A 17791046 عن جهاز لإزالة قضبان السيليكون من مفاعل ترسيب؛ الذي يتم به تثبيت زوج قضيب واحد باستخدام كلابات ويتم lead) للخارج من المفاعل عند الجانب. بنفس الطريقة تكشف طلب البراءة اليابانية مدان . اام عن جهاز لإزالة قضبان السيليكون؛ المشتملة على ذراع قابل للحركة في أبعاد ثلاثة؛ في نهاية JS منها يتم تركيب جهاز
٠ ثثبيت الذي يمكن به رفع قضبان السيليكون لخارج المفاعل. إنه من غير الملائم بهذين الجهازين أن يمكن فقط سحب القضبان من الجانب الخارجي إلى الداخل من مفاعل مفتوح بالكامل. من المستحيل إزالة مستهدفة لقضيب سيليكون محدد؛ على سبيل (JB من دائرة قضيب داخلي؛ والذي يطلبه الأمر أحياناً؛ باستخدام الجهاز الموصوف.
ه١ OA
Qo _ _ تكشف طلب البراءة الأمريكية AL 70٠7019785017 عن طريقة لإنتاج قطعة سيليكون عديدة البلورات» متكونة من عملية الترسيب الكيميائي للبخار (CVD) لإنتاج قضيب سيليكون عديد البلورات عن طريق ترسيب سيليكون على سلك شعيرة filament wire يتم توصيل أحد طرفيها بقطب كهربائي أول؛ ويتم توصيل الطرف AY) بقطب كهربائي ثاني؛ عملية من أجل سحب 0 قضيب السليكون عديد البلورات من المفاعل؛ وعملية طحن لقضيب السليكون إلى قطع سيليكون؛
(Cua قبل عملية الطحن يتم إزالة Ye مم على ا لأقل من طرف القطب الكهربائى لقتضيب السليكون عديد البلورات (عملية تقصير قدم) . في تجسيم مفضل»؛ يتم تغطية سطح قضيب السليكون عديد البلورات؛ قبل الإزالة من المفاعل؛ بقطعة تشبه الكيس من بولى إيثيلين polyethylene يمكن أن تتقدم عملية السحب نفسها عن طريق ونش crane أو ما شابه.
٠ بالنسبة إلى المشاكل الموصفة أعلاه في إزالة القضبان عن طريق أجهزة معروفة؛ لم تترك طلب البراءة الأمريكية 1701761978517 إشارات لحلها أو اقتراحات لها. يتعلق الهدف من الاختراع بالمشاكل الموصوفة أعلاه. الوصف التفصيلى: Gly الاختراع بجهاز AY قضبان سيليكون عديدة البلورات من مفاعل محتوياً على أزواج
Vo قضبان في شكل حرف نا (U-shaped rod pairs مشتملاً على جسم ذو جدار خارجي وجدار د اخلي والذي يتم تصميم أبعاده بحيث يمكنه بالكامل احتوا ءِِ زوج قضيب في شكل حرف را بحيث يتفاعل الجسم الذي له زوج القضيب في شكل حرف لا الموجود به؛ مع iis رافعة كبلية cable hoist أو قابض gripper بحيث يمكن إزالة الجسم من المفاعل مع زوج القضيب في شكل حرف نا.
٠ & تبين أن استخدام مثل ذلك lead) هو بدون عواقب لأزواج قضبان أخرى في المفاعل. يتعلق الاختراع أيضاً بطريقة لإزالة قضبان سيليكون عديدة البلورات من مفاعل؛ حيث يشتمل المفاعل على أزواج قضبان في شكل حرف لاء؛ حيث يتم بالكامل احتواء أحد أزواج القضبان في شكل حرف لا عن طريق جسم له جدار خارجي وجدار داخلي؛ ويتم إزالة الجسم مع زوج القضيب المحتواة به من المفاعل عن طريق ونشء رافعة كبلية أو قابض.
ه١
_ h —_
يتم على نحو مفضل تصميم أبعاد الجسم بحيث يتطابق طوله مع ارتفاع زوج القضيب الرأسي
على الأقل.
على نحو مفضل»؛ يساوى طوله 7,5 متر على الأقل.
على نحو مفضل يساوي عرضه عرض زوج قضيب السيليكون في شكل حرف لا (قنطرة سيليكون
© + قطر القضيب).
على نحو مفضل 3 يساوي عرضه Yeo مم على الأقل 3 على نحو مفضل محدد ٠٠١8 مم على
الأقل.
لقد تبين أنه يمكن ضمان الإزالة الآمنة بصفة خاصة ومنخفضة التلوث لقضبان السيليكون عندما
يتم تنظيم الجسم بالنسبة إلى عرضه وعمقه بحيث تكون المسافة عن زوج القضيب المجاور بحد ٠ أدنى ١ سم. يمكن A) القضبان عديدة السيليكون غير المستقرة (على سبيل المثال؛ لها جزء
متفتق 3 أي خشونة سطحية مرتفعة 3 أو عدم ثبات ew طفرات على قضيب السيليكون) بدون
مشاكل. بصفة خاصة؛ لا توجد خطورة لإمكانية سقوط الدفعة الكلية أو أزواج القضبان المنفردة
إلى أسفل في هذا المكان.
وحيث أنه يتم إزالة القضيب بشكل زوجي؛ فيمكن إزالة كل زوج قضيب سيليكون عند أي نقطة VO مرغوبة في الوقت المناسب. بالتحديد؛ في الإمكان الإزالة من الداخل نحو الخارج؛ والتي لم تكن
متوفرة مع أجهزة التقنية السابقة.
لن تخلق إزالة مستهدفة لزوج قضيب محدد مشكلة أي صعوبات .
على نحو مفضل للجسم جدار داخلي مصنوع من الفولاذ . يمكن طلاء الجدار الداخلي للجسم ٠ على نحو مفضل؛ يتكون الجسم من فولاذ؛ أي يشتمل على هيكل فولاذي.
تُعطى أفضلية خاصة لتجسيم الذي يوفر جسم له جدار داخلي فولاذي غير مطلي؛ حيث يتم
تغطية زوج قضيب السيليكون أثناء الإزالة بكيس من البلاستيك.
ه١ OA
يعمل هذا التجسيم على توفير حيز بصفة خاصة Laie يكون جدار الفولاذ رقيق على قدر الإمكان. لا يتطلب الأمر في هذه الحالة طلاء الجدار الداخلي الفولاذي» حيث يعمل كيس البلاستيك على حماية السيليكون من التلوث. © كبديل للجدار الفولاذي غير المطلي في توليفة مع كيس بلاستيك؛ بأفضلية خاصة أيضاً تُعطى لتجسيم لجسم بمعدن صلب منخفض التلوث (على سبيل المثال كربيد تنجستين tungsten TiN (carbide أو غيره) أو بشكل آخر مواد سيراميك منخفضة السحج. تُعطى أفضلية أيضاً إلى استخدام جسم محتوياً على جدار داخلي فولاذي؛ حيث يتم جزئياً أو بالكامل طلاء الجدار الداخلي للجسم بمثل ذلك المعدن الصلب منخفض التلوث؛ أو بسيراميك ٠ منخفض السحج low-abrasion ceramics. من المفضل بالمثل أن يتكون الجسم من بلاستيك مرن لكن مستقر. المواد البلاستيك الممكنة في هذا الوصف هي من بلاستيك مركب ليفي fiber composite plastic مصنوع من بولى أميد آروماتي aromatic polyamide (ألياف آراميد (aramid fibers أو من بوليستر polyester Jie بولى كربونات polycarbonate وبولى pli) تيريفثالات | polyethylene .terephthalate Vo على نحو متساوي؛ من الممكن مواد من كربون carbon أو مكونات كربونية carbon components أو مواد بلاستيك مسلحة بألياف زجاجية glass fiber-reinforced .(GRP) plastics يمكن رفع زوج قضيب السيليكون للخارج بمساعدة جهاز ونشء رافعة كبلية؛ أو نظم مماثلة. على نحو (Janie يشتمل الجسم في فتحة الجسم على قلاب والذي يمكن إغلاقه يدوياً أو بوسيلة Yo ميكانيكية أو آلية كهربائية؛ حيث أنه قد يتم إحتواء زوج القضيب في شكل حرف لا بالكامل في الجسم وبالتالي قد يتم رفعه لخارج المفاعل. يتم نقل زوج القضيب الذي تم رفعه للخارج بعيداً لإجراء عمليات معالجة أخرى ومن المفضل عن طريق شاحنة نقل. ١ه
A —_ _ من الممكن أيضاً استخدام القوابض ANY القضبان بشكل زوجي من المفاعل. يتم على نحو مفضل تصميم أبعاد القوابض بحيث يكون لها نصف قطر صغير على قدر الإمكان حتى في Alla القضبان المرتبة على نحو متراص في (Je lial تتيح مع ذلك تثبيت آمن لأزواج القضيب. لا تتسبب الإزالة منخفضة التلوث والآمنة لأزواج القضبان عن طريق تلك القوابض في أي صعوبات. © مع ذلك؛ عند استخدام تلك القوابض» تتواجد ميزة ألا وهى؛ كما هو في بعض الحلول للتقنية السابقة؛ الإمكانية فقط لإزالة القضبان من الجهة الخارجية نحو الجهة الداخلية. يتيح الاختراع إزالة قضبان السيليكون الكبيرة جداً من مفاعل بدون تدميرها أو تلويثها. عن طريق الاختراع فإنه من الممكن ترسيب قطر القضيب الأقصى. يعتمد قطر القضيب الممكن الأقصى فحسب على ترتيب القضبان في المفاعل وعلى عملية الترسيب. إلى يومنا هذاء لم يكن 0 الممكن ترسيب قضبان ذات قطر قضيب ممكن أقصى؛ بسبب عدم وجود إمكانية معروفة لإزالة تلك القضبان بطريقة آمنة ومنخفضة التلوث. (Say Lad الإزالة بدون صعوبات لقضبان مائلة؛ أو في شكل الإسباتي في ورق اللعب؛ فإن Jie تلك القضبان لها خشونة سطحية مرتفعة؛ أو قضبان مترسبة بطريقة غير مستقرة (لها مسامية متزايدة)؛ أو قضبان متلامسة تبادلياً. Yo قد يُظهر الاختراع مميزاته؛ بالتحديد » عندما يتم ul القضبان في المفاعل J, متقارب بصفة خاصة. قد يتم تحديد المقاربة في المفاعل بمثابة النسبة للمقطع العرضي لقضيب السيليكون الأقصى لدفعة مقسوماً على المساحة المتسعة بالقطر الداخلي للمفاعل. بنسبة مقاربة بين 6,7 و5,؛؛ من المستحيل A) قضبان بشكل زوجي عن طريق التقنية السابقة. الأجهزة وفقاً لطلبين البراءتين الأمريكيتين 17017١779711748 و 0170٠3٠7477 على ٠ النقيض من الاختراع الحالي؛ لا تتيح الإزالة بشكل زوجي منفرد لقضبان غليظة جداً (مقاربة ٠,7 — 0 ,+ ( ؛ حيث أنه يتم بشدة تقييد موضع ومقاس القضبان عن طريق غرف محددة مسبقاً في نظام الإزالة. إذا زادت أقطار القضبان عن عامل المقاربة الممكن (حتى لو من أجل أزواج قضبان قليلة في المفاعل بأكمله فقط)؛ لم يعد بالإمكان استخدام كلا النظامين للإزالة لإزالة القضبان» حيث أنه لا يتوافق دخول القضبان كبيرة الغلظة أو القضبان المائلة لداخل الغرف المزودة لأجل ذلك. في OA ١ه
q —_ _ هذه الحالة؛ ينبغي عمل محاولات باليد لإزالة القضبان بشكل منفرد. يمثل ذلك استهلاكاً للوقت؛ متسبباً في تلوث متزايد للسيليكون؛ وبالإضافة إلى ذلك Jie خطراً على العاملين (يمكن سقوط القضبان لأسفل). في أسوء الأحوال؛ ينبغي نبذ الدفعة بأكملها عمداً. يوفر الاختراع الحالي أن يتقدم إزالة القضيب بشكل زوجي؛ ويشتمل مفاعل الترسيب على عدد © زوجي من القضبان. على نحو uate يساوي عدد القضبان YE على الأقل. على نحو (Janie يساوي قطر القضبان ١5 مم على الأقل. OA ١ه
Claims (4)
- “yam عناصر الحماية من مفاعل polycrystalline silicon rods جهاز لإزالة قضبان سيليكون عديدة البلورات .١ مشتملاً على U-shaped rod pairs محتوياً على أزواج قضبان في شكل حرف لا 6800+ جسم ذو جدار خارجي وجدار داخلي والذي يتم تصميم أبعاده بحيث يمكنه بالكامل احتواء زوج قضيب في شكل حرف لا؛ بحيث يتفاعل الجسم الذي له زوج القضيب في شكل حرف لا الموجود بحيث يمكن إزالة الجسم من gripper أو قابض cable hoist رافعة كبلية (crane به,ممع ونش © مع زوج القضيب في شكل حرف لا. reactor المفاعل الجهاز كما هو مذكور في عنصر ١؛ حيث يتم تصميم أبعاد الجسم بحيث يتطابق طوله مع LY على الأقل ويتطابق عرضه مع U-shaped rod pair U ارتفاع زوج القضيب في شكل حرف على الأقل. U-shaped rod pair عرض زوج قضيب في شكل حرف لا حيث يكون للجسم جدار oY أو كما ذكر في عنصر ١ gale الجهاز كما هو مذكور في .© بكيس بلاستيك rod pair مصنوع من الفولاذ ويتم تغطية زوج القضيب inner wall داخلي
- .plastic bag أو كما هو مذكور في عنصر 7؛ حيث يتم صنع الجسم ١ الجهاز كما هو مذكور في عنصر Lf من مادة صلبة منخفضة التلوث؛ أو يتم صنعه من بلاستيك مستقر ومرن. inner wall داخلي jas أو 7 حيث يكون للجسم ١ الجهاز كما هو مذكور في عنصر . ٠ 5 plastic مصنوع من فولاذ والذي يتم طلاؤه ببلاستيك inner wall حيث يكون للجسم جدار داخلي oF أو ١ الجهاز كما هو مذكور في عنصر 7 مصنوع من فولاذ والذي يتم طلاؤه جزئياً أو بالكامل بمادة صلبة منخفضة التلوث. إلى 6 حيث يشتمل الجسم عند فتحة ١ الجهاز كما هو مذكور في أي واحد من عناصر LY أو mechanical الجسم على قلاب والذي يمكن إغلاقه يدوياً أو عن طريق آلية ميكانيكية Yo .electrical mechanism كهربائية Je lie من polycrystalline silicon rods طريقة لإزالة قضبان سيليكون عديدة البلورات LA «U-shapedrod pairs حيث يشتمل المفاعل على أزواج قضبان في شكل حرف لا reactor حيث يتم بالكامل احتواء أحد أزواج القضبان في شكل حرف لا عن طريق جسم ذو جدار خارجي ه١
- -١١- وجدار داخلي dinner wall ويتم بذلك إزالة الجسم مع زوج القضيب rod pair الموجود به؛ عن طريق ونش crane رافعة كبلية cable hoist أو قابض .gripper
- 4. الطريقة كما هي مذكورة في عنصر (A حيث يتم تصميم أبعاد الجسم بحيث يتطابق طوله مع ارتفاع زوج القضيب في شكل حرف لا U-shaped rod pairs على الأقل ويتطابق عرضه مع © عرض زوج قضيب في شكل حرف لا U-shaped rod pair على الأقل. LY الطريقة كما هي مذكورة في عنصر A كما هو مذكور في عنصر 4( حيث يكون للجسم as داخلي inner wall مصنوع من الفولاذ ويتم تغطية زوج القضيب «rod pair قبل احتوازه بالجسم؛ بكيس بلاستيك..١١ الطريقة كما هي مذكورة في عنصر + أو كما هي مذكورة في عنصر 9؛ حيث يتم صنع AD الجسم من مادة صلبة منخفضة التلوث؛ أو يتم صنعه من بلاستيك مستقر ومرن. LY الطريقة كما هي مذكورة في عنصر JA كما هي مذكورة في عنصر 4( حيث يكون للجسم as داخلي inner wall مصنوع من فولاذ والذي يتم طلاؤه ببلاستيك. LY الطريقة كما هي مذكورة في عنصر + أو كما هي مذكورة في عنصر 4( حيث يكون للجسم جدار داخلي inner wall مصنوع من فلاذ والذي يتم طلاؤه جزئياً أو بالكامل بمادة صلبة VO منخفضة التلوث. LY الطريقة كما هي مذكورة في أي واحد من عناصر A إلى OF حيث يتم تنظيم الجسم؛ بعد احتواؤه لزوج القضيب rod pair بالنسبة إلي عرضه الأقصى وعمقه بحيث تساوي المسافة عن أزواج القضبان rod pairs بحد أدنى ١ سم. Yo الطريقة كما هي مذكورة في أي واحد من عناصر A إلى VE حيث يتم بشكل متقارب Ye ترتيب القضبان في المفاعل reactor بحيث؛ بعد إنهاء الترسيب؛ تساوي نسبة مقطع عرضي لقضيب سيليكون أقصى إلى المساحة المتسعة بالقطر الداخلي للمفاعل ١7 إلى co. الطريقة كما هي مذكورة في أي من عناصر 4 إلى V0 حيث يساوي قطر قضيب السليكون rods 5/1600 في كل حالة Vio مم على الأقل. ه١مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب TAT الرياض 57؟؟١١ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: patents @kacst.edu.sa
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE201310206339 DE102013206339A1 (de) | 2013-04-10 | 2013-04-10 | Vorrichtung und Verfahren zum Ausbau von polykristallinen Siliciumstäben aus einem Reaktor |
| PCT/EP2014/055604 WO2014166717A1 (de) | 2013-04-10 | 2014-03-20 | Vorrichtung und verfahren zum ausbau von polykristallinen siliciumstäben aus einem reaktor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA515361269B1 true SA515361269B1 (ar) | 2016-11-27 |
Family
ID=50346007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA515361269A SA515361269B1 (ar) | 2013-04-10 | 2015-10-06 | جهازوطريقة لإزالة قضبان السيليكون متعدد البللورات من مفاعل |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10576436B2 (ar) |
| EP (1) | EP2984033B1 (ar) |
| JP (1) | JP6072351B2 (ar) |
| KR (1) | KR101829966B1 (ar) |
| CN (1) | CN105102373B (ar) |
| CA (1) | CA2902262C (ar) |
| DE (1) | DE102013206339A1 (ar) |
| MY (1) | MY172174A (ar) |
| SA (1) | SA515361269B1 (ar) |
| TW (1) | TWI572753B (ar) |
| WO (1) | WO2014166717A1 (ar) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9949623B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-04-24 | Endochoice, Inc. | Endoscope control unit with braking system |
| DE102014222883A1 (de) * | 2014-11-10 | 2016-05-12 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Siliciumstabpaar und Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| JP7342147B2 (ja) | 2019-12-17 | 2023-09-11 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 多結晶シリコンを製造及び分類するための方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4848587A (en) | 1987-05-07 | 1989-07-18 | Kenneth Nipp | Container for storing materials for use by diabetics |
| JPH0729045B2 (ja) | 1987-05-29 | 1995-04-05 | 高純度シリコン株式会社 | ロッド解体機 |
| US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
| US5382419A (en) | 1992-09-28 | 1995-01-17 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
| US6354643B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-03-12 | Mariusz Podejko | Tennis ball holder and retriever |
| JP3559244B2 (ja) | 2001-01-18 | 2004-08-25 | 住友チタニウム株式会社 | ロッド解体機 |
| TW200526780A (en) * | 2004-01-06 | 2005-08-16 | Hayashibara Biochem Lab | TNF antagonists and TNF inhibitors comprising the same as the active ingredient |
| KR100768148B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-10-17 | 한국화학연구원 | 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법 |
| DE102006035081A1 (de) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von klassiertem polykristallinen Siliciumbruch in hoher Reinheit |
| DE102007027110A1 (de) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Verpacken von polykristallinem Siliciumbruch |
| KR101538167B1 (ko) * | 2007-08-27 | 2015-07-20 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 실리콘의 포장 방법 및 포장체 |
| JP5309963B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンのシリコン芯棒組立体及びその製造方法、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコン製造方法 |
| EP2108619B1 (en) * | 2008-03-21 | 2011-06-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
| CN101624724B (zh) | 2008-08-22 | 2012-07-25 | 江西赛维Ldk光伏硅科技有限公司 | 多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件 |
| US8168123B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
| US8177135B2 (en) | 2009-04-23 | 2012-05-15 | Visa International Service Association | Observable moment encryption |
| US8209995B2 (en) * | 2009-04-23 | 2012-07-03 | Packit, Llc | Collapsible insulated container |
| JP4964274B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2012-06-27 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボ用蓋と石英ガラスルツボおよびその取り扱い方法 |
| DE102009027830B3 (de) | 2009-07-20 | 2011-01-13 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Entnahme von Siliciumstäben aus einem Reaktor |
| JP5751748B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法 |
| DE102009044991A1 (de) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Wacker Chemie Ag | Stabförmiges Polysilicium mit verbesserter Brucheigenschaft |
| DE102010003068A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von rissfreien polykristallinen Siliciumstäben |
| US8402599B2 (en) * | 2010-09-01 | 2013-03-26 | Techtronic Floor Care Technology Limited | Vacuum cleaner dirt cup and seal |
| DE102010040836A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium-Dünnstäben |
| US8906453B2 (en) | 2011-03-18 | 2014-12-09 | MEMC Electronics Materials, S.p.A. | Tool for harvesting polycrystalline silicon-coated rods from a chemical vapor deposition reactor |
| JP5696063B2 (ja) | 2012-02-02 | 2015-04-08 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒搬出冶具および多結晶シリコン棒の刈取方法 |
| DE102012206251A1 (de) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | Wacker Chemie Ag | Verpackung von polykristallinem Silicium |
| DE102012208473A1 (de) * | 2012-05-21 | 2013-11-21 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Silicium |
-
2013
- 2013-04-10 DE DE201310206339 patent/DE102013206339A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-03-20 KR KR1020157032042A patent/KR101829966B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-20 EP EP14711963.0A patent/EP2984033B1/de active Active
- 2014-03-20 CA CA2902262A patent/CA2902262C/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-20 MY MYPI2015002067A patent/MY172174A/en unknown
- 2014-03-20 CN CN201480016646.7A patent/CN105102373B/zh active Active
- 2014-03-20 WO PCT/EP2014/055604 patent/WO2014166717A1/de active Application Filing
- 2014-03-20 JP JP2016506832A patent/JP6072351B2/ja active Active
- 2014-03-20 US US14/782,865 patent/US10576436B2/en active Active
- 2014-04-09 TW TW103112992A patent/TWI572753B/zh active
-
2015
- 2015-10-06 SA SA515361269A patent/SA515361269B1/ar unknown
-
2020
- 2020-01-15 US US16/743,780 patent/US10974216B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014166717A1 (de) | 2014-10-16 |
| US20200147569A1 (en) | 2020-05-14 |
| DE102013206339A1 (de) | 2014-10-16 |
| TWI572753B (zh) | 2017-03-01 |
| MY172174A (en) | 2019-11-15 |
| TW201439387A (zh) | 2014-10-16 |
| US10576436B2 (en) | 2020-03-03 |
| JP6072351B2 (ja) | 2017-02-01 |
| US10974216B2 (en) | 2021-04-13 |
| CA2902262C (en) | 2017-05-30 |
| EP2984033B1 (de) | 2017-01-11 |
| JP2016514666A (ja) | 2016-05-23 |
| US20160067662A1 (en) | 2016-03-10 |
| CN105102373B (zh) | 2017-09-19 |
| CN105102373A (zh) | 2015-11-25 |
| EP2984033A1 (de) | 2016-02-17 |
| KR20150140784A (ko) | 2015-12-16 |
| KR101829966B1 (ko) | 2018-02-19 |
| CA2902262A1 (en) | 2014-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10974216B2 (en) | Device and method for the removal of polycrystalline silicon rods from a reactor | |
| US9738531B2 (en) | Process for producing polycrystalline silicon | |
| KR20140122711A (ko) | 다결정 실리콘 봉 반출 지그 및 다결정 실리콘 봉의 예취 방법 | |
| US20130011581A1 (en) | Protective device for electrode holders in cvd reactors | |
| US20140004377A1 (en) | Polycrystalline silicon rod | |
| EP2505554A1 (en) | Carbon electrode and equipment for manufacturing polycrystalline silicon rod | |
| CA2916122C (en) | Improved viewing port design for use in production of polycrystalline silicon | |
| EP2105409A1 (en) | Polymer inactivation method for polycrystalline silicon manufacturing device | |
| EP2759520B1 (en) | Polycrystalline silicon manufacturing apparatus and polycrystalline silicon manufacturing method | |
| US10287706B2 (en) | Heating unit comprised of ring heaters with ring support units disposed between the ring heaters and ingot growing device including the same | |
| Jang et al. | Advanced thin gas barriers film incorporating alternating structure of PEALD-based Al2O3/organic-inorganic nanohybrid layers | |
| Liu et al. | Microstructure and mechanical property of high growth rate SiC via continuous hot‐wire CVD | |
| WO2012147300A1 (ja) | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 | |
| KR101545201B1 (ko) | 열 플라스마 유동층 반응장치 및 이를 이용한 실리콘의 제조방법 | |
| CN106458609B (zh) | 多晶硅棒对和制备多晶硅的方法 | |
| Wang et al. | Mechanical and dielectric properties of mullite fiber‐reinforced mullite matrix composites with single layer CVD SiC interphases | |
| EP2401415B1 (en) | Apparatus for manufacture of solar cells | |
| JP2022061883A (ja) | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 | |
| JPH10158097A (ja) | 酸化防護皮膜 | |
| Xu et al. | Insights into the low‐temperature deposition of a dense anatase TiO2 film via an atmospheric pressure pulse‐modulated plasma | |
| JP2017188261A (ja) | 複層セラミックスヒーター、複層セラミックスヒーターの製造方法、及び、加熱方法 | |
| CN111774956A (zh) | 硅芯、硅棒制备装置及硅棒制备方法 | |
| JP2014001114A (ja) | ガラスロッドの延伸方法およびガラスロッドの延伸装置 | |
| BR102012030601A2 (pt) | Forno e método para processamento de lâminas de silício |