SA111320424B1 - جسيمات خضاب ثاني أكسيد التيتانيوم المزوَّدة مع طبقة كثيفة ومشابة من ثاني أكسيد السيليكون SiO2 وطرق تصنيعها - Google Patents
جسيمات خضاب ثاني أكسيد التيتانيوم المزوَّدة مع طبقة كثيفة ومشابة من ثاني أكسيد السيليكون SiO2 وطرق تصنيعها Download PDFInfo
- Publication number
- SA111320424B1 SA111320424B1 SA111320424A SA111320424A SA111320424B1 SA 111320424 B1 SA111320424 B1 SA 111320424B1 SA 111320424 A SA111320424 A SA 111320424A SA 111320424 A SA111320424 A SA 111320424A SA 111320424 B1 SA111320424 B1 SA 111320424B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- dense
- titanium dioxide
- layer
- pigment particles
- dioxide
- Prior art date
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000049 pigment Substances 0.000 title claims abstract description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 57
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 55
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims 5
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 claims 2
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims 2
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBKSAWGZZXKEBJ-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;4-cyclopenta-2,4-dien-1-ylphenol;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C1=CC(O)=CC=C1[C-]1C=CC=C1 PBKSAWGZZXKEBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000001038 titanium pigment Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- -1 hydroxyl ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021380 Manganese Chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L Manganese chloride Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N ethyl trimethyl methane Natural products CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 description 2
- 229940099607 manganese chloride Drugs 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283707 Capra Species 0.000 description 1
- UKCBKQLNTLMFAA-UHFFFAOYSA-N F.[F] Chemical class F.[F] UKCBKQLNTLMFAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 1
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150033538 Rala gene Proteins 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LIRSFCJKZQBJRK-UHFFFAOYSA-M antimony(3+);oxygen(2-);chloride Chemical compound [O-2].[Cl-].[Sb+3] LIRSFCJKZQBJRK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MVMLTMBYNXHXFI-UHFFFAOYSA-H antimony(3+);trisulfate Chemical compound [Sb+3].[Sb+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O MVMLTMBYNXHXFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium nitrate Inorganic materials [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 229940014425 exodus Drugs 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- GBHRVZIGDIUCJB-UHFFFAOYSA-N hydrogenphosphite Chemical class OP([O-])[O-] GBHRVZIGDIUCJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000004599 local-density approximation Methods 0.000 description 1
- 235000007079 manganese sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011702 manganese sulphate Substances 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N neopentane Chemical compound CC(C)(C)C CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000176 photostabilization Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Cosmetics (AREA)
Abstract
الملخص: يتعلق الاختراع الحالي بجسيمات خضاب pigment particles لـ titanium dioxide الذي يتميز بمقاومه أكبر للضوء ويتم تزويد سطحه بطبقة كثيفة من SiO2 المحتوي على عناصر إشابه. هناك عناصر إشابه doping elements مناسبة منها Sn، وSb، وIn، وGe، وy، وNb، وZr، وZn، وF، وMn، وCu، وMo، وCd، وCe، وW وBi وكذا أخلاط منها. يتم وضع طبقة رقيقة من SiO2 المحتوي على عناصر إشابه إما باستخدام طرق كيميائية رطبة wet-chemical معروفة أو ترسيبها من الطور الغازي gas phase . شكل 1 .
Description
—y- جسيمات خضاب ثاني أكسيد التيتانيوم المزوّدة مع طبقة كثيفة ومشابة من ثاني أكسيد السيليكون 8:02 وطرق تصنيعها
Titanium dioxide pigment particles with doped,dense SiO; skin and methods for manufacture الوصف الكامل خلفية الاختراع ان هذا الطلب عبارة عن طلب جزئي من الطلب رقم 17080017 والذي تم إيداعه في المملكة ca Yev ١ / YA 1ه الموافق 470/١ / 5 العربية السعودية بتاريخ الذي يزوّد titanium dioxide J pigment particles يتعلق الاختراع الحالي بجسيمات خضاب سطحه بطبقة 5:0 الكثيف المحتوي على عناصر إشابه؛ وطرق تصنيعها. تُظهر جسيمات © . photostability أكبر للضوء Leslie titanium dioxide خضاب ل فهو يستخدّم » titanium dioxide ل high refractive index نظراً لارتقاع معامل اتكسار البلاستيك Jie ؛ sectors في الكثير من القطاعات high-quality pigment كخضاب عالي الجودة وعلى الرغم من ذلك؛ يعتبر fibres والألياف paper والورق » coatings ومواد الطلاء ¢ plastics ؛ أي أن تفاعلات التحفيز الضوئي photoactive متفاعلاً للضوء titanium عقللمثل ٠ تحدث نتيجةً لامتصاص الأشعة فوق البنفسجية Led غير المرغوب photocatalytic reactions : ؛ مما يؤدي إلى تحلل المادة المصبوغة UV absorption
The Chemical Nature of Chalking in the Presence of Titanium Dioxide Pigments, H. G.
Volz, G. Kaempf, H. G. Fitzky, A. Klaeren, ACS Symp. Ser. 1981, 151,
PhofRlegradation and Photostabilization of Coatings
في هذا السياق؛ يمتص titanium dioxide الضوء في نطاق الأشعة فوق البنفسجية UV ؛ مما ينتج عنه أزواج من الثقوب الإلكترونية electron-hole ¢ تؤدي إلى تكوين شقوق فعالة بدرجة كبيرة highly reactive radicals على سطح ثاني أكسيد titanium dioxide surface a stil) . يترتب على الشقوق التي يتم إنتاجها بهذه الطريقة انحلال المادة اللاصقة في وسط عضوي organic media © . تثبت من خلال الدراسات العملية أن hydroxyl ions تلعب دوراً كبيراً في عملية التحفيز الضوئي photocatalytic process Photocatalytic Degradation of Organic Water Contaminants: Mechanism Involving Hyroxyl Radical Attack , C.
S.
Turchi, D.
F.
Ollis, Journal of Catalysis 122, 1990, 178- .192 ٠ ومعلوم أنه يمكن تقليل التحفيز الضوثي photoactivity ل TiO, عن طريق خضاب جسيمات TiO; titanium =) مثلا أو بوسيلة dallas عضوية للسطح means of inorganic surface treatment (على سبيل المثال عن طريق الطلاء بمركبات oxides of silicon و/أو aluminium و/أو (zirconium . Industrial Inorganic Pigments, ed. by 6. Buxbaum, VCH, New York 1993, Seite 58 - ٠ .60 وبوجه (ald بينت العديد من براءات الاختراع وضع طبقة 8:02 اللا بللورية lamorphous لأكثر كثافة على سطح الجسيمات particle surface ؛ ويعرف هذا باسم "الطبقة الكثيفة dense skin ". الغرض من هذه الطبقة هو منع تكون الشقوق الحرة free radicals على سطح الجسيمات. تم بيان طرق كيميائية رطبة wet-chemical لإنتاج طبقة كثيفة من :8:0؛ وأيضاً طلاء ALO; 7٠.0
و المتوفر بالجسيمات العضوية inorganic particles » على الأخص (TiO في براءتي الاختراع رقمي و 1408717 و 4178417 و 17/8148 USRE تشير البراءة الاوروبية رقم ١7206414 BI إلى طريقة يمكن القيام بها في درجات حرارة منخفضة نسبياً تتراوح بين 15 إلى 9٠0 درجة مئوية؛ كنتيجة للإضافة الفورية لمحلول به NaySiOs ومحلول به B03 © يتم أيضاً القيام بمعالجات ذات طبقة كثيفة dense-skin treatments من 8:02 لزيادة مقاومة كشط الألياف الزجاجية glass fibres المغطاة بهذه الطريقة وتقليل خصائص انزلاق الألياف . في المنتجات التي يتم تصنيعها. في هذا الصدد؛ تبين الطلب الامريكي رقم 7917419 طريقة كيميائية رطبة wet-chemical يتم Led ترسيب silicic acid على سطح الجسيمات particle surface مع أيونات معدنية متعددة التكافؤ «Cu Jia ¢ polyvalent metal ions ريف ردق «Sry «Cas «Bes Mgs ٠ ريصتا Nis «Cos Mn «Crs «Pb «Sn Zr «Tis «Als «Cds وفقاً للبراءة الالمانية رقم 646797791 -٠١7٠٠0 )1 ؛ تعمل الطريقة على زيادة مقاومة خضابات ,10 ذات طبقة كثيفة للضوء. فهي تستند إلى دمج 80؛ أو 21 أو Zr في طبقة من 8:0 المستخدم من قبل عملية كيميائية رطبة wet-chemical . بالإضافة إلى الطرق الكيميائية الرطبة - المعروفة لطلاء سطح جسيمات (TiO, هناك أيضاً طرق VO تترسب من خلالها طبقة كثيفة من ,8:0 عند الطور الغازي gas phase . في هذه الحالة؛ أثناء إنتاج titanium dioxide عن طريق عملية chloride ¢ تتم إضافة مركب silicon ¢ ويفضل 4 إلى تيار الجسيمات في درجة حرارة أعلى من ٠٠٠١ درجة مثوية؛ بحيث يتم تكون طبقة كثيفة ومنتظمة من 5:07 على سطح الجسيمات particle surface . تبين من الطلب الاوروبي رقم ٠١47404 طريقة الطور الغازي gas phase لطلاء السطح ب :oxide ٠ 81 و5 أو P أو Mg أو .Ge Nb ان
و
يتم حل هذا الأمر باستخدام جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide الذي
يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من SiO; يتم ترسيبها عند الطور الغازي gas phase واشابتها
بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل ؛ حيث يتم من خلالها تحديد عنصر الإشابه من
المجموعة المشتملة على «Ins «Shs «Sn بلك رعلا يصلا رتل Mny يفت رمال «Ces «Cds
© و 17 و 31 وكذا أخلاط منها.
يتم أيضاً حل الأمر باستخدام جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide الذي
يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من 58:0 يتم إنتاجها في عملية كيميائية wet-chemical duh)
واشابتها بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل ؛ والتي يتم من خلالها تحديد aie
الإشابه من المجموعة المشتملة على «Ys<Gey ny «Sb ولاك «Ce «Mo ¢F 177 و Bi وكذا ٠ أخلاط منها.
يتم أيضاً حل المادة باستخدام طريقة لتصنيع جسيمات خضاب pigment particles ل titanium doping الذي يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من 5:0 تتم إشابتها بعنصر إشابه dioxide
element واحد على JY وتشتمل على الخطوات:
1 تفاعل titanium tetrachloride في الطور الغازي gas phase مع aluminium halide والغاز Yo المحتوي على oxygen في مفاعل عند درجة حرارة أعلى من ١٠١١ درجة مثوية؛ من أجل إنشا ءِِ
تيار جسيمات يحتوي على جسيمات «TiO,
ب) ملامسة تيار الجسيمات contacting of the particle stream بمركبين على (JN) حيث يكون
المركب الأول مركباً منتجاً ل silicon oxide ويتم تحديد المركب الثاني من المجموعة المشتملة
_ 1 اب على «Y 5 «Ins «Sb «Sn رعلا «Wg «Ces «Cds <Mos «Cus Mn «Zn و Bi والمركبات المنتجة ل 7 وكذا أخلاط منها. ج) تبريد تيار الجسيمات cooling of the particle stream ؛ من أجل إنشاء جسيمات الخضاب pigment particles التي يتم طلاؤها بطبقة كثيفة من SiO; تتم إشابتها بعنصر إشابه doping element © واحد على الأقل من المجموعة المشتملة على Shy «Sn رصا ولت ZnsZrs ول
يقال W 5¢«Ces «Cds Mos «Cus و 31 وكذا أخلاط منها. yal هناك حل AT لهذا الأمرء وهو بمثابة طريقة لتصنيع جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide الذي يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من 8:07 تتم إشابتها بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل » وتشتمل على الخطوات:
pH الهيدروجيني Lead) التي تزيد قيمة TiO, لجسيمات aqueous solution (Ale توفير محلول 1 ٠٠١ ٠٠ عن ومحلول alkaline silicon لمكون السيليكون القلوي aqueous solution ب إضافة محلول مائي « doping element واحد على الأقل لمكون يحتوي على عنصر إشابه aqueous solution مائي «Fg «Nb 5 ولا «Ge g «Ing 4 Sb Ae لإشابه من المجموعة المشتملة J حيث يثم تحديد عنصر
VO وم و 6177© و :3 وكذا أخلاط منها. ج) ترسيب طبقة كثيفة من 5:02 تتم إشابتها بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل على سطح الجسيمات particle surface عن طريق تقليل قيمة الرقم الهيدروجيني pH للمعلق إلى قيمة أقل من 9؛ ويفضل أن تكون أقل من oA حيث يتم تحديد عناصر الإشابه من المجموعة المشتملة على «Mo Fy «Nb «Ys «Ge Ing ¢ Sb و Ce Ww و Bi وكذا أخلاط منها .
Yeo
تمت الإشارة إلى نماذج متميزة أخرى من الاختراع في عناصر الحماية الفرعية. يتم طلاء مادة الاختراع بخضابات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide pigments التي يتم تحسينها فيما يتعلق بمقاومتها للضوء. الوصف العام للاختراع o© وفقاً للاختراع الحالي؛ تحتوي الخضابات الموجودة على شكل طبقة كثيفة بسطح جسيم fitanium dioxide على «0عنازه تراوح من ٠.١ إلى 71.0 بالوزن؛ ويفضل من ١.7 إلى 5.٠ بالوزن؛ ويتم حسابه ك موزق؛ وعناصر ala تتراوح من ٠٠٠ إلى ىن بالوزن ¢ ويفضل من ٠,69 إلى ١ بالوزن؛ ويتم حسابها ك oxide أو في Alla استخدام 7 كعنصر dad إلى إجمالي الخضاب total pigment . ٠ في نموذج مفضل؛ يتم طلاء الجسيمات بطبقة إضافية تتراوح من 4,0 إلى 1.0 بالوزن؛ ويفضل من ٠.١ إلى 4,٠ بالوزن» aluminium oxides أكسيد الالمونيوم المائي hydrous aluminium oxide ؛ ويتم حسابه ك ALO; نسبةً إلى إجمالي الخضاب. يفضل أن تكون جسيمات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide particles من نوع rutile . يقصد هنا بكلمة "عنصر إشابه doping element " العنصر الخاص كذرة أو 108 أو مركب خاص VO مثل oxide ؛ حيثما كان ذلك مناسباً. في سياق بيان مواد الطلاء coatings التي يتم إنتاجها باستخدام عملية كيميائية رطبة wet-chemical ؛ يقصد أيضاً هنا بكلمة oxide" " مركبات oxide المتناظرة أو مركبات hydrates المتناظرة. يجب بيان أن كافة البيانات التي يتم الكشف هنا بخصوص قيمة الرقم الهيدروجيني pH ؛ ودرجة الحرارة؛ والتركيز بنسبة 7 بالوزن أو 7 بالحجم؛ إلخ تتضمن كافة القيم التي تقع في نطاق دقة القياس الخاصة بكل منها والتي يعرفها الماهر في Yeo
م - المجال. ْ يستند الاختراع إلى أنه لزيادة المقاومة للضوء؛ يجب بيان عملية التحفيز الضوئي photocatalytic 5 بطريقة مناسبة؛ بمعنى أنه يجب جعل إنتاج الشقوق الفعالة بدرجة كبيرة باستخدام أزواج الثتقوب الإلكترونية electron-hole المثارة أكثر صعوبة. يمكن تحقيق هذا باستخدام عدة آليات؛ © على سبيل المثال عن طريق زيادة سرعة عودة التحام أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole أو عن طريق تكوين حاجز نشط على سطح الخضاب. تعمل طبقة كثيفة من 58:02 يتم وضعها بنظام بالفعل على تكوين حاجز نشط على سطح TiO; كما يمكن الكشف عن ذلك من خلال كثافة مخففة Ala) الطاقة في نطاق التكافؤ valence band وفي نطاق النقل الخاص بسطح TiO, المطلي؛ مقارنةً بسطح TIO, غير المعالج. من المدهعش ٠ أن إشابه طبقة ,5:0 بعناصر محددة يؤدي إلى تقليل أكبر في حالة ABN ويؤدي هذا إلى رفع الحاجز النشط وبالتالي إلى تحسين مقاومة خضاب TiO, المطلي بهذه الطريقة للضوء. تعمل الحالات الإضافية للطاقة ضمن فجوة النطاق band gap بين نطاق التكافؤ valence band ونطاق النقل على تعزيز عودة التحام أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole . يؤدي إشابه طبقة SiO; بالعناصر المحددة إلى إحداث حالات الطاقة هذه وبالتالي أيضاً التأثير على تحسين ٠ المقاومة للضوء Lie بطبقة SiO; غير المحتوي على عنصر إشابه doping element . هذاء وقد ثبت أن الفلزات «Sn راي يمل «Ys «Gey وى Mog «Cus Mn «Fs Zn Nb «Ces «Cds و7؛ و Bi مكونات إشابه مناسبة. يمكن وضع طبقة .58:0 المحتوية على عناصر إشابه بالطريقة الكيميائية الرطبة wet-chemical وطريقة الطور الغازي gas phase . على الرغم من ذلك؛ من المعلوم أن طريقة الطور الغازي قادرة بوجه عام على وضع طبقة أكثر انتظاماً من ٠ الطريقة الكيميائية الرطبة. Yeo
تم وصف مثال للاختراع الحالي أدناه باستخدام الأشكال من ١ إلى AA شرح مختصر للرسومات الشكل ١ : يبين حالات الطاقة في المرحلة الانتقالية من الذرة إلى الجسم الصلب| solid (الموضحة في: P.A.
Cox, "The Electronic Structure and Chemistry of Solids", Oxford Science 5 Publications 1987, p. 13 الشكل ؟ 0 a كثافة حالة الطاقة لسطح TIO2 energy state density بطلاء 8:02 أو بدونه. الشكل ؟ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على آٍّ عنصر الإشابه Sn ٠ الشكل ؛ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على الشكل © : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على ale ا لإشابه In الشكل ١ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO, وبطلاء SiO, المحتوي على Yo عنصر الإشابه .Ge الشكل 7 : بين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على عنصر الإشابه ا ٠.5
- ١١ بطلاء 5107 وبطلاء 510 المحتوي على TiO, يبين كثافة حالة الطاقة لسطح : A الشكل المحتوي على SiO; وبطلاء SiO; بطلاء TIO, الشكل 4 : بين كثافة حالة الطاقة لسطح
JF عنصر الإشابه المحتوي على SiO; وبطلاء Si0, بطلاء TiO, الطاقة لسطح da يبين كثافة : ٠ الشكل 5 عنصر J لإشابه Mn الشكل ١١ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء Si0;, المحتوي على عنصر الإشابه .Cu الشكل VY يبين كثافة Alls الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء 8:0 المحتوي على
Mo عنصر الإشابه Yo المحتوي على SiO; وبطلاء SiO; بطلاء TiO, يبين كثافة حالة الطاقة لسطح : ١١ الشكل Cd عنصر الإشابه المحتوي على SiO, وبطلاء SiO, بطلاء TiO, يبين كثافة حالة الطاقة لسطح : VE الشكل . Ce عنصر الإشابه Ve الشكل Vo : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO; بطلاء SiO; وبطلاء :8:0 المحتوي على الشكز ٠١ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO, وبطلاء SiO, المحتوي على عنصر الإشابه .Bi
الشكل VY : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TIO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على عنصر الإشابه Mg الشكل YA يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء 510 وبطلاء SiO, المحتوي على © تم حساب قيم كثافة Alla الطاقة حساباً كمياً ميكانيكياً باستخدام حزمة برنامج CASTEP (الإصدار ١ 1 يونيو )٠٠١١ من San Diego .عط #صاء»عه. أجريت هذه الحسابات باستخدام شفرة وظيفية لكثافة CASTEP في (تقريب الكثافة المحلية local density approximation نُشرت معلومات مفصلة من قبل : to 910 895 .م ,)2000( 77 V.
Milman et al. in; International Journal of Quant.
Chemistry Vo تم استخدام حالات التكافؤ التالية؛ بما في ذلك شبه الجوفية 4s 53d 3p. «3s stitanium 4p تم استخدام حالات التكافؤؤ 2s و 2p لل oxygen ؛ وحالات التكافؤٌ 3p 53s لل silicon بالنسبة لعناصر لإشاب ثم تضمين الحا لات aud الجوفية 4d أو 45 و 4p أو indium A 2p ¢ magnesium 5 yttrium 5 . فيما يلي المجموعة القاعدية المستخدمة لعناصر الإشابه: 5s, Sp, 6s, 6p, 5 Sn: 5s, 5p, 6s,6p, 7s Sb: Yo 4d, 5s, 5p, 6s, 6p, 7s In: 4s, 4p, 4d Ge: 4s, 4p, 4d, Ss, Sp Y:
Nb: 4s, 4p, 4d, 5s, Sp
F: 2s,2p
Mn: 3d, 4s, 4p
Cu: 3d,4s,4p
Mo: 4s, 4p, 4d, 5s, 5p ©
Cd: 4d, 5s, 5p, 6s, 6p
Ce: 45 5s, 5p, 6s, 6p, 7s, Tp, 8s
W: 5d, 6s, 6p
Bi: 6s, 6p, 7s, 7p, 8s 2p, 3s,3p Mg: Ye 3s, 3p Al: إلكترون فولت. لم تتحقق الأمثلية الهندسية YA بلغت طاقة الحركة المقطوعة للأمواج المستوية على النتائج التجريبية 85 Ly التركيبية؛ حيث أنه كان يمكن تقييم النموذج الرياضي والتأكد منه كافية لحساب ia وبالتالي؛ توفر حسابات النموذج . (Zn Zr وال و «Sn - المعروفة (الطلاء مقاومة الضوء. ١ انبنت حسابات كثافة الحالة على شبكة وفقاً لمخطط .Monkhorst-Pack تم إجراء حسابات السطح حسب "طريقة نموذج الشرائح" بسمك فراغ يبلغ ٠١ أنجستروم.
Yeo
Y —_ \ — الأمثلة تم بيان الاختراع استناداً إلى الأمثلة من ١ إلى VE (إشابه طبقة SIO; بعنصر من عناصر الإشابه «Sb «Sn وصل Nb ¢Y«Gey ول رعلا «(Bis (Ws «Ces «Cdy Moy «Cus ومثال المقارنة ١ (طبقة نقية من (SiO, ومثال المقارنة y (إشابه SiO; ب (Mg ومثال المقارنة © (شابه 8:0 ب (Al يستند حساب المثال المرجعي ١ على تغطية سطح )١١١( TiO; بأحادي الطبقة 8:02 كاملاً. في هذا السياق؛ تشتمل الخلية الوحدية على OY ذرة (118518036). عند تطبيق التغطية أحادية الجزئ المحسوبة ب 5:0 يبلغ ded طبقته ١,7 نانو متر تقريباً على الخضاب؛ فإنه يؤدي تقريباً إلى نسبة ZY بالوزن من 8:0؛ نسبةً إلى TiO; ٠ تم حساب النسبة المئوية بالوزن استناداً إلى القيم التالية: القيمة النمطية للسطح النوعي (نسبةً إلى 7) الخاصة بجسيمات THO; التي يتم تصنيعها باستخدام عملية chloride : 1,7 م "/ج؛ dela الطبقة أحادية الجزئ: LY نانو متر؛ كثافة طبقة (810: 1,7 جسم ". تبين الأمتلة من ١ إلى VE ومثالا المقارنة ¥ و3 تغطية سطح TIO, بطبقة ,8:0 أحادية الجزئ محتوية على عنصر إشابه doping element بنسبة ذرية تتراوح من ١ (عنصر الإشابه Vo: (X VO (ن8)؛ بمعنى أن الخلية الوحدية تشتمل على 1188:7721036. عند وضعها على خضاب (TiO; يؤدي هذا إلى النسب التالية الوزن من عناصر الإشابه؛ المحسوبة ك oxide والمنسوبة إلى 1102: مثال ٠,٠١ :١ 7 تقريباً بالوزن من S05 مثال 2 70.04 تقريباً بالوزن من Sby03 مثال “: 0,٠4 7 تقريباً بالوزن من و0ره]؛ مم
و١ مثال 4: ١7 ,. 7 تقريباً بالوزن من «GeO, مثال £20 )+ تقريباً بالوزن من 505 مثال 7: ٠.09 تقريباً بالوزن من NbyOs مثال 7: ٠,0٠ تقريباً بالوزن من ل © مثال 8: 0,1 تقريباً بالوزن من MnO, مثال 9: 70,056 تقريباً بالوزن من (CuO مثال 70,٠0 :٠١ تقريباً بالوزن من (MoO; مثال :١١ 7,04 تقريباً بالوزن من 040 ؛ مثال Y VY 0+ تقريباً بالوزن من ي0ه؛ Ye مثال 17: 2,11 تقريباً بالوزن من WO; مثال VE 70,04 تقريباً بالوزن من و3120 المثال المرجعي 7: 0,07 7 تقريباً بالوزن من MgO المثال المرجعي 3: 4 0,٠ 7 تقريباً بالوزن من ر0راخ النتائج yo تعتبر نتيجة حسابات :08511 الميكانيكية الكمية هي البنية الإلكترونية electronic structure يمكن تحليل هذا على شكل بنيات النطاق (نطاقات الطاقة المحلولة مكانياً energy bands ميم
Vo — - (spatially resolved أو قيم كثافة الحالة (حالات الطاقة المتكاملة (integrated energy states الشكل ١ يبين رسم تخطيطي مبسط (d) للبنية الإلكترونية .electronic structure يُظهر الرسم التخطيطي عرض نطاق الطاقة وموضعه فقط. تُستخدم كثافة الحالة (©) لتوزيع حالة الطاقة في © نطاق الطاقة .energy band الشكل 7 يبين تأثير طلاء .8:0 النقي؛ غير المحتوي على عنصر إشابه doping element (المثال المرجعي )١ على مقاومة TIO, للضوء: يتم إظهار كثافة density الحالة المحسوبة لسطح )١١١( THO, النقي كخط متكسّر؛ ولسطح المطلي ب SiO) كخط مصمت. يستند التأثير الإيجابي لطلاء 8i0, على المقاومة للضوء photostability is partly Wits إلى تقليل كثافة ٠ الحالة في نطاق النقل (08)؛ مقارنة بسطح TiO, غير المطلي؛ مما يؤدي إلى تقليل انتقال أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole إلى المصفوفة المجاورة. وفي الوقت نفسه؛ يتم تكثيف التأثير لإيجابي بسبب الانخفاض الإضافي في AES الحالة في نطاق التكافؤ valence band . يبين الشكل 7 تأثير إشابه طبقة ,8:0 ب Sn (المثال )١ في قيم كثافة الحالة؛ مقارنة بطلاء S10; التقي. في هذه الحالة؛ ستنخفض بشكل أكبر كثافة حالة نطاق التكافؤ ؛ مما يؤدي إلى توفر ٠ مقاومة أكبر للضوء .improved photostability تبين الأشكال من ؛ إلى + التأثير الخاص بإشابه طبقة 5:02 ب 85 (المثال oY الشكل 4؛)؛ في (المثال oY الشكل ©(« Ge (المثال ؛؛ Jal 1(« و 7 (المثال co الشكل (v و طلا (مثال 1 الشكل L(A من المدهش أنه يمكن ظهور الانخفاض في كثافة حالة نطاق التكافؤ في كل حالة؛ أي
أن مواد الطلاء coatings هذه تؤدي إلى زيادة المقاومة الطلاء. كما يؤدي إشابه طبقة :5:0 بعنصر 2# أو 20 إلى ثبات أكبر مقارنةً Adda 8:0 غير المطلية. تبين الأشكال من 9 إلى ١١ التأثير الخاص بإشابه طبقة 8:02 ب F (المثال oY الشكل 1)؛ و Mn © (المثال eA الشكل ١٠)؛ و ed Jul) Cu الشكل Mos )١١ (مثال ١٠؛ الشكل ١١)؛ و Cd
(المثال ony الشكل Ce 1 VY (المثال ٠؛ الشكل ye 1 و لأ (المثال ٠ء yo Jal ( و Bi (المتال ؛٠؛ الشكل .)١١ من المدهش أن إشابه طبقة ,8:0 ب !» أو Mn أو «Cu أو م40 أو 0©؛ أو ce 177 أو Bi إلى حالات طاقة إضافية في فجوة النطاق band gap التي تعمل كمراكز التحام أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole وبالتالي إلى مقاومة أكبر للضوء.
Ve يبين الشكل ١١7 تأثير إشابه طبقة SiO; ب Mg (مثال المقارنة (Y على قيم كثافة Alla الطاقة. في هذه الحالة؛ ستزداد كثافة حالة نطاق التكانؤ valence band « أي أن إشابه طبقة 810 ب Mg سيؤدي إلى عدم المقاومة لالضوء . يبين الشكل YA تأثير إشابه طبقة SiO; ب AL (مثال المقارنة ؟) في قيم كثافة حالة الطاقة. في هذه الحالة؛ ستزداد كثافة Ala نطاق التكافؤ » أي أن إشابه طبقة 58:02 ب Al سيؤدي إلى عدم
٠ المقاومة لالضوء. التحكم في العملية تم بيان طرق طلاء جسيمات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide particles بطبقة كثيفة من 510 . تعمل | لعمليات التقليدية من خلال المرحلة المائية. لتحقيق هذه الغاية؛ يتم إنتاج معلق جسيم
٠.0
١7 - - «TiO, وخلطة بمادة مشتتة حيثما كان ذلك Lilie وطحنه وهو رطب حيثما كان ذلك مناسباً. يتم Gale ترسيب طبقة كثيفة من 5102 بإضافة محاليل السيليكات الفلزية القلوية alkali metal- silicate solutions وعنصر تحكم مناسب في قيمة الرقم الهيدروجيني 11م . تتم إضافة عنصر الإشابه على شكل محلول ملحي مقترناً بمحلول السيليكات silicate solutions © أو منفصلاً قبل أو بعد إضافة محلول silicate يدرك الماهر في المجال المركبات المناسبة
والكميات اللازمة للتحكم في قيمة الرقم الهيدروجيني pH لإنتاج طبقة كثيفة. وفقاً لهذا الاختراع؛ يمكن القيام بإشابه طبقة كثيفة من 8:02 بإضافة الأملاح التالية إلى المعلق؛ على ألا يفهم من هذه التوليفة أن الاختراع قاصر عليها. الإشابه ب :Sb
antimony chloride, antimony chloride oxide, antimony fluoride, antimony sulphate AK indium chloride, indium sulphate :In الإشايه ب germanium chloride, germanates :Ge الإشابه ب yttrium chloride, yttrium fluoride :Y الإشابه ب niobium chloride, niobates :Nb الإشابه ب
flourine hydrogen, fluorides :F الإشابه ب ٠ manganese chloride, manganese sulphate :Mn الإشابه ب copper chloride, copper sulphate :Cu الإشابه ب molybdenum chloride, molybdates :Mo الإشابه ب cadmium chloride, cadmium sulphate :Cd الإشابه ب
Yeo
ض - YA - الإشابه ب cerium nitrate, cerium sulphate :Ce الإشابه ب wolframates :W الإشابه ب bismuth nitrate, bismuth sulphate :Bi في نموذج مفضل بشكل خاص ؛ يتم بشكل تقليدي وضع طبقة خارجية من aluminium oxide © المائي على الجسيمات بالطرق المعروفة. في نموذج آخر من الاختراع؛ يتم ترسيب طبقة كثيفة من Si0; على السطح من الطور الغازي gas phase . هناك العديد من الطرق المعروفة لهذا الغرض. على سبيل المثال؛ يمكن الطلاء طبقة مميعة عند درجات حرارة أقل من ٠٠٠١ درجة مئوية تقريباً. تم وصف هذه الطرق في البراءة الامريكية رقم Yoovado او البراءة البريطانية رقم ١ ٠7 او البراءة الامريكية رقم E ا ا Yau, من ذلك؛ يحدث الطلاء في مفاعل أنبوبي يتبع مباشرة تكوين جسيمات TIO; عملية chloride ¢ تم وصف هذه الطرق؛ على سبيل المثال» في براءات الاختراع أو تطبيقات براءات الاختراع الطلب الدولي رقم 48/077441 - ١ ؛ والبراءة الأوربية رقم 7197784» ١بء والبراءة الأوربية رقم 74507 ١٠١٠-٠١ب والطلب الدولي ١1/08141١ - ؟أ. للطلاء في مفاعل أنبوبي؛ ٠ عادة ما يكون المركب المنتج ل 8102 هو silicon halide ؛ خصوصاً (SiCly الذي يتم بوجه عام إدخاله بعد النقطة التي يتم عندها تجميع مادتي التفاعل TCL و AIC بالغاز المحتوي على oxygen . على سبيل (JU) يشير الطلب الدولي IY - 01/08141١ أنه تتم إضافة silicon vie halide النقطة التي عندها يكتمل تفاعل تكوين TIO) بنسبة 7299 على الأقل. في أي Als يجب أن تزيد درجات الحرارة عند نقطة الإدخال عن ٠٠٠١ درجة مئوية؛ ويفضل ٠7٠١ درجة Yo مثوية. تتم أكسدة المركب المنتج ل 8102 وترسيبها على سطح جسيمات TIO, في شكل طبقة كثيفة م
من silicon dioxide . على العكس من الطريقة الكيميائية الرطبة ewet-chemical يتم تكون طبقات الأكسيد الخالية free oxide layers من الماء والهيدرات hydrate أثناء المعالجة في الحالة الغازية gas-phase treatment « مؤديةً إلى امتصاص hydroxyl ions وجزيئات الماء water Jad molecules على السطح. © كما تتم إضافة تيار الجسيمات particle stream كمركب منتج؛ إما بالتوازي مع المركب منتج ل 2 أو قبله أو بعده. كما يجب أن تزيد درجة الحرارة لتيار الجسيمات عند نقطة الإدخال عن Agia ia ٠١١ ويفضل YY vo درجة مثوية. المركبات التالية في مركب منتج مناسب لمركبات metal oxides » على ألا يفهم من هذه التوليفة أنها قاصرة على هذا الاختراع. الإشابه ب as tin chloride Jie ¢ tin halide :Sn ٠ الإشابه ب antimony halide :Sb ¢ مثل antimony chloride الإشابه ب indium chloride Jie ¢ indium halide :In الإشابه ب : yttrium chloride Jie ¢ yttrium halide الإشابه ب zirconium halide :Zr ¢ مثل zirconium chloride الإشابه ب zinc chloride Jie ¢ zinc halide :Zn ٠ الإشابه ب niobium chloride Jie ¢ niobium halide :Nb الإشابه ب fluorine, fluorine hydrogen, fluorides :F الإشابه ب manganese chloride :Mn
ولا الإشابه ب copper chloride :Cu الإشابه ب molybdenum chloride :Mo الإشابه ب cadmium chloride :Cd الإشابه ب cerium chloride :Ce © الإشابه ب tungsten chloride :W الإشابه ب bismuth chloride :Bi في نموذج مفضل بشكل خاص؛ يتم بشكل تقليدي وضع طبقة خارجية من aluminium oxide على الجسيمات بالطرق المعروفة بإدخال مركب منتج مناسب ل oxide aluminium ؛ Jie «AlCl; إلى مأ بعد تيار الد لجسيمات.
٠١ أخيراً يمكن أيضاً معالجة خضابات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide pigments التي يتم توفيرها مع طبقة محتوية على عناصر إشابه كثيفة من 8:02 بالطرق Ag peal بصرف النظر Lee إذا كانت قد تم طلاؤها في معلق أو في الطور الغازي gas phase . على سبيل المثال؛ يمكن أيضاً وضع طبقات غير عضوية inorganic layers من واحد أو أكثر من مركبات metal oxides ile . على ذلك ؛» يمكن القيام بمعالجة أخرى للسطح ب nitrate و/أو بمعالجة عضوية للسطح
organic surface treatment Vo تعتبر المركبات المعروفة لدى الماهر في المجال للمعالجة العضوية لسطح جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide مناسبة أيضاً للمعالجة العضوية لسطح الجسيمات Wy particle surface للاختراع الحالي؛ على سبيل JE) مركبات السيلان العضوية 265 + ومركبات السيلوكسان العضوية organosiloxanes ¢ ومركبات الفسفونات العضوية organophosphonates « إلخ؛ أو مركبات الكحول المتعددة polyalcohols ؛
trimethylethane (TME) Jie أو «trimethylpropane (TMP) إلخ. وفقاً للاختراع الحالي؛ فإن جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide صالحة لاستخدامها في مواد الدهان paints ؛ والطلاء والورق. يمكن أيضا استخدامها كقاعدة بادئة في
معلق لإنتاج؛ على سبيل المثال؛ الورق أو مواد الطلاء coatings .
Claims (1)
- yy - — عناصر الحماية titanium dioxide من ثاني اكسيد التيتانيوم(110) pigment particles جسيمات خضاب -١ ١ تشتمل على: 7 0 جسيمات قلب core particles من ثاني اكسيد التيتانيوم titanium dioxide (TiO) ¢؛ . (ب) قشرة كثيفة من ثاني أكسيد السيليكون (,5:0) dense silicon dioxide تغطي جسيمات القلب core particles © ؛ يتم إنتاج الطبقة الكثيفة dense skin في عملية كيميائية رطبة «wet-chemical ١ تتم إشابة الطبقة الكثيفة dense skin بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل ٠ حيث يتم V اختيار عنصر الإشابة الواحد على الأقل من المجموعة التي تتكون من مل F (Nb «Y «Ge Mo A 77 و 31 وخلائط منها. titanium dioxide )110( ل ثاني اكسيد التيتانيوم pigment particles جسيمات الخضاب —Y ١ وفقًا لعنصر الحماية ١؛ حيث تشتمل أيضًا على: Y z ¥ طلاء إضافي من aluminium oxide أكسيد الالمونيوم المائي hydrous aluminium oxide 1 عند تغطية الطبقة الكثيفة .dense skin titanium dioxide (TiO;) اكسيد التيتانيوم SU من pigment particles جسيمات الخضاب —Y ١ 6,٠ إلى ٠,9 للطلاء الإضافي من aluminium حيث يتراوح محتوى oF وففًا لعنصر الحماية . total pigment ويشار إليه بإجمالي الخضاب ALO; بالوزن ويتم حسابه في صورة LY9.6 titanium dioxide التيتانيوم (و110) LS) من ثاني pigment particles ؛- جسيمات الخضاب ١ Lge إلى ٠٠١ للطلاء الإضافي من aluminium لعنصر الحماية ؟ حيث يتراوح محتوى Gy, ١ بالوزن. titanium dioxide (TiO) من ثاني اكسيد التيتانيوم pigment particles جسيمات الخضاب —0 ١ من )+ إلى dense skin الطبقة الكثيفة silicon يتراوح محتوى Cus ١ وفقًا لعنصر الحماية dense silicon dioxide (Si0) بالوزن ويتم حسابه في صورة ثاني أكسيد السيليكون 72 4,0 Y . total pigment بإجمالي الخضاب al) ويشار € titanium dioxide (TiOy) من ثاني اكسيد التيتانيوم pigment particles جسيمات الخضاب -١ ١ إلى ٠," من dense skin الطبقة الكثيفة silicon يتراوح محتوى Cua © وفقًا لعنصر الحماية ¥ dense silicon dioxide بالوزن؛ ويتم حسابه في صورة ثاني أكسيد السيليكون (و8:0) 0 ¥ . total pigment ويشار إليه بإجمالي الخضاب ¢ titanium dioxide (TiOz) من ثاني اكسيد التيتانيوم pigment particles جسيمات الخضاب -١/ ١ من 06058 skin حيث يتراوح محتوى عناصر الإشابة في الطبقة الكثيفة ١ لعنصر الحماية Gy Y يتم حسابه في صورة F Ala وفي oxide إلى 0.0 2 بالوزن؛ ويتم حسابه في صورة ٠.0٠" عنصر. ¢ titanium dioxide (TiO2) من ثاني اكسيد التيتانيوم pigment particles جسيمات الخضاب =A) من dense skin يتراوح محتوى عناصر | لإشابة في الطبقة الكثيفة Cua ¢ لعنصر الحماية لا GE, Y إلى أ 7 بالوزن. 1,00 yvs - ١ 4- طريقة لتصنيع جسيمات خضاب pigment particles من ل ثاني اكسيد التيتانيوم titanium JAdioxide )1102( ¥ طلاء سطحها بقشرة كثيفة من ثاني أكسيد السيليكون dense silicon dioxide )59502( تتم إشابتها باستخدام عنصر إشابه doping element واحد على «JN وتشتمل ؛ على الخطوات: 8 0( توفير معلق مائي من جسيمات قلب Cus (TiO2 core particles يكون للمعلق 1 المائي رقم هيدروجيني pH أكبر من ١٠؛ ل (ب) إضافة محلول (Sle من مكون سيليكون قلوي alkaline silicon ومحلول مائي واحد على الأقل من مكون يحتوي على عنصر إشابه doping element واحد على الأقل؛ حيث يتم اختيار 4 عنصر الإشابة doping element الواحد على الأقل من المجموعة التي تتكون من Y «Ge dn (Nb ٠ ل W Mo و Bi وخلائط منها؛ ١ (ج) خفض قيمة الرقم الهيدروجيني DH للمعلق إلى قيمة أقل من 1 لإنتاج قشرة كثيفة من ثاني ٠ أكسيد السيليكون dense silicon dioxide (Si02) مشابة بعنصر إشابه doping element واحد ٠ على الأقل مترسبة على جسيمات قلب core particles 1102. -٠١ ١ الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 9؛ حيث تشتمل Und على: ¥ )3( إضافة محلول مائي من مكون يحتوي على aluminium إلى المعلق لإنتاج طبقة إضافية من aluminium oxide Y أو أكسيد الالمونيوم المائي hydrous aluminium oxide على قشرة ثاني ؛ أكسيد السيليكون dense silicon dioxide (Si02) الكثيفة.Yio_ Y o — -١١ ١ الطريقة وفقًا لعنصر الحماية ١٠؛ حيث تشتمل Wad على: ¥ (ه) إضافة محلول مائي من مكون عضوي لإنتاج طبقة إضافية من مادة عضوية على طبقة aluminium oxide ~~ v أو أكسيد الالمونيوم المائي hydrous aluminium oxide . VY) الطريقة Gay لعنصر الحماية ١٠١ حيث تشتمل أيضًا على: ¥ (و) إضافة جسيمات الخضاب pigment particles 1102 المنتجة في الخطوة (ه) إلى عملية ا لتصنيع مواد لدائنية plastics » أو دهانات paints » أو طلاءات coatings » أو ورق. -١ ١ الطريقة وفقًا لعنصر الحماية ١٠؛ Cua تشتمل Wad على: (ه) إضافة جسيمات الخضاب pigment particles 1102 المنتجة في الخطوة (د) إلى عملبة ¥ لتصنيع مواد لدائنية plastics ؛ أو دهانات paints ¢ أو طلاءات coatings » أو ورق. dense لعنصر الحماية 9؛ حيث يتراوح محتوى السيليكون في الطبقة الكثيفة Ga, الطريقة -6 ١ dense silicon بالوزن؛ ويتم حسابها في صورة ثاني أكسيد السيليكون Lhe إلى ٠,١ askin Y . total pigment الخضاب Jab ويشار إليها dioxide (Si02) |" dense يتراوح محتوى السيليكون في الطبقة الكثيفة Cum) لعنصر الحماية ag الطريقة - ١ dense silicon بالوزن؛ ويتم حسابها في صورة ثاني أكسيد السيليكون Lge إلى ٠,7 عناه من ١ . total pigment ويشار إليها بإجمالي الخضاب dioxide (Si02) "6.5١0-١١ ١ الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 4؛ حيث يتراوح محتوى عناصر الإشابة في الطبقة الكثيفة dense skin Y من ٠.٠ إلى ٠,١ / بالوزن ويتم حسابها في صورة oxide أو في Ala 1 في صورةٍ عنصر.-١7 ١ الطريقة Gig لعنصر الحماية O71 حيث يتراوح محتوى عناصر الإشابه في الطبقة الكثيفة dense skin Y من vive إلى Ye 7 بالوزن ويتم حسابها في صورة oxide في حالة SF V صورة عنصر.VA) الطريقة Gy لعنصر الحماية 4 حيث تشتمل Wall على:Y (د) إضافة جسيمات الخضاب pigment particles من (1102) titanium dioxide المنتجة في ¥ الخطوة (z) إلى عملية لتصنيع مواد لدائنية plastics + أو دهانات paints ¢ أو طلاءات coatings ¢ « أو ورق٠—V 4 ١ جسيمات خضاب pigment particles من ctitanium dioxide (TiO2) تشتمل على: (T) جسيمات قلب core particles من (1102) ‘titanium dioxideYF (ب) قشرة كثيفة من ثاني أكسيد السيليكون )$102( dense silicon dioxide تغطي القلب؛ الطبقة ؛ الكثيفة dense skin التي تم إنتاجها في عملية كميائية رطبة؛ تتم إشابة الطبقة الكثيفة بعنصر © إشابه doping element واحد على Cus (JW) عنصر الإشابة الواحد على الأقل إما يقلل كثافة الحالات القريبة من حافة النطاق أو يخلق حالات Alia) في فجوة النطاق لمادة الطبقة الكثيفة؛ VY باستثناء عناصر الإشابة التي يتم اختيارها من المجموعة التي تتكون من (Ag لف Be Ba B «Mg «Cu «Cr «Ce «Co «Cd «Ca A مكل لكل «Zn «Ti «Sr «Sb «Sn «Pb و ZrYio
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006004345 | 2006-01-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA111320424B1 true SA111320424B1 (ar) | 2014-05-11 |
Family
ID=40332787
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA111320424A SA111320424B1 (ar) | 2006-01-30 | 2007-01-28 | جسيمات خضاب ثاني أكسيد التيتانيوم المزوَّدة مع طبقة كثيفة ومشابة من ثاني أكسيد السيليكون SiO2 وطرق تصنيعها |
| SA07280012A SA07280012B1 (ar) | 2006-01-30 | 2007-01-28 | جسيمات خضاب من ثاني أكسيد التيتانيوم مع طبقة كثيفة ومشابة بثاني اكسيد السيليكون وطرق لتصنيعها |
| SA111320359A SA111320359B1 (ar) | 2006-01-30 | 2011-04-09 | جسيمات خضاب من ثاني أكسيد التيتانيوم مع طبقة كثيفة ومشابة بثاني اكسيد السيليكون وطرق لتصنيعها |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA07280012A SA07280012B1 (ar) | 2006-01-30 | 2007-01-28 | جسيمات خضاب من ثاني أكسيد التيتانيوم مع طبقة كثيفة ومشابة بثاني اكسيد السيليكون وطرق لتصنيعها |
| SA111320359A SA111320359B1 (ar) | 2006-01-30 | 2011-04-09 | جسيمات خضاب من ثاني أكسيد التيتانيوم مع طبقة كثيفة ومشابة بثاني اكسيد السيليكون وطرق لتصنيعها |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101360794B (ar) |
| SA (3) | SA111320424B1 (ar) |
| TW (1) | TWI475079B (ar) |
| ZA (1) | ZA200805246B (ar) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108165052B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-11-24 | 华南理工大学 | 一种具有近红外反射功能的陶瓷色料及其制备方法 |
| CN108033486B (zh) * | 2017-12-15 | 2019-11-05 | 河北麦森钛白粉有限公司 | 一种导电介孔纳米二氧化钛的制备方法 |
| CN108767241A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-06 | 中国民航大学 | 镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用 |
| CN110106570A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-09 | 南京市雨花台区绿宝工业设计服务中心 | 一种二氧化钛复合材料的制备方法 |
| KR20220111292A (ko) * | 2019-11-29 | 2022-08-09 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 미립자 충전제, 이의 제조 및 용도 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2913419A (en) * | 1956-04-18 | 1959-11-17 | Du Pont | Chemical process and composition |
| GB2108097B (en) * | 1981-10-30 | 1985-01-03 | Tioxide Group Plc | Improved pigments and their preparation |
| CA1304995C (en) * | 1988-04-15 | 1992-07-14 | John R. Brand | Process for producing durable titanium dioxide pigments |
| US5922120A (en) * | 1997-12-23 | 1999-07-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for producing coated TiO2 pigment using cooxidation to provide hydrous oxide coatings |
| DE102004037271A1 (de) * | 2004-07-31 | 2006-03-23 | Kronos International, Inc. | Witterungsstabiles Titandioxid-Pigment und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
2007
- 2007-01-28 SA SA111320424A patent/SA111320424B1/ar unknown
- 2007-01-28 SA SA07280012A patent/SA07280012B1/ar unknown
- 2007-01-29 TW TW096103160A patent/TWI475079B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-01-30 CN CN2007800016898A patent/CN101360794B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-17 ZA ZA200805246A patent/ZA200805246B/xx unknown
-
2011
- 2011-04-09 SA SA111320359A patent/SA111320359B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101360794B (zh) | 2012-06-13 |
| CN101360794A (zh) | 2009-02-04 |
| SA07280012B1 (ar) | 2011-08-20 |
| SA111320359B1 (ar) | 2014-06-25 |
| ZA200805246B (en) | 2009-02-25 |
| TWI475079B (zh) | 2015-03-01 |
| TW200740927A (en) | 2007-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7988780B2 (en) | Titanium dioxide pigment particles with doped, dense SiO2 skin and methods for their manufacture | |
| JP5255270B2 (ja) | コアシェル構造を有する無機酸化物微粒子、該微粒子を含む分散ゾルおよび光学基材用塗布液 | |
| US7905953B2 (en) | Titanium dioxide pigment particles with doped, dense SiO2 skin and methods for their manufacture | |
| JP5557662B2 (ja) | コアシェル型無機酸化物微粒子の分散液、その製造方法および該分散液を含む塗料組成物 | |
| US7575731B2 (en) | Fine particles of tin-modified rutile-type titanium dioxide and method of making thereof | |
| EP2138462B1 (en) | Sol of surface-coated titanium oxide, process for producing the same, and coating composition containing the same | |
| JP7060583B2 (ja) | 鉄含有ルチル型酸化チタン微粒子分散液の製造方法、鉄含有ルチル型酸化チタン微粒子およびその用途 | |
| US7763110B2 (en) | Titanium dioxide pigment particles with doped, dense SiO2 skin and methods for their manufacture | |
| SA111320424B1 (ar) | جسيمات خضاب ثاني أكسيد التيتانيوم المزوَّدة مع طبقة كثيفة ومشابة من ثاني أكسيد السيليكون SiO2 وطرق تصنيعها | |
| JP2007246351A (ja) | 表面処理された酸化チタンゾルおよびその製造法 | |
| KR20140042830A (ko) | 이산화규소-산화제2주석 복합산화물 피복 산화티탄 함유 금속 산화물 입자 | |
| JP6972147B2 (ja) | 機能性コーティングを有するラメラ粒子 | |
| JP4111701B2 (ja) | 改質酸化チタン粒子 | |
| JP7262853B2 (ja) | 人体へ安全なトナー外添剤及びそれを用いて製造されたトナー | |
| JP4195254B2 (ja) | ルチル型二酸化チタン微粒子およびその製造方法 | |
| WO2024106401A1 (ja) | 酸化チタン粒子、分散液、塗膜形成用塗布液、塗膜および塗膜付基材 | |
| DE102007005477A1 (de) | Titandioxid-Pigmentpartikel mit dotierter dichter SiO2-Hülle und Verfahren zur Herstellung | |
| JP2024072474A (ja) | プライマー層形成用塗料組成物 | |
| Baidins et al. | High gloss durable TiO 2 pigment |