RU98121600A - Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2 (tese)3 (электронного типа проводимости) - Google Patents
Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2 (tese)3 (электронного типа проводимости)Info
- Publication number
- RU98121600A RU98121600A RU98121600/28A RU98121600A RU98121600A RU 98121600 A RU98121600 A RU 98121600A RU 98121600/28 A RU98121600/28 A RU 98121600/28A RU 98121600 A RU98121600 A RU 98121600A RU 98121600 A RU98121600 A RU 98121600A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tese
- materials based
- solid solutions
- conductivity type
- thermoelectric materials
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 title claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
Claims (1)
- Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов Bi2(TeSe)3 (электронного типа проводимости) путем легирования их хлорсодержащим соединением, отличающийся тем, что для достижения воспроизводимо высокого уровня термоэлектрической эффективности Z и увеличения выхода годного ТЭМ с высоким значением термоэлектрической эффективности (Z ≥ 3.0 10-3К-1), используют в качестве хлорсодержащего соединения - Bi11Se12Cl9.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98121600A RU2157020C2 (ru) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98121600A RU2157020C2 (ru) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98121600A true RU98121600A (ru) | 2000-08-27 |
RU2157020C2 RU2157020C2 (ru) | 2000-09-27 |
Family
ID=20212834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98121600A RU2157020C2 (ru) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2157020C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD323Z (ru) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2470414C1 (ru) * | 2011-06-28 | 2012-12-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА p-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Sb2Te3 |
RU2518353C1 (ru) * | 2012-12-07 | 2014-06-10 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Адв-Инжиниринг" | Способ получения термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств |
RU2570607C1 (ru) * | 2014-05-21 | 2015-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет" | Способ получения длинномерного слитка постоянного сечения из термоэлектрических бинарных сплавов типа висмут-сурьма |
RU2567972C1 (ru) * | 2014-07-01 | 2015-11-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ТЕРМОИНТЕХ" | Способ получения гранул термоэлектрических материалов |
RU2765275C1 (ru) * | 2021-07-30 | 2022-01-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута |
-
1998
- 1998-11-27 RU RU98121600A patent/RU2157020C2/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD323Z (ru) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2347429A1 (en) | Conductive isostructural compounds | |
EP0791964A3 (en) | Photoelectric conversion device | |
ES2102445T3 (es) | Procedimiento para la obtencion de una celula solar, asi como celula solar. | |
RU98121600A (ru) | Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2 (tese)3 (электронного типа проводимости) | |
KR940006395A (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
JPS52131449A (en) | Semiconductor switch circuit | |
EP0646970A3 (en) | Semiconductor device with deep impurity level for use at high temperatures. | |
EP1043135A3 (en) | Teflon mould-releasing film used by encapsulating semiconductor chip | |
Shen et al. | Impedance Study of Surface Optimization of n‐CuInSe2 in Photoelectrochemical Solar Cells | |
JPS531471A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
JPS6482556A (en) | Semiconductor device | |
JPS5360171A (en) | Electrode for silicon substrate and its production | |
JPS52115651A (en) | Oscillator circuit | |
JPS52138998A (en) | Reducing gas detector and its manufacturing | |
JPS6457668A (en) | Charge coupled device | |
JPS52107786A (en) | Integrating circuit | |
WRIGHT | Investigation on chalcopyrite semiconductors[Final Report, 1 Oct. 1976- 1 May 1978] | |
Mulder | On the Internal Structure of Copper/ and Platinum/Sapphire Interfaces | |
JPS5368082A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPS5425686A (en) | Semiconductor junction laser | |
SE9901427D0 (sv) | Improved solder balls and use thereof | |
JPS5335477A (en) | Semiconductor unit | |
OSGOOD | Instrumentation for surface studies for novel electronics processing(Final Report, 15 Dec. 1984- 14 Dec. 1985) | |
Konev et al. | Thermoelectromotive force of Cu sub (2- delta) X(X= S, Se). | |
GLAUBENSKLEE | Analysis of the temperature dependence of resistivity in N-type silicon[Final Report, 11 Feb. 1979- 30 Apr. 1980] |