RU98121600A - Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2 (tese)3 (электронного типа проводимости) - Google Patents

Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2 (tese)3 (электронного типа проводимости)

Info

Publication number
RU98121600A
RU98121600A RU98121600/28A RU98121600A RU98121600A RU 98121600 A RU98121600 A RU 98121600A RU 98121600/28 A RU98121600/28 A RU 98121600/28A RU 98121600 A RU98121600 A RU 98121600A RU 98121600 A RU98121600 A RU 98121600A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
tese
materials based
solid solutions
conductivity type
thermoelectric materials
Prior art date
Application number
RU98121600/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2157020C2 (ru
Inventor
В.Б. Освенский
В.В. Каратаев
В.Т. Бублик
Т.Б. Сагалова
И.А. Драбкин
В.В. Компаниец
Original Assignee
Институт химических проблем микроэлектроники
Filing date
Publication date
Application filed by Институт химических проблем микроэлектроники filed Critical Институт химических проблем микроэлектроники
Priority to RU98121600A priority Critical patent/RU2157020C2/ru
Priority claimed from RU98121600A external-priority patent/RU2157020C2/ru
Publication of RU98121600A publication Critical patent/RU98121600A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2157020C2 publication Critical patent/RU2157020C2/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов Bi2(TeSe)3 (электронного типа проводимости) путем легирования их хлорсодержащим соединением, отличающийся тем, что для достижения воспроизводимо высокого уровня термоэлектрической эффективности Z и увеличения выхода годного ТЭМ с высоким значением термоэлектрической эффективности (Z ≥ 3.0 10-3К-1), используют в качестве хлорсодержащего соединения - Bi11Se12Cl9.
RU98121600A 1998-11-27 1998-11-27 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ RU2157020C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98121600A RU2157020C2 (ru) 1998-11-27 1998-11-27 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98121600A RU2157020C2 (ru) 1998-11-27 1998-11-27 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98121600A true RU98121600A (ru) 2000-08-27
RU2157020C2 RU2157020C2 (ru) 2000-09-27

Family

ID=20212834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98121600A RU2157020C2 (ru) 1998-11-27 1998-11-27 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2157020C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2470414C1 (ru) * 2011-06-28 2012-12-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА p-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Sb2Te3
RU2518353C1 (ru) * 2012-12-07 2014-06-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Адв-Инжиниринг" Способ получения термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств
RU2570607C1 (ru) * 2014-05-21 2015-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет" Способ получения длинномерного слитка постоянного сечения из термоэлектрических бинарных сплавов типа висмут-сурьма
RU2567972C1 (ru) * 2014-07-01 2015-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "ТЕРМОИНТЕХ" Способ получения гранул термоэлектрических материалов
RU2765275C1 (ru) * 2021-07-30 2022-01-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2347429A1 (en) Conductive isostructural compounds
EP0791964A3 (en) Photoelectric conversion device
ES2102445T3 (es) Procedimiento para la obtencion de una celula solar, asi como celula solar.
RU98121600A (ru) Способ получения термоэлектрических материалов на основе твердых растворов bi2 (tese)3 (электронного типа проводимости)
KR940006395A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
JPS52131449A (en) Semiconductor switch circuit
EP0646970A3 (en) Semiconductor device with deep impurity level for use at high temperatures.
EP1043135A3 (en) Teflon mould-releasing film used by encapsulating semiconductor chip
Shen et al. Impedance Study of Surface Optimization of n‐CuInSe2 in Photoelectrochemical Solar Cells
JPS531471A (en) Manufacture for semiconductor device
JPS6482556A (en) Semiconductor device
JPS5360171A (en) Electrode for silicon substrate and its production
JPS52115651A (en) Oscillator circuit
JPS52138998A (en) Reducing gas detector and its manufacturing
JPS6457668A (en) Charge coupled device
JPS52107786A (en) Integrating circuit
WRIGHT Investigation on chalcopyrite semiconductors[Final Report, 1 Oct. 1976- 1 May 1978]
Mulder On the Internal Structure of Copper/ and Platinum/Sapphire Interfaces
JPS5368082A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS5425686A (en) Semiconductor junction laser
SE9901427D0 (sv) Improved solder balls and use thereof
JPS5335477A (en) Semiconductor unit
OSGOOD Instrumentation for surface studies for novel electronics processing(Final Report, 15 Dec. 1984- 14 Dec. 1985)
Konev et al. Thermoelectromotive force of Cu sub (2- delta) X(X= S, Se).
GLAUBENSKLEE Analysis of the temperature dependence of resistivity in N-type silicon[Final Report, 11 Feb. 1979- 30 Apr. 1980]