RU2765275C1 - Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута - Google Patents
Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута Download PDFInfo
- Publication number
- RU2765275C1 RU2765275C1 RU2021122793A RU2021122793A RU2765275C1 RU 2765275 C1 RU2765275 C1 RU 2765275C1 RU 2021122793 A RU2021122793 A RU 2021122793A RU 2021122793 A RU2021122793 A RU 2021122793A RU 2765275 C1 RU2765275 C1 RU 2765275C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- solution
- ethylene glycol
- powder
- thermoelectric
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 38
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 17
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 14
- OHYAUPVXSYITQV-UHFFFAOYSA-M sodium;hydrogen selenite Chemical compound [Na+].O[Se]([O-])=O OHYAUPVXSYITQV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 13
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 9
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 19
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 7
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 abstract 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 53
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 38
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 11
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 5
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 4
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 2
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- HWJHZLJIIWOTGZ-UHFFFAOYSA-N n-(hydroxymethyl)acetamide Chemical compound CC(=O)NCO HWJHZLJIIWOTGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового низкотемпературного термоэлектрического материала электронного типа проводимости и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных и охлаждающих модулей. Сущность: способ характеризуется тем, что легирование индием материала Bi2Te2,7Se0,3 осуществляют на стадии сольвотермально-микроволнового синтеза. Для этого смешивают раствор окиси висмута Bi2O3 в этиленгликоле, содержащем KOH в соотношении 1 г щелочи на 16 мл этиленгликоля, с раствором, полученным путем растворения оксида теллура и гидроселенита натрия в этиленгликоле, содержащем щелочь из расчета 1 г КОН на 80 мл этиленгликоля, при температуре раствора 80-100°С. Затем в полученную смесь добавляют нитрат индия в стехиометрическом соотношении в соответствии с формулой Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01, или 0,04, или 0,05, и выдерживают при температуре 90°С в течение 1 ч до получения прозрачного, желтоватого раствора, который затем подвергают сольвотермально-микроволновому синтезу в течение 5 мин при температуре 185°С. Остужают суспензию порошка Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01, или 0,04, или 0,05, естественным образом до комнатной температуры. Затем порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном. Высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа и компактируют в графитовой пресс-форме искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 мин. 3 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового низкотемпературного термоэлектрического материала электронного типа проводимости и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных и охлаждающих модулей.
Термоэлектрические материалы осуществляют прямое преобразование тепловой энергии в электрическую энергию. Эффективность такого преобразования характеризуется термоэлектрической добротностью, которая является безразмерной величиной и определяется как ZT = (S2/ρk)T, где T, S, ρ и k есть абсолютная температура, коэффициент Зеебека, удельное электрическое сопротивление и полная теплопроводность, включающая вклад кристаллической решетки и вклад свободных носителей заряда, соответственно. Оптимальное сочетание этих величин достигается в полупроводниковых материалах. В настоящее время теллурид висмута Bi2Te3 и сплавы, основанные на Bi2Te3, являются лучшими полупроводниковыми материалами для низкотемпературных термоэлектрических применений. К сожалению, термоэлектрическая добротность этих материалов очень мала (ZT ≈ 1), что препятствует их широкому применению. Легирование различными элементами является одним из самых эффективных и часто используемых способов для улучшения термоэлектрической эффективности Bi2Te3 [1-6]. [1] X.K. Duan, K.G. Hu, D.H. Ma, W.N. Zhang, Y.Z Jiang, S.C. Guo, Rare Met. 34 (2015) 770-775.[2] P. Srivastava, K. Singh, Mater. Let. 136 (2014) 337-340. [3] B. Jarivala, D. Shah, N.M. Ravindra, J. Electro. Mater. 44 (2015) 1509-1516. [4] Y. Pan, T.R. Wei, C.F. Wu, J.F. Li, J. Mater. Chem. C. 3 (2015) 10583-10589.[5] L. Hu, T. Zhu, X. Liu, X. Zhao, Adv. Funct. Mater. 24 (2014) 5211-5218.[6] J. Suh, K. M. Yu, D. Fu, X. Liu, F. Yang, J. Fan, D. J. Smith, Y.H. Zhang, J.K. Furdyna, C. Dames, W. Walukiewicz, J. Wu, Adv. Mater. 27 (2015) 3681-3686.
Во многих случаях именно легирование позволяет достигнуть оптимального сочетания S, ρ и k и, таким образом, максимизировать величину ZT. Механизмы такой оптимизации реализуются через увеличение электропроводности в случае использования электрически активной донорной или акцепторной примеси, увеличение коэффициента Зеебека через увеличение фактора рассеяния или эффективной массы плотности состояния, уменьшение теплопроводности через создание дефектной структуры, а также из-за различия в атомных массах примесных атомов и атомов основного вещества.
Одним из эффективных допантов в структуре теллурида висмута является индий In, являющийся эффективной донорной добавкой для теллурида висмута электронного типа проводимости.
Среди методов получения порошковых термоэлектрических материалов можно выделить два направления:
1) Получение порошкообразных материалов методами мягкой химии путем химического восстановления из раствора солей прекурсоров или сольвотермально / сольвотермально-микроволновым синтезом;
2) Получение порошкообразных материалов методом твердофазных реакций: механохимический синтез или сплавление элементарных веществ в вакуумированой кварцевой ампуле.
Среди наиболее зарекомендовавших себя методов компактирования термоэлектрических материалов, полученным по указанным выше способам, известны: горячая экструзия, горячее прессование, искровое плазменное спекание.
Сольвотермально-микроволновой синтез известен в литературе как перспективный метод быстрого получения теллуридов различных металлов [O. Palchik, R. Kerner, A. Gedanken, V. Palchik, M.A. Slifkin, A.M. Weiss A general method for preparing tellurides: synthesis of PbTe, Ni2Te3 and Cu7Te5 from solutions under microwave radiation // Glass Physics and Chemistry – 2005 – Vol. 31, N 1. – P – 80-85. Использование микроволнового воздействия позволяет значительно сократить время синтеза порошка до~5-15 мин, по сравнению с аналогичными сольвотермальными процессами и процессами протекающими без создания давления.
Известен метод сольвотермального синтеза порошка на основе Bi2Te3, легированного лютецием и селеном, с последующим компактированием искровым плазменным спеканием [Ruijuan Cao, Hongzhang Song, Wenxian Gao, Erying Li, Xinjian Li, Xing Hu Thermoelectric properties of Lu-doped n-type LuxBi 2-xTe2.7 Se0.3 alloys // – 2017 – Vol. 727 – P. 326-331]. Такие технологические операции по словам исследователей позволяют получить материал с высоким коэффициентом термоэлектрической добротности ZT~ 1,37. Однако, в данной статье приведены измерения без учета возможной анизотропии данного материала, так как известно, что материалы на основе теллурида висмута склонны к текстурированию. Также в данной статье авторы используют в качестве восстанавливающего агента боргидрид натрия, который разлагается с выделением водорода, являющегося агрессивным восстановителем и также может привести к неконтролируемому загрязнению материала бором.
Известны материалы на основе поликристаллического теллурида висмута, легированные индием, полученные методом одновременного воздействия высокого давления и высокой температуры [Xin Guo, Jieming Qin, Xiaoling Lv, Le Deng, Xiaopeng Jia, Hogan Ma, Hongsheng Jia. Effect of doped indium into Bi2Te3 matrix on the microstructure and thermoelectric transport properties // RSC Advances – 2016 – Vol. 6. – P – 60736-60740.]. Предварительно составленная шихта заданного состава, одновременно синтезируется и компактируется при температуре 900 К и давлении 2 ГПа в графитовой прессформе. Такой способ позволяет достичь термоэлектрической эффективности ZT=0,65 при 385 К
Недостатком данного способа является отклонение от стехиометрического состава в процессе гомогенизации шихты механическим способом, т.к. авторы указывают на наличие примесной фазы теллурида индия, а также использование дорогостоящего сложного оборудования для создания объемного материала.
В научной статье [Xiangyun Bai, Muwei Ji, Meng Xu, Ning Su, Jiatao Zhang,
Jin Wang, Caizhen Zhu, Youwei Yao and Bo Li. Synthesis of M-doped (M = Ag, Cu, In) Bi2Te3 nanoplates via a solvothermal method and cation exchange reaction // Inorg. Chem. Front. – 2019 – Vol. 6. – P – 1097-1102] описан способ легирования теллурида висмута индием в ходе катионообменного процесса. Данный способ предполагает сольвотермальный метод синтеза порошка теллурида висмута и в дальнейшем проведение реакции катионного обмена с целью легирования предварительно полученной матрицы. Плюсом данного метода является возможность получать качественные порошкообразные материалы на основе теллурида легированные необходимыми добавками. Среди недостатков необходимо отметить наличие дорогих растворителей для осуществления процесса катионного обмена: додекантиол, олеиламин, октадецен, вероятная сложность процесса масштабирования и отсутствие данных по термоэлектрической эффективности объемных материалов из порошков, полученных данным методом.
Известен способ получения соединения на основе теллурида висмута (Bi 1-x Inx)Te 2,7 Se 0,3, где х = 0 или 0,02 или 0,04, описанный в научной статье [Ganesh Shridhar Hegde, A.N.Prabhu, Ashok Rao, D.Babu Enhancement of thermoelectric performance of In doped Bi2Te2.7Se0.3 compounds Physica B: Condensed Matter, 584, 1, 412087 (2020)]. Способ получения этого соединения осуществляют через синтез материала твердофазным методом из компактированной шихты в кварцевой вакуумированной трубке при 420°С в течение 24 часов, затем измельчают материал, осуществляют холодное компактирование и отжиг при 200°С в вакууме в течение 12 часов.
Недостатком данного способа является риск отклонения состава от стехиометрии за счет механического перемешивания в ходе гомогенизации шихты, низкая механическая прочность вследствие низкой плотности материала.
Техническая задача изобретения расширение арсенала способов получения термоэлектрических материалов с повышенной термоэлектрической добротностью на основе твердого раствора Bi2Te2,7Se0,3.
Техническим результатом изобретения создание способа получения материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01 или 0,04 или 0,05, с повышенной на 5-10% термоэлектрической добротностью по сравнению с твердым раствором Bi2Te2,7Se0,3, а также небольшое время синтеза как на этапе получения порошка, так и на этапе компактирования объемной заготовки.
Технический результат достигается тем, что легирование индием осуществляется в процессе сольвотермального-микроволнового синтеза порошка Bi2-xInxTe2,7Se0,3 где х равно 0,01 или 0,04 или 0,05, далее частицы полученного порошка в виде тонких гексагональных пластинок (Фиг.1) компактируют в течении 5 минут искровым плазменным спеканием, что позволяет частично восстанавить анизотропию свойств монокристаллических материалов на основе теллурида висмута. Небольшое время процесса компактирования в ходе искрового плазменного спекания ограничивает рост зерна, что способствует сохранению микроструктуры исходного порошка и позволяет эффективнее рассеивать фононы, что обеспечивает относительно низкую теплопроводность изготавливаемого материала, а следовательно, повышает термоэлектрическую добротность полученного материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01 или 0,04 или 0,05.
Данное изобретение характеризуется следующими фигурами.
Фигура 1 – Изображение частиц-пластинок порошка Bi1,95In0,05Te2,7Se0,3, синтезированного по примеру 2, полученное с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ, микроскоп Jeol 2100). Видно, что синтезированный порошок состоит из гексагональных пластинок со средним размером ~400 нм.
Фигура 2 – Рентгеновская дифрактограмма синтезированного порошка Bi1,96In0,04Te2,7Se0,3 по примеру 3, выполненная с помощью дифрактометра Ultima IV Rigaku. Согласно данным рентгенофазового анализа, все порошки состава Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01-0,05, были однофазными и имели ромбоэдрическую кристаллическую структуру (пространственная группа симметрии 
).
Фигура 3 - РЭМ изображение скола образца готового материала Bi1,95In0,05Te2,7Se0,3, полученного по примеру 1, снятое с плоскости ориентированной параллельно оси прессования, типичное для всех объемных образцов состава Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01-0,05, компактированных искровым плазменным спеканием.
Совокупность признаков получения материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01 или 0,04 или 0,05 в заявленном способе не известна из уровня техники, следовательно он соответствует условию новизна. Соответствие условию изобретательский уровень подтверждается тем, что из уровня техники не известно влияние признаков способа на полученный технический результат. Промышленная применимость подтверждается приведенными ниже примерами.
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01 или 0,04 или 0,05, осуществляют следующим образом.
К окиси висмута Bi2O3 приливают этиленгликоль, содержащий KOH в соотношении 1 г щелочи на 16 мл этиленгликоля. Данную суспензию при постоянном перемешивании магнитной мешалкой нагревают до температуры 110°С до полного растворения окиси висмута и выключают нагрев. Затем полученный раствор Bi2O3 соединяют с раствором, полученным путем растворения оксида теллура и гидроселенита натрия в этиленгликоле, содержащем щелочь из расчета 1г КОН на 80 мл этиленгликоля при температуре раствора 80-100°С, во избежание восстановления элементарного теллура и селена, и постоянном перемешивании магнитной мешалкой до полного растворения. В смесь растворов добавляют нитрат индия в стехиометрическом соотношении в соответствии с формулой Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01 или 0,04 или 0,05, и выдерживают при температуре 90°С в течение 1 часа до получения прозрачного, желтоватого раствора.
Порошок Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно х = 0,01 или 0,04 или 0,05, получают сольвотермальным-микроволновым синтезом в лабораторной микроволновой системе MARS-6, где в течение 30 секунд смесь растворов нагревают до температуры 185°С и выдерживают при данной температуре 5 мин. По окончании процесса, автоклавы остужают естественным образом до комнатной температуры. В результате синтеза образуется суспензия порошка Bi2-xInxTe2,7Se0,3. Порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа.
Далее порошок компактируют в графитовой пресс-форме искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
В результате получают материал Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01 или 0,04 или 0,05, плотностью примерно 7,2 г/см3, обладающий улучшенными термоэлектрическими свойствами, а следовательно и повышенной термоэлектрической добротностью.
Примеры осуществления изобретения.
Пример 1
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,05, из расчета на 30 гр готового материала.
В химический термостойкий стакан объемом 1 литр, загружают 17,4423 г.Bi2O3, к нему приливают 400 мл этиленгликоля с предварительно растворенным KOH в количестве 25 г. Данную суспензию при постоянном перемешивании магнитной мешалкой нагревают до температуры 110°С до полного растворения окиси висмута и выключают нагрев. В другом химическом стакане растворяют 16,5428 г оксида теллура и 1,7390 г гидроселенита натрия в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, при постоянном перемешивании магнитной мешалкой и при температуре раствора 80°С, во избежание восстановления элементарного теллура и селена. Далее два полученных раствора сливают, добавляют 0,5777 г нитрата индия из расчета на безводный нитрат и выдерживают при температуре 90°С в течение 1 часа до получения прозрачного, желтоватого раствора.
Полученный раствор переливают в тефлоновые автоклавные стаканы лабораторной микроволновой системы MARS-6 и в течение 30 секунд нагревают до температуры 185°С. Время выдержки при данной температуре 5 мин. По окончании процесса, автоклавы остужают естественным образом до комнатной температуры. В результате синтеза образуется суспензия порошка Bi1,95In0,05Te2,7Se0,3. Порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа.
Далее порошок Bi1,95In0,05Te2,7Se0,3 загружают в цилиндрическую графитовую пресс-форму диаметром 20 мм и компактируют искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
Пример 2
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,05, из расчета на 30 гр готового материала.
Способ осуществляют как описано в примере 1, но для приготовления второго раствора 16,5428 г оксида теллура и 1,7390 г гидроселенита натрия после добавления в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, растворяют при постоянном перемешивании магнитной мешалкой при температуре раствора 100°С.
Пример 3
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,04, из расчета на 30 гр готового материала.
В химический термостойкий стакан объемом 1 литр, загружают 17,5107 г. Bi2O3, к нему приливают 400 мл этиленгликоля с предварительно растворенным KOH в количестве 25 г. Данную суспензию при постоянном перемешивании магнитной мешалкой нагревают до температуры 110°С до полного растворения окиси висмута и выключают нагрев. В другом химическом стакане растворяют 16,5229 г оксида теллура и 1,7369 г гидроселенита натрия в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, при постоянном перемешивании магнитной мешалкой и при температуре раствора 80°С, во избежание восстановления элементарного теллура и селена. Далее 2 полученных раствора сливают, добавляют 0,4614 г нитрата индия из расчета на безводный нитрат и выдерживают при температуре 90°С 1 час до получения прозрачного, желтоватого раствора.
Полученный раствор переливают в тефлоновые автоклавные стаканы лабораторной микроволновой системы MARS-6 и в течение 30 секунд нагревают до температуры 185°С. Время выдержки при данной температуре 5 мин. По окончании процесса, автоклавы остужают естественным образом до комнатной температуры. В результате синтеза образуется суспензия порошка Bi1,96In0,04Te2,7Se0,3. Порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа.
Далее порошок Bi1,96In0,04Te2,7Se0,3 загружают в цилиндрическую графитовую пресс-форму диаметром 20 мм и компактируют искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
Пример 4
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,04, из расчета на 30 гр готового материала.
Способ осуществляют как описано в примере 4, но 16,5229 г оксида теллура и 1,7369 г гидроселенита натрия в этиленгликоле, содержащем 5 г. калийной щелочи после добавления в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, растворяют при постоянном перемешивании магнитной мешалкой при температуре раствора 100°С
Пример 5
Получение материала Bi 2-xInxTe 2,7Se0,3 , где х равно 0,03, из расчета на 30 гр готового материала.
В химический термостойкий стакан объемом 1 литр, загружают 17,5788 г. Bi2O3, к нему приливают 400 мл этиленгликоля с предварительно растворенным KOH в количестве 25 г. Данную суспензию при постоянном перемешивании магнитной мешалкой нагревают до температуры 110°С до полного растворения окиси висмута и выключают нагрев. В другом химическом стакане растворяют 16,5031 г оксида теллура и 1,7348 г гидроселенита натрия в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, при постоянном перемешивании магнитной мешалкой и при температуре раствора 80°С, во избежание восстановления элементарного теллура и селена. Далее 2 полученных раствора сливают, добавляют 0,3456 г нитрата индия из расчета на безводный нитрат и выдерживают при температуре 90°С 1 час до получения прозрачного, желтоватого раствора.
Полученный раствор переливают в тефлоновые автоклавные стаканы лабораторной микроволновой системы MARS-6 и в течение 30 секунд нагревают до температуры 185°С. Время выдержки при данной температуре 5 мин. По окончании процесса, автоклавы остужают естественным образом до комнатной температуры. В результате синтеза образуется суспензия порошка Bi1,97In0,03Te2,7Se0,3. Порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа.
Далее порошок Bi1,97In0,03Te2,7Se0,3 загружают в цилиндрическую графитовую пресс-форму диаметром 20 мм и компактируют искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
Пример 6
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,03, из расчета на 30 гр готового материала.
Способ осуществляют как описано в примере 5, но для приготовления второго раствора 16,5031 г оксида теллура и 1,7348 г гидроселенита натрия после добавления в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, растворяют при постоянном перемешивании магнитной мешалкой при температуре раствора 100°С.
Пример 7
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,02, из расчета на 30 гр готового материала.
В химический термостойкий стакан объемом 1 литр, загружают 17,6469 г.Bi2O3, к нему приливают 400 мл этиленгликоля с предварительно растворенным KOH в количестве 25 г. Данную суспензию при постоянном перемешивании магнитной мешалкой нагревают до температуры 110°С до полного растворения окиси висмута и выключают нагрев. В другом химическом стакане растворяют 16,4833 г оксида теллура и 1,7328 г гидроселенита натрия в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, при постоянном перемешивании магнитной мешалкой и при температуре раствора 80°С, во избежание восстановления элементарного теллура и селена. Далее 2 полученных раствора сливают, добавляют 0,2302 г нитрата индия из расчета на безводный нитрат и выдерживают при температуре 90°С 1 час до получения прозрачного, желтоватого раствора.
Полученный раствор переливают в тефлоновые автоклавные стаканы лабораторной микроволновой системы MARS-6 и в течение 30 секунд нагревают до температуры 185°С. Время выдержки при данной температуре 5 мин. По окончании процесса, автоклавы остужают естественным образом до комнатной температуры. В результате синтеза образуется суспензия порошка Bi1,98In0,02Te2,7Se0,3. Порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа.
Далее порошок Bi1,98In0,02Te2,7Se0,3 загружают в цилиндрическую графитовую пресс-форму диаметром 20 мм и компактируют искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
Пример 8
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,02, из расчета на 30 гр готового материала.
Способ осуществляют как описано в примере 7, но для приготовления второго раствора 16,4833 г оксида теллура и 1,7328 г гидроселенита натрия после добавления в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, растворяют при постоянном перемешивании магнитной мешалкой при температуре раствора 100°С.
Пример 9
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01, из расчета на 30 гр готового материала.
В химический термостойкий стакан объемом 1 литр, загружают 17,7147 г.Bi2O3, к нему приливают 400 мл этиленгликоля с предварительно растворенным KOH в количестве 25 г. Данную суспензию при постоянном перемешивании магнитной мешалкой нагревают до температуры 110°С до полного растворения окиси висмута и выключают нагрев. В другом химическом стакане растворяют 16,4635 г оксида теллура и 1,7307 г гидроселенита натрия в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, при постоянном перемешивании магнитной мешалкой и при температуре раствора 80°С, во избежание восстановления элементарного теллура и селена. Далее два полученных раствора сливают, добавляют 0,1149 г нитрата индия из расчета на безводный нитрат и выдерживают при температуре 90°С 1 час до получения прозрачного, желтоватого раствора.
Полученный раствор переливают в тефлоновые автоклавные стаканы лабораторной микроволновой системы MARS-6 и в течение 30 секунд нагревают до температуры 185°С. Время выдержки при данной температуре 5 мин. По окончании процесса, автоклавы остужают естественным образом до комнатной температуры. В результате синтеза образуется суспензия порошка Bi1,99In0,01Te2,7Se0,3. Порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном и высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа.
Далее порошок Bi1,99In0,01Te2,7Se0,3 загружают в цилиндрическую графитовую пресс-форму диаметром 20 мм и компактируют искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
Пример 10
Получение материала Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01, из расчета на 30 гр готового материала.
Способ осуществляют как описано в примере 9, но для приготовления второго раствора 16,4635 г оксида теллура и 1,7307 г гидроселенита натрия после добавления в 400 мл этиленгликоля, содержащем 5 г калийной щелочи, растворяют при постоянном перемешивании магнитной мешалкой при температуре раствора 100°С.
Пример 11.
Исследование полученных по примерам 1-10 образцов материала Bi 2-xInxTe 2,7Se0,3 , где х равно 0,01-0,05.
Из образцов, полученных по примерам 1-10, вырезают заготовки в виде диска диаметром 10 мм и параллелепипеда с основанием 5*5 мм и высотой 10 мм для измерения термоэлектрических свойств в интервале 300-530 K.
Коэффициент термо-э.д.с и удельное электрическое сопротивление ρ
измеряли в среде гелия низкого давления с помощью оборудования ZEM-3 для
измерения термоэлектрических характеристик (компания изготовитель ULVAC).
Удельную теплоемкость и температуропроводность измеряли в вакууме методом лазерной
вспышки на установке TC-1200 (компания изготовитель ULVAC).
Теплопроводность k рассчитывали по формуле 
где d – плотность образца, Cp – удельная теплоемкость, α – температуропроводность.
Измерение плотности образцов, полученных по примерам 1-10 проводили методом гидростатического взвешивания. В среднем, плотность образцов была на уровне 7,2 г/см3.
В таблице 1 представлены основные термоэлектрические свойства Bi2-xInxTe2,7Se0,3 где х=0,01-0,05.
Таблица 1.
Основные термоэлектрические свойства Bi2-xInxTe2,7Se0,3 где х=0,01-0,05
Как видно из таблицы 1, наилучшую термоэлектрическую добротность показали образцы по примерам 1 и 2, где х равно 0,05. А также по примерам 9 и 10, где х равно 0,01. В этих примерах значение термоэлектрической добротности по сравнению с нелегированным материалом Bi2Te2,7Se0,3 примерно на 10% выше. А также образцы по примерам 3 и 4, где х равно 0,04, значение термоэлектрической добротности у которых по сравнению с нелегированным материалом выше примерно на 5 %.
Таким образом, поставленная задача по расширению арсенала способов синтеза термоэлектрических материалов с повышенной термоэлектрической добротностью на основе твердого раствора Bi2Te2,7Se0,3 решена.
Заявленный способ позволяет получать материал Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х равно 0,01 или 0,04 или 0,05, с более высокой термоэлектрической добротностью по сравнению с Bi2Te2,7Se0,3 на 5-10%. Преимуществом данного способа является короткое время процесса, как на этапе синтеза порошка, так и на этапе компактирования объемной заготовки.
Claims (1)
- Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута формулы Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01, или 0,04, или 0,05, характеризующийся тем, что легирование индием материала Bi2Te2,7Se0,3 осуществляют на стадии сольвотермально-микроволнового синтеза, для чего готовят первый раствор путем растворения окиси висмута Bi2O3 в этиленгликоле, содержащем KOH в соотношении 1 г щелочи на 16 мл этиленгликоля, при температуре 110°С и постоянном перемешивании магнитной мешалкой до полного растворения окиси висмута; затем полученный раствор Bi2O3 соединяют со вторым раствором, полученным путем растворения оксида теллура и гидроселенита натрия в этиленгликоле, содержащем щелочь из расчета 1 г КОН на 80 мл этиленгликоля, при температуре раствора 80-100°С и постоянном перемешивании магнитной мешалкой до полного растворения; затем соединяют первый и второй растворы и в полученную смесь добавляют нитрат индия в стехиометрическом соотношении в соответствии с формулой Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01, или 0,04, или 0,05, выдерживают при температуре 90°С в течение 1 ч до получения прозрачного, желтоватого раствора, который затем подвергают сольвотермально-микроволновому синтезу в течение 5 мин при температуре 185°С, после чего остужают естественным образом до комнатной температуры с получением суспензии порошка Bi2-xInxTe2,7Se0,3, где х = 0,01, или 0,04, или 0,05; порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном, высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа и компактируют в графитовой пресс-форме искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021122793A RU2765275C1 (ru) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021122793A RU2765275C1 (ru) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2765275C1 true RU2765275C1 (ru) | 2022-01-27 |
Family
ID=80445448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021122793A RU2765275C1 (ru) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2765275C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116143521A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-05-23 | 纯钧新材料(深圳)有限公司 | 一种n型碲化铋基材料及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2157020C2 (ru) * | 1998-11-27 | 2000-09-27 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |
| KR20120105390A (ko) * | 2012-08-08 | 2012-09-25 | 한국과학기술연구원 | 나노컴포지트 열전소재 및 그 제조방법 |
| KR101405318B1 (ko) * | 2013-03-25 | 2014-06-13 | 한국과학기술연구원 | 텔루르화 비스무트-셀렌화 인듐 나노복합체 열전 소재 및 그 제조 방법 |
| WO2017095972A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | The Board Of Regents For Oklahoma State University | Microwave processing of thermoelectric materials and use of glass inclusions for improving the mechanical and thermoelectric properties |
-
2021
- 2021-07-30 RU RU2021122793A patent/RU2765275C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2157020C2 (ru) * | 1998-11-27 | 2000-09-27 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2(TeSe)3 ЭЛЕКТРОННОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |
| KR20120105390A (ko) * | 2012-08-08 | 2012-09-25 | 한국과학기술연구원 | 나노컴포지트 열전소재 및 그 제조방법 |
| KR101405318B1 (ko) * | 2013-03-25 | 2014-06-13 | 한국과학기술연구원 | 텔루르화 비스무트-셀렌화 인듐 나노복합체 열전 소재 및 그 제조 방법 |
| WO2017095972A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | The Board Of Regents For Oklahoma State University | Microwave processing of thermoelectric materials and use of glass inclusions for improving the mechanical and thermoelectric properties |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ganesh Shridhar Hegde et al., Enhancement of thermoelectric performance of In doped Bi2Te2.7Se0.3 compounds, Physica B: Condensed Matter, 584, 1, 2020. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116143521A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-05-23 | 纯钧新材料(深圳)有限公司 | 一种n型碲化铋基材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zheng et al. | High thermoelectric performance of p-BiSbTe compounds prepared by ultra-fast thermally induced reaction | |
| WO2022126952A1 (zh) | 一种碲化铋热电材料及其制备方法 | |
| Lu et al. | The effect of Te substitution for Sb on thermoelectric properties of tetrahedrite | |
| Wang et al. | Enhancement of the thermoelectric performance of β-Zn4Sb3 by in situ nanostructures and minute Cd-doping | |
| Scheele et al. | Synthesis and thermoelectric characterization of Bi2Te3 nanoparticles | |
| Wu et al. | Highly enhanced thermoelectric properties of nanostructured Bi 2 S 3 bulk materials via carrier modification and multi-scale phonon scattering | |
| US10622534B2 (en) | Thermoelectric materials based on tetrahedrite structure for thermoelectric devices | |
| Berthebaud et al. | Microwaved assisted fast synthesis of n and p-doped Mg2Si | |
| TW200933940A (en) | Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials | |
| KR102579525B1 (ko) | 반도체 소결체, 전기·전자 부재 및 반도체 소결체 제조방법 | |
| Xiao et al. | A simultaneous increase in the ZT and the corresponding critical temperature of p-type Bi 0.4 Sb 1.6 Te 3 by a combined strategy of dual nanoinclusions and carrier engineering | |
| Ozen et al. | Enhanced thermoelectric performance in Mg 3+ x Sb 1.5 Bi 0.49 Te 0.01 via engineering microstructure through melt-centrifugation | |
| KR20120106730A (ko) | Ｇａｓｂ-충진된 스크테루다이트 복합물 및 그 제조 방법 | |
| Hu et al. | Synthesis of Mg2Si for thermoelectric applications using magnesium alloy and spark plasma sintering | |
| RU2765275C1 (ru) | Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута | |
| Ge et al. | Exceptionally low thermal conductivity realized in the chalcopyrite CuFeS2 via atomic-level lattice engineering | |
| Ballikaya et al. | Fracture structure and thermoelectric enhancement of Cu 2 Se with substitution of nanostructured Ag 2 Se | |
| Liu et al. | Excellent dispersion effects of carbon nanodots on the thermoelectric properties of Bi2Te2. 7Se0. 3 with excessive Te | |
| Chen et al. | Enhanced thermoelectric performance of chalcogenide Cu2CdSnSe4 by ex-situ homogeneous nanoinclusions | |
| Deng et al. | Raising the solubility of Gd yields superior thermoelectric performance in n-type PbSe | |
| Kristiantoro et al. | The influence of Dy concentration on the thermoelectric properties of n-type Dy-doped Bi2Te3 pellets prepared by hydrothermal and carbon burial sintering | |
| Liu et al. | Transmission Electron Microscopy Study of Mg 2 Si 0.5 Sn 0.5 Solid Solution for High-Performance Thermoelectrics | |
| MOGHADDAM et al. | Phase formation and thermoelectric properties of Zn1+ xSb binary system | |
| Zhang et al. | A Study on N-Type Bismuth Sulphochloride (BiSCl): Efficient Synthesis and Characterization | |
| Yaprintseva et al. | Preparation and thermoelectric properties of high-entropy (Bi2/3Sb1/3) 2 (Te2/5Se2/5S1/5) 3 alloy |