RU96113653A - Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений)
- Google Patents
Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений)
Info
Publication number
RU96113653A
RU96113653ARU96113653/25ARU96113653ARU96113653ARU 96113653 ARU96113653 ARU 96113653ARU 96113653/25 ARU96113653/25 ARU 96113653/25ARU 96113653 ARU96113653 ARU 96113653ARU 96113653 ARU96113653 ARU 96113653A
Северо-Осетинский государственный университет им.К.Л.Хетагурова
Filing date
Publication date
Application filed by Северо-Осетинский государственный университет им.К.Л.ХетагуроваfiledCriticalСеверо-Осетинский государственный университет им.К.Л.Хетагурова
Publication of RU96113653ApublicationCriticalpatent/RU96113653A/ru
Способ получения полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений A4B6, включающий помещение исходной шихты и флюса окиси бора (B2O3) в тигель, нагрев до температуры плавления исходной шихты, приведение в контакт затравки с поверхностью расплава и выращивание кристаллов из-под слоя флюса, отличающийся тем, что исходную шихту предварительно перед помещением в тигель покрывают слоем окиси бора.
RU96113653/25A1996-06-25Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений)
RU96113653A
(ru)