RU96113653A - Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений) - Google Patents

Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений)

Info

Publication number
RU96113653A
RU96113653A RU96113653/25A RU96113653A RU96113653A RU 96113653 A RU96113653 A RU 96113653A RU 96113653/25 A RU96113653/25 A RU 96113653/25A RU 96113653 A RU96113653 A RU 96113653A RU 96113653 A RU96113653 A RU 96113653A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
compounds
growing
producing
semiconductor crystals
melt based
Prior art date
Application number
RU96113653/25A
Other languages
English (en)
Inventor
М.В. Бестаев
В.В. Томаев
К.А. Гацоев
В.А. Мошников
Original Assignee
Северо-Осетинский государственный университет им.К.Л.Хетагурова
Filing date
Publication date
Application filed by Северо-Осетинский государственный университет им.К.Л.Хетагурова filed Critical Северо-Осетинский государственный университет им.К.Л.Хетагурова
Publication of RU96113653A publication Critical patent/RU96113653A/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ получения полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений A4B6, включающий помещение исходной шихты и флюса окиси бора (B2O3) в тигель, нагрев до температуры плавления исходной шихты, приведение в контакт затравки с поверхностью расплава и выращивание кристаллов из-под слоя флюса, отличающийся тем, что исходную шихту предварительно перед помещением в тигель покрывают слоем окиси бора.
RU96113653/25A 1996-06-25 Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений) RU96113653A (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU96113653A true RU96113653A (ru) 1999-05-10

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0191505A3 (en) Method of producing sheets of crystalline material
EP0382661A3 (en) Flexible electrically conductive and superconductive articles, and processes for their production
JPS5580798A (en) Ribbon crystal growing method by lateral pulling
CA2000838A1 (en) Method of soldering semiconductor substrate on supporting plate
RU96113653A (ru) Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6 (разлагающихся соединений)
JPS5946090B2 (ja) 半導体ウエ−ハの処理方法
JPS56103418A (en) Method and apparatus for growing silicon layer on substrate from molten silicon source
US4614672A (en) Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide
DE69815422D1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Supraleiter vom Typ selten Erde-Barium-Kupraten
EP0135676A3 (en) Apparatus for growing czochralski crystals and growth method using such apparatus
JPS55104998A (en) Production of silicon carbide crystal layer
JPS5527863A (en) Amorphous phosphorus boron compound
RU2002133541A (ru) Способ получения (выращивания) полупроводниковых кристаллов из расплава на основе соединений а4в6(разлагающихся соединений)
JPH0442911Y2 (ru)
JPS6439090A (en) Substrate for reflow
JPS55105000A (en) Production of silicon carbide crystal layer
JPS5524459A (en) Selective formation of silicon
JPS55140792A (en) Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal
JPS57106598A (en) Semiconductor crystal growing device
EP0366276A3 (en) Method for forming crystal
JPH034028Y2 (ru)
JPS6473745A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS533066A (en) Electrode formation method
JPS54139466A (en) Vapor growth device for semiconductor substrate
JPS5550619A (en) Manufacturing single crystal