RU96110910A - Лавинный фотоприемник - Google Patents

Claims (2)

1. Лавинный фотоприемник, включающий полупроводниковую подложку, на поверхности которой расположены полупроводниковые области противоположного подложке типа проводимости, отделенные от полевого электрода буферным слоем, отличающийся тем, что между подложкой и буферным слоем дополнительно расположены полупроводниковые слои противоположного подложке типа проводимости, имеющие выход к буферному слою между полупроводниковыми областями: высокопроводящие области с повышенной по отношению к подложке концентрацией легирующих примесей, расположенные между полупроводниковыми слоями и подложкой, отстоящие от полупроводниковых областей на величину не меньше, чем толщина полупроводниковыхх слоев, а полупроводниковые области соединены между собой и имеют общий выход на поверхность, над котором сформирован омический контакт, не соединенный с полевым электродом, причем потенциал пробоя поверхности подложки внутри высокопроводящих областей меньше, чем вне их.

2. Лавинный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковые области непосредственно соединены с полевым электродом сквозь буферный слой.