RU96108464A - Симметричный тиристор - Google Patents

Claims (6)

1. Симметричный тиристор, содержащий многослойную полупроводниковую структуру с чередующимися слоями различного типа электропроводности и с двумя главными поверхностями, расположенными на противоположных ее сторонах, включающую в себя средний базовый n-слой, первый p-слой, прилегающий к среднему базовому n-слою сверху и содержащий эмиттерный, управляющий и разделительный участки, выходящие на первую главную поверхность, второй p-слой, прилегающий к среднему базовому n-слою снизу и содержащий эмиттерный участок, выходящий на вторую главную поверхность, первый эмиттерный n-слой, первый дополнительный n-слой и вспомогательный n-слой, образующие p-n-переходы с первым p-слоем и выходящие на первую главную поверхность, второй эмиттерный n-слой и являющийся его продолжением второй дополнительный n-слой, образующие p-n-переход с вторым p-слоем и выходящие на вторую главную поверхность, первый основной электрод, находящийся в омическом контакте с первым эмиттерным и вспомогательным n-слоями и с эмиттерным участком первого p-слоя, второй основной электрод, находящийся в омическом контакте с вторым эмиттерным и вторым дополнительным n-слоями и с эмиттерным участком второго p-слоя, и управляющий электрод, находящийся в омическом контакте с первым дополнительным n-слоем и управляющим участком первого p-слоя, образующим участок пониженного сопротивления для положительного тока управления между управляющим и первым основным электродами и граничащим с первым эмиттерным n-слоем, при этом вспомогательный n-слой, являющийся продолжением первого эмиттерного n-слоя, расположен между эмиттерным участком первого p-слоя и разделительным участком первого p-слоя, отделяющим вспомогательный n-слой от первого дополнительного n-слоя, а проекция второго дополнительного n-слоя на плоскость, параллельную плоскостям p-n-переходов, перекрывается с проекцией на эту же плоскость первого дополнительного n-слоя, отличающийся тем, что в области вспомогательного n-слоя между первым основным и управляющим электродами дополнительно расположен второй управляющий участок первого p-слоя, образующий участок пониженного сопротивления для отрицательного тока управления и граничащий с первым дополнительным n-слоем, при этом длина границы второго управляющего участка первого p-слоя с первым дополнительным n-слоем не превышает длину границы первого управляющего участка первого p-слоя с первым эмиттерным n-слоем и расположены указанные управляющие участки первого p-слоя вдоль оси, проходящей через центр первого дополнительного n-слоя и лежащей в плоскости первой главной поверхности перпендикулярно другой оси на этой же плоскости, проходящей через общую границу первого эмиттерного n-слоя и эмиттерного участка первого p-слоя, а разделительный участок первого p-слоя отделяет также и первый эмиттерный n-слой от первого дополнительного n-слоя.

2. Симметричный тиристор по п.1, отличающийся тем, что длина границы первого управляющего участка первого p-слоя с первым эмиттерным n-слоем и длина границы второго управляющего участка первого p-слоя с первым дополнительным n-слоем равны не менее 0,1 мм и не превышают 80% от общей длины границы первого эмиттерного n-слоя с первым управляющим и разделительным участками первого p-слоя.

3. Симметричный тиристор по пп.1 и 2, отличающийся тем, что сопротивление растекания первого p-слоя на разделительном участке выше, чем на первом и втором управляющих участках этого p-слоя.

4. Симметричный тиристор по пп.1 - 3, отличающийся тем, что первый управляющий участок первого p-слоя со стороны управляющего электрода выполнен в виде паза в первом дополнительном n-слое, а второй управляющий участок первого p-слоя со стороны первого основного электрода - в виде зазора во вспомогательном n-слое.

5. Симметричный тиристор по пп.1 - 3, отличающийся тем, что вдоль границы со вторым управляющим участком первого p-слоя вспомогательный n-слой имеет меньшую ширину, чем вдоль границы с разделительным участком первого p-слоя.

6. Симметричный тиристор по пп.1 - 3, отличающийся тем, что второй управляющий участок первого p-слоя контактирует с выступом первого основного электрода, шунтирующим внутреннюю границу вспомогательного n-слоя, расположенную напротив первого дополнительного n-слоя.