RU96106224A - Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществленияInfo
- Publication number
- RU96106224A RU96106224A RU96106224/09A RU96106224A RU96106224A RU 96106224 A RU96106224 A RU 96106224A RU 96106224/09 A RU96106224/09 A RU 96106224/09A RU 96106224 A RU96106224 A RU 96106224A RU 96106224 A RU96106224 A RU 96106224A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- source
- holder
- paragraphs
- cone
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 8
- 210000003135 Vibrissae Anatomy 0.000 claims 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N Silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
Claims (31)
1. Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов на монокристаллической подложке, ориентированной по наиболее плотно упакованной для данного материала кристаллографической грани, путем осаждения этого материала из паровой фазы при нагреве через частицы растворителя, нанесенные на подложку в определенном порядке, отличающийся тем, что источником материала для роста нитевидных кристаллов служит твердое тело того же состава, что и выращиваемые кристаллы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанное твердое тело имеет плоскую поверхность, обращенную к подложке и ей параллельную, причем между подложкой и источником создается векторно-однородное температурное поле такое, что градиент температуры им перпендикулярен.
3. Способ по п. 2, в котором температура источника выше, чем температура подложки.
4. Способ по п. 2, в котором температура источника ниже, чем температура подложки.
5. Способ по пп. 3 и 4, в котором в пространство между источником и подложкой вводится вещество, которое переносит материал от источника к подложке посредством химической реакции.
6. Способ по п. 3, в котором в пространстве между источником и подложкой создан вакуум или введен инертный газ, и материал переносится от источника к подложке посредством испарения и конденсации.
7. Способ по п. 1, в котором частицы растворителя наносятся на подложку напылением через трафаретную маску.
8. Способ по п. 1, в котором частицы растворителя наносятся на подложку посредством фотолитографического процесса.
9. Способ по п. 8, в котором после создания отверстий в защитной маске напротив них в подложке создаются углубления.
10. Способ по п. 9, в котором диаметр углублений в подложке превосходит диаметр отверстий в защитной маске, а их глубина составляет не менее 0,1 от диаметра отверстий.
11. Способ по пп. 8-10, в котором растворитель наносится на всю подложку, а затем удаляется со всех участков, кроме дна углублений.
12. Способ по п. 11, в котором растворитель удаляется с поверхности защитной маски путем механического воздействия.
13. Способ по п. 11, в котором растворитель удаляется химически, путем растворения защитной маски вместе с растворителем.
14. Способ по пп. 1-3, 5-13, в котором источником материала и подложкой служит кремний, причем в качестве подложки используется пластинка кремния с кристаллографической ориентацией (111).
15. Способ по п. 14, в котором растворителем служит золото.
16. Способ по п. 15, в котором выращивание нитевидных кристаллов проводится при температурах выше 800oC.
17. Способ по пп. 14-16, в котором переносящим веществом служит смесь водорода и тетрахлорида кремния.
18. Устройство для выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов, содержащее трубчатый реактор с протекающими через него газовыми смесями, выделяющими кристаллизуемый материал, осесимметричный держатель подложки и источник нагрева, отличающееся тем, что в трубчатом реакторе напротив держателя подложки расположен держатель источника материала, а источник нагрева расположен по отношению к держателю подложки со стороны, противоположной плоскости, на которой расположена подложка.
19. Устройство для выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов, содержащее трубчатый реактор с протекающими через него газовыми смесями, выделяющими кристаллизуемый материал, осесимметричный держатель подложки и источник нагрева, отличающееся тем, что в трубчатом реакторе напротив держателя подложки расположен держатель источника материала, а источник нагрева расположен со стороны источника материала, противоположной плоскости, на которой расположен источник материала.
20. Устройство по пп. 18 и 19, отличающееся тем, что источник нагрева выполнен в виде высокочастотного индуктора.
21. Устройство по пп. 18 и 20, в котором индуктор имеет цилиндрическую или коническую форму, держатель подложки выполнен в форме усеченного кругового конуса с основаниями, перпендикулярными его оси, причем большее основание конуса имеет цилиндрическое продолжение и на этом основании лежит подложка, меньшее основание имеет выступ, а противолежащий подложке держатель источника материала выполнен в форме радиатора тепла с плоской поверхностью, прилежащей к источнику материала, и с теплоотводящими выступами с противоположной стороны, расположенными по краям указанного радиатора тепла.
22. Устройство по пп. 19 и 20, в котором индуктор имеет цилиндрическую или коническую форму, держатель источника материала выполнен в форме усеченного кругового конуса с основаниями, перпендикулярными его оси, причем большее основание конуса имеет цилиндрическое продолжение и на этом основании лежит источник материала, меньшее основание имеет выступ, а противолежащий источнику материала держатель подложки выполнен в форме радиатора тепла с плоской поверхностью, прилежащей к подложке, и с теплоотводящими выступами с противоположной стороны, расположенными по краям указанного радиатора.
23. Устройство по пп. 20-22, в котором конус располагается концентрично внутри индуктора, причем часть конуса находится вне индуктора большим основанием наружу.
24. Устройство по п. 23, в котором расстояние от большего основания конуса до наружной плоскости крайнего витка индуктора составляет от 0,2 до 0,8 наружного диаметра индуктора.
25. Устройство по пп. 21-24, в котором конус имеет угол от 15o до 120o, а выступ имеет форму цилиндра с отношением диаметра и высоты к диаметру большего основания конуса в пределах от 0,1 до 0,5.
26. Устройство по п. 18, в котором источник нагрева находится внутри осесимметричного полого держателя подложек с наружной поверхностью в форме призмы или усеченной пирамиды, от граней которой получают тепло подложки, а к источнику материала прилежит плоскостью выравниватель температуры.
27. Устройство по п. 19, в котором источник нагрева находится внутри осесимметричного полого держателя источника материала с наружной поверхностью в форме призмы или усеченной пирамиды, от граней которой получает тепло источник материала, а к подложке прилежит плоскостью выравниватель температуры.
28. Устройство по пп. 26 и 27, в котором толщина стенок держателя подложек или источника материала составляет от 0,05 до 0,2 наибольшего диаметра (поперечника) призмы или усеченной пирамиды.
29. Устройство по пп. 18 и 19, в котором источник нагрева выполнен в виде лазеров.
30. Устройство по пп. 18 и 19, в котором источник нагрева выполнен в виде ламп.
31. Устройство по пп. 18-20, 26, 27, 29 и 30, в котором в качестве источников нагрева используются одновременно высокочастотные индукторы, лазеры и лампы.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU9696106224A RU2099808C1 (ru) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты) |
| CN97194954A CN1124370C (zh) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | 生长定向晶须列阵的方法和装置 |
| PCT/RU1997/000078 WO1997037064A1 (en) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | Method and apparatus for growing oriented whisker arrays |
| US09/155,815 US6306734B1 (en) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | Method and apparatus for growing oriented whisker arrays |
| EP97916682A EP0896643B1 (en) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | Method and apparatus for growing oriented whisker arrays |
| DE69734876T DE69734876T2 (de) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | Verfahren und vorrichtung zum züchten orientierter whiskermatritzen |
| KR1019980707847A KR20000005176A (ko) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | 방향성 위스커 어레이 형성 방법 및 장치 |
| AT97916682T ATE312960T1 (de) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | Verfahren und vorrichtung zum züchten orientierter whiskermatritzen |
| JP9535176A JP2000507541A (ja) | 1996-04-01 | 1997-03-24 | 配向ホイスカ・アレイを成長させる方法および装置 |
| US09/569,147 US6451113B1 (en) | 1996-04-01 | 2000-05-11 | Method and apparatus for growing oriented whisker arrays |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU9696106224A RU2099808C1 (ru) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2099808C1 RU2099808C1 (ru) | 1997-12-20 |
| RU96106224A true RU96106224A (ru) | 1998-08-27 |
Family
ID=20178719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU9696106224A RU2099808C1 (ru) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты) |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6306734B1 (ru) |
| EP (1) | EP0896643B1 (ru) |
| JP (1) | JP2000507541A (ru) |
| KR (1) | KR20000005176A (ru) |
| CN (1) | CN1124370C (ru) |
| AT (1) | ATE312960T1 (ru) |
| DE (1) | DE69734876T2 (ru) |
| RU (1) | RU2099808C1 (ru) |
| WO (1) | WO1997037064A1 (ru) |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976957A (en) * | 1996-10-28 | 1999-11-02 | Sony Corporation | Method of making silicon quantum wires on a substrate |
| WO1999057345A1 (fr) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Element fonctionnel pour dispositif electrique, electronique ou optique, et son procede de production |
| US6458206B1 (en) * | 1998-05-13 | 2002-10-01 | Crystals And Technologies, Ltd. | Cantilever with whisker-grown probe and method for producing thereof |
| RU2194328C2 (ru) * | 1998-05-19 | 2002-12-10 | ООО "Высокие технологии" | Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения |
| AU5117400A (en) | 1999-05-31 | 2000-12-18 | Evgeny Invievich Givargizov | Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation |
| JP4397491B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2010-01-13 | 財団法人国際科学振興財団 | １１１面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法 |
| CA2417992C (en) | 2000-08-22 | 2010-10-19 | President And Fellows Of Harvard College | Doped elongated semiconductors, growing such semiconductors, devices including such semiconductors and fabricating such devices |
| US7301199B2 (en) * | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
| EP1342075B1 (en) | 2000-12-11 | 2008-09-10 | President And Fellows Of Harvard College | Device contaning nanosensors for detecting an analyte and its method of manufacture |
| JP4876319B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2012-02-15 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| EP1314801A1 (de) * | 2001-11-27 | 2003-05-28 | Finpar Holding S.A. | Verfahren zum Züchten fadenformiger Kristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US6605535B1 (en) * | 2002-09-26 | 2003-08-12 | Promos Technologies, Inc | Method of filling trenches using vapor-liquid-solid mechanism |
| US7608147B2 (en) * | 2003-04-04 | 2009-10-27 | Qunano Ab | Precisely positioned nanowhiskers and nanowhisker arrays and method for preparing them |
| US7785922B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-08-31 | Nanosys, Inc. | Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates |
| US7199029B2 (en) * | 2004-10-01 | 2007-04-03 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Selective deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate using a nickel catalyst and either patterned polysilicon or silicon surface modification |
| WO2007044034A2 (en) | 2004-12-06 | 2007-04-19 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wire-based data storage |
| JP2006239857A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-14 | Samsung Electronics Co Ltd | シリコンナノワイヤ、シリコンナノワイヤを含む半導体素子及びシリコンナノワイヤの製造方法 |
| KR101138865B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2012-05-14 | 삼성전자주식회사 | 나노 와이어 및 그 제조 방법 |
| US20100227382A1 (en) | 2005-05-25 | 2010-09-09 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale sensors |
| WO2006132659A2 (en) | 2005-06-06 | 2006-12-14 | President And Fellows Of Harvard College | Nanowire heterostructures |
| KR100681046B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2007-02-08 | 현대자동차주식회사 | 차량용 커버스텝 |
| US8846551B2 (en) | 2005-12-21 | 2014-09-30 | University Of Virginia Patent Foundation | Systems and methods of laser texturing of material surfaces and their applications |
| WO2008127807A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | University Of Virginia Patent Foundation | Systems and methods of laser texturing of material surfaces and their applications |
| WO2007136412A2 (en) * | 2005-12-29 | 2007-11-29 | Nanosys, Inc. | Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates |
| CA2643439C (en) | 2006-03-10 | 2015-09-08 | Stc.Unm | Pulsed growth of gan nanowires and applications in group iii nitride semiconductor substrate materials and devices |
| GB2436398B (en) * | 2006-03-23 | 2011-08-24 | Univ Bath | Growth method using nanostructure compliant layers and HVPE for producing high quality compound semiconductor materials |
| CA2655340C (en) | 2006-06-12 | 2016-10-25 | President And Fellows Of Harvard College | Nanosensors and related technologies |
| US8058640B2 (en) | 2006-09-11 | 2011-11-15 | President And Fellows Of Harvard College | Branched nanoscale wires |
| US8483820B2 (en) * | 2006-10-05 | 2013-07-09 | Bioness Inc. | System and method for percutaneous delivery of electrical stimulation to a target body tissue |
| WO2008127314A1 (en) | 2006-11-22 | 2008-10-23 | President And Fellows Of Harvard College | High-sensitivity nanoscale wire sensors |
| GB0701069D0 (en) * | 2007-01-19 | 2007-02-28 | Univ Bath | Nanostructure template and production of semiconductors using the template |
| US8530338B2 (en) * | 2007-07-19 | 2013-09-10 | California Institute Of Technology | Structures of and methods for forming vertically aligned Si wire arrays |
| US20090020150A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Atwater Harry A | Structures of ordered arrays of semiconductors |
| WO2009032413A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | California Institute Of Technology | Method for reuse of wafers for growth of vertically-aligned wire arrays |
| US8652947B2 (en) | 2007-09-26 | 2014-02-18 | Wang Nang Wang | Non-polar III-V nitride semiconductor and growth method |
| US20100298925A1 (en) * | 2007-10-31 | 2010-11-25 | Chameleon Scientific Corporation | Spinulose metal surfaces |
| US8158216B2 (en) | 2007-10-31 | 2012-04-17 | Metascape Llc | Spinulose titanium nanoparticulate surfaces |
| US20090287302A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Chameleon Scientific Corporation | Polymer coated spinulose metal surfaces |
| US8140282B2 (en) * | 2008-05-23 | 2012-03-20 | Oracle America, Inc. | Determining a total length for conductive whiskers in computer systems |
| US9376321B2 (en) * | 2009-05-29 | 2016-06-28 | Postech Academy-Industry Foundation | Method and apparatus for manufacturing a nanowire |
| US8623288B1 (en) | 2009-06-29 | 2014-01-07 | Nanosys, Inc. | Apparatus and methods for high density nanowire growth |
| WO2011038228A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | President And Fellows Of Harvard College | Bent nanowires and related probing of species |
| WO2011066570A2 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | California Institute Of Technology | Semiconductor wire array structures, and solar cells and photodetectors based on such structures |
| WO2011156042A2 (en) | 2010-03-23 | 2011-12-15 | California Institute Of Technology | Heterojunction wire array solar cells |
| WO2011136028A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device and method for manufacturing the same |
| KR101838627B1 (ko) | 2010-05-28 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 및 그 제작 방법 |
| US8852294B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device and method for manufacturing the same |
| WO2011152190A1 (en) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device and method for manufacturing the same |
| WO2011155397A1 (en) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device |
| WO2012002136A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of power storage device |
| US9112224B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Energy storage device and method for manufacturing the same |
| US8846530B2 (en) | 2010-06-30 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming semiconductor region and method for manufacturing power storage device |
| JP6035054B2 (ja) | 2011-06-24 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置の電極の作製方法 |
| US10131086B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | University Of Virginia Patent Foundation | Micro-structure and nano-structure replication methods and article of manufacture |
| KR20130024769A (ko) | 2011-08-30 | 2013-03-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
| JP6050106B2 (ja) | 2011-12-21 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 非水二次電池用シリコン負極の製造方法 |
| US10026560B2 (en) | 2012-01-13 | 2018-07-17 | The California Institute Of Technology | Solar fuels generator |
| WO2013106793A1 (en) | 2012-01-13 | 2013-07-18 | California Institute Of Technology | Solar fuel generators |
| US10090425B2 (en) | 2012-02-21 | 2018-10-02 | California Institute Of Technology | Axially-integrated epitaxially-grown tandem wire arrays |
| WO2013152043A1 (en) | 2012-04-02 | 2013-10-10 | California Institute Of Technology | Solar fuels generator |
| WO2013152132A1 (en) | 2012-04-03 | 2013-10-10 | The California Institute Of Technology | Semiconductor structures for fuel generation |
| RU2536985C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-12-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ выращивания планарных нитевидных кристаллов полупроводников |
| US9553223B2 (en) | 2013-01-24 | 2017-01-24 | California Institute Of Technology | Method for alignment of microwires |
| US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
| RU2657094C1 (ru) * | 2017-07-19 | 2018-06-08 | Акционерное общество "Концерн "Созвездие" | Способ получения твердотельных регулярно расположенных нитевидных кристаллов |
| DE102017222279A1 (de) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2836524A (en) * | 1955-12-21 | 1958-05-27 | Gen Electric | Method and apparatus for the production of single crystals |
| US3580731A (en) * | 1967-09-26 | 1971-05-25 | Gen Technologies Corp | Method of treating the surface of a filament |
| US3536538A (en) | 1968-03-29 | 1970-10-27 | Bell Telephone Labor Inc | Crystal growth technique |
| NL6805300A (ru) * | 1968-04-13 | 1969-10-15 | ||
| GB1533645A (en) | 1976-11-05 | 1978-11-29 | G Ni I P I Redkometallich Prom | Method of producing mesa and threedimensional semiconductor structures with locally non-uniform composition and device for realizing same |
| US4900525A (en) * | 1986-08-25 | 1990-02-13 | Gte Laboratories Incorporated | Chemical vapor deposition reactor for producing metal carbide or nitride whiskers |
| FR2658839B1 (fr) * | 1990-02-23 | 1997-06-20 | Thomson Csf | Procede de croissance controlee de cristaux aciculaires et application a la realisation de microcathodes a pointes. |
| US5362972A (en) | 1990-04-20 | 1994-11-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device using whiskers |
| JP2697474B2 (ja) | 1992-04-30 | 1998-01-14 | 松下電器産業株式会社 | 微細構造の製造方法 |
| US6036774A (en) * | 1996-02-26 | 2000-03-14 | President And Fellows Of Harvard College | Method of producing metal oxide nanorods |
| US5726524A (en) * | 1996-05-31 | 1998-03-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Field emission device having nanostructured emitters |
| JP4109809B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 酸化チタンを含む細線の製造方法 |
-
1996
- 1996-04-01 RU RU9696106224A patent/RU2099808C1/ru not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-03-24 US US09/155,815 patent/US6306734B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-24 KR KR1019980707847A patent/KR20000005176A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-03-24 EP EP97916682A patent/EP0896643B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-24 CN CN97194954A patent/CN1124370C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-24 WO PCT/RU1997/000078 patent/WO1997037064A1/en active IP Right Grant
- 1997-03-24 JP JP9535176A patent/JP2000507541A/ja not_active Ceased
- 1997-03-24 DE DE69734876T patent/DE69734876T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-24 AT AT97916682T patent/ATE312960T1/de not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-05-11 US US09/569,147 patent/US6451113B1/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU96106224A (ru) | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления | |
| RU2099808C1 (ru) | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты) | |
| CA2344342C (en) | Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy | |
| EP0712150B1 (en) | Sublimation growth of silicon carbide single crystals | |
| US6066205A (en) | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt | |
| CA2385621C (en) | Method and apparatus for growing silicon carbide crystals | |
| US5683507A (en) | Apparatus for growing large silicon carbide single crystals | |
| RU2160327C2 (ru) | МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | |
| US5746827A (en) | Method of producing large diameter silicon carbide crystals | |
| WO2000022203A9 (en) | Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy | |
| RU96101450A (ru) | Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа | |
| JP4052678B2 (ja) | 大形炭化珪素単結晶成長装置 | |
| US12077881B2 (en) | Crystal growth apparatus | |
| JPH11209198A (ja) | ＳｉＣ単結晶の合成方法 | |
| JPH0637354B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長方法および装置 | |
| RU96102288A (ru) | Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления | |
| CA2380145C (en) | Growth of bulk single crystals of aluminum | |
| JPS623095A (ja) | 結晶生長法 | |
| RU2812453C2 (ru) | Устройство для выращивания кристаллов | |
| RU2770838C1 (ru) | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ С ПРОВОДИМОСТЬЮ n-ТИПА | |
| KR20200053818A (ko) | 탄화규소 단결정 성장장치용 지그 | |
| JPH06298514A (ja) | 高純度炭化ケイ素の製造方法 | |
| JP2534081Y2 (ja) | 人工ダイヤモンド析出装置 | |
| JPH031486Y2 (ru) | ||
| JP2625840B2 (ja) | 粗粒の人工ダイヤモンド結晶の製造法 |